JPH0669355A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0669355A JPH0669355A JP21988292A JP21988292A JPH0669355A JP H0669355 A JPH0669355 A JP H0669355A JP 21988292 A JP21988292 A JP 21988292A JP 21988292 A JP21988292 A JP 21988292A JP H0669355 A JPH0669355 A JP H0669355A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact hole
- conductive layer
- insulating film
- contact
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクトホールの形状を改良した多層配線
層を具備する半導体装置に関し、簡単且つ容易に導電層
のコンタクトホール内への埋め込みを確実にすることが
可能となる半導体装置の提供を目的とする。 【構成】 第１導電層２と第２導電層４とを接続する、
これらの導電層の間の第１絶縁膜３に設けた長円形の第
１のコンタクトホール3aと、この第２導電層４と第３導
電層６とを接続する、これらの導電層の間の第２絶縁膜
５に設けた長円形の第２のコンタクトホール5aとを有
し、この第１と第２のコンタクトホールをそれぞれ異な
る領域に配設するように構成する。
層を具備する半導体装置に関し、簡単且つ容易に導電層
のコンタクトホール内への埋め込みを確実にすることが
可能となる半導体装置の提供を目的とする。 【構成】 第１導電層２と第２導電層４とを接続する、
これらの導電層の間の第１絶縁膜３に設けた長円形の第
１のコンタクトホール3aと、この第２導電層４と第３導
電層６とを接続する、これらの導電層の間の第２絶縁膜
５に設けた長円形の第２のコンタクトホール5aとを有
し、この第１と第２のコンタクトホールをそれぞれ異な
る領域に配設するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンタクトホールの形
状を改良した多層配線層を具備する半導体装置に関する
ものである。
状を改良した多層配線層を具備する半導体装置に関する
ものである。
【０００２】多層配線層を具備する半導体装置の更なる
高集積化に伴い、コンタクトホールの直径が小さくな
り、コンタクトホール内に埋め込みアルミニウムを用い
ることが多くなったが、コンタクトホールの直径が１μ
m 前後に小さくなると、すべてのコンタクトホールにア
ルミニウムを完全に埋め込むことが困難になっている。
高集積化に伴い、コンタクトホールの直径が小さくな
り、コンタクトホール内に埋め込みアルミニウムを用い
ることが多くなったが、コンタクトホールの直径が１μ
m 前後に小さくなると、すべてのコンタクトホールにア
ルミニウムを完全に埋め込むことが困難になっている。
【０００３】以上のような状況から、コンタクトホール
が微細化した半導体装置において埋め込みアルミニウム
をコンタクトホール内に完全に埋め込むことが可能な半
導体装置が要望されている。
が微細化した半導体装置において埋め込みアルミニウム
をコンタクトホール内に完全に埋め込むことが可能な半
導体装置が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の半導体装置のコンタクトホールの
例について図２〜図４により詳細に説明する。
例について図２〜図４により詳細に説明する。
【０００５】図２は従来のコンタクトホールの第１の例
を示す図、図３は従来のコンタクトホールの第２の例を
示す図、図４は従来のコンタクトホールの第３の例を示
す図である。
を示す図、図３は従来のコンタクトホールの第２の例を
示す図、図４は従来のコンタクトホールの第３の例を示
す図である。
【０００６】図２はコンタクトホールが10μm 角程度の
大きなコンタクトホールの場合を示しており、第１導電
層12と第２導電層14の間の第１絶縁膜13に設けたコンタ
クトホール13a の上の第２絶縁膜15の膜厚が厚くなるの
でコンタクトホール13a の直上にはコンタクトホールを
形成することができなくなる。
大きなコンタクトホールの場合を示しており、第１導電
層12と第２導電層14の間の第１絶縁膜13に設けたコンタ
クトホール13a の上の第２絶縁膜15の膜厚が厚くなるの
でコンタクトホール13a の直上にはコンタクトホールを
形成することができなくなる。
【０００７】このため第２導電層14と第３導電層16の間
の第２絶縁膜15にコンタクトホール15a を形成する場合
には、図に示すように位置をずらせて形成しなければな
らないから、集積度を高くする場合には障害になってい
る。
の第２絶縁膜15にコンタクトホール15a を形成する場合
には、図に示すように位置をずらせて形成しなければな
らないから、集積度を高くする場合には障害になってい
る。
【０００８】図３はこのような障害に対処するために、
