JPH0671434A - クリーンチャンバーの溶接方法 - Google Patents
クリーンチャンバーの溶接方法Info
- Publication number
- JPH0671434A JPH0671434A JP12630291A JP12630291A JPH0671434A JP H0671434 A JPH0671434 A JP H0671434A JP 12630291 A JP12630291 A JP 12630291A JP 12630291 A JP12630291 A JP 12630291A JP H0671434 A JPH0671434 A JP H0671434A
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- JP
- Japan
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- welding
- chamber
- clean chamber
- metal vapor
- closed chamber
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- Pending
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- Arc Welding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】半導体製造装置用のクリーンチャンバー１を溶
接トーチ４により溶接する際に、溶接中に発生する溶接
ヒュームおよび金属蒸気を、溶接トーチ４を介して、吸
引・排出しながらかつアルゴンガス雰囲気中で溶接する
クリーンチャンバーの溶接方法である。 【効果】クリーンチャンバーの溶接部およびその近傍に
は、溶接ヒューム、金属蒸気などが付着することが無い
ため、その後の除去作業などが不用になるとともに、極
めて清浄度の高いクリーンチャンバーを得ることができ
る。
接トーチ４により溶接する際に、溶接中に発生する溶接
ヒュームおよび金属蒸気を、溶接トーチ４を介して、吸
引・排出しながらかつアルゴンガス雰囲気中で溶接する
クリーンチャンバーの溶接方法である。 【効果】クリーンチャンバーの溶接部およびその近傍に
は、溶接ヒューム、金属蒸気などが付着することが無い
ため、その後の除去作業などが不用になるとともに、極
めて清浄度の高いクリーンチャンバーを得ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置用のク
リーンチャンバーの溶接方法に関する。
リーンチャンバーの溶接方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に伴ってク
リーンリームを含めた一連の製造装置の清浄度レベル
は、画期的に高くなってきているが、現在、各種の成膜
を施すためのクリーンチャンバーを製造する際の、溶接
作業は大気中で行われるとともに、溶接部に付着した溶
接ヒューム、金属蒸気および溶接焼けの除去処理が溶接
後に行われていた。
リーンリームを含めた一連の製造装置の清浄度レベル
は、画期的に高くなってきているが、現在、各種の成膜
を施すためのクリーンチャンバーを製造する際の、溶接
作業は大気中で行われるとともに、溶接部に付着した溶
接ヒューム、金属蒸気および溶接焼けの除去処理が溶接
後に行われていた。
【０００３】そこで、本発明は上記問題を解消し得るク
リーンチャンバーの溶接方法を提供することを目的とす
る。
リーンチャンバーの溶接方法を提供することを目的とす
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のクリーンチ
ャンバーの溶接方法によると、溶接作業が大気中で行わ
れるため、溶接部に付着した溶接ヒューム、金属蒸気お
よび溶接焼けの除去処理を必要とするという問題があ
り、またたとえ除去処理を行ったとしも、クリーンチャ
ンバー自体の清浄度に飛躍的な向上を図ることができな
いという問題があった。
ャンバーの溶接方法によると、溶接作業が大気中で行わ
れるため、溶接部に付着した溶接ヒューム、金属蒸気お
よび溶接焼けの除去処理を必要とするという問題があ
り、またたとえ除去処理を行ったとしも、クリーンチャ
ンバー自体の清浄度に飛躍的な向上を図ることができな
いという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のクリーンチャンバーの溶接方法は、半導体
製造装置用のクリーンチャンバーを溶接トーチにより溶
接する際に、溶接中に発生する溶接ヒュームおよび金属
蒸気を、溶接トーチを介して、吸引・排出しながらかつ
アルゴンガス雰囲気中で溶接する方法である。
め、本発明のクリーンチャンバーの溶接方法は、半導体
製造装置用のクリーンチャンバーを溶接トーチにより溶
接する際に、溶接中に発生する溶接ヒュームおよび金属
蒸気を、溶接トーチを介して、吸引・排出しながらかつ
アルゴンガス雰囲気中で溶接する方法である。
【０００６】
【作用】上記の構成によると、溶接作業中に、溶接トー
チを介して溶接ヒューム、金属蒸気などが排出されると
ともに、高純度に管理されたアルゴンガス雰囲気中で溶
接が行われるため、クリーンチャンバーの溶接部および
その近傍には、溶接ヒューム、金属蒸気などが付着する
ことが無い。
チを介して溶接ヒューム、金属蒸気などが排出されると
