JPH0669654A - 多層金属ベース基板の導体層間の電気的接続構造およびその電気的接続方法 - Google Patents
多層金属ベース基板の導体層間の電気的接続構造およびその電気的接続方法Info
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- JPH0669654A JPH0669654A JP4223069A JP22306992A JPH0669654A JP H0669654 A JPH0669654 A JP H0669654A JP 4223069 A JP4223069 A JP 4223069A JP 22306992 A JP22306992 A JP 22306992A JP H0669654 A JPH0669654 A JP H0669654A
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単に導体層間の電気的接続がなされ、ま
た、チップ部品や端子等の実装時に確実に固定がなされ
る信頼性の高い多層金属ベース基板の導体層間の電気的
接続構造およびその電気的接続方法を提供すること。 【構成】 多層回路構造を有する金属ベース基板Ａの上
部導体層１から下部導体層３表面が露出する孔６が設け
られ、この上部導体層１表面に上記孔６の開口部Ｘを囲
むレジスト層７を設けて凹部８が形成されてなり、少な
くとも上記孔６中に導電体Ｍが充填されて上記上部導体
層１と下部導体層３とが電気的に接続されてなるもので
ある。
た、チップ部品や端子等の実装時に確実に固定がなされ
る信頼性の高い多層金属ベース基板の導体層間の電気的
接続構造およびその電気的接続方法を提供すること。 【構成】 多層回路構造を有する金属ベース基板Ａの上
部導体層１から下部導体層３表面が露出する孔６が設け
られ、この上部導体層１表面に上記孔６の開口部Ｘを囲
むレジスト層７を設けて凹部８が形成されてなり、少な
くとも上記孔６中に導電体Ｍが充填されて上記上部導体
層１と下部導体層３とが電気的に接続されてなるもので
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層回路構造をもった
金属ベース基板の上部導体層と下部導体層との導体層間
の電気的接続構造およびその電気的接続方法に関する。
金属ベース基板の上部導体層と下部導体層との導体層間
の電気的接続構造およびその電気的接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層回路構造を有する金属ベース基板
（以下、多層金属ベース基板という）の上部導体層と下
部導体層との導体層間の電気的な接続方法として、従
来、ワイヤーボンドを用いて両者を接続する方法や、ス
ルーホールのメッキ層によって導通させる方法等が用い
られている。しかし、それらの方法は工程数が多く、複
雑な加工を必要とするためにコストが高くなるという問
題がある。一方、多層金属ベース基板に上層導体表面か
ら下層導体表面を露出する連通孔を形成し、この連通孔
に半田や導電性樹脂を充填して上層導体と下層導体とを
接続する方法が知られている（特開昭６１−７６９８号
公報参照）。この接続構造は、図１に示すように、金属
ベース５に、絶縁層４、下部導体層３、絶縁層２、上部
導体層１を積層して構成される多層金属ベース基板の上
記上部導体層１と絶縁層２とを貫通し下部導体層３の表
面が露出する孔６を設けた構造として、この孔６中に導
電体Ｍを充填することによって、上記上部導体層１と下
部導体層３とを電気的に接続するものである。ところが
上記方法では、導電体Ｍとして使用する半田や導電性樹
脂の表面張力の作用によって、孔６中に充填する導電体
量を適正量に制御することが困難であって、例えば孔６
中に充填する導電体量が少ない場合は、充填不足による
導通不良が発生し、多い場合は上部導体層１の表面に流
展して、回路間を短絡させるおそれがある。また、特に
チップ部品や端子等を実装する場合には、導電体のつき
まわり性に基づく固定強度に問題が生じ、電気的接続や
固定強度の信頼性に問題があった。
（以下、多層金属ベース基板という）の上部導体層と下
部導体層との導体層間の電気的な接続方法として、従
