JPH065828A - 超小型ｃｃｄモジュール - Google Patents

超小型ｃｃｄモジュール

Info

Publication number
JPH065828A
JPH065828A JP4156742A JP15674292A JPH065828A JP H065828 A JPH065828 A JP H065828A JP 4156742 A JP4156742 A JP 4156742A JP 15674292 A JP15674292 A JP 15674292A JP H065828 A JPH065828 A JP H065828A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ccd chip
ccd
glass substrate
package
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4156742A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Takamizawa
裕 高見沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP4156742A priority Critical patent/JPH065828A/ja
Publication of JPH065828A publication Critical patent/JPH065828A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ビデオカメラを小型軽量化することができる
超小型ＣＣＤモジュールを得ること。 【構成】 ガラス基板９上にＣＣＤチップ１を金バンプ
１０及び紫外線硬化樹脂１１を介して接続固定すると共
にこのＣＣＤチップ１を厚膜抵抗器１２及び内蔵コンデ
ンサ１３が内蔵された多層セラミック基板１４ａ，１４
ｂ，１４ｃ及び１４ｄにより形成したパッケージ１４に
より覆うようにしたものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えばビデオカメラを小
型軽量化するのに使用される超小型ＣＣＤモジュールに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来ビデオカメラを小型軽量化するのに
ＣＣＤ（チャジカプルドデイバイス）チップを使用した
図３に示す如き固体撮像デバイスが使用されている。
【０００３】この図３につき説明するに、図３におい
て、１はＣＣＤチップを示し、このＣＣＤチップ１をセ
ラミックパッケージ２に固定すると共に電気的接続をワ
イヤーボンディング法によりボンディングワイヤ３を使
用して行っていた。また、このＣＣＤチップ１の受光部
１ａ側をこのＣＣＤチップ１を保護するカバーガラス４
で蓋する如くする。
【０００４】このセラミックパッケージ２からは金属製
のリード５を介して出力信号が取り出される如くなされ
ており、このリード５をプリント基板等の所定の端子に
接続する如くなされている。
【０００５】また、図３において６はこのセラミックパ
ッケージ２を囲む如く設けた樹脂より成る空間フィルタ
固定モールド体を示し、この空間フィルタ固定モールド
体６とフィルタガラス７ａとカバーガラス４とにより、
このカバーガラス４の前方に空間フィルタ７を構成する
如くしていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】然しながら図３に示す
如きＣＣＤチップを使用した固体撮像デバイスにおいて
はワイヤーボンディングにより電気的接続を行っている
ので、小型化に限界があった。
【０００７】また空間フィルタ７は空間フィルタ固定モ
ールド体６をＡｌ等の放熱板８にビス止めして固定して
いるので、更に大型化する不都合があった。本発明は斯
る点に鑑みビデオカメラを更に小型軽量化することがで
きる超小型ＣＣＤモジュールを提供せんとするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明超小型ＣＣＤモジ
ュールは例えば図１、図２に示す如くガラス基板９上に
ＣＣＤチップ１を金バンプ１０及び紫外線硬化樹脂１１
を介して接続固定すると共にこのＣＣＤチップ１を抵抗
器１２及びコンデンサ１３が内蔵れた多層セラミック基
板１４ａ，１４ｂ，１４ｃ及び１４ｄにより形成された
パッケージにより覆うようにしたものである。
【０００９】また本発明超小型ＣＣＤモジュールは例え
ば図１に示す如く、上述の超小型ＣＣＤモジュールにお
いて、このガラス基板９に空間フィルタ７を接着剤によ
り直接接着固定したものである。
【００１０】
【作用】本発明によればガラス基板９上にＣＣＤチップ
１を金バンプ１０及び紫外線硬化樹脂１１を介して接続
固定すると共にこのＣＣＤチップ１を抵抗器１２、コン
デンサ１３が内蔵された多層セラミック基板１４ａ，１
４ｂ，１４ｃ，１４ｄにより形成されたパッケージ１４
により覆うようにしたので、ＣＣＤモジュールを超小型
化できる。
【００１１】また本発明によれば更にこのガラス基板９
上に空間フィルタ７を接着剤により直接接着固定するの
で、それだけ小型化ができる。
