JPH0648816A - 高密度酸化インジウムスズ焼結体の製造方法 - Google Patents
高密度酸化インジウムスズ焼結体の製造方法Info
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- JPH0648816A JPH0648816A JP4245435A JP24543592A JPH0648816A JP H0648816 A JPH0648816 A JP H0648816A JP 4245435 A JP4245435 A JP 4245435A JP 24543592 A JP24543592 A JP 24543592A JP H0648816 A JPH0648816 A JP H0648816A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特殊で高価な装置等を使用することなく、高
密度酸化インジウムスズ焼結体を工業的に安定しかつ低
コストで製造することを目的とする。 【構成】 比表面積２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム
粉末８５〜１００重量％、残部が酸化スズ粉末及び不可
避不純物からなる混合粉末を加圧成形後、酸素濃度４０
％以上の酸化雰囲気中にて１４００〜１６００℃で焼成
することを特徴とする高密度酸化インジウムスズ焼結体
の製造方法。
密度酸化インジウムスズ焼結体を工業的に安定しかつ低
コストで製造することを目的とする。 【構成】 比表面積２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム
粉末８５〜１００重量％、残部が酸化スズ粉末及び不可
避不純物からなる混合粉末を加圧成形後、酸素濃度４０
％以上の酸化雰囲気中にて１４００〜１６００℃で焼成
することを特徴とする高密度酸化インジウムスズ焼結体
の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化インジウムスズ
（以下、ＩＴＯという）焼結体の製造方法に関し、詳し
くは相対密度が９０％以上の高密度ＩＴＯ焼結体の製造
方法に関するものである。
（以下、ＩＴＯという）焼結体の製造方法に関し、詳し
くは相対密度が９０％以上の高密度ＩＴＯ焼結体の製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜用材料として用いられるＩＴ
Ｏ膜の形成法としては、スプレー法やＣＶＤ法等の化学
的方法と、蒸着法やスパッタ法等の物理的方法がある
が、特にスパッタ法は膜質の良好さや工業的利点から広
く用いられている。
Ｏ膜の形成法としては、スプレー法やＣＶＤ法等の化学
的方法と、蒸着法やスパッタ法等の物理的方法がある
が、特にスパッタ法は膜質の良好さや工業的利点から広
く用いられている。
【０００３】このスパッタ法では、ＩＴＯ焼結体をスパ
ッタリングターゲットとして用いているが、従来はＩＴ
Ｏの焼結性が悪いことから、相対密度６０〜７５％の焼
結体が用いられていたが、近来膜質の向上や成膜速度を
大きくすること、ターゲット表面黒化の抑制という要求
に対して、焼結体密度を高めることが望まれていた。
ッタリングターゲットとして用いているが、従来はＩＴ
Ｏの焼結性が悪いことから、相対密度６０〜７５％の焼
結体が用いられていたが、近来膜質の向上や成膜速度を
大きくすること、ターゲット表面黒化の抑制という要求
に対して、焼結体密度を高めることが望まれていた。
【０００４】ＩＴＯ焼結体を作製する方法としては、従
来からホットプレス法（ＨＰ法），プレス法（金型法、