来、ワイヤーボンドを用いて両者を接続する方法や、ス
ルーホールのメッキ層によって導通させる方法等が用い
られている。しかし、それらの方法は工程数が多く、複
雑な加工を必要とするためにコストが高くなるという問
題がある。一方、多層金属ベース基板に上層導体表面か
ら下層導体表面を露出する連通孔を形成し、この連通孔
に半田や導電性樹脂を充填して上層導体と下層導体とを
接続する方法が知られている（特開昭６１−７６９８号
公報参照）。この接続構造は、図１に示すように、金属
ベース５に、絶縁層４、下部導体層３、絶縁層２、上部
導体層１を積層して構成される多層金属ベース基板の上
記上部導体層１と絶縁層２とを貫通し下部導体層３の表
面が露出する孔６を設けた構造として、この孔６中に導
電体Ｍを充填することによって、上記上部導体層１と下
部導体層３とを電気的に接続するものである。ところが
上記方法では、導電体Ｍとして使用する半田や導電性樹
脂の表面張力の作用によって、孔６中に充填する導電体
量を適正量に制御することが困難であって、例えば孔６
中に充填する導電体量が少ない場合は、充填不足による
導通不良が発生し、多い場合は上部導体層１の表面に流
展して、回路間を短絡させるおそれがある。また、特に
チップ部品や端子等を実装する場合には、導電体のつき
まわり性に基づく固定強度に問題が生じ、電気的接続や
固定強度の信頼性に問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記問
題を解消し、簡単に導体層間の電気的接続がなされ、ま
た、チップ部品や端子等の実装時に確実に固定がなされ
る信頼性の高い多層金属ベース基板の導体層間の電気的
接続構造およびその電気的接続方法を提供することであ
る。
題を解消し、簡単に導体層間の電気的接続がなされ、ま
た、チップ部品や端子等の実装時に確実に固定がなされ
る信頼性の高い多層金属ベース基板の導体層間の電気的
接続構造およびその電気的接続方法を提供することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の多層金属ベース
基板の導体層間の接続構造は、多層回路構造を有する金
属ベース基板の上部導体層表面から下部導体層表面が露
出する孔が設けられ、この上部導体層表面に形成される
上記孔の開口部周囲を囲むレジスト層を設けて凹部が形
成されてなり、少なくとも上記孔中に導電体が充填され
て上部導体層と下部導体層とが電気的に接続されてなる
ものである。また、本発明の多層金属ベース基板の導体
層間の接続方法は、多層回路構造を有する金属ベース基
板の上部導体層から下部導体層表面が露出する孔を設
け、ついで上部導体層表面にレジスト層を被着して上記
孔の開口部を囲む凹部を形成し、この凹部に導電体を充
填し、必要に応じて加熱処理を施し、少なくとも上記孔
中に上記導電体を充填して、上記上部導体層と下部導体
層との導体層間を電気的に接続することを特徴とする。
基板の導体層間の接続構造は、多層回路構造を有する金
属ベース基板の上部導体層表面から下部導体層表面が露
出する孔が設けられ、この上部導体層表面に形成される
上記孔の開口部周囲を囲むレジスト層を設けて凹部が形
成されてなり、少なくとも上記孔中に導電体が充填され
て上部導体層と下部導体層とが電気的に接続されてなる
ものである。また、本発明の多層金属ベース基板の導体
層間の接続方法は、多層回路構造を有する金属ベース基
板の上部導体層から下部導体層表面が露出する孔を設
け、ついで上部導体層表面にレジスト層を被着して上記
孔の開口部を囲む凹部を形成し、この凹部に導電体を充
填し、必要に応じて加熱処理を施し、少なくとも上記孔
中に上記導電体を充填して、上記上部導体層と下部導体
層との導体層間を電気的に接続することを特徴とする。
【０００５】以下、本発明を、図面に基づき詳細に説明
する。図２は、多層金属ベース基板の導体層間の接続構
造を示す部分断面図である。前記図１と同一箇所には同
一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図１と相
違する点は、上部導体層１の表面に形成される孔６の開
口部Ｘの周囲をレジスト層７によって囲み、この開口部
Ｘよりも面積が大きい開口部Ｙを有する凹部８を設けた