【００１２】
【実施例】以下図１及び図２を参照して本発明超小型Ｃ
ＣＤモジュールの一実施例につき説明しよう。この図１
及び図２において図３に対応する部分には同一符号を付
し、その詳細説明は省略する。
【００１３】図１及び図２において９は透明ガラス基板
を示し、このガラス基板９上に例えば金ペーストを印
刷、焼成して金の所定パターンの厚膜配線９ａを形成す
る如くすると共に、この配線９ａのパッド部分に金バン
プ１０を設ける。
【００１４】このガラス基板９上の所定位置にＣＣＤチ
ップ１の受光部１ａをこのガラス基板９側として、ここ
ＣＣＤチップ１を紫外線硬化樹脂１１により接着固定す
る。
【００１５】この場合ＣＣＤチップ１と配線９ａとの電
気的接続は金バンプ１０を介して行う如くする。
【００１６】本例においては４層の所定厚例えば０．１
ｍｍ厚のセラミック基板１４ａ，１４ｂ，１４ｃ及び１
４ｄによりこのＣＣＤチップ１のガラス基板９とは逆側
を覆うパッケージ１４を形成する如くする。
【００１７】即ちセラミック基板１４ａ及び１４ｂの中
央部にＣＣＤチップ１と略同一の大きさの孔を形成する
と共にこの４層のセラミック基板１４ａ，１４ｂ，１４
ｃ及び１４ｄを積層してパッケージ１４を形成し、この
孔部に、ＣＣＤチップ１が挿入される如くする覆わせて
ガラス基板９に固定する。この孔部の大きさ（キャビテ
ィ）はＣＣＤチップ１が入る大きさであれば良い。
【００１８】また、このセラミック基板１４ａ〜１４ｄ
のビデオカメラを構成する所定の回路パターン、厚膜抵
抗器１２、内層コンデンサ１３等を設ける如くするこの
セラミック基板１４ａ〜１４ｄ間の電気的接続はスルー
ホール等により行う如くする。
【００１９】またガラス基板９の配線９ａとこのパッケ
ージ１４を構成するセラミック基板１４ａの電気的接続
は半田、導電接着剤、異方性導電膜等により行う如くす
る。
【００２０】また図１において、１５は合成樹脂より構
成した円筒状の空間フィルタリングを示し、この空間フ
ィルタリング１５をガラス基板９のＣＣＤチップ１とは
反対面にこのＣＣＤチップ１に対応して接着剤で直接接
着固定すると共にこの空間フィルタリング１５とフィル
タガラス７ａとガラス基板９とで空間フィルタ７を構成
する如くする。この場合この空間フィルタリングの孔の
大きさはＣＣＤチップ１の大きさと略同じ大きさとする
如くする。
【００２１】本例によればガラス基板９上にＣＣＤチッ
プ１を金バンプ１０及び紫外線硬化樹脂１１を介して接
続固定すると共にこのＣＣＤチップ１を厚膜抵抗器１
２、コンデンサ１３が内蔵された４層セラミック基板１
４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄにより形成されたパッケ
ージ１４により覆うようにしたのでＣＣＤモジュールを
超小型化できる。
【００２２】因みにセラミック基板１４ａ〜１４ｄより
成るパッケージ１４のＣＣＤチップ１を入れるキャビテ
ィは最低チップ層プラス金バンプ１０の高さ分あれば良
く、このセラミック基板１４ａ〜１４ｄの一層の厚さは
例えば０．１ｍｍあれば十分であるので全体で１ｍｍ以
内の超薄型のパッケージ１４とすることができ、またパ
ッケージ１４の大きさもこのＣＣＤチップ１の大きさプ
ラス１ｍｍ程度あれば良く、限りなくＣＣＤチップ１の
大きさに近づけることができる利益がある。
【００２３】また空間フィルタ７をガラス基板９上に接
着剤により直接接着固定するので、それだけ小型化がで
きる。
【００２４】更に本例によれば抵抗器１２、コンデンサ
１３等の回路層をこのパッケージ１４内に配したのでそ
れだけ外部のプリント基板を小型化でき、ビデオカメラ
を小型軽量化できる利益がある。
【００２５】更にまた構造も比較的簡単であるため組立
等が容易であり生産性が向上する利益がある。
【００２６】尚本発明は上述実施例に限ることなく、本
発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成が取り
得ることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】本発明によればガラス基板上にＣＣＤチ
ップを金バンプ及び紫外線硬化樹脂を介して接続固定す
ると共にこのＣＣＤチップを抵抗器、コンデンサが内蔵
された多層セラミック基板により形成されたパッケージ
により覆うようにしたのでＣＣＤモジュールを超小型化
できる利益がある。
【００２８】また本発明によれば空間フィルタをこのガ
ラス基板上に接着剤により直接接着固定するのでそれだ
け小型化できる利益がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明超小型ＣＣＤモジュールの一実施例を示
す断面図である。
【図２】図１の要部の一部拡大断面図である。
【図３】従来の固体撮像デバイスの例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ ＣＣＤチップ ７ 空間フィルタ ９ ガラス基板 １０ 金バンプ １１ 紫外線硬化樹脂 １２ 厚膜抵抗器 １３ 内層コンデンサ １４ パッケージ １４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ セラミック基板

