JPS60194543A - バンプ電極形成方法 - Google Patents
バンプ電極形成方法Info
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- JPS60194543A JPS60194543A JP59049057A JP4905784A JPS60194543A JP S60194543 A JPS60194543 A JP S60194543A JP 59049057 A JP59049057 A JP 59049057A JP 4905784 A JP4905784 A JP 4905784A JP S60194543 A JPS60194543 A JP S60194543A
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- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野１
本発明は、電極形成技術さらにはフェースダウンボンデ
ィング用電極形成に適用して特に有効な技術に関するも
ので、たとえば半導体装置における電極形成に利用して
有効な技術に関するものである。
ィング用電極形成に適用して特に有効な技術に関するも
ので、たとえば半導体装置における電極形成に利用して
有効な技術に関するものである。
ペレットのバンプ電極形成方法としては、該ペレットの
Ｓ ｉｏ、 ｈＡのファイナルパッシベーション膜の所
定位置に、該パッシベーション膜下に形成されているア
ルミニウム等の内部配線と、電気的に接続された、例え
ばアルミニウム上にクロム。
Ｓ ｉｏ、 ｈＡのファイナルパッシベーション膜の所
定位置に、該パッシベーション膜下に形成されているア
ルミニウム等の内部配線と、電気的に接続された、例え
ばアルミニウム上にクロム。
銅および金の３層で形成されているバンプ電極形成部に
、半日または金−錫等のろう材をめっきまたは蒸着等で
被着するものが知られている（工業調査会、１９８０年
１月１５日発行、日本マイクロエレクトロニクス協会網
、「ＩＣ化実装技術１８１ページ以下に詳しい。）。
、半日または金−錫等のろう材をめっきまたは蒸着等で
被着するものが知られている（工業調査会、１９８０年
１月１５日発行、日本マイクロエレクトロニクス協会網
、「ＩＣ化実装技術１８１ページ以下に詳しい。）。
前記形成方法は、通常電極形成部以外をマスクして電極
形成部のみろう材を被着させる、いわゆる部分めっきま
たは部分蒸着を行なった後加熱溶融すること罠より目的
を達成しつると考えられる。
形成部のみろう材を被着させる、いわゆる部分めっきま
たは部分蒸着を行なった後加熱溶融すること罠より目的
を達成しつると考えられる。
前記部分めっき法または部分蒸着法を採用して電極を形
成する場合は、一般にバンプ電極の間隔を狭くすること
が難かしく、その上、めっき法の場合はめっき浴から不
純物が混入することにより、ペレットの信頼性低下を招
くという問題も考えられ、さらに蒸着法ではコストが高
いという欠点がある。
成する場合は、一般にバンプ電極の間隔を狭くすること
が難かしく、その上、めっき法の場合はめっき浴から不
純物が混入することにより、ペレットの信頼性低下を招
くという問題も考えられ、さらに蒸着法ではコストが高
いという欠点がある。
特に金または金を含む材料でバンプ電極を形成する場合
は、材料自体が高価であるため電極形成に要するコスト
を出来るだけ低く抑ゼることが重要であると考えられる
。
は、材料自体が高価であるため電極形成に要するコスト
を出来るだけ低く抑ゼることが重要であると考えられる
。
本発明の目的は、信頼性の高いバンプ電極を安価に形成
することができる技術を提供することにある。
することができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ボールボンディング用ワイヤボンダを用いる
ことにより、電極形成材料であるワイヤ先端に形成され
た熱溶融ボールを電極形成部に熱圧着した後、該圧着ボ
ール上端部のワイヤを切除することＫより、前記目的を
達成するものである。
ことにより、電極形成材料であるワイヤ先端に形成され
た熱溶融ボールを電極形成部に熱圧着した後、該圧着ボ
ール上端部のワイヤを切除することＫより、前記目的を
達成するものである。
第１図〜第３図は、本発明による一実施例であるベレッ
トのバンプ電極形成工程の概略を断面図で示したもので
ある。
トのバンプ電極形成工程の概略を断面図で示したもので
ある。
第１図は、熱溶融ボールの形成工程を、ペレ・ントの電
極形成部のほぼ中心を通る面における断面図で示したも
のである。
極形成部のほぼ中心を通る面における断面図で示したも
のである。
ベレット１上の電極形成部２はシリコン単結晶３上に形
成されているアルミニウム層４からなり、該電極形成部
２以外が酸化ケイ素等のファイナルパッシベーション膜
５で被覆されてなるものである。
成されているアルミニウム層４からなり、該電極形成部
２以外が酸化ケイ素等のファイナルパッシベーション膜
５で被覆されてなるものである。
電極形成部２の上方には、ワイヤボンダのキャピラリ６
とクランパ７とが変位可能に位置しており、該キャピラ
リ６には金線８が通っており、又該キャピラリ下方の該
金線８の先端には溶融ボール９が水素炎等で加熱するこ
とにより形成されている。
とクランパ７とが変位可能に位置しており、該キャピラ
リ６には金線８が通っており、又該キャピラリ下方の該
金線８の先端には溶融ボール９が水素炎等で加熱するこ
とにより形成されている。
第２図は、金線８の先端に形成されている溶融ボール９
の電極形成部２への熱圧着工程を示す第１図と同一面に
おける断面図である。
の電極形成部２への熱圧着工程を示す第１図と同一面に
おける断面図である。
熱圧着は、前記ワイヤボンダのキャピラリを下降させ、
第２図に示すように該キャピラリ下方に形成されている
溶融金ボールを電極形成部２のアルミニウム上に押し付
けることで達成される。
第２図に示すように該キャピラリ下方に形成されている
溶融金ボールを電極形成部２のアルミニウム上に押し付
けることで達成される。
第３図は、圧着されたボール先端部から金線を切除する