点である。
する。図２は、多層金属ベース基板の導体層間の接続構
造を示す部分断面図である。前記図１と同一箇所には同
一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図１と相
違する点は、上部導体層１の表面に形成される孔６の開
口部Ｘの周囲をレジスト層７によって囲み、この開口部
Ｘよりも面積が大きい開口部Ｙを有する凹部８を設けた
点である。
【０００６】本発明では、上記凹部８は、少なくとも孔
６の容積に相当する容積を有するように形成される。こ
の条件を満足させるために、上記凹部８は、上部導体層
１の表面に形成される孔６の開口部Ｘよりも大きい面積
となる開口部Ｙとし、レジスト層７の厚さによって変化
するが、好ましくは上記開口部Ｘの１３０〜１０００
％、より好ましくは１５０〜７００％、特に好ましくは
２００〜５００％の面積とする。
６の容積に相当する容積を有するように形成される。こ
の条件を満足させるために、上記凹部８は、上部導体層
１の表面に形成される孔６の開口部Ｘよりも大きい面積
となる開口部Ｙとし、レジスト層７の厚さによって変化
するが、好ましくは上記開口部Ｘの１３０〜１０００
％、より好ましくは１５０〜７００％、特に好ましくは
２００〜５００％の面積とする。
【０００７】本発明で用いる多層金属ベース基板として
は、従来公知の製造方法によって作製されるものであれ
ば、いずれの種類のものであっても使用できる。一例を
示すと、まず、導体箔の片側全面に接着性を有する絶縁
シートを被着させ、上部導体層１と絶縁層２の積層板を
得る。つぎに、この導体層１と絶縁層２の積層板の所定
位置に、円形や方形等の任意の形状の貫通孔６を、ドリ
リング、プレス加工等の方法で形成する。一方、金属ベ
ース板５の上に絶縁層４を、さらにその上に下部導体層
３を被着し、エッチング法等で下部導体層３に回路パタ
ーンを形成しベース板ブロックとする。つぎに、上記積
層板とベース板ブロックとを接着し、上部導体層１にエ
ッチング法等で回路パターンを形成して多層金属ベース
基板Ａを得る。本発明では、さらに上記多層金属ベース
基板Ａの上部導体層１の表面を、レジスト層７でコーテ
ィングし、前記孔６の開口部Ｘの周囲近傍をレジスト層
７で囲むようにして、開口部Ｘよりも面積が大きい開口
部Ｙを有する凹部８を形成する。
は、従来公知の製造方法によって作製されるものであれ
ば、いずれの種類のものであっても使用できる。一例を
示すと、まず、導体箔の片側全面に接着性を有する絶縁
シートを被着させ、上部導体層１と絶縁層２の積層板を
得る。つぎに、この導体層１と絶縁層２の積層板の所定
位置に、円形や方形等の任意の形状の貫通孔６を、ドリ
リング、プレス加工等の方法で形成する。一方、金属ベ
ース板５の上に絶縁層４を、さらにその上に下部導体層
３を被着し、エッチング法等で下部導体層３に回路パタ
ーンを形成しベース板ブロックとする。つぎに、上記積
層板とベース板ブロックとを接着し、上部導体層１にエ
ッチング法等で回路パターンを形成して多層金属ベース
基板Ａを得る。本発明では、さらに上記多層金属ベース
基板Ａの上部導体層１の表面を、レジスト層７でコーテ
ィングし、前記孔６の開口部Ｘの周囲近傍をレジスト層
７で囲むようにして、開口部Ｘよりも面積が大きい開口
部Ｙを有する凹部８を形成する。
【０００８】本発明の多層金属ベース基板の導体層間の
接続方法は、上記凹部８に導電体Ｍを充填し、必要に応
じて加熱処理を行い、少なくとも孔６中を導電体Ｍで充
填して上部導体層と下部導体層とを電気的に接続するも
のである。本発明では、上記導電体としては、半田、導
電性樹脂などを使用する。この導電体の充填は、リフロ
ー法、導電ペーストの印刷法、導電性粘着物をスポット
で注入するディスペンサー法等の方法でなされる。
接続方法は、上記凹部８に導電体Ｍを充填し、必要に応
じて加熱処理を行い、少なくとも孔６中を導電体Ｍで充
填して上部導体層と下部導体層とを電気的に接続するも
のである。本発明では、上記導電体としては、半田、導
電性樹脂などを使用する。この導電体の充填は、リフロ
ー法、導電ペーストの印刷法、導電性粘着物をスポット
で注入するディスペンサー法等の方法でなされる。
【０００９】
【作用】本発明によれば、多層金属ベース基板の上部導