ともに、高純度に管理されたアルゴンガス雰囲気中で溶
接が行われるため、クリーンチャンバーの溶接部および
その近傍には、溶接ヒューム、金属蒸気などが付着する
ことが無い。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１に基づき説明
する。まず、クリーンチャンバーの溶接を行うための装
置について説明する。
する。まず、クリーンチャンバーの溶接を行うための装
置について説明する。
【０００８】クリーンチャンバー１の溶接装置は、被溶
接物を移動自在に支持する多軸駆動型ポジショナ２を備
えた溶接作業用密閉室（溶接チャンバーともいう）３
と、この溶接作業用密閉室３内に挿入されて溶接を行う
ための溶接トーチ（例えば、ＴＩＧトーチ）４と、上記
溶接作業用密閉室３に真空配管５および電磁弁６を介し
て接続されてその内部の空気を吸引するための真空ポン
プ（例えば、オイルフリーポンプ）７と、上記真空配管
５途中に介装されてより真空度を高めるためのターボ分
子ポンプ８と、上記溶接作業用密閉室３内にそれぞれガ
ス導入配管９，１０を介して窒素ガス（Ｎ2 ガス）およ
びアルゴンガス（Ａｒガス）を注入するガスボンベ１
１，１２とから構成されている。
接物を移動自在に支持する多軸駆動型ポジショナ２を備
えた溶接作業用密閉室（溶接チャンバーともいう）３
と、この溶接作業用密閉室３内に挿入されて溶接を行う
ための溶接トーチ（例えば、ＴＩＧトーチ）４と、上記
溶接作業用密閉室３に真空配管５および電磁弁６を介し
て接続されてその内部の空気を吸引するための真空ポン
プ（例えば、オイルフリーポンプ）７と、上記真空配管
５途中に介装されてより真空度を高めるためのターボ分
子ポンプ８と、上記溶接作業用密閉室３内にそれぞれガ
ス導入配管９，１０を介して窒素ガス（Ｎ2 ガス）およ
びアルゴンガス（Ａｒガス）を注入するガスボンベ１
１，１２とから構成されている。
【０００９】また、上記溶接トーチ４は、溶接時に発生
する溶接ヒュームおよび金属蒸気を外部に吸引・排出で
きる構造にされている。なお、上記溶接作業用密閉室３
には、真空計１３、露点計１４、酸素濃度計１５および
リークバルブ１６が接続されており、また各ガス導入配
管９，１０途中にはそれぞれ流量計１７，１８が設けら
れ、さらに上記真空配管５途中には、粗吸引用バルブ１
９、真空計２０、電磁弁２１およびゲートバルブ２２が
設けられている。
する溶接ヒュームおよび金属蒸気を外部に吸引・排出で
きる構造にされている。なお、上記溶接作業用密閉室３
には、真空計１３、露点計１４、酸素濃度計１５および
リークバルブ１６が接続されており、また各ガス導入配
管９，１０途中にはそれぞれ流量計１７，１８が設けら
れ、さらに上記真空配管５途中には、粗吸引用バルブ１
９、真空計２０、電磁弁２１およびゲートバルブ２２が
設けられている。
【００１０】次に、溶接作業について説明する。まず、
溶接作業用密閉室３内に、仮組みされたクリーンチャン
バー１をセットし、真空ポンプ３で所定の真空度（例え
ば、１０-4Torr）に粗吸引する。
溶接作業用密閉室３内に、仮組みされたクリーンチャン
バー１をセットし、真空ポンプ３で所定の真空度（例え
ば、１０-4Torr）に粗吸引する。
【００１１】次に、高純度の窒素ガスを溶接作業用密閉
室３内に導入する。この作業を数回繰り返して溶接作業
用密閉室３内の水分および酸素を極力低い値にする。そ
して、最終的には、高純度アルゴンガスを導入して窒素
ガスが排出された状態とし、この状態でクリーンチャン
バー１の溶接作業が行われる。
室３内に導入する。この作業を数回繰り返して溶接作業
用密閉室３内の水分および酸素を極力低い値にする。そ
して、最終的には、高純度アルゴンガスを導入して窒素
ガスが排出された状態とし、この状態でクリーンチャン
バー１の溶接作業が行われる。
【００１２】この溶接作業時においては、溶接時に発生
する溶接ヒューム、金属蒸気などが溶接トーチ４を介し
て外部に排出されている。このため、溶接部の清浄度は
極めて高いものとなる。
する溶接ヒューム、金属蒸気などが溶接トーチ４を介し
て外部に排出されている。このため、溶接部の清浄度は
極めて高いものとなる。
【００１３】なお、アルゴンガスの導入前に窒素ガスを
導入するのは、高価なアルゴンガスの消費を極力抑える
ためで、勿論、窒素ガスを使用しないで、最初からアル
ゴンガスを導入するようにしてもよい。
導入するのは、高価なアルゴンガスの消費を極力抑える
ためで、勿論、窒素ガスを使用しないで、最初からアル
ゴンガスを導入するようにしてもよい。
【００１４】また、アルゴンガスの導入工程において、
溶接作業用密閉室３内の真空度をさらに高めてから（例
えば、１０-8〜１０-9Torr程度）、ガスの導入を行いた
い場合には、ターボ分子ポンプ８を使用すればよい。
溶接作業用密閉室３内の真空度をさらに高めてから（例
えば、１０-8〜１０-9Torr程度）、ガスの導入を行いた
い場合には、ターボ分子ポンプ８を使用すればよい。
【００１５】なお、溶接が終了した状態でも、溶接作業
用密閉室３内のアルゴンガスの純度が極端に低下するこ
とはない。さらに、溶接作業中のアーク特性改善の目的
から、溶接アルゴンシールドガスおよび溶接作業用密閉
室３の雰囲気ガスに少量の還元性ガスである水素ガスを
添加してもよい。
用密閉室３内のアルゴンガスの純度が極端に低下するこ
とはない。さらに、溶接作業中のアーク特性改善の目的
