JPH0664717B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘツド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘツドInfo
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- JPH0664717B2 JPH0664717B2 JP60081823A JP8182385A JPH0664717B2 JP H0664717 B2 JPH0664717 B2 JP H0664717B2 JP 60081823 A JP60081823 A JP 60081823A JP 8182385 A JP8182385 A JP 8182385A JP H0664717 B2 JPH0664717 B2 JP H0664717B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- slit
- magnetoresistive effect
- longitudinal direction
- head
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ） 産業上の利用分野 本発明は、固定ヘツド方式デイジタルオーデイオテープ
レコーダー等の高密度磁気記録装置に用いられる磁気抵
抗効果型磁気ヘツド（以下、MRヘツドと称す）に関する
ものである。
レコーダー等の高密度磁気記録装置に用いられる磁気抵
抗効果型磁気ヘツド（以下、MRヘツドと称す）に関する
ものである。
（ロ） 従来の技術 一般に、再生専用磁気ヘツドとして磁気記録媒体との相
対摺動速度が小さくても高感度、高分解能の信号検出が
可能であり、耐摺動性、耐環境性にも優れた第５図及び
第６図に示すようなヨーク型MRヘツドが提案されている
（例えば、特開昭59−98319号公報参照）。即ち、
（１）はNi−Znフエライト等の磁性基板、（２）（３）
はパーマロイ等の磁性薄膜であり、該磁性薄膜（２）
（３）と前記磁性基板（１）は磁気記録媒体（４）に対
向してSiO２等のギヤツプ（５）を有する磁気ヨークを
構成し、該磁気ヨークのスリツト（６）の近傍にはパー
マロイ等の磁気抵抗効果素子（以下、MR素子と称す）
（７）が配置されている。尚、（８）は信号取出し用導
体、（９）は保護基板である。従つて、ギヤツプ（５）
で取り出された磁気記録媒体（４）よりの信号磁束は磁
性薄膜（２）−MR素子（７）−磁性薄膜（３）−磁性基
板（１）と流れ、MR素子（７）の抵抗変化として検出さ
れる。ここで、MR素子（７）の抵抗変化はMR素子（７）
内の磁化と抵抗検出用電流のなす角度θの余弦２乗関数
となるので、斯るMR素子（７）の抵抗変化を信号磁束に
対して線型応答に近づけるためには、無信号時における
前記角度θを45゜程度に設定しておく必要があるが、バ
イアス磁界の印加されていない時のMR素子（７）内の磁
化は形状効果（ストライプ長数十μｍ、幅数μｍ、厚さ
数十nm）のためストライプ長方向（即ち、長手方向）に
向き易い。従つて、MR素子（７）の抵抗検出用電流をス
トライプ長方向に流す時にはストライプ幅方向にバイア
ス磁界を印加することによつて無信号時における前記角
度θを45゜程度に設定すれば良く、第５図及び第６図で
はMR素子（７）のストライプ長方向に流れる抵抗検出用
電流によつて磁気ヨークが磁化され該ヨークのスリツト
（６）近傍に配置されたMR素子（７）に対してストライ
プ幅方向の磁界が印加される自己バイアス効果と、MR素
子（７）のストライプ長方向に並行して配置されたバイ
アス導体（例えばCu膜）（10）に流す電流によつてMR素
子（７）のストライプ幅方向に印加される外部バイアス
磁界を併用している。ここで、別途バイアス導体（10）
を形成しているのは、自己バイアス効果だけで十分なバ
イアス磁場を得ようとするとかなり大きな抵抗検出用電
流が必要となるので、使用時に電力消費が大きくなるば
かりでなく、熱雑音等の問題も生じてくるからである。
対摺動速度が小さくても高感度、高分解能の信号検出が
可能であり、耐摺動性、耐環境性にも優れた第５図及び
第６図に示すようなヨーク型MRヘツドが提案されている
（例えば、特開昭59−98319号公報参照）。即ち、
（１）はNi−Znフエライト等の磁性基板、（２）（３）
はパーマロイ等の磁性薄膜であり、該磁性薄膜（２）