体層の表面上に形成される孔の開口部の周囲近傍に、こ
の開口部よりも面積が大きい開口部を有する凹部を形成
しているので、表面張力の影響を受けることなく導電体
を孔中に充填することができるようになる。したがっ
て、適正量の導電体を充填できるようになり、しかも充
填不足による導通不良や、上層表面に流展することが防
止できる。また、チップ部品や端子等を実装する場合に
は、所定の実装場所が凹部で確保され、実装部品を凹部
に載置して導電体を注入すれば実装部品を広範な面積で
強固に固定できるようになる。したがって、実装部品の
電気的接続や固定強度の信頼性等を向上できる。さら
に、異層間にわたって部品を実装する場合、実装部品の
取り付け位置の直下で、実装部品を上層導体層と下層導
体層とに接続できるので、接続のための特別な場所を不
要にできる。したがって、省スペースの実装が可能とな
り、実装密度が向上し、その上異層間の電気接続箇所が
結果的に増加するので、層間の接続信頼性も向上する。
体層の表面上に形成される孔の開口部の周囲近傍に、こ
の開口部よりも面積が大きい開口部を有する凹部を形成
しているので、表面張力の影響を受けることなく導電体
を孔中に充填することができるようになる。したがっ
て、適正量の導電体を充填できるようになり、しかも充
填不足による導通不良や、上層表面に流展することが防
止できる。また、チップ部品や端子等を実装する場合に
は、所定の実装場所が凹部で確保され、実装部品を凹部
に載置して導電体を注入すれば実装部品を広範な面積で
強固に固定できるようになる。したがって、実装部品の
電気的接続や固定強度の信頼性等を向上できる。さら
に、異層間にわたって部品を実装する場合、実装部品の
取り付け位置の直下で、実装部品を上層導体層と下層導
体層とに接続できるので、接続のための特別な場所を不
要にできる。したがって、省スペースの実装が可能とな
り、実装密度が向上し、その上異層間の電気接続箇所が
結果的に増加するので、層間の接続信頼性も向上する。
【００１０】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明方法をより具体
的に説明する。図２は、本発明の一実施例を示すもの
で、二層の導体層を有する多層金属ベース基板の導体層
間の接続構造を示す断面図である。同図において、Ａは
多層金属ベース基板で、基板５上に絶縁層４、下部導電
層３、絶縁層２、上部導電層１およびレジスト層７が接
合されて構成されている。６は貫通孔で、上記上部導電
層１の表面から絶縁層２を貫通して下部導電層３の表面
を露出するように形成されている。８は凹部で、上記上
部導電層１の表面に上記孔６の開口部Ｘの周囲にレジス
ト層７を被着して形成されている。Ｍは電導体で、少な
くとも上記孔６に充填され、上記上部導電層１と下部導
電層３とを電気的に接続するものである。
的に説明する。図２は、本発明の一実施例を示すもの
で、二層の導体層を有する多層金属ベース基板の導体層
間の接続構造を示す断面図である。同図において、Ａは
多層金属ベース基板で、基板５上に絶縁層４、下部導電
層３、絶縁層２、上部導電層１およびレジスト層７が接
合されて構成されている。６は貫通孔で、上記上部導電
層１の表面から絶縁層２を貫通して下部導電層３の表面
を露出するように形成されている。８は凹部で、上記上
部導電層１の表面に上記孔６の開口部Ｘの周囲にレジス
ト層７を被着して形成されている。Ｍは電導体で、少な
くとも上記孔６に充填され、上記上部導電層１と下部導
電層３とを電気的に接続するものである。
【００１１】上記構造によれば、凹部８に電導体Ｍを所
定量注入するだけで、上部導電層１の表面に流展させる
ことなく簡単に孔６に充填させることができるようにな
る。したがって、確実に下部導電層３と上部導電層１と
を電気的に接続できるようになる。また、電導体Ｍが上
部導電層１の表面に流展しなくなるので、回路間を短絡
させることが防止できるようになる。
定量注入するだけで、上部導電層１の表面に流展させる
ことなく簡単に孔６に充填させることができるようにな
る。したがって、確実に下部導電層３と上部導電層１と
を電気的に接続できるようになる。また、電導体Ｍが上
部導電層１の表面に流展しなくなるので、回路間を短絡