ＣＩＰ法ともいう），鋳込み法等が知られている。
来からホットプレス法（ＨＰ法），プレス法（金型法、
ＣＩＰ法ともいう），鋳込み法等が知られている。
【０００５】ホットプレス法は、ＩＴＯ粉末をカーボン
質モールドに入れ、同じくカーボン質のパンチにより圧
力（〜２００Ｋｇ／ｃｍ２）を加えながら、１０００〜
１４００℃に加熱して焼結体を得る方法である。
質モールドに入れ、同じくカーボン質のパンチにより圧
力（〜２００Ｋｇ／ｃｍ２）を加えながら、１０００〜
１４００℃に加熱して焼結体を得る方法である。
【０００６】プレス法は、ＩＴＯ粉末を冷間で加圧成形
し、大気炉において焼成する方法であり、ＩＴＯ粉末と
しては加圧成形時のハンドリング性の向上と圧力伝達性
の向上のために、溶媒中に結合剤等と共に分散させてス
ラリーとした後、スプレードライ等により顆粒状とした
ものが用いられている。
し、大気炉において焼成する方法であり、ＩＴＯ粉末と
しては加圧成形時のハンドリング性の向上と圧力伝達性
の向上のために、溶媒中に結合剤等と共に分散させてス
ラリーとした後、スプレードライ等により顆粒状とした
ものが用いられている。
【０００７】鋳込み法は、ＩＴＯ粉末を溶媒中に結合剤
等と共に分散させたスラリーを吸水性の成形型に常圧下
又は加圧下に注入して成形し、得られた成形体を上記プ
レス法の場合と同様に焼成して焼結体を得る方法であ
る。
等と共に分散させたスラリーを吸水性の成形型に常圧下
又は加圧下に注入して成形し、得られた成形体を上記プ
レス法の場合と同様に焼成して焼結体を得る方法であ
る。
【０００８】しかしながら、上記のような技術にあって
は、それぞれ下記のような欠点がある。
は、それぞれ下記のような欠点がある。
【０００９】即ち、ホットプレス法（ＨＰ法）は高密度
焼結体を製造できる点では好ましい方法であるが、一般
に還元雰囲気加熱によるため、焼結体の一部が還元され
るという欠点があることに加え、例えば１０ｉｎｃｈ×
１５ｉｎｃｈなどの大型タイプの焼結体を製造する場
合、かなり大規模な装置が必要となるなど、実用的でな
い面もある。
焼結体を製造できる点では好ましい方法であるが、一般
に還元雰囲気加熱によるため、焼結体の一部が還元され
るという欠点があることに加え、例えば１０ｉｎｃｈ×
１５ｉｎｃｈなどの大型タイプの焼結体を製造する場
合、かなり大規模な装置が必要となるなど、実用的でな
い面もある。
【００１０】また、プレス法や鋳込み法では、粉末を溶
媒に分散させたスラリーとするために、比表面積が１０
ｍ２／ｇ以上であるような焼結性の良い微粒子を用いる
ことは困難である。しかも、鋳込み法の場合には、成形
に適したスラリー濃度や流動性を得るために、仮焼によ
り比表面積を４〜５ｍ２／ｇに調整する必要があった。
また、スプレードライにより造粒する場合も、微粉末で
は過剰の溶媒が必要であり、更に作製された造粒粉も中
空球や陥没球状のものが多く、これらを用いてプレス成
形しても、グリーン密度が低かったりして、クラックの
発生原因となることが多かった。
媒に分散させたスラリーとするために、比表面積が１０
ｍ２／ｇ以上であるような焼結性の良い微粒子を用いる
ことは困難である。しかも、鋳込み法の場合には、成形
に適したスラリー濃度や流動性を得るために、仮焼によ
り比表面積を４〜５ｍ２／ｇに調整する必要があった。
また、スプレードライにより造粒する場合も、微粉末で
は過剰の溶媒が必要であり、更に作製された造粒粉も中
空球や陥没球状のものが多く、これらを用いてプレス成
形しても、グリーン密度が低かったりして、クラックの
発生原因となることが多かった。
【００１１】また、本発明者等は焼結性の良い比表面積