（３）と前記磁性基板（１）は磁気記録媒体（４）に対
向してSiO２等のギヤツプ（５）を有する磁気ヨークを
構成し、該磁気ヨークのスリツト（６）の近傍にはパー
マロイ等の磁気抵抗効果素子（以下、MR素子と称す）
（７）が配置されている。尚、（８）は信号取出し用導
体、（９）は保護基板である。従つて、ギヤツプ（５）
で取り出された磁気記録媒体（４）よりの信号磁束は磁
性薄膜（２）−MR素子（７）−磁性薄膜（３）−磁性基
板（１）と流れ、MR素子（７）の抵抗変化として検出さ
れる。ここで、MR素子（７）の抵抗変化はMR素子（７）
内の磁化と抵抗検出用電流のなす角度θの余弦２乗関数
となるので、斯るMR素子（７）の抵抗変化を信号磁束に
対して線型応答に近づけるためには、無信号時における
前記角度θを45゜程度に設定しておく必要があるが、バ
イアス磁界の印加されていない時のMR素子（７）内の磁
化は形状効果（ストライプ長数十μｍ、幅数μｍ、厚さ
数十nm）のためストライプ長方向（即ち、長手方向）に
向き易い。従つて、MR素子（７）の抵抗検出用電流をス
トライプ長方向に流す時にはストライプ幅方向にバイア
ス磁界を印加することによつて無信号時における前記角
度θを45゜程度に設定すれば良く、第５図及び第６図で
はMR素子（７）のストライプ長方向に流れる抵抗検出用
電流によつて磁気ヨークが磁化され該ヨークのスリツト
（６）近傍に配置されたMR素子（７）に対してストライ
プ幅方向の磁界が印加される自己バイアス効果と、MR素
子（７）のストライプ長方向に並行して配置されたバイ
アス導体（例えばCu膜）（10）に流す電流によつてMR素
子（７）のストライプ幅方向に印加される外部バイアス
磁界を併用している。ここで、別途バイアス導体（10）
を形成しているのは、自己バイアス効果だけで十分なバ
イアス磁場を得ようとするとかなり大きな抵抗検出用電
流が必要となるので、使用時に電力消費が大きくなるば
かりでなく、熱雑音等の問題も生じてくるからである。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点 然し乍ら、上記したバイアス方法では別途バイアス導体
（10）を形成しているためその積層構造が複雑となり、
製造に要する工数が増えるばかりでなく、MR素子（７）
とバイアス導体（10）のシヨート等の不良が発生する虞
れがあつた。そこで、無信号時における前記角度θを45
゜程度に設定するための他の方法としては第７図及び第
８図のようにMR素子（７）上にストライプ長方向と45゜
程度の角度をなす線条導体（11）を縞状に配置した所謂
バーバーポール構造も提案されているが、この構造では
MR素子の少なくとも線条導体（11）直下の部分は有効に
動作しないので、信号検出感度が低下すると謂う問題が
あつた。また、この様に線状導体（11）を縞状（即ち、
バーバーポールパターン）に形成するのは技術的に難し
く、製造に要する工数も増えると謂う問題があつた。
（10）を形成しているためその積層構造が複雑となり、
製造に要する工数が増えるばかりでなく、MR素子（７）
とバイアス導体（10）のシヨート等の不良が発生する虞
れがあつた。そこで、無信号時における前記角度θを45
゜程度に設定するための他の方法としては第７図及び第
８図のようにMR素子（７）上にストライプ長方向と45゜
程度の角度をなす線条導体（11）を縞状に配置した所謂
バーバーポール構造も提案されているが、この構造では
MR素子の少なくとも線条導体（11）直下の部分は有効に
動作しないので、信号検出感度が低下すると謂う問題が
あつた。また、この様に線状導体（11）を縞状（即ち、
バーバーポールパターン）に形成するのは技術的に難し
く、製造に要する工数も増えると謂う問題があつた。
（ニ） 問題点を解決するための手段 本発明は上記した問題点を解決するために、磁気記録媒
体対向部にギヤツプを有する磁気ヨークの一部に信号磁
束の流れるべき方向に対して直交するスリツトを設け、
該スリツトの近傍にMR素子を配置したMRヘツドであつ
て、前記スリツトの長手方向に対して前記MR素子の長手
方向が傾斜していると共に、該MR素子の長手方向両端部
に設けられた導体接合部同志を最短距離で結ぶ線分が前
記磁気抵抗効果素子上に存在し、かつ前記線分の長さ方
向が前記スリツトの長手方向と一致するようにしたもの
である。
体対向部にギヤツプを有する磁気ヨークの一部に信号磁
束の流れるべき方向に対して直交するスリツトを設け、