させることが防止できるようになる。
【００１２】なお、上記多層金属ベース基板の作製およ
びその導電層間の電気的接続は、次の方法によって行っ
た。まず、上部導体層１となる厚さ０．０３５ｍｍの銅
箔の片側全面に、絶縁層２となる接着性を有する厚さ
０．０６０ｍｍのエポキシ樹脂製絶縁シートを被着さ
せ、上部導体層１と絶縁層２の積層板を得た。ただし、
この時点では上部導体層１には回路パターンは形成され
ていない。つぎに、この導体層１と絶縁層２の積層板の
所定位置に、１．５×１．０ｍｍの方形の貫通孔６を、
プレス加工で形成した。一方、金属ベース板５となる厚
さ２．０ｍｍのアルミ板の上に、絶縁層４となる厚さ
０．１２０ｍのエポキシ樹脂製絶縁シートと、さらにそ
の上に下部導体層３となる厚さ０．１０５ｍｍの銅箔を
被着し、エッチング法で下部導体層３に下層回路パター
ンを形成しベース板ブロックとした。つぎに、上記積層
板とベース板ブロックとを接着し、上部導体層１にエッ
チング法で上層回路パターンを形成した。最後に、上部
導体層１の表面上に厚さ２０μｍの半田レジスト７を、
孔６の開口部Ｘの周囲から０．５ｍｍ間隔をおいた領域
を残し、コーティングを行い凹部８を形成した多層金属
ベース基板Ａを得た。
びその導電層間の電気的接続は、次の方法によって行っ
た。まず、上部導体層１となる厚さ０．０３５ｍｍの銅
箔の片側全面に、絶縁層２となる接着性を有する厚さ
０．０６０ｍｍのエポキシ樹脂製絶縁シートを被着さ
せ、上部導体層１と絶縁層２の積層板を得た。ただし、
この時点では上部導体層１には回路パターンは形成され
ていない。つぎに、この導体層１と絶縁層２の積層板の
所定位置に、１．５×１．０ｍｍの方形の貫通孔６を、
プレス加工で形成した。一方、金属ベース板５となる厚
さ２．０ｍｍのアルミ板の上に、絶縁層４となる厚さ
０．１２０ｍのエポキシ樹脂製絶縁シートと、さらにそ
の上に下部導体層３となる厚さ０．１０５ｍｍの銅箔を
被着し、エッチング法で下部導体層３に下層回路パター
ンを形成しベース板ブロックとした。つぎに、上記積層
板とベース板ブロックとを接着し、上部導体層１にエッ
チング法で上層回路パターンを形成した。最後に、上部
導体層１の表面上に厚さ２０μｍの半田レジスト７を、
孔６の開口部Ｘの周囲から０．５ｍｍ間隔をおいた領域
を残し、コーティングを行い凹部８を形成した多層金属
ベース基板Ａを得た。
【００１３】次に、上記凹部８にクリーム半田Ｍをメタ
ルマスク版による印刷によって充填し、これをさらに２
２０℃で１分間加熱した。この結果、孔６中にクリーム
半田Ｍが充填され、上部導体層１と下部導体層３とを電
気的に接続することができた。
ルマスク版による印刷によって充填し、これをさらに２
２０℃で１分間加熱した。この結果、孔６中にクリーム
半田Ｍが充填され、上部導体層１と下部導体層３とを電
気的に接続することができた。
【００１４】図３は、他の実施例を示し、部品を実装し
た接続構造を示す部分断面図である。同図において、前
記図２と相違するところは、抵抗、コンデンサ等のチッ
プ部品Ｐの電極部Ｄが、凹部８に固定されるとともに、
上部導体層１および下部導体層３に電気的に接続されて
いることである。上記構造によれば、チップ部品Ｐの取
り付け位置に凹部８を設けているので、チップ部品Ｐの
電極 を上記凹部８に載置し、この凹部８に電導体Ｍを
所定量注入するだけで、上部導電層１の表面に電導体Ｍ
を流展させることなく、簡単に固定できるとともに、上
部導体層１および下部導体層３に電気的に接続できる。
したがって、上記チップ部品Ｐを多層金属ベース基板Ａ
の所定位置に簡単に取り付けるとともに、容易にこの多
層金属ベース基板Ａに電気的に接続できるようになる。
また、凹部８にほぼいっぱいに電導体Ｍを充填すれば、
チップ部品Ｐの電極が広範囲に電導体Ｍと接触して固定
されるようになるので、その取り付け強度が一層向上す
るとともに、電気的接続の信頼性が向上するようにな
る。また、チップ部品Ｐの取り付け位置の直下で、チッ
プ部品Ｐを上層導体層と下層導体層とに接続できるの
で、接続のための特別な場所が不要にできて、実装密度
が向上するようになる。したがって、その取り付け効率
が向上する。
た接続構造を示す部分断面図である。同図において、前