２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉末を用いた造粒粉
を製造し、高密度ＩＴＯ焼結体を得る方法（特願平３−
８３３０９号，特願平４−６１１９０号）を提案した
が、相対密度９０％を超えるＩＴＯ焼結体を安定して製
造し得るまでには至らなかった。
２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジウム粉末を用いた造粒粉
を製造し、高密度ＩＴＯ焼結体を得る方法（特願平３−
８３３０９号，特願平４−６１１９０号）を提案した
が、相対密度９０％を超えるＩＴＯ焼結体を安定して製
造し得るまでには至らなかった。
【００１２】更に、焼成時に１気圧（ゲージ圧）以上の
加圧酸素雰囲気中で焼成することを特徴とする技術（特
開平３−２０７８５８号公報）も提案されているが、Ｉ
ＴＯの分解を抑制するため、１気圧（ゲージ圧）以上の
加圧酸素雰囲気で１６００〜１７００℃の高温で焼成す
ることにより一応高密度焼結体が得られるが、焼成炉の
構造を耐圧容器として高温に耐え得るようにしなければ
ならないため、設備費が膨大になるなどの問題があっ
た。
加圧酸素雰囲気中で焼成することを特徴とする技術（特
開平３−２０７８５８号公報）も提案されているが、Ｉ
ＴＯの分解を抑制するため、１気圧（ゲージ圧）以上の
加圧酸素雰囲気で１６００〜１７００℃の高温で焼成す
ることにより一応高密度焼結体が得られるが、焼成炉の
構造を耐圧容器として高温に耐え得るようにしなければ
ならないため、設備費が膨大になるなどの問題があっ
た。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術の
諸欠点を解消し、特殊で高価な装置を用いることなく、
高密度ＩＴＯ焼結体を工業的に安定しかつ低コストで製
造することを目的とする。
諸欠点を解消し、特殊で高価な装置を用いることなく、
高密度ＩＴＯ焼結体を工業的に安定しかつ低コストで製
造することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、高密度Ｉ
ＴＯ焼結体を製造すべく多くの実験・研究を重ねた結
果、焼結性の良いＩＴＯ原料粉で成形した成形体を酸素
濃度４０％以上の酸化雰囲気中にて焼成温度１４００〜
１６００℃で常圧焼結することにより、相対密度９０％
以上の高密度ＩＴＯ焼結体が製造できるとの知見を得て
本発明をなすに至ったのである。
ＴＯ焼結体を製造すべく多くの実験・研究を重ねた結
果、焼結性の良いＩＴＯ原料粉で成形した成形体を酸素
濃度４０％以上の酸化雰囲気中にて焼成温度１４００〜
１６００℃で常圧焼結することにより、相対密度９０％
以上の高密度ＩＴＯ焼結体が製造できるとの知見を得て
本発明をなすに至ったのである。
【００１５】即ち、本発明は比表面積２０ｍ２／ｇ以上
の酸化インジウム粉末８５〜１００重量％，残部が酸化
スズ粉末及び不可避不純物からなる混合粉末を加圧成形
後、酸素濃度４０％以上の酸化雰囲気中にて１４００〜
１６００℃で焼成することを特徴とする高密度ＩＴＯ焼
結体の製造方法を提供するものである。
の酸化インジウム粉末８５〜１００重量％，残部が酸化
スズ粉末及び不可避不純物からなる混合粉末を加圧成形
後、酸素濃度４０％以上の酸化雰囲気中にて１４００〜
１６００℃で焼成することを特徴とする高密度ＩＴＯ焼
結体の製造方法を提供するものである。
【００１６】本発明において、焼結性に優れたＩＴＯ微
粉末を用いるが、主成分の酸化インジウム粉末として
は、比表面積２０ｍ２／ｇ以上の粉末を８５〜１００重
量％の割合で使用し、残部が酸化スズ及び不可避不純物
