JPH0656499B2 - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPH0656499B2
JPH0656499B2 JP19511185A JP19511185A JPH0656499B2 JP H0656499 B2 JPH0656499 B2 JP H0656499B2 JP 19511185 A JP19511185 A JP 19511185A JP 19511185 A JP19511185 A JP 19511185A JP H0656499 B2 JPH0656499 B2 JP H0656499B2
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    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子写真法において用いられる感光体に関
し、詳しくはレーザプリンタ等の光プリンタの感光体に
関する。
従来の技術 従来より画像形成法の1つとして電子写真法が広く知ら
れている。「電子写真法とは、一般に光導電性の感光体
をまず暗所で、例えばコロナ放電によって帯電せしめ、
次いで像露光し、露光部のみの電荷を選択的に逸散せし
めて静電潜像を得、この潜像部を染料,顔料などの着色
剤と高分子物質などの結合剤とから構成される検電微粒
子(トナー)で現像し、可視化して画像を形成する方法
である。
このような電子写真法において用いられる感光体に要求
される基本的な特性としては (1)暗所で適当な電位に帯電できること (2)暗所において電荷の逸散が少ないこと (3)光照射によってすみやかに電荷を逸散せしめうるこ
と などがあげられる。
上記した特性を発揮させるためには、光導電材料の選
択,膜厚等が重要視されるが、導電性基体と光導電層と
の間に介在する層(以下中間導電層と呼ぶ)の材料,膜
厚も重要である。即ち、同一光導電材料を導電性基体
に、、同一膜厚に付着させた場合、中間導電層の材料が
異なると、その電子写真特性,寿命が大きく変動する。
ここで、中間導電層とは感光体上に帯電を与えた場合、
基体側からキャリアの移動を容易に行わしめるための層
である。
即ち電子写真手段においては、感光体上に帯電させ、こ
の帯電された電荷に基づき静電像が形成されるものであ
るが、帯電々荷を決定する一因は基体側からのキャリア
の注入によって定まるものである。従って、キャリアの
注入を良好にすることは極めて重要なことである。
また、この注入の程度は中間導電層の材料自体によるこ
とは勿論であるが、この他には基体及び光導電層との均
一な密着性によって定まるものである。
発明が解決しようとする問題点 ところで、従来この種の電子写真感光体の中間導電層
は、通常アルミニウム(以下Alと略す)等の金属基体
に電気メッキ法やアルマイト法により薄膜を被覆して使
用されてきたが、厚さの不均一性,密着性の不良,また
は薄膜にピンホールが発生する等の点で光導電層に安定
した特性が得られ難かった。
そこで、本発明は先に述べた従来の感光体の中間導電層
のもつ種々の欠点を解消し、高感度,耐久性に優れ、か
つ画像鮮明な電子写真用感光体を提供することを目的と
する。
問題点を解決するための手段 上記従来の問題を解決するため、本発明の電子写真感光
体は、Al等の導電性基体上に無電解複合メッキ法によ
りNiP−Coの中間導電層を形成し、更にその上に光
導電層を形成してなるものである。
作用 本構成により、高感度,長寿命,画像鮮明な電子写真感
光体を得ることができる。
実施例 第4図は、本発明の実施例における電子写真感光体の断
面図を示したものであり、図において1はAl等の導電
性基体、4はNiP−Co薄膜層、3は光導電層であ
る。また第3図は比較例を示す電子写真感光体であり、
第4図と異なる部分は第4図のNiP−Co薄膜層4を
Ni薄膜層としたところである。
ところで、本発明に係るNiP−Co薄膜の製法を簡単
に説明すると、Ni化合物とP化合物とを適当な錯化剤
と共に等モル数になるように配合した温浴中にCo粒子
を添加し、撹拌しながらAl等の導電性基体を浸し、化
学的還元作用及び複合作用によりNiP中にCoを共析
させるものである。本法により得られるNiP−Co薄
膜は、均一性に優れ、密着性大で、かつピンホールも極
めて少ないという特徴を有する。
尚、薄膜の厚さは自由におこなえるが、電子写真用の感
光体として用いる場合は、約0.1〜30μmの厚さの
範囲で形成すべきである、なぜなら、約0.1μm以下
より薄い場合は、中間導電層の作用は期待できず、また
