JPH09232421A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH09232421A JPH09232421A JP3089096A JP3089096A JPH09232421A JP H09232421 A JPH09232421 A JP H09232421A JP 3089096 A JP3089096 A JP 3089096A JP 3089096 A JP3089096 A JP 3089096A JP H09232421 A JPH09232421 A JP H09232421A
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- Japan
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- contact hole
- wiring
- layer wiring
- taper
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 コンタクトホール端部のテーパー及び／段差
が隣接配線に干渉することがなく、かつコンタクトホー
ル部への導電層の埋め込み性を十分に確保する。 【解決手段】 基板に被着された絶縁被膜４のコンタク
トホール部５に配線層２が形成され、該コンタクトホー
ル部５の端部にテーパー６を備えた半導体装置におい
て、該絶縁被膜のコンタクトホール端部のテーパー及び
／または段差が該絶縁被膜の上に形成される配線の長手
方向にのみ形成される。
が隣接配線に干渉することがなく、かつコンタクトホー
ル部への導電層の埋め込み性を十分に確保する。 【解決手段】 基板に被着された絶縁被膜４のコンタク
トホール部５に配線層２が形成され、該コンタクトホー
ル部５の端部にテーパー６を備えた半導体装置におい
て、該絶縁被膜のコンタクトホール端部のテーパー及び
／または段差が該絶縁被膜の上に形成される配線の長手
方向にのみ形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に半導体装置の絶縁被膜のコンタクトホール部の
形状に関する。
し、特に半導体装置の絶縁被膜のコンタクトホール部の
形状に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置、特にＭＯＳ−ＩＣのような
集積回路装置においては、素子や下層配線との電気的接
触をとるために、基板に形成された絶縁被膜にコンタク
トホール部が形成されている。上層配線と下層の素子や
配線は、該コンタクトホール部を埋めるように形成され
た導電層を通じて導通している。このようなコンタクト
部分を良好に形成することは、集積回路の微細化が進む
中で、重要な課題となっている。
集積回路装置においては、素子や下層配線との電気的接
触をとるために、基板に形成された絶縁被膜にコンタク
トホール部が形成されている。上層配線と下層の素子や
配線は、該コンタクトホール部を埋めるように形成され
た導電層を通じて導通している。このようなコンタクト
部分を良好に形成することは、集積回路の微細化が進む
中で、重要な課題となっている。
【０００３】良好な電気的接触を得るためには、コンタ
クトホール部への導電層の埋め込み性を改善すればよ
い。その一例として、絶縁被膜のコンタクトホール部の
端部にテーパーをつけることが広く行われている。通
常、テーパーの形成は、底部の径で開孔されたコンタク
トホール部に対し、薬液等による等方性エッチングを施
すことで行われている。
クトホール部への導電層の埋め込み性を改善すればよ
い。その一例として、絶縁被膜のコンタクトホール部の
端部にテーパーをつけることが広く行われている。通
常、テーパーの形成は、底部の径で開孔されたコンタク
トホール部に対し、薬液等による等方性エッチングを施
すことで行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微細化
が進むにつれ、コンタクトホール部のアスペクト比(深
さ／径)が大きくなり、また、隣り合う配線間の間隔が
狭まるに従い、コンタクトホール部への導電層の埋め込
み性を向上させるテーパーの形成が不可能になってき
た。
が進むにつれ、コンタクトホール部のアスペクト比(深
さ／径)が大きくなり、また、隣り合う配線間の間隔が
狭まるに従い、コンタクトホール部への導電層の埋め込
み性を向上させるテーパーの形成が不可能になってき
た。
【０００５】すなわち、テーパーを隣接配線に及ぶまで
形成すると該隣接配線の形成が良好に行えなくなり、テ
ーパー部に該隣接配線がかかると配線の抵抗値が変動し
たり、あるいは、断線を生じたり、信頼性が低下する、
平坦性が保てない、といった問題を生じてくる。一方、
テーパーが小さいと、コンタクトホール部への導電層の
埋め込み性が確保されない。