該スリツトの近傍にMR素子を配置したMRヘツドであつ
て、前記スリツトの長手方向に対して前記MR素子の長手
方向が傾斜していると共に、該MR素子の長手方向両端部
に設けられた導体接合部同志を最短距離で結ぶ線分が前
記磁気抵抗効果素子上に存在し、かつ前記線分の長さ方
向が前記スリツトの長手方向と一致するようにしたもの
である。
（ホ） 作 用 上記した本発明MRヘツドでは、MR素子内の磁化が既にス
リツトの長手方向に対して（即ち、抵抗検出用電流に対
して）傾いた方向にあるので、小さな抵抗検出用電流に
よる自己バイアス効果のみで信号磁束に対する高感度の
線型応答性を得ることが出来る。
リツトの長手方向に対して（即ち、抵抗検出用電流に対
して）傾いた方向にあるので、小さな抵抗検出用電流に
よる自己バイアス効果のみで信号磁束に対する高感度の
線型応答性を得ることが出来る。
（ヘ） 実施例 以下、本発明MRヘツドの一実施例について図面と共に説
明する。尚、従来例と同一構成要素については同一図番
を附す。
明する。尚、従来例と同一構成要素については同一図番
を附す。
即ち、本発明に依れば第１図及び第２図に示す如く前記
した磁気ヨークのスリツト（６）の長手方向に対してMR
素子（７）のストライプ長を傾けて配置すると共に、該
MR素子（７）のストライプ長方向両端部に設けられた導
体接合部（7a）（7b）同志を最短距離で結ぶ線分が前記
磁気抵抗効果素子上に存在し、かつ前記線分の長さ方向
が前記スリツト（６）の長手方向と一致するようにした
ものである。
した磁気ヨークのスリツト（６）の長手方向に対してMR
素子（７）のストライプ長を傾けて配置すると共に、該
MR素子（７）のストライプ長方向両端部に設けられた導
体接合部（7a）（7b）同志を最短距離で結ぶ線分が前記
磁気抵抗効果素子上に存在し、かつ前記線分の長さ方向
が前記スリツト（６）の長手方向と一致するようにした
ものである。
従つて、斯る本発明MRヘツドでは抵抗検出用電流を流さ
ない時にMR素子（７）内の磁化がストライプ長方向、即
ち磁気ヨークのスリツト（６）の長手方向に対して既に
傾いた方向にあり、そのため抵抗検出用電流がMR素子
（７）の長手方向両端部に設けられたリード線接合部同
志を結ぶ最短距離の方向、即ち磁気ヨークのスリツト
（６）の長手方向に流れそれによる自己バイアス磁界が
磁気ヨークのスリツト（６）の幅方向に印加されると、
MR素子（７）内の磁化が更に傾いて自己バイアス効果だ
けで抵抗検出用電流とのなす角度が45゜程度になる。
ない時にMR素子（７）内の磁化がストライプ長方向、即
ち磁気ヨークのスリツト（６）の長手方向に対して既に
傾いた方向にあり、そのため抵抗検出用電流がMR素子
（７）の長手方向両端部に設けられたリード線接合部同
志を結ぶ最短距離の方向、即ち磁気ヨークのスリツト
（６）の長手方向に流れそれによる自己バイアス磁界が
磁気ヨークのスリツト（６）の幅方向に印加されると、
MR素子（７）内の磁化が更に傾いて自己バイアス効果だ
けで抵抗検出用電流とのなす角度が45゜程度になる。
尚、第３図及び第４図は信号磁束の漏れを防ぐべく提案
されたガラス溝付ヨーク型MRヘツドへの本発明の適用例
を示し、磁性基板（１）に設けたガラス溝（12）により
磁極間距離が大きくなつて、信号磁束の漏洩が防げると
ともに、構造が極めて簡単になる。
されたガラス溝付ヨーク型MRヘツドへの本発明の適用例
を示し、磁性基板（１）に設けたガラス溝（12）により
磁極間距離が大きくなつて、信号磁束の漏洩が防げると
ともに、構造が極めて簡単になる。
（ト） 発明の効果 上述した如く本発明MRヘツドでは、磁気ヨークのスリツ
ト近傍に配置されたMR素子内の磁化が既にスリツト長手
方向に対して傾いた方向にあるため、従来の如く別途バ
イアス導体を設けたりバーバーポールパターンを形成し
たりすることなく小さな抵抗検出用電流による自己バイ
アス効果のみでMR素子内の磁化と抵抗検出用電流のなす
角度を45゜に設定することが出来、簡単な構造で信号磁
束に対する高感度の線型応答性を得ることが出来る。
ト近傍に配置されたMR素子内の磁化が既にスリツト長手
方向に対して傾いた方向にあるため、従来の如く別途バ
イアス導体を設けたりバーバーポールパターンを形成し
たりすることなく小さな抵抗検出用電流による自己バイ
アス効果のみでMR素子内の磁化と抵抗検出用電流のなす
角度を45゜に設定することが出来、簡単な構造で信号磁
束に対する高感度の線型応答性を得ることが出来る。
第１図は本発明のヨーク型MRヘツドの概略平面図、第２
