JPH06504571A - シリカ支持遷移金属触媒 - Google Patents
シリカ支持遷移金属触媒Info
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- JPH06504571A JPH06504571A JP50525992A JP50525992A JPH06504571A JP H06504571 A JPH06504571 A JP H06504571A JP 50525992 A JP50525992 A JP 50525992A JP 50525992 A JP50525992 A JP 50525992A JP H06504571 A JPH06504571 A JP H06504571A
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Abstract
Description
Claims (7)
- 1.(1)シリカ、アルミナ、又はシリカ及びアルミナの組合せからなる群から 選ばれる多孔性固体無機酸化物支持体物質;(2)炭化水素溶解性有機マグネシ ウムアルコキシド又は炭化水素溶解性有機マグネシウムジアルコキシド;(3) チタン化合物;所望により(4)バナジウム化合物;及び(5)第IIIA族金 属アルキルハライドを接触させることにより生ずる生成物を含む組成物をそのな かでスラリー化した不活性液体媒体を含む遷移金属支持触媒成分であり; (i)該組成物は洗浄及び固体の除去なしに使用され;(ii)該支持体物質は 支持体物質のグラムにつき5ミリモル以下のヒドロキシル基を含有し、且つ10 ミクロン以下の粒子の大きさ及び50〜800m2/gの表面積を持ち; (iii)Si+Al(無機酸化物支持体から):Mgの原子比が1:1〜50 :1であり; (iv)Mg:第IIIA族金属の原子比が0.01:1〜100:1であり; (v)Mg:Tiの原子比が0.05:1〜40:1であり;(vi)Mg:V の原子比が、もし存在するならば、約0.1:1〜40:1であり;そして (vii)V:Tiの原子比が0:1〜10:1であることを特徴とする遷移金 属支持触媒成分。
- 2.(a)該固体支持体物質がシリカであり;(b)該有機マグネシウムアルコ キシド又はジアルコキシドが式RxMg(OR)y(式中各Rは独立して1〜2 0炭素原子を持つヒドロカルビル基であり、x+y=2、0.5≦y≦2である )で表わされる化合物であり; (c)該チタン化合物が式TiX4−α(OR′)α:(式中名R′は独立して 1〜20炭素原子を持つアルキル基であり、Xはハロゲン原子であり、αは0〜 4の値を持つ)で表わされる化合物であり;(d)該バナジウム化合物が存在す る侍には式VX4(式中Xはハロゲン原子である)で表わされる化合物であり; そして(e)該第IIIA族金属アルキルハライドが式R′yMXz(式中Mは 元素の周期表の第IIIA族からの金属であり、各R′は独立して1〜20炭素 原子を持つアルキル基であり、Xはハロゲン原子であり、y及びzは各々独立し て1〜Mの原子価マイナス1に等しい値の値を持ち、そしてy+zはMの原子価 に等しい値を持つ請求項1記載の触媒。
- 3.(a)該固体支持体物質がシリカであり;(b)該マグネシウム化合物がエ チルマグネシウムエトキシド、ブチルマグネシウムエトキシド、オクチルマグネ シウムエトキシド、ブチルマグネシウムブトキシド、エチルマグネシウムブトキ シド、ブチルマグネシウムオクトキシド、S−ブチルマグネシウムオクトキシド 又はそれらの化合物のいずれかの組合せであり; (c)該チタン化合物が四塩化チタン、チタンテトライソプロポキシド又はそれ らの化合物の組合せであり; (d)該バナジウム化合物が存在する時は四塩化バナジウム、バナジウムオキシ トリクロライド又はこれらの化合物の組合せであり:そして(e)該第IIIA 族金属アルキルハライドがエチルアルミニウムジクロライド、i−ブチルアルミ ニウムジクロライド、エチルアルミニウムセスキクロライド又はそれらの化合物 のいずれかの組合せである請求項1記載の触媒。