形成すると該隣接配線の形成が良好に行えなくなり、テ
ーパー部に該隣接配線がかかると配線の抵抗値が変動し
たり、あるいは、断線を生じたり、信頼性が低下する、
平坦性が保てない、といった問題を生じてくる。一方、
テーパーが小さいと、コンタクトホール部への導電層の
埋め込み性が確保されない。
【０００６】本発明は、以上のような従来の問題点を解
消するために成されたものであり、コンタクトホール端
部のテーパー及び／段差が隣接配線に干渉することがな
く、かつコンタクトホール部への導電層の埋め込み性を
十分に確保することができる半導体装置の提供を目的と
する。
消するために成されたものであり、コンタクトホール端
部のテーパー及び／段差が隣接配線に干渉することがな
く、かつコンタクトホール部への導電層の埋め込み性を
十分に確保することができる半導体装置の提供を目的と
する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、次のように構成されている。
の本発明は、次のように構成されている。
【０００８】請求項１に記載の発明は、基板に被着され
た絶縁被膜のコンタクトホール部に配線層が形成され、
該コンタクトホール部の端部にテーパーを備えた半導体
装置において、該絶縁被膜のコンタクトホール端部のテ
ーパー及び／または段差が該絶縁被膜の上に形成される
配線の長手方向にのみ形成されたことを特徴とする半導
体装置である。
た絶縁被膜のコンタクトホール部に配線層が形成され、
該コンタクトホール部の端部にテーパーを備えた半導体
装置において、該絶縁被膜のコンタクトホール端部のテ
ーパー及び／または段差が該絶縁被膜の上に形成される
配線の長手方向にのみ形成されたことを特徴とする半導
体装置である。
【０００９】本発明の、絶縁被膜のコンタクトホール端
部のテーパー及び／または段差が該絶縁被膜の上に形成
される配線の長手方向にのみ形成されたことを特徴とす
る半導休装置は、周知のリソグラフィ技術を用いて、例
えば、異方性エッチングであるドライエッチングによ
り、まず、段差及び／またはテーパーのないコンタクト
ホールを形成し、しかる後に、配線の長手方向にのみ段
差及び／またはテーパーを形成することで得られる。
部のテーパー及び／または段差が該絶縁被膜の上に形成
される配線の長手方向にのみ形成されたことを特徴とす
る半導休装置は、周知のリソグラフィ技術を用いて、例
えば、異方性エッチングであるドライエッチングによ
り、まず、段差及び／またはテーパーのないコンタクト
ホールを形成し、しかる後に、配線の長手方向にのみ段
差及び／またはテーパーを形成することで得られる。
【００１０】本発明によれば、コンタクトホール端部の
テーパー及び／または段差は配線の長手方向にのみ形成
されているため、テーパー及び／または段差は隣接配線
に干渉することがなく、かつ、コンタクトホール部への
導電層の埋め込み性を十分に確保することができる。
テーパー及び／または段差は配線の長手方向にのみ形成
されているため、テーパー及び／または段差は隣接配線
に干渉することがなく、かつ、コンタクトホール部への
導電層の埋め込み性を十分に確保することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に基づいて詳細に説明する。
面に基づいて詳細に説明する。
【００１２】
【実施例１】図１〜図３は、本発明の一例の概略を示し
た図である。図１（ａ）のように、下層配線１、１′と
上層配線２、２′、２″は交差している。そして、図１
（ｂ）のように、１と２が交差する箇所３において下層
配線１と上層配線２のコンタクトが、１′と２′が交差
する箇所３′において下層配線１′と上層配線２′のコ
ンタクトが、それぞれ形成されている。
た図である。図１（ａ）のように、下層配線１、１′と
上層配線２、２′、２″は交差している。そして、図１
（ｂ）のように、１と２が交差する箇所３において下層
配線１と上層配線２のコンタクトが、１′と２′が交差
する箇所３′において下層配線１′と上層配線２′のコ
ンタクトが、それぞれ形成されている。
【００１３】コンタクト３での下層配線１の長手方向に
平行な断面が図２である。図３はコンタクト３での上層
配線２の長手方向に平行な断断面である。
平行な断面が図２である。図３はコンタクト３での上層
配線２の長手方向に平行な断断面である。
【００１４】層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホー
ル部５に上層配線２の長手方向に段差６が設けられてお
り、下層配線１にコンタクトをとるために十分な埋め込
み性が確保されている。これは、段差６があるためにコ
ンタクトホール部５のアスペクト比が低減されたためで
ある。
ル部５に上層配線２の長手方向に段差６が設けられてお
り、下層配線１にコンタクトをとるために十分な埋め込
み性が確保されている。これは、段差６があるためにコ