記図２と相違するところは、抵抗、コンデンサ等のチッ
プ部品Ｐの電極部Ｄが、凹部８に固定されるとともに、
上部導体層１および下部導体層３に電気的に接続されて
いることである。上記構造によれば、チップ部品Ｐの取
り付け位置に凹部８を設けているので、チップ部品Ｐの
電極 を上記凹部８に載置し、この凹部８に電導体Ｍを
所定量注入するだけで、上部導電層１の表面に電導体Ｍ
を流展させることなく、簡単に固定できるとともに、上
部導体層１および下部導体層３に電気的に接続できる。
したがって、上記チップ部品Ｐを多層金属ベース基板Ａ
の所定位置に簡単に取り付けるとともに、容易にこの多
層金属ベース基板Ａに電気的に接続できるようになる。
また、凹部８にほぼいっぱいに電導体Ｍを充填すれば、
チップ部品Ｐの電極が広範囲に電導体Ｍと接触して固定
されるようになるので、その取り付け強度が一層向上す
るとともに、電気的接続の信頼性が向上するようにな
る。また、チップ部品Ｐの取り付け位置の直下で、チッ
プ部品Ｐを上層導体層と下層導体層とに接続できるの
で、接続のための特別な場所が不要にできて、実装密度
が向上するようになる。したがって、その取り付け効率
が向上する。
【００１５】上記多層金属ベース基板Ａへの上記チップ
部品の取り付けおよび電気的接続は、次のようにして行
った。多層金属ベース基板Ａのチップ部品Ｐの取り付け
位置に、前記実施例と同様にして、孔６および該チップ
部品Ｐの電極 の形状に応じた凹部８を形成した。次
に、該凹部８に印刷によってクリーム半田Ｍを充填し、
ついでこの上にチップ部品Ｐの電極Ｄを載置し、２２０
℃で１分間加熱した。この結果、孔６中にクリーム半田
Ｍが充填され、上部導体層１と下部導体層３とを電気的
に接続するとともに、電極Ｄがクリーム半田Ｍで固定さ
れて、チップ部品Ｐを多層金属ベース基板Ａに強固に取
り付けることができた。
部品の取り付けおよび電気的接続は、次のようにして行
った。多層金属ベース基板Ａのチップ部品Ｐの取り付け
位置に、前記実施例と同様にして、孔６および該チップ
部品Ｐの電極 の形状に応じた凹部８を形成した。次
に、該凹部８に印刷によってクリーム半田Ｍを充填し、
ついでこの上にチップ部品Ｐの電極Ｄを載置し、２２０
℃で１分間加熱した。この結果、孔６中にクリーム半田
Ｍが充填され、上部導体層１と下部導体層３とを電気的
に接続するとともに、電極Ｄがクリーム半田Ｍで固定さ
れて、チップ部品Ｐを多層金属ベース基板Ａに強固に取
り付けることができた。
【００１６】図４は、その他の実施例を示し、端子を実
装した接続構造を示す部分断面図である。図３と相違す
るところは、チップ部品にかえて電極にＬ型端子部品が
実装されている。そのために、この実施例では、Ｌ型端
子Ｑの下端部が挿通できる大きさの開口部を有する孔６
が形成されている。上記構造によれば、Ｌ型端子Ｑの取
り付け位置に凹部８を設けているので、凹部８に電導体
Ｍを所定量充填するだけで、上部導電層１の表面に電導
体Ｍを流展させることなく、簡単に上記Ｌ型端子Ｑを所
定の位置に固定できるとともに、多層金属ベース基板Ａ
に電気的に接続できるようになる。また、Ｌ型端子Ｑの
取り付け位置にゆるやかなはめあいを設けているので、
電導体Ｍを凹部８にほぼ一杯充填すれば、Ｌ型端子Ｑの
下端部を電導体Ｍが取り巻いて固定されるようになり、
その取り付け強度が一層向上するようになる。また、Ｌ
型端子Ｑの取り付け位置の直下で、Ｌ型端子Ｑを上層導
体層と下層導体層とに接続できるので、接続のための特
別な場所が不要にできて、実装密度が向上するようにな
る。したがって、その取り付け効率を向上する。
装した接続構造を示す部分断面図である。図３と相違す
るところは、チップ部品にかえて電極にＬ型端子部品が
実装されている。そのために、この実施例では、Ｌ型端
子Ｑの下端部が挿通できる大きさの開口部を有する孔６
が形成されている。上記構造によれば、Ｌ型端子Ｑの取
り付け位置に凹部８を設けているので、凹部８に電導体
Ｍを所定量充填するだけで、上部導電層１の表面に電導
体Ｍを流展させることなく、簡単に上記Ｌ型端子Ｑを所
定の位置に固定できるとともに、多層金属ベース基板Ａ
に電気的に接続できるようになる。また、Ｌ型端子Ｑの
取り付け位置にゆるやかなはめあいを設けているので、