から、溶接アルゴンシールドガスおよび溶接作業用密閉
室３の雰囲気ガスに少量の還元性ガスである水素ガスを
添加してもよい。
【００１６】上記の溶接方法によると、溶接作業中に、
溶接トーチを介して、溶接ヒューム、金属蒸気などが排
出されるとともに、高純度に管理されたアルゴンガス雰
囲気中で溶接が行われるため、クリーンチャンバーの溶
接部の近傍およびその周辺並びに溶接作業用密閉室内
に、溶接プールから飛散するヒュームおよび金属蒸気が
付着することが無く、したがってその後の除去作業など
が不用となる。
溶接トーチを介して、溶接ヒューム、金属蒸気などが排
出されるとともに、高純度に管理されたアルゴンガス雰
囲気中で溶接が行われるため、クリーンチャンバーの溶
接部の近傍およびその周辺並びに溶接作業用密閉室内
に、溶接プールから飛散するヒュームおよび金属蒸気が
付着することが無く、したがってその後の除去作業など
が不用となる。
【００１７】もし、溶接トーチを介して、溶接ヒュー
ム、金属蒸気などの排出が行われなかった場合には、金
属蒸気は溶接プールから高い蒸気圧を持つ金属元素の順
にしかも微粒子の状態で離脱・飛散し、したがって溶接
部近傍には金属元素が蒸着するとともに、微粒子状態で
付着することになる。
ム、金属蒸気などの排出が行われなかった場合には、金
属蒸気は溶接プールから高い蒸気圧を持つ金属元素の順
にしかも微粒子の状態で離脱・飛散し、したがって溶接
部近傍には金属元素が蒸着するとともに、微粒子状態で
付着することになる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明の溶接方法による
と、溶接作業中に、溶接トーチを介して、溶接ヒュー
ム、金属蒸気などが排出されるとともに、高純度に管理
されたアルゴンガス雰囲気中で溶接が行われるため、ク
リーンチャンバーの溶接部およびその近傍には、溶接ヒ
ューム、金属蒸気などが付着することが無く、したがっ
てその後の除去作業などが不用になるとともに、極めて
清浄度の高いクリーンチャンバーを得ることができる。
と、溶接作業中に、溶接トーチを介して、溶接ヒュー
ム、金属蒸気などが排出されるとともに、高純度に管理
されたアルゴンガス雰囲気中で溶接が行われるため、ク
リーンチャンバーの溶接部およびその近傍には、溶接ヒ
ューム、金属蒸気などが付着することが無く、したがっ
てその後の除去作業などが不用になるとともに、極めて
清浄度の高いクリーンチャンバーを得ることができる。
【図１】図１は本発明の一実施例に係るクリーンチャン
バーの溶接装置の概略構成を示す全体構成図である。
バーの溶接装置の概略構成を示す全体構成図である。
１ クリーンチャンバー ３ 溶接作業用密閉室 ４ 溶接トーチ ５ 真空配管 ７ 真空ポンプ ９，１０ ガス導入配管 １１，１２ ガスボンベ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米が袋２−１−17− 301 (72)発明者 中島 宏幸 大阪府大阪市此花区西九条５丁目３番28号 日立造船株式会社内 (72)発明者 大塚 隆夫 大阪府大阪市此花区西九条５丁目３番28号 日立造船株式会社内 (72)発明者 北側 彰一 大阪府大阪市此花区西九条５丁目３番28号 日立造船株式会社内 (72)発明者 馬場 吉康 神奈川県川崎市川崎区水江町４番１号 日 造精密研磨株式会社内 (72)発明者 佐藤 憲二 神奈川県川崎市川崎区水江町４番１号 日 造精密研磨株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】半導体製造装置用のクリーンチャンバーを
溶接トーチにより溶接する際に、溶接中に発生する溶接
ヒュームおよび金属蒸気を、溶接トーチを介して、吸引
・排出しながらかつアルゴンガス雰囲気中で溶接するこ
とを特徴とするクリーンチャンバーの溶接方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12630291A JPH0671434A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | クリーンチャンバーの溶接方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12630291A JPH0671434A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | クリーンチャンバーの溶接方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0671434A true JPH0671434A (ja) | 1994-03-15 |
Family
ID=14931840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12630291A Pending JPH0671434A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | クリーンチャンバーの溶接方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671434A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100348867B1 (ko) * | 1999-06-14 | 2002-08-17 | 박헌양 | 비철합금의 진공용접장치 |