30μm以上の場合は電気的抵抗が大となって中間導電
層としての効果が発揮され難い。次に実験データを用い
て更に詳述する。
Al金属板を次ページの第1表に示す組成の無電解複合
メッキ液を用いて90℃の温浴中に20分間撹拌しなが
ら浸漬し、化学還元作用により約2μmの厚さのNiP
−Co薄膜をAl金属板上に得た。この薄膜が形成され
たAl金属板を試料 Aとする。
次いでAl金属板のみを試料Bとし、Al金属板上に電
気メッキ法によりNi膜を約2μm設けたものを試料C
とした。
一方、光導電体としてフタロシアニン混合物(β型銅フ
タロシアニンとPVK(ポリビニルカルバゾール),そ
の他)を上記試料A,B,C上にワイヤーバーを用いて
塗布し、乾燥後の膜厚が約10μmになるようにした。
その後、80℃で3時間乾燥し、24時間以上暗中した
ものを試料とした。評価は、この3者の感光体に+DC
6.5KVコロナ帯電をさせ、次いで5Lux・sec
(白色灯)の露光で電子写真特性(表面電位−時間)を
得た。(第1図) 更に、これらの感光体に対し、ウレタンゴムブレードで
150g/cm2の圧力を加え摩擦させた場合の光導電膜
の剥離特性を得た。(第2図) 尚、第1図及び第2図に於いてIは本発明一実施例に係
る感光体(試料A)の特性曲線図、IIは中間導電層とし
てNiメッキを施した感光体(試料B)の特性曲線図、
IIIは中間導電層を有しない感光体(試料C)の特性曲
線図である。
実験の結果、試料Aが試料B,試料Cに比較し、かなり
良い特性を得ることができた。これらの特性が得られた
理由をあげると、まず電子写真特性(表面電位−時間)
において試料Aの感光体は基板からのキャリアの注入が
良好なため、表面電位の向上が達成されたものと考えら
れる。
次に光導電膜の剥離特性において、試料Aの感光体はA
l金属板と中間導電層(NiP−Co薄膜)の密着性が
良好で、かつNiP−Co薄膜の硬度が大(Hv50
0)でピンホールが極めて少ない等の理由により、寿命
の向上が達成されたものと考えられる。
発明の効果 以上の説明にて明らかとなったように、本発明の電子写
真感光体は、導電性金属基体表面にNiP−Co薄膜を
被覆形成し、更にこのNiP−Co薄膜上に光導電層を
形成したものであり、中間導電体にNiP−Coを用い
たことにより、導電性金属基体と光導電体との密着性,
均一膜性において優れ、またピンホールの発生も低減さ
れ、高感度,長寿命の電子写真感光体が提供でき、その
効果は非常に大きいものがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は電子写真感光体における露光時間−表面電位の
関係を示す特性曲線図(図中 Iは本発明一実施例に係
る感光体(試料A)の特性曲線図、IIは中間導電層とし
てNiメッキを施した感光体(試料B)の特性曲線図、
IIIは中間導電層を有しない感光体(試料C)の特性曲
線図を示す) 第2図はウレタンゴムブレードによる摩擦回数と光導電
層の剥離状態との関係を示す特性図(但し、図において
I,II,IIIは第1図におけるI,II,IIIに同じ) 第3図は従来の電子写真感光体の断面図、第4図は本発
明一実施例に係る電子写真感光体の断面図である。 1……Al等の導電性金属基体 2……Niメッキ層、3……光導電層 4……NiP−Co層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】導電性金属基板表面にNiP−Co薄膜を
    被覆形成し、更にこのNiP−Co薄膜上に光導電層を
    形成したことを特徴とする電子写真感光体。
JP19511185A 1985-09-04 1985-09-04 電子写真感光体 Expired - Lifetime JPH0656499B2 (ja)

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JP19511185A JPH0656499B2 (ja) 1985-09-04 1985-09-04 電子写真感光体

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JPS6255662A JPS6255662A (ja) 1987-03-11
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JP2643209B2 (ja) * 1988-01-09 1997-08-20 ミノルタ株式会社 感光体
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