工程が終了した状態を示す断面図で、第１図、第２図と
同一面におけるものである。
工程が終了した状態を示す断面図で、第１図、第２図と
同一面におけるものである。
本図に示すワイヤ切除工程は、第２図に示した金ボール
圧着後、キャピラリ６をそのままの位置に保ちつつクラ
ンパ７を閉じて金線８を固定しこれを引き上げることＫ
より行なえる。この際、ボール９先端部に金線の一部が
残存することがないように切除するためには、ワイヤボ
ンダを引き一部げろ前にキャピラリに横方向への振動を
与える等により、予めボール先端部から金線を切断して
おくか、もしくは切れ易い状態にしておけばよく、必要
であれば切断用治具を用いてもよい。
圧着後、キャピラリ６をそのままの位置に保ちつつクラ
ンパ７を閉じて金線８を固定しこれを引き上げることＫ
より行なえる。この際、ボール９先端部に金線の一部が
残存することがないように切除するためには、ワイヤボ
ンダを引き一部げろ前にキャピラリに横方向への振動を
与える等により、予めボール先端部から金線を切断して
おくか、もしくは切れ易い状態にしておけばよく、必要
であれば切断用治具を用いてもよい。
以上説明したごとく、溶融ボール９を電極形成部２に圧
着することにより、極めて容易にペレットにバンプ電極
を形成することができるものである。
着することにより、極めて容易にペレットにバンプ電極
を形成することができるものである。
（１）ポールボンディング用ワイヤボンダを用いること
により、電極材料の溶融ボールを電極形成部に熱圧着し
た後、圧着されたボール先端部よりワイヤを切除するこ
とができることより、バンプ電極を安価に形成すること
ができる。
により、電極材料の溶融ボールを電極形成部に熱圧着し
た後、圧着されたボール先端部よりワイヤを切除するこ
とができることより、バンプ電極を安価に形成すること
ができる。
（２）ポールボンディング用ワイヤボンダを用いてバン
プ電極を形成することができることより、微小間隔で該
バンプ電極を形成することができる。
プ電極を形成することができることより、微小間隔で該
バンプ電極を形成することができる。
（３）電極材料として金を用いることにより、容易にバ
ンプ電極を形成することができるので、製造上のコスト
メリットが特に太きい。
ンプ電極を形成することができるので、製造上のコスト
メリットが特に太きい。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな（ゝ０ たとえば、電極材料としては金線について説明したが、
これに限るものでなく本発明の目的に適合する材料であ
れば如何なる金属であってもよく、例えば、半田等の合
金であってもよい。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもな（ゝ０ たとえば、電極材料としては金線について説明したが、
これに限るものでなく本発明の目的に適合する材料であ
れば如何なる金属であってもよく、例えば、半田等の合
金であってもよい。
また、電極形成部としては、ベレットのアルミニウム層
であるものについて示したが、これに限るものでなく、
アルミニウムの上にクロム、ニッケル等の他の下地金属
が形成されているものであってもよいことはいうまでも
ない。
であるものについて示したが、これに限るものでなく、
アルミニウムの上にクロム、ニッケル等の他の下地金属
が形成されているものであってもよいことはいうまでも
ない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるペレットのフェース
ダウンボンディング用バンプ電極に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、半導体装置のパッケージの電極形成等、他の電子部
品の電極形成に適用して有効な技術に関するものである
。
をその背景となった利用分野であるペレットのフェース
ダウンボンディング用バンプ電極に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、たとえ
ば、半導体装置のパッケージの電極形成等、他の電子部
品の電極形成に適用して有効な技術に関するものである
。
また、本発明による電極形成技術は、いわゆるテープキ
ャリアのフィンガーリードをペレットの電極部に接続す
る場合の、電極形成および接続方法に適用しても有効で
ある。
ャリアのフィンガーリードをペレットの電極部に接続す
る場合の、電極形成および接続方法に適用しても有効で
ある。
通常のテープキャリアへのペレット実装方法は、明によ
る技術を用いれば、バンブ電極形成前のベレットであっ
ても、接続部にスルーホールを有すフィンガーリードを
用いることにより、容易に電極形成と同時にペレットの
所定位置とフィンガーリードとの接続をも可能にするも
のである。
る技術を用いれば、バンブ電極形成前のベレットであっ
ても、接続部にスルーホールを有すフィンガーリードを
用いることにより、容易に電極形成と同時にペレットの
所定位置とフィンガーリードとの接続をも可能にするも
のである。
すなわち、ベレットの下地金属のみの電極形成部にスル
ーホールが一致するようにフィンガーリードを位置せし
めた状態で、スルーホールを通して、本発明による技術
を適用することにより、たとえば金等でバンブ電極をベ
レットの電極形成部に形成すると同時に該電極形成部に
フィンガーリードの接続をも達成することができるもの
である。
ーホールが一致するようにフィンガーリードを位置せし
めた状態で、スルーホールを通して、本発明による技術
を適用することにより、たとえば金等でバンブ電極をベ
レットの電極形成部に形成すると同時に該電極形成部に
フィンガーリードの接続をも達成することができるもの
である。
第１図は、本発明による一実施例であるバンブ電極形成
方法を説明するための工程図のうち、電極材料を電極形
成部へ熱圧着する前の工程を示す断面図、 第２図は、電極材料を電極形成部へ熱圧着している工程
を示す断面図、 第３図は、熱圧着した電極材料の先端部より電極材料の
ワイヤを切除した工程を示す断面図である。 １・・・ペレット、２・・・電極形成部、３・・・シリ
コン単結晶、４・・・アルミニウム層、５・・・ファイ