| WO2004011184A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | Medtronic, Inc. | Laser weld system with different welding gases |
| US6908749B2 (en) | 2000-10-24 | 2005-06-21 | Juridical Foundation The Chemo-Sero-Therapeutic Research Institute | Method for preparing human serum albumin containing heat-treatment |
| US7001885B2 (en) | 2000-10-24 | 2006-02-21 | Juridical Foundation The Chemo-Sero-Therapeutic Research Institute | Method for removing multimers of human serum albumin |
| CN109746544A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-05-14 | 江阴市光科光电精密设备有限公司 | 一种超高真空不锈钢腔室的焊接工艺 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49118651A (ja) * | 1973-03-16 | 1974-11-13 | ||
| JPS49128192A (ja) * | 1973-04-17 | 1974-12-07 | ||
| JPS5062837A (ja) * | 1973-10-08 | 1975-05-29 | ||
| JPS5062843A (ja) * | 1973-10-08 | 1975-05-29 | ||
| JPS60202U (ja) * | 1984-05-04 | 1985-01-05 | オ−ツタイヤ株式会社 | 空気タイヤ |
| JPS63101079A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Kobe Steel Ltd | チタン材の不活性ガス中ア−ク手溶接方法 |
-
1991
- 1991-05-30 JP JP12630291A patent/JPH0671434A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49118651A (ja) * | 1973-03-16 | 1974-11-13 | ||
| JPS49128192A (ja) * | 1973-04-17 | 1974-12-07 | ||
| JPS5062837A (ja) * | 1973-10-08 | 1975-05-29 | ||
| JPS5062843A (ja) * | 1973-10-08 | 1975-05-29 | ||
| JPS60202U (ja) * | 1984-05-04 | 1985-01-05 | オ−ツタイヤ株式会社 | 空気タイヤ |
| JPS63101079A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Kobe Steel Ltd | チタン材の不活性ガス中ア−ク手溶接方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100348867B1 (ko) * | 1999-06-14 | 2002-08-17 | 박헌양 | 비철합금의 진공용접장치 |
| US6908749B2 (en) | 2000-10-24 | 2005-06-21 | Juridical Foundation The Chemo-Sero-Therapeutic Research Institute | Method for preparing human serum albumin containing heat-treatment |
| US7001885B2 (en) | 2000-10-24 | 2006-02-21 | Juridical Foundation The Chemo-Sero-Therapeutic Research Institute | Method for removing multimers of human serum albumin |
| WO2004011184A1 (en) * | 2002-07-25 | 2004-02-05 | Medtronic, Inc. | Laser weld system with different welding gases |
| US6894246B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-05-17 | Medtronic, Inc. | Variable environment laser weld system |
| CN109746544A (zh) * | 2019-03-19 | 2019-05-14 | 江阴市光科光电精密设备有限公司 | 一种超高真空不锈钢腔室的焊接工艺 |
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