となるように配合して均一に混合したものを用いる。酸
化スズとしては、粒径が１０μｍ以下の粉末がよいが、
好ましくは主成分の酸化インジウム粉末と同等の粒径の
ものがよい。
粉末を用いるが、主成分の酸化インジウム粉末として
は、比表面積２０ｍ２／ｇ以上の粉末を８５〜１００重
量％の割合で使用し、残部が酸化スズ及び不可避不純物
となるように配合して均一に混合したものを用いる。酸
化スズとしては、粒径が１０μｍ以下の粉末がよいが、
好ましくは主成分の酸化インジウム粉末と同等の粒径の
ものがよい。
【００１７】上記のように配合したＩＴＯ原料微粉末を
金型プレス等で加圧成形し、成形体を作製する。この場
合、該成形体の密度は４５％以上の相対密度とすること
が好ましい。
金型プレス等で加圧成形し、成形体を作製する。この場
合、該成形体の密度は４５％以上の相対密度とすること
が好ましい。
【００１８】次いで、焼成温度１４００〜１６００℃で
焼成するが、焼成時の炉内の雰囲気を酸素濃度４０％以
上の酸化雰囲気に保持することが大切である。焼成時の
焼成温度が１４００℃未満では焼結が進行せず、従って
焼結密度が高くならない。一方、焼成温度が１６００℃
を超えても焼結はするが、ＩＴＯの解離が大きくなるこ
ととコスト的な面から有益とはいえない。従って、焼成
温度は１４００〜１６００℃の温度範囲とする。
焼成するが、焼成時の炉内の雰囲気を酸素濃度４０％以
上の酸化雰囲気に保持することが大切である。焼成時の
焼成温度が１４００℃未満では焼結が進行せず、従って
焼結密度が高くならない。一方、焼成温度が１６００℃
を超えても焼結はするが、ＩＴＯの解離が大きくなるこ
ととコスト的な面から有益とはいえない。従って、焼成
温度は１４００〜１６００℃の温度範囲とする。
【００１９】炉内の焼成雰囲気については、通常の大気
用電気炉に所定の酸素濃度が保持できるように純酸素ガ
スを流入させる程度でよく、特別な耐圧容器とする必要
はない。酸素濃度は４０％以上とし、４０％未満では所
望の効果が得られない。雰囲気中の酸素以外のガスにつ
いては、ＩＴＯと反応しないガスであればよい。なお、
所定温度での保持時間は通常１〜２０時間であり、好ま
しくは２〜１０時間である。
用電気炉に所定の酸素濃度が保持できるように純酸素ガ
スを流入させる程度でよく、特別な耐圧容器とする必要
はない。酸素濃度は４０％以上とし、４０％未満では所
望の効果が得られない。雰囲気中の酸素以外のガスにつ
いては、ＩＴＯと反応しないガスであればよい。なお、
所定温度での保持時間は通常１〜２０時間であり、好ま
しくは２〜１０時間である。
【００２０】上記のような製造条件を充たすことによ
り、従来技術の諸欠点を解消し、特殊で高価な装置など
を用いることなく、相対密度９０％以上の高密度ＩＴＯ
焼結体を安定して低コストで製造することができるので
ある。
り、従来技術の諸欠点を解消し、特殊で高価な装置など
を用いることなく、相対密度９０％以上の高密度ＩＴＯ
焼結体を安定して低コストで製造することができるので
ある。
【００２１】その理由は、次のように考えられる。即
ち、ＩＴＯの焼結においては、上記の焼成温度域での蒸
気圧が高くなり、気相拡散により焼結が進行するものと
考えられるが、反面ＩＴＯの解離により焼結が阻害され
る。そこで、酸素分圧を大きくすることでＩＴＯの解離
を抑制すると共に、１６００℃を超えると解離が急激に
促進されるので、焼成温度を１６００℃以下で焼結させ
ることができるような焼結性の良好なＩＴＯ原料粉を用
いることにより、高密度化が達成されるものと考えられ
る。また、その機構については明らかではないが、酸素
自体が焼結を促進させる作用をしていることも考えられ