ナルパッシベーション膜、６・・・キャピラリ、７・・
・クランプ、８・・・金線、９・・・溶融ボール。
方法を説明するための工程図のうち、電極材料を電極形
成部へ熱圧着する前の工程を示す断面図、 第２図は、電極材料を電極形成部へ熱圧着している工程
を示す断面図、 第３図は、熱圧着した電極材料の先端部より電極材料の
ワイヤを切除した工程を示す断面図である。 １・・・ペレット、２・・・電極形成部、３・・・シリ
コン単結晶、４・・・アルミニウム層、５・・・ファイ
ナルパッシベーション膜、６・・・キャピラリ、７・・
・クランプ、８・・・金線、９・・・溶融ボール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ハンプ電極形成方法において、ポールボンディング
用ワイヤボンダを用いて、電極材料を電極形成部に熱圧
着する工程と、熱圧着されたバンプ先端部から室部材料
ワイヤを切除する工程とからなることを特徴とするバン
プ電極形成方法。 ２、電極材料が金であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のバンプ電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59049057A JPS60194543A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | バンプ電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59049057A JPS60194543A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | バンプ電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60194543A true JPS60194543A (ja) | 1985-10-03 |
Family
ID=12820451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59049057A Pending JPS60194543A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | バンプ電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60194543A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132350A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Nec Corp | 金バンプ形成法 |
| JPS62211937A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Toshiba Corp | バンプ形成方法 |
| JPS63173345A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-16 | Nec Kansai Ltd | バンプ電極形成方法 |
| JPH0368150A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-03-25 | Sonitsukusu:Kk | 塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法 |
| US5124277A (en) * | 1990-01-10 | 1992-06-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of ball bonding to non-wire bonded electrodes of semiconductor devices |
| US5172851A (en) * | 1990-09-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP59049057A patent/JPS60194543A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62132350A (ja) * | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Nec Corp | 金バンプ形成法 |
| JPS62211937A (ja) * | 1986-03-13 | 1987-09-17 | Toshiba Corp | バンプ形成方法 |
| JPS63173345A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-07-16 | Nec Kansai Ltd | バンプ電極形成方法 |
| JPH0368150A (ja) * | 1989-08-07 | 1991-03-25 | Sonitsukusu:Kk | 塊状バンプ付きフィルムキャリア及びその製造方法 |
| US5124277A (en) * | 1990-01-10 | 1992-06-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of ball bonding to non-wire bonded electrodes of semiconductor devices |
| US5172851A (en) * | 1990-09-20 | 1992-12-22 | Matsushita Electronics Corporation | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| US5299729A (en) * | 1990-09-20 | 1994-04-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
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