電導体Ｍを凹部８にほぼ一杯充填すれば、Ｌ型端子Ｑの
下端部を電導体Ｍが取り巻いて固定されるようになり、
その取り付け強度が一層向上するようになる。また、Ｌ
型端子Ｑの取り付け位置の直下で、Ｌ型端子Ｑを上層導
体層と下層導体層とに接続できるので、接続のための特
別な場所が不要にできて、実装密度が向上するようにな
る。したがって、その取り付け効率を向上する。
【００１７】上記多層金属ベース基板ＡへのＬ型端子Ｑ
の取り付けおよび電気的接続は、次のようにして行っ
た。多層金属ベース基板ＡのＬ型端子Ｑの取り付け位置
に、前記実施例と同様にして、Ｌ型端子Ｑの下端部が挿
通できる大きさの開口部を有する孔６および上記開口部
の周囲にこの開口部よりも面積が大きい開口部を有する
凹部８を形成した。次に、該凹部８に印刷によってクリ
ーム半田Ｍを充填し、ついでこの上からＬ型端子Ｑを押
し込み、２２０℃で１分間加熱した。この結果、孔６中
にクリーム半田Ｍが充填され、このＬ型端子Ｑを上部導
体層１と下部導体層３とを電気的に接続するとともに、
Ｌ型端子Ｑがクリーム半田Ｍで固定されて、Ｌ型端子Ｑ
を多層金属ベース基板Ａに強固に取り付けることができ
た。なお、Ｌ型端子Ｑは、下端面の形状は１．０×１．
０ｍｍ、端子厚さは０．２ｍｍ、下端面からの端子長さ
は５ｍｍのものを使用した。
の取り付けおよび電気的接続は、次のようにして行っ
た。多層金属ベース基板ＡのＬ型端子Ｑの取り付け位置
に、前記実施例と同様にして、Ｌ型端子Ｑの下端部が挿
通できる大きさの開口部を有する孔６および上記開口部
の周囲にこの開口部よりも面積が大きい開口部を有する
凹部８を形成した。次に、該凹部８に印刷によってクリ
ーム半田Ｍを充填し、ついでこの上からＬ型端子Ｑを押
し込み、２２０℃で１分間加熱した。この結果、孔６中
にクリーム半田Ｍが充填され、このＬ型端子Ｑを上部導
体層１と下部導体層３とを電気的に接続するとともに、
Ｌ型端子Ｑがクリーム半田Ｍで固定されて、Ｌ型端子Ｑ
を多層金属ベース基板Ａに強固に取り付けることができ
た。なお、Ｌ型端子Ｑは、下端面の形状は１．０×１．
０ｍｍ、端子厚さは０．２ｍｍ、下端面からの端子長さ
は５ｍｍのものを使用した。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
凹部に所定量の導電体を充填すればよいので、導電体の
充填量を制御できる。したがって、多層金属ベース基板
の導体層間の電気的接続を、簡易かつ低コストで実施可
能となる。また、凹部を孔の開口部よりも大きな面積の
開口部を有するものとしたので、表面張力の影響を受け
ることなく導電体を孔中に充填することができる。した
がって、適正量の導電体を充填できるようになり、しか
も充填不足による導通不良や、上部導体層表面に流展す
ることが防止できる。また、チップ部品や端子等を実装
する場合には、所定の実装場所が凹部で確保され、この
凹部に電導体を充填した上に実装部品を載置し、必要に
応じて加熱処理するだけで、実装部品を多層金属ベース
基板に取り付けるとともに、電気的接続がなされる。し
たがって、実装部品の電気的接続や固定強度の信頼性等
を向上できる。さらに、実装部品の取り付け位置の直下
で、実装部品を上層導体層と下層導体層とに接続できる
ので、接続のための特別な場所を設ける必要がなく、省
スペースの実装が可能となり、実装密度が向上する。
凹部に所定量の導電体を充填すればよいので、導電体の
充填量を制御できる。したがって、多層金属ベース基板
の導体層間の電気的接続を、簡易かつ低コストで実施可
能となる。また、凹部を孔の開口部よりも大きな面積の
開口部を有するものとしたので、表面張力の影響を受け
ることなく導電体を孔中に充填することができる。した
がって、適正量の導電体を充填できるようになり、しか
も充填不足による導通不良や、上部導体層表面に流展す
ることが防止できる。また、チップ部品や端子等を実装
する場合には、所定の実装場所が凹部で確保され、この
凹部に電導体を充填した上に実装部品を載置し、必要に
応じて加熱処理するだけで、実装部品を多層金属ベース
基板に取り付けるとともに、電気的接続がなされる。し
たがって、実装部品の電気的接続や固定強度の信頼性等
を向上できる。さらに、実装部品の取り付け位置の直下