る。次に、本発明を実施例により詳細に説明する。
ち、ＩＴＯの焼結においては、上記の焼成温度域での蒸
気圧が高くなり、気相拡散により焼結が進行するものと
考えられるが、反面ＩＴＯの解離により焼結が阻害され
る。そこで、酸素分圧を大きくすることでＩＴＯの解離
を抑制すると共に、１６００℃を超えると解離が急激に
促進されるので、焼成温度を１６００℃以下で焼結させ
ることができるような焼結性の良好なＩＴＯ原料粉を用
いることにより、高密度化が達成されるものと考えられ
る。また、その機構については明らかではないが、酸素
自体が焼結を促進させる作用をしていることも考えられ
る。次に、本発明を実施例により詳細に説明する。
【００２２】
実施例１ 比表面積３２ｍ２／ｇの酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）
粉９０重量％と比表面積４ｍ２／ｇの酸化スズ（ＳｎＯ
２）粉１０重量％とを混合した混合粉にＰＶＡ（ポリビ
ニールアルコール）５重量％水溶液を該混合粉の全量基
準で１０重量％を添加配合し、これを金型プレスで１ｉ
ｎｃｈφ×５ｍｍのペレットに作製した。作製したペレ
ット成形体の相対密度は５３％であった。
粉９０重量％と比表面積４ｍ２／ｇの酸化スズ（ＳｎＯ
２）粉１０重量％とを混合した混合粉にＰＶＡ（ポリビ
ニールアルコール）５重量％水溶液を該混合粉の全量基
準で１０重量％を添加配合し、これを金型プレスで１ｉ
ｎｃｈφ×５ｍｍのペレットに作製した。作製したペレ
ット成形体の相対密度は５３％であった。
【００２３】得られたペレットを乾燥後、１３００〜１
６００℃の温度域で焼成温度を変化させて、各々５時間
保持して焼成した。焼成時の炉内雰囲気中の酸素濃度
は、４５％になるように酸素ガスを流入して調整した。
その結果を、図１及び図２に示す。
６００℃の温度域で焼成温度を変化させて、各々５時間
保持して焼成した。焼成時の炉内雰囲気中の酸素濃度
は、４５％になるように酸素ガスを流入して調整した。
その結果を、図１及び図２に示す。
【００２４】実施例２ 比表面積３２ｍ２／ｇの酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）
粉９５重量％と比表面積４ｍ２／ｇの酸化スズ（ＳｎＯ
２）粉５重量％とを充分に混合した混合粉にＰＶＡ５重
量％水溶液を該混合粉の全量基準で１０重量％を添加配
合し、これを金型プレスで１ｉｎｃｈφ×５ｍｍのペレ
ットに作製し、実施例１と同条件で焼成した。その結果
も図１及び図２に併せて示す。
粉９５重量％と比表面積４ｍ２／ｇの酸化スズ（ＳｎＯ
２）粉５重量％とを充分に混合した混合粉にＰＶＡ５重
量％水溶液を該混合粉の全量基準で１０重量％を添加配
合し、これを金型プレスで１ｉｎｃｈφ×５ｍｍのペレ
ットに作製し、実施例１と同条件で焼成した。その結果
も図１及び図２に併せて示す。
【００２５】実施例３ 実施例１と同様の混合粉を用いて、５００ｍｍ（長さ）
×１７０ｍｍ（幅）×１０ｍｍ（厚さ）の成形体をプレ
ス成形して作製し、該成形体を電気炉中に酸素を流入し
て酸素濃度を５０％に調整し、１５００℃で５時間保持
する条件で焼成した。得られた焼結体の相対密度は９７
％であった。
×１７０ｍｍ（幅）×１０ｍｍ（厚さ）の成形体をプレ
ス成形して作製し、該成形体を電気炉中に酸素を流入し
て酸素濃度を５０％に調整し、１５００℃で５時間保持
する条件で焼成した。得られた焼結体の相対密度は９７
％であった。
【００２６】比較例 実施例１及び２とそれぞれ同じ混合粉を用いて同様のペ
レットを作製し、各々大気中で１３００〜１６００℃の