ンタクトホール部５のアスペクト比が低減されたためで
ある。
【００１５】以上は周知の成膜技術及ぴリソグラフィ技
術によって形成可能な構造である。段差６を有するコン
タクトホール部５は、まず段差６のない所定の円柱又は
角柱形状のコンタクトホール部５を周知の成膜技術及び
リソグラフィ技術により形成し、その後に所定の形状の
段差６を周知のリソグラフィ技術により形成した。一
方、従来の等方エッチングによるテーパーを設けた場合
が、図４〜図６である。
術によって形成可能な構造である。段差６を有するコン
タクトホール部５は、まず段差６のない所定の円柱又は
角柱形状のコンタクトホール部５を周知の成膜技術及び
リソグラフィ技術により形成し、その後に所定の形状の
段差６を周知のリソグラフィ技術により形成した。一
方、従来の等方エッチングによるテーパーを設けた場合
が、図４〜図６である。
【００１６】図４（ａ）のように、下層配線１０１、１
０２と上層配線２０１、２０２、２０３が交差してい
る。そして、図４（ｂ）のように、１０１と２０１が交
差する箇所３０１において下層配線１０１と上層配線２
０１のコンタクトが、１０２と２０２が交差する箇所３
０２において下層配線１０２と上層配線２０２のコンタ
クトが、それぞれ形成されている。
０２と上層配線２０１、２０２、２０３が交差してい
る。そして、図４（ｂ）のように、１０１と２０１が交
差する箇所３０１において下層配線１０１と上層配線２
０１のコンタクトが、１０２と２０２が交差する箇所３
０２において下層配線１０２と上層配線２０２のコンタ
クトが、それぞれ形成されている。
【００１７】コンタクト３０１での下層配線１０１の長
手方向に平行な断面が図５である。図６はコンタクト３
０１での上層配線２０１の長手方向に平行な断面図であ
る。
手方向に平行な断面が図５である。図６はコンタクト３
０１での上層配線２０１の長手方向に平行な断面図であ
る。
【００１８】層間絶縁膜４０１に形成されたコンタクト
ホール部５０１にテーパー６０１が設けられているが、
下層配線１０１にコンタクトをとるために十分な埋め込
み性が確保されていない。これは、テーパー６０１では
コンタクトホール部５のアスペクト比の低減が不十分で
あるためである。
ホール部５０１にテーパー６０１が設けられているが、
下層配線１０１にコンタクトをとるために十分な埋め込
み性が確保されていない。これは、テーパー６０１では
コンタクトホール部５のアスペクト比の低減が不十分で
あるためである。
【００１９】
【実施例２】図７、図８は本発明の一例を示した概略図
である。図１〜図３に比べて、線幅、間隔共に小さくな
っている。下層配線１１の上に層間絶縁膜４１が堆積さ
れ、層間絶縁膜４１にテーパー付き段差６１が形成され
たコンタクトホール部５１を介して、上層配線２１との
コンタクトがとられている。
である。図１〜図３に比べて、線幅、間隔共に小さくな
っている。下層配線１１の上に層間絶縁膜４１が堆積さ
れ、層間絶縁膜４１にテーパー付き段差６１が形成され
たコンタクトホール部５１を介して、上層配線２１との
コンタクトがとられている。
【００２０】テーパー付き段差６１は上層配線２１の長
手方向に平行に形成されているため、隣接する上層配線
２２、２３と干渉することがなく、また、十分にコンタ
クトホール部５１のアスペクト比が低減されているた
め、埋め込み性も確保されている。
手方向に平行に形成されているため、隣接する上層配線
２２、２３と干渉することがなく、また、十分にコンタ
クトホール部５１のアスペクト比が低減されているた
め、埋め込み性も確保されている。
【００２１】以上は周知の成膜技術及びリソグラフイ技
術によって形成可能な構造である。テーパー付き段差６
１を有するコンタクトホール部５１は、まずテーパー付
き段差６１のない所定の円柱又は角柱形状のコンタクト
ホール部５１を形成し、その後に、テーパーなし段差を
周知のリソグラフィ技術により形成し、周知のテーパー
化技術により、テーパー付き段差６１を形成した。
術によって形成可能な構造である。テーパー付き段差６
１を有するコンタクトホール部５１は、まずテーパー付
き段差６１のない所定の円柱又は角柱形状のコンタクト
ホール部５１を形成し、その後に、テーパーなし段差を
周知のリソグラフィ技術により形成し、周知のテーパー
化技術により、テーパー付き段差６１を形成した。
【００２２】一方、従来の等方エッチングによるテーパ
ーを設けた場合が図９、１０である。下層配線１０３の
上に層間絶縁膜４０２が堆積され、層間絶縁膜４０２に
テーパー６０３が形成されたコンタクトホール部５０２
を介して、上層配線２０３とのコンタクトがとられてい
る。テーパー６０３は上層配線２０３と下層配線１０３
との良好なコンタクトを形成するには十分であるが、隣
接する上層配線２０４、２０５と干渉しており、その信
頼性を低下させ、良好な上層配線の形成を阻害してい
る。
ーを設けた場合が図９、１０である。下層配線１０３の