で、実装部品を上層導体層と下層導体層とに接続できる
ので、接続のための特別な場所を設ける必要がなく、省
スペースの実装が可能となり、実装密度が向上する。
【００１９】
【図１】従来の多層金属ベース基板の導体層間の接続構
造を示す部分断面図である。
造を示す部分断面図である。
【図２】本発明の一実施例による多層金属ベース基板の
導体層間の接続構造を示す部分断面図である。
導体層間の接続構造を示す部分断面図である。
【図３】本発明の他の実施例による部品実装における多
層金属ベース基板の導体層間の接続構造を示す部分断面
図である。
層金属ベース基板の導体層間の接続構造を示す部分断面
図である。
【図４】本発明のその他の実施例による部品実装におけ
る多層金属ベース基板の導体層間の接続構造を示す部分
断面図である。
る多層金属ベース基板の導体層間の接続構造を示す部分
断面図である。
Ａ 多層金属ベース基板 １ 上部導体層 ３ 下部導体層 ６ 孔 ７ レジスト層 ８ 凹部 Ｍ 導電体 Ｘ 開口部 Ｙ 開口部
Claims (4)
- 【請求項１】 多層回路構造を有する金属ベース基板の
上部導体層から下部導体層表面が露出する孔が設けら
れ、この上部導体層表面に上記孔の開口部を囲むレジス
ト層を設けて凹部が形成されてなり、少なくとも上記孔
中に導電体が充填されて上記上部導体層と下部導体層と
が電気的に接続されてなる多層金属ベース基板の導体層
間の電気的接続構造。 - 【請求項２】 凹部が、上部導体層表面に形成される孔
の開口部面積の１３０％〜１０００％の開口部を有する
ものである請求項１記載の多層金属ベース基板の導体層
間の電気的接続構造。 - 【請求項３】 多層回路構造を有する金属ベース基板の
上部導体層から下部導体層表面が露出する孔を設け、つ
いで上部導体層表面にレジスト層を被着して上記孔の開
口部を囲む凹部を形成し、この凹部に導電体を充填し、
必要に応じて加熱処理を施し、少なくとも上記孔中に上
記導電体を充填して、上記上部導体層と下部導体層との
導体層間を電気的に接続することを特徴とする多層金属
ベース基板の導体層間の電気的接続方法。 - 【請求項４】 レジスト層で形成される凹部が、上部導
体層表面に形成される孔の開口部面積の１３０％〜１０
００％の開口部を有するものである請求項３記載の多層
金属ベース基板の導体層間の電気的接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4223069A JPH0669654A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 多層金属ベース基板の導体層間の電気的接続構造およびその電気的接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4223069A JPH0669654A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 多層金属ベース基板の導体層間の電気的接続構造およびその電気的接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669654A true JPH0669654A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16792346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4223069A Pending JPH0669654A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 多層金属ベース基板の導体層間の電気的接続構造およびその電気的接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669654A (ja) |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP4223069A patent/JPH0669654A/ja active Pending
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