- 4.不活性液体媒体中でスラリー化された遷移金属支持触媒成分を製造する方法 であり、 (A)酸素及び水分を排除する不活性雰囲気中(1)シリカ、アルミナ、又はシ リカ及びアルミナの組合せからなる群から選ばれる多孔性無機酸化物支持体物質 、但し該支持体物質は支持体物質のグラムにつき5ミリモル以下のヒドロキシル 基を含有し且つ10ミクロン以下の粒子の大きさ及び50〜800m2/gの表 面積を持つ、の不活性有機液体媒体中でのスラリーを形成し、 (B)該スラリーを(2)炭化水素溶解性有機マグネシウムアルコキシド又は炭 化水素溶解性有機マグネシウムジアルコキシドと混ぜ合せ、得られる混合物を− 20℃〜120℃の温度でかきまぜ;(C)(B)からの生成物を(3)チタン 化合物、又はチタン化合物及び(4)バナジウム化合物の組合せ、又はチタン化 合物及びバナジウム化合物を別々に加えるものと混ぜ合せ、得られる混合物を− 20℃〜120℃の温度で、チタン化合物及びバナジウム化合物と固体支持体上 に残留している有機マグネシウム部分との完全な反応を可能にするために十分な 時間かきまぜ;そして (D)(C)からの生成物を、−20℃〜120℃の温度で、チタン及びバナジ ウム(もし存在すれば)化合物のこれらの最終酸化状態への変換を完全にするた めに十分な時間(5)第IIIA族金属アルキルハライドの不活性有機溶液と混 ぜ合せることを特徴とする不活性液体媒体中でスラリー化された遷移金属支持触 媒成分を製造する方法。
- 5.(a)該固体支持体物質がシリカであり;(b)該有機マグネシウムアルコ キシド又は有機マグネシウムジアルコキシドが式RxMg(OR)y(式中各R は独立して1〜20炭素原子を持つヒドロカルビル基であり、x+y=2及び0 .5≦y≦2である)で表わされる化合物であり; (c)該チタン化合物は式TiX4−α(OR′)α:(式中名R′は独立して 1〜20炭素原子を持つアルキル基であり、Xはハロゲン原子であり及びαは0 〜4の値を持つ)で表わされる化合物であり;(d)該バナジウム化合物、存在 する時、は式VX4−α(OR)α(式中名R′は独立して1〜20炭素原子を 持つアルキル基であり、Xはハロゲン原子でありそしてαは0〜4の値である) で表わされる化合物であり;そして (e)該第IIIA族金属アルキルハライドは式R′yMXz:(式中Mは元素 の周期表の第IIIA族からの金属であり、各R′は独立して1〜20炭素原子 を持つアルキル基であり、Xはハロゲン原子であり、y及びzは各々独立して1 〜Mの原子価マイナス1に等しい値の値であり、そしてy+zはMの原子価に等 しい値である)で表わされる化合物である請求項4記載の方法。
- 6.(a)該マグネシウム化合物がエチルマグネシウムエトキシド、ブチルマグ ネシウムエトキシド、オクチルマグネシウムエトキシド、ブチルマグネシウムブ トキシド、エチルマグネシウムブトキシド、ブチルマグネシウムオクトキシド、 S−ブチルマグネシウムオクトキシド、又はこれらの化合物のいずれかの合せで あり; (b)該チタン化合物が四塩化チタン、チタンテトライソプロポキシド、又はそ れらの組合せであり; (c)該バナジウム化合物、存在する時、が四塩化バナジウム、バナジウムオキ シトリクロライド、又はこれらの組合せであり:そして(d)該第IIIA族金 属アルキルハライドがエチルアルミニウムジクロライド、i−ブチルアルミニウ ムジクロライド、エチルアルミニウムセスキクロライド又はこれらのいずれかの 組合せである請求項5記載の方法。
- 7.1種以上のα−オレフィン及び/又はα−オレフィン以外の1種以上の重合 可能なエチレン系不飽和化合物を触媒の存在下で重合条件に付することによる、 1種以上のα−オレフィン及び所望により1種以上のα−オレフィン以外の重合 可能なエチレン系不飽和化合物の重合方法であり、触媒として請求項1〜3のい ずれかの触媒又は請求項4〜6項記載の方法によって製造される触媒のいずれか 一つを使用することを特徴とする重合方法。
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