コンタクトホールを直径の小さな丸孔に分割する場合を
示している。しかしコンタクトホール23a の直径が小さ
い場合には図に示すように第２導電層24のコンタクトホ
ール23a 内への埋め込みが悪くなり、一部のコンタクト
ホールではカバレージ不良が発生している。
コンタクトホールを直径の小さな丸孔に分割する場合を
示している。しかしコンタクトホール23a の直径が小さ
い場合には図に示すように第２導電層24のコンタクトホ
ール23a 内への埋め込みが悪くなり、一部のコンタクト
ホールではカバレージ不良が発生している。
【０００９】図４は図３に更に第２絶縁膜35を形成し、
コンタクトホール35a をコンタクトホール33a と重複し
ない位置に形成した場合を示しており、コンタクトホー
ルの形成密度は向上しているが、図３の場合と同様に第
３導電層36のコンタクトホール35a 内への埋め込みが悪
くなり、一部のコンタクトホールではカバレージ不良が
発生している。
コンタクトホール35a をコンタクトホール33a と重複し
ない位置に形成した場合を示しており、コンタクトホー
ルの形成密度は向上しているが、図３の場合と同様に第
３導電層36のコンタクトホール35a 内への埋め込みが悪
くなり、一部のコンタクトホールではカバレージ不良が
発生している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置においては、コンタクトホールの直径が小さい
場合には導電層のコンタクトホール内への埋め込みが悪
くなり、一部のコンタクトホールではカバレージ不良が
発生するという問題点があった。
導体装置においては、コンタクトホールの直径が小さい
場合には導電層のコンタクトホール内への埋め込みが悪
くなり、一部のコンタクトホールではカバレージ不良が
発生するという問題点があった。
【００１１】本発明は以上のような状況から、簡単且つ
容易に導電層のコンタクトホール内への埋め込みを確実
にすることが可能となる半導体装置の提供を目的とした
ものである。
容易に導電層のコンタクトホール内への埋め込みを確実
にすることが可能となる半導体装置の提供を目的とした
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
第１導電層と第２導電層とを接続する、これらの導電層
の間の第１絶縁膜に設けた長円形の第１のコンタクトホ
ールと、この第２導電層と第３導電層とを接続する、こ
の導電層の間の第２絶縁膜に設けた長円形の第２のコン
タクトホールとを有し、この第１と第２のコンタクトホ
ールをそれぞれ異なる領域に配設するように構成する。
第１導電層と第２導電層とを接続する、これらの導電層
の間の第１絶縁膜に設けた長円形の第１のコンタクトホ
ールと、この第２導電層と第３導電層とを接続する、こ
の導電層の間の第２絶縁膜に設けた長円形の第２のコン
タクトホールとを有し、この第１と第２のコンタクトホ
ールをそれぞれ異なる領域に配設するように構成する。
【００１３】
【作用】即ち本発明においては、導電層の間の絶縁膜に
形成するコンタクトホールの形状を長円形にするので、
長手方向の距離は大きいが、幅は極めて小さなスリット
状のコンタクトホール内へのアルミニウム等の導電材料
の埋め込みを確実に行うことが可能となる。
形成するコンタクトホールの形状を長円形にするので、
長手方向の距離は大きいが、幅は極めて小さなスリット
状のコンタクトホール内へのアルミニウム等の導電材料
の埋め込みを確実に行うことが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下図１により本発明の一実施例について詳
細に説明する。図１は本発明による一実施例のコンタク
トホールを示す図である。
細に説明する。図１は本発明による一実施例のコンタク
トホールを示す図である。
【００１５】図１(a) の側断面図に示すように、半導体
基板１の表面には第１導電層２が形成されており、この
第１導電層２の表面に形成されている第１絶縁膜３に
は、図１(b) のＡ−Ａ矢視図に示すように長円形のコン
タクトホール3aが形成されている。
基板１の表面には第１導電層２が形成されており、この
第１導電層２の表面に形成されている第１絶縁膜３に
は、図１(b) のＡ−Ａ矢視図に示すように長円形のコン
タクトホール3aが形成されている。
【００１６】このコンタクトホール3aは幅が１μm 程度
であり、長さは10μm 程度であるが、幅が狭いので第２
導電層４を形成する場合には、このコンタクトホール3a
内への第２導電層４の埋め込みが確実に行われ、カバレ
ージ不良が発生しにくくなるので、図示のように第２導
電層４を平坦に形成することが可能になる。
であり、長さは10μm 程度であるが、幅が狭いので第２
導電層４を形成する場合には、このコンタクトホール3a
内への第２導電層４の埋め込みが確実に行われ、カバレ
ージ不良が発生しにくくなるので、図示のように第２導
電層４を平坦に形成することが可能になる。
【００１７】この第２導電層４の表面に形成された第２
絶縁膜５には、図１(b) のＡ−Ａ矢視図に示すように長