図はそのＡ−Ａ′断面図、第３図は本発明のガラス溝付
ヨーク型MRヘツドを示す概略平面図、第４図はそのＡ−
Ａ′断面図、第５図は従来のヨーク型MRヘツドを示す概
略平面図、第６図はそのＡ−Ａ′断面図、第７図は従来
のバーバーポール型MRヘツドを示す概略平面図、第８図
はそのＡ−Ａ′断面図である。 （１）……磁性基板、（２）（３）……磁性薄膜、
（６）……スリツト、（７）……MR素子、（7a）（7b）
……導体接合部。
図はそのＡ−Ａ′断面図、第３図は本発明のガラス溝付
ヨーク型MRヘツドを示す概略平面図、第４図はそのＡ−
Ａ′断面図、第５図は従来のヨーク型MRヘツドを示す概
略平面図、第６図はそのＡ−Ａ′断面図、第７図は従来
のバーバーポール型MRヘツドを示す概略平面図、第８図
はそのＡ−Ａ′断面図である。 （１）……磁性基板、（２）（３）……磁性薄膜、
（６）……スリツト、（７）……MR素子、（7a）（7b）
……導体接合部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 健雄 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (72)発明者 山野 孝雄 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−178713（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】磁気記録媒体対向部にギャップを有する磁
気ヨークの一部に信号磁束の流れるべき方向に対して直
交するスリットを設け、該スリットの近傍に磁気抵抗効
果素子を配置した磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、
前記スリットの長手方向に対して前記磁気抵抗効果素子
の長手方向が傾斜していると共に、該磁気抵抗効果素子
の長手方向両端部に設けられた導体接合部同志を最短距
離で結ぶ線分が前記磁気抵抗効果素子上に存在し、かつ
前記線分の長さ方向が前記スリットの長手方向と一致し
ている事を特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60081823A JPH0664717B2 (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60081823A JPH0664717B2 (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240424A JPS61240424A (ja) | 1986-10-25 |
| JPH0664717B2 true JPH0664717B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=13757202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60081823A Expired - Lifetime JPH0664717B2 (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664717B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4020830C1 (ja) * | 1990-06-29 | 1992-01-09 | Deere & Co., Moline, Ill., Us, Niederlassung Deere & Co. European Office, 6800 Mannheim, De |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61178713A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気センサ |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP60081823A patent/JPH0664717B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61240424A (ja) | 1986-10-25 |
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