上に層間絶縁膜４０２が堆積され、層間絶縁膜４０２に
テーパー６０３が形成されたコンタクトホール部５０２
を介して、上層配線２０３とのコンタクトがとられてい
る。テーパー６０３は上層配線２０３と下層配線１０３
との良好なコンタクトを形成するには十分であるが、隣
接する上層配線２０４、２０５と干渉しており、その信
頼性を低下させ、良好な上層配線の形成を阻害してい
る。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、コンタ
クトホール端部のテーパー及び／または段差は配線の長
手方向にのみ形成されているため、テーパー及び／また
は段差は隣接配線に干渉することがなく、かつ、コンタ
クトホール部への導電層の埋め込み性を十分に確保する
ことができる。
クトホール端部のテーパー及び／または段差は配線の長
手方向にのみ形成されているため、テーパー及び／また
は段差は隣接配線に干渉することがなく、かつ、コンタ
クトホール部への導電層の埋め込み性を十分に確保する
ことができる。
【図１】 本発明の実施例１を説明するための概略構成
図である。
図である。
【図２】 本発明の実施例１を説明するための概略構成
図である。
図である。
【図３】 本発明の実施例１を説明するための概略構成
図である。
図である。
【図４】 従来の半導体装置の概略構成図である。
【図５】 従来の半導体装置の概略構成図である。
【図６】 従来の半導体装置の概略構成図である。
【図７】 本発明の実施例２を説明するための概略構成
図である。
図である。
【図８】 本発明の実施例２を説明するための概略構成
図である。
図である。
【図９】 従来の半導体装置の概略構成図である。
【図１０】 従来の半導体装置の概略構成図である。
１，１′，１１，１０１，１０２…下層配線、 ２，２′，２″，２１，２２，２３，２０１〜２０４…
上層配線、 ３，３′，３０１，３０２…コンタクト部、 ４，４１，４０１，４０２…層間絶縁膜、 ５，５１，５０１，５０２…コンタクトホール部、 ６，６′，６１，６０１，〜６０３…段差、テーパー付
き段差、テーパー。
上層配線、 ３，３′，３０１，３０２…コンタクト部、 ４，４１，４０１，４０２…層間絶縁膜、 ５，５１，５０１，５０２…コンタクトホール部、 ６，６′，６１，６０１，〜６０３…段差、テーパー付
き段差、テーパー。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板に被着された絶縁被膜のコンタクト
ホール部に配線層が形成され、該コンタクトホール部の
端部にテーパーを備えた半導体装置において、該絶縁被
膜のコンタクトホール端部のテーパー及び／または段差
が該絶縁被膜の上に形成される配線の長手方向にのみ形
成されたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3089096A JPH09232421A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3089096A JPH09232421A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232421A true JPH09232421A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12316330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3089096A Withdrawn JPH09232421A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232421A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100723206B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 니들 연결용 ｐｃｂ를 구비한 프로브 카드 |
| JP2009218364A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP3089096A patent/JPH09232421A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100723206B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-05-29 | 삼성전기주식회사 | 니들 연결용 ｐｃｂ를 구비한 프로브 카드 |
| JP2009218364A (ja) * | 2008-03-10 | 2009-09-24 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030506 |