円形のコンタクトホール5aがコンタクトホール3aと重複
しないように形成されている。
絶縁膜５には、図１(b) のＡ−Ａ矢視図に示すように長
円形のコンタクトホール5aがコンタクトホール3aと重複
しないように形成されている。
【００１８】このコンタクトホール5aもコンタクトホー
ル3aと同様の寸法に形成されているのでこのコンタクト
ホール5a内への第３導電層６の埋め込みが確実に行わ
れ、カバレージ不良が発生しにくくなるので、図示のよ
うに第３導電層６を平坦に形成することが可能になる。
ル3aと同様の寸法に形成されているのでこのコンタクト
ホール5a内への第３導電層６の埋め込みが確実に行わ
れ、カバレージ不良が発生しにくくなるので、図示のよ
うに第３導電層６を平坦に形成することが可能になる。
【００１９】このように導電層の間の絶縁膜に長円形の
コンタクトホールを重複しないように形成するので、導
電層のコンタクトホール内への埋め込みを確実に行うこ
とが可能となり、コンタクトホール内の導電層のカバレ
ージ不良の発生を防止することが可能となる。
コンタクトホールを重複しないように形成するので、導
電層のコンタクトホール内への埋め込みを確実に行うこ
とが可能となり、コンタクトホール内の導電層のカバレ
ージ不良の発生を防止することが可能となる。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単なコンタクトホールの形状の変更に
より、コンタクトホール内への導電材料の埋め込みを確
実に行うことが可能となるので、コンタクトホール内で
の導電材料のカバレージを良好にすることが可能となる
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できる半導体装置の提供が可能である。
によれば極めて簡単なコンタクトホールの形状の変更に
より、コンタクトホール内への導電材料の埋め込みを確
実に行うことが可能となるので、コンタクトホール内で
の導電材料のカバレージを良好にすることが可能となる
利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期
待できる半導体装置の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例のコンタクトホールを
示す図、
示す図、
【図２】 従来のコンタクトホールの第１の例を示す
図、
図、
【図３】 従来のコンタクトホールの第２の例を示す
図、
図、
【図４】 従来のコンタクトホールの第３の例を示す
図、
図、
１は半導体基板、２は第１導電層、３は第１絶縁膜、3a
はコンタクトホール、４は第２導電層、５は第２絶縁
膜、5aはコンタクトホール、６は第３導電層、
はコンタクトホール、４は第２導電層、５は第２絶縁
膜、5aはコンタクトホール、６は第３導電層、
Claims (1)
- 【請求項１】 第１導電層(2) と第２導電層(4) とを接
続する、該導電層の間の第１絶縁膜(3) に設けた長円形
の第１のコンタクトホール(3a)と、 前記第２導電層(4) と第３導電層(6) とを接続する、該
導電層の間の第２絶縁膜(5) に設けた長円形の第２のコ
ンタクトホール(5a)とを有し、 前記第１と第２のコンタクトホールをそれぞれ異なる領
域に配設したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21988292A JPH0669355A (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21988292A JPH0669355A (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669355A true JPH0669355A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16742536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21988292A Withdrawn JPH0669355A (ja) | 1992-08-19 | 1992-08-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669355A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165497A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
-
1992
- 1992-08-19 JP JP21988292A patent/JPH0669355A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165497A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 多層配線基板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |