JPH0653342A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0653342A JPH0653342A JP20260992A JP20260992A JPH0653342A JP H0653342 A JPH0653342 A JP H0653342A JP 20260992 A JP20260992 A JP 20260992A JP 20260992 A JP20260992 A JP 20260992A JP H0653342 A JPH0653342 A JP H0653342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- cap
- ceramic wiring
- semiconductor device
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】セラミック配線基板上に搭載された半導体素子
を接着剤を用いることなく容易にキャップにより封止さ
れる半導体装置を提供することである。 【構成】金属製放熱板１１上にセラミック配線基板１２
が載置され、該セラミック配線基板１２上には、リード
１３、半導体素子１４、抵抗１５及びコンデンサ１６が
各々半田付けされる。弾力性のある樹脂からなるキャッ
プ１９の内側には凸部２０が設けられており、セラミッ
ク配線基板１２は該凸部２０に係止されることにより封
止される半導体装置である。
を接着剤を用いることなく容易にキャップにより封止さ
れる半導体装置を提供することである。 【構成】金属製放熱板１１上にセラミック配線基板１２
が載置され、該セラミック配線基板１２上には、リード
１３、半導体素子１４、抵抗１５及びコンデンサ１６が
各々半田付けされる。弾力性のある樹脂からなるキャッ
プ１９の内側には凸部２０が設けられており、セラミッ
ク配線基板１２は該凸部２０に係止されることにより封
止される半導体装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はセラミック配線基板上の
半導体素子、抵抗及びコンデンサなどをキャップにより
被覆あるいは封止された半導体装置に関するものであ
る。
半導体素子、抵抗及びコンデンサなどをキャップにより
被覆あるいは封止された半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は外気から遮断して故障や劣
化を防ぐために目的として封止されており、その封止方
法は気密封止（金属、セラミック、ガラスなどを使用）
と樹脂封止とに大別される。樹脂封止パッケージは量産
性に優れ、かつ安価なため広く用いられている。一方、
気密封止パッケージは水分の侵入が樹脂封止パッケージ
に比べて少ないので高信頼性を要する素子や、樹脂封止
のできない素子を封止するのに用いられる。特に、最近
の高機能化に伴い発熱量の大きい半導体素子の需要が高
まっており、それらの封止には気密封止パッケージング
が有効である。
化を防ぐために目的として封止されており、その封止方
法は気密封止（金属、セラミック、ガラスなどを使用）
と樹脂封止とに大別される。樹脂封止パッケージは量産
性に優れ、かつ安価なため広く用いられている。一方、
気密封止パッケージは水分の侵入が樹脂封止パッケージ
に比べて少ないので高信頼性を要する素子や、樹脂封止
のできない素子を封止するのに用いられる。特に、最近
の高機能化に伴い発熱量の大きい半導体素子の需要が高
まっており、それらの封止には気密封止パッケージング
が有効である。
【０００３】図２を参照して、従来の封止技術を説明す
る。同図（ａ）は半導体装置の概略図であり、同図
（ｂ）は同図（ａ）における断面図を表している。金属
製放熱板２１上に配線パターンを有するセラミック配線
基板２２が載置されている。該セラミック配線基板２２
上には、リード２３、半導体素子２４、抵抗２５及びコ
ンデンサ２６が各々半田付けされる。半導体素子２４は
金属細線２７によりセラミック配線基板２２に接続さ
れ、エンキャップ剤２８を用いて封止されている。この
ように各素子がマウントされたセラミック配線基板２２
をキャップ２９を用いて封止する。このとき、キャップ
２９は接着剤３０を用いて金属製放熱板２１とセラミッ
ク配線基板２２とに接着され、該接着剤３０はキャップ
２９と金属製放熱板２１の接合部分（同図（ａ））及び
セラミック配線基板２２と金属製放熱板２１とキャップ
２９との対面部分（同図（ｂ））とに塗布され、その後
キュアを２時間行っている。
る。同図（ａ）は半導体装置の概略図であり、同図
（ｂ）は同図（ａ）における断面図を表している。金属
製放熱板２１上に配線パターンを有するセラミック配線
基板２２が載置されている。該セラミック配線基板２２
上には、リード２３、半導体素子２４、抵抗２５及びコ
ンデンサ２６が各々半田付けされる。半導体素子２４は
金属細線２７によりセラミック配線基板２２に接続さ
れ、エンキャップ剤２８を用いて封止されている。この
ように各素子がマウントされたセラミック配線基板２２
をキャップ２９を用いて封止する。このとき、キャップ
２９は接着剤３０を用いて金属製放熱板２１とセラミッ
ク配線基板２２とに接着され、該接着剤３０はキャップ
２９と金属製放熱板２１の接合部分（同図（ａ））及び
セラミック配線基板２２と金属製放熱板２１とキャップ
２９との対面部分（同図（ｂ））とに塗布され、その後
キュアを２時間行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、キャッ
プを接着剤を用いて接着するため、コストが増大するこ
と、またキュアに多くの時間を必要とすることなど問題
があった。更に、キャップと金属製放熱板との接合部分
に接着剤を塗布するため外観上問題があった。
プを接着剤を用いて接着するため、コストが増大するこ
と、またキュアに多くの時間を必要とすることなど問題
があった。更に、キャップと金属製放熱板との接合部分
に接着剤を塗布するため外観上問題があった。
【０００５】それ故に、本発明はセラミック配線基板上
に搭載された半導体素子をキヤップを用いて封止される
半導体装置において、接着剤を用いずに容易に封止され
る半導体装置を提供することを目的とする。
に搭載された半導体素子をキヤップを用いて封止される
半導体装置において、接着剤を用いずに容易に封止され
る半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明にかかるキャップ
は樹脂などの弾力性を有する材質からなり、半導体素子
等が搭載されたセラミック配線基板を係止するように該
キャップの内側には凸部が設けられる。
は樹脂などの弾力性を有する材質からなり、半導体素子
等が搭載されたセラミック配線基板を係止するように該
キャップの内側には凸部が設けられる。
【０００７】
【作用】上記キャップは弾力性を有するため、上記キャ
ップの内側に凸部を有する構造であっても上記セラミッ
ク配線基板に被せることが可能であり、上記凸部とセラ
ミック配線基板とは係止される。そのため、接着剤を必
要としないため容易に封止することができる。
ップの内側に凸部を有する構造であっても上記セラミッ
ク配線基板に被せることが可能であり、上記凸部とセラ
ミック配線基板とは係止される。そのため、接着剤を必
要としないため容易に封止することができる。
【０００８】
【実施例】本発明による一実施例を図１より説明する。
同図（ａ）は半導体装置の概略図であり、同図（ｂ）は
同図（ａ）における断面図を表している。金属製放熱板
１１上に配線パターンを有するセラミック配線基板１２
を取り付ける。該セラミック配線基板１２上には、リー
ド１３、半導体素子１４、機能素子例えば抵抗１５及び
コンデンサ１６とが各々半田付けされる。半導体素子１
４は金属細線１７によりセラミック配線基板１２に接続
され、エンキャップ剤１８を用いて個別に封止されてい
る。このように各素子がマウントされたセラミック配線
基板１２をキャップ１９を用いて封止する。ここでキャ
ップ１９の内側には、キャップ１９内部の長さがセラミ
ック配線基板１２の長さより短くなる凸部２０が設けら
れている。キャップ１９は弾力性のある樹脂から形成さ
れているため、凸部２０はセラミック配線基板１２を通
過することができ、セラミック配線基板１２は凸部２０
に係止される。
同図（ａ）は半導体装置の概略図であり、同図（ｂ）は
同図（ａ）における断面図を表している。金属製放熱板
１１上に配線パターンを有するセラミック配線基板１２
を取り付ける。該セラミック配線基板１２上には、リー
ド１３、半導体素子１４、機能素子例えば抵抗１５及び
コンデンサ１６とが各々半田付けされる。半導体素子１
４は金属細線１７によりセラミック配線基板１２に接続
され、エンキャップ剤１８を用いて個別に封止されてい
る。このように各素子がマウントされたセラミック配線
基板１２をキャップ１９を用いて封止する。ここでキャ
ップ１９の内側には、キャップ１９内部の長さがセラミ
ック配線基板１２の長さより短くなる凸部２０が設けら
れている。キャップ１９は弾力性のある樹脂から形成さ
れているため、凸部２０はセラミック配線基板１２を通
過することができ、セラミック配線基板１２は凸部２０
に係止される。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、キヤップの内側に凸部
を設けセラミック配線基板とキャップの凸部１２を係止
させることにより固定する構造としたため、接着剤を用
いないため接着作業及び接着剤キュア時間を必要とせ
ず、容易に封止が可能な半導体装置を提供することがで
きる。また、接着剤を従来の半導体装置のように金属製
放熱板とキャップとの接合部分に塗布する必要がないた
め、外観上においても良好な半導体装置を提供すること
ができる。
を設けセラミック配線基板とキャップの凸部１２を係止
させることにより固定する構造としたため、接着剤を用
いないため接着作業及び接着剤キュア時間を必要とせ
ず、容易に封止が可能な半導体装置を提供することがで
きる。また、接着剤を従来の半導体装置のように金属製
放熱板とキャップとの接合部分に塗布する必要がないた
め、外観上においても良好な半導体装置を提供すること
ができる。
【図１】本発明による一実施例における半導体装置の概
略図（ａ）と断面図（ｂ）である。
略図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図２】従来技術による一実施例における半導体装置の
概略図（ａ）と断面図（ｂ）である。
概略図（ａ）と断面図（ｂ）である。
１１…金属製放熱板、１２…セラミック配線基板、１３
…リード、１４…半導体素子、１５…抵抗、１６…コン
デンサ、１７…金属細線、１８…エンキャップ剤、１９
…キャップ、２０…凸部。
…リード、１４…半導体素子、１５…抵抗、１６…コン
デンサ、１７…金属細線、１８…エンキャップ剤、１９
…キャップ、２０…凸部。
Claims (1)
- 【請求項１】 金属放熱板上に載置されかつ半導体素子
と機能素子とを搭載するセラミック配線基板と、該セラ
ミック配線基板を被覆するキャップからなり、上記キャ
ップは弾力性がある樹脂から形成されると共に、上記キ
ャップの内側は上記セラミック配線基板を係止する凸部
を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20260992A JPH0653342A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20260992A JPH0653342A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653342A true JPH0653342A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16460251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20260992A Pending JPH0653342A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653342A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001061744A1 (fr) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication de dispositif a semi-conducteurs |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP20260992A patent/JPH0653342A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001061744A1 (fr) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication de dispositif a semi-conducteurs |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000627 |