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス基板上にＣＣＤチップを金バンプ
    及び紫外線硬化樹脂を介して接続固定すると共に、上記
    ＣＣＤチップを抵抗器及びコンデンサが内蔵された多層
    セラミック基板により形成されたパッケージにより覆う
    ようにしたことを特徴とする超小型ＣＣＤモジュール。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の超小型ＣＣＤモジュール
    において、上記ガラス基板に空間フィルタを接着剤によ
    り直接接着固定したことを特徴とする超小型ＣＣＤモジ
    ュール。
JP4156742A 1992-06-16 1992-06-16 超小型ｃｃｄモジュール Pending JPH065828A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4156742A JPH065828A (ja) 1992-06-16 1992-06-16 超小型ｃｃｄモジュール

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4156742A JPH065828A (ja) 1992-06-16 1992-06-16 超小型ｃｃｄモジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH065828A true JPH065828A (ja) 1994-01-14

Family

ID=15634327

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4156742A Pending JPH065828A (ja) 1992-06-16 1992-06-16 超小型ｃｃｄモジュール

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH065828A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2819940A1 (fr) * 2001-01-22 2002-07-26 St Microelectronics Sa Procede de fabrication d'un boitier semi-conducteur optique et boitier semi-conducteur optique
JP2005292242A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置および撮像装置の製造方法
JP2006505126A (ja) * 2002-10-29 2006-02-09 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 光センサパッケージ
JP2007042750A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2015008901A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 オリンパス株式会社 撮像ユニットおよび内視鏡装置
US10987816B2 (en) 2016-04-01 2021-04-27 Korea Institute Of Machinery & Materials Passive stiffness gripper

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2819940A1 (fr) * 2001-01-22 2002-07-26 St Microelectronics Sa Procede de fabrication d'un boitier semi-conducteur optique et boitier semi-conducteur optique
WO2002058107A3 (fr) * 2001-01-22 2002-12-12 St Microelectronics Sa Procede de fabrication d'un boitier semi-conducteur optique et boitier semi-conducteur optique
JP2006505126A (ja) * 2002-10-29 2006-02-09 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド 光センサパッケージ
KR101031394B1 (ko) * 2002-10-29 2011-04-26 탕성 캐피탈, 엘엘씨 광 센서 패키지
JP4705784B2 (ja) * 2002-10-29 2011-06-22 タング スング キャピタル エルエルシー イメージセンサデバイスの製造方法
JP2005292242A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置および撮像装置の製造方法
JP2007042750A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2015008901A (ja) * 2013-06-28 2015-01-19 オリンパス株式会社 撮像ユニットおよび内視鏡装置
US20160054559A1 (en) * 2013-06-28 2016-02-25 Olympus Corporation Imaging unit and endoscope apparatus
US10191270B2 (en) 2013-06-28 2019-01-29 Olympus Corporation Imaging unit and endoscope apparatus
US10987816B2 (en) 2016-04-01 2021-04-27 Korea Institute Of Machinery & Materials Passive stiffness gripper

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6882020B2 (en) Camera module
US5748448A (en) Solid-state image sensor assembly with image sensor element chip mounted in package
JP3738824B2 (ja) 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US6873034B2 (en) Solid-state imaging device, method for producing same, and mask
EP1603166A1 (en) Image pickup device and camera module
US20070152345A1 (en) Stacked chip packaging structure
JP2004104078A (ja) カメラモジュールおよびその製造方法
WO2005034508A1 (ja) カメラモジュール
JPH05268535A (ja) 視覚センサー
JP2003179217A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JPH065828A (ja) 超小型ｃｃｄモジュール
JPH11112854A (ja) 撮像装置
JPH1117996A (ja) 撮像装置
JPH06233196A (ja) 小型カメラ装置
JPH11145440A (ja) 撮像装置およびその製造方法
JPH11271646A (ja) 電子内視鏡用固体撮像装置
JP7467168B2 (ja) 撮像素子ユニット及び撮像装置
JPH0629503A (ja) 固体撮像装置
JPH05183135A (ja) Ｃｃｄ撮像装置
JP2853938B2 (ja) 固体撮像素子パッケージ
JP4145619B2 (ja) 光モジュール及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP3696142B2 (ja) 固体撮像装置
WO2008059743A1 (fr) Dispositif d'imagerie à état solide et dispositif électronique
JPH05176208A (ja) ビデオカメラ
JP2003259169A (ja) 電子機器、撮像モジュール、および実装方法