焼成温度域で焼成温度を変化させて、各々５時間焼成し
た。得られた結果を併せて図１及び２に示す。
レットを作製し、各々大気中で１３００〜１６００℃の
焼成温度域で焼成温度を変化させて、各々５時間焼成し
た。得られた結果を併せて図１及び２に示す。
【００２７】図１は、実施例１〜２及び比較例で得られ
た焼結体の相対密度と焼成温度との関係を示したもので
ある。図中、□印は実施例１（Ｉｎ２Ｏ３：９０重量
％，ＳｎＯ２：１０％配合のＩＴＯ）の場合、○印は実
施例２（Ｉｎ２Ｏ３：９５重量％，ＳｎＯ２：５重量％
配合のＩＴＯ）の場合、■印は比較例（Ｉｎ２Ｏ３：９
０重量％，ＳｎＯ２：１０重量％配合のＩＴＯ）の場
合、また●印は比較例（Ｉｎ２Ｏ３：９５重量％，Ｓｎ
Ｏ２：５重量％配合のＩＴＯ）の場合を示すグラフであ
る。
た焼結体の相対密度と焼成温度との関係を示したもので
ある。図中、□印は実施例１（Ｉｎ２Ｏ３：９０重量
％，ＳｎＯ２：１０％配合のＩＴＯ）の場合、○印は実
施例２（Ｉｎ２Ｏ３：９５重量％，ＳｎＯ２：５重量％
配合のＩＴＯ）の場合、■印は比較例（Ｉｎ２Ｏ３：９
０重量％，ＳｎＯ２：１０重量％配合のＩＴＯ）の場
合、また●印は比較例（Ｉｎ２Ｏ３：９５重量％，Ｓｎ
Ｏ２：５重量％配合のＩＴＯ）の場合を示すグラフであ
る。
【００２８】図１から、焼成時の雰囲気中の酸素濃度を
４５％に保持した実施例１，２の場合は、比較例（大気
中で焼成）と比較して、焼結体の相対密度に大差があ
り、焼成温度１４００〜１６００℃の温度域で相対密度
９５％以上となることが分る。また、焼成温度１４００
℃未満では焼結が進行せず、従って焼結体の相対密度が
高くならない。また、上記結果から、焼成時の酸素濃度
が焼成温度と同様に焼結体の相対密度に著しく寄与する
ことが分る。
４５％に保持した実施例１，２の場合は、比較例（大気
中で焼成）と比較して、焼結体の相対密度に大差があ
り、焼成温度１４００〜１６００℃の温度域で相対密度
９５％以上となることが分る。また、焼成温度１４００
℃未満では焼結が進行せず、従って焼結体の相対密度が
高くならない。また、上記結果から、焼成時の酸素濃度
が焼成温度と同様に焼結体の相対密度に著しく寄与する
ことが分る。
【００２９】図２は、実施例１〜２及び比較例で得られ
た焼結体の焼成温度と焼成時重量減少率との関係を示し
たものである。重量減少率には、バインダー固形分（Ｐ
ＶＡ：０．５重量％）も含む。図中のマーク（○，□，
●，■印）は、図１の場合と同様である。
た焼結体の焼成温度と焼成時重量減少率との関係を示し
たものである。重量減少率には、バインダー固形分（Ｐ
ＶＡ：０．５重量％）も含む。図中のマーク（○，□，
●，■印）は、図１の場合と同様である。
【００３０】図２から分るように、本発明に係る実施例
１，２（○，□印）の場合は大気中で焼成した比較例
（●，■印）の場合と比較して、その重量減少率が低
く、１４００〜１６００℃の焼成温度域で２．５〜４．
５％程度である。
１，２（○，□印）の場合は大気中で焼成した比較例
（●，■印）の場合と比較して、その重量減少率が低
く、１４００〜１６００℃の焼成温度域で２．５〜４．
５％程度である。
【００３１】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、上記
の如く焼結性の良い原料を用い、焼結を阻害するＩＴＯ
の解離が少ない１４００〜１６００℃の焼成温度で焼成
し、更に解離の抑制及び焼結促進のために焼成雰囲気中
の酸素濃度を４０％以上の酸化雰囲気に保持して常圧焼
結することにより、従来は特別の耐圧容器などを使用し
なければ製造できなかった高密度ＩＴＯ焼結体を工業的
に安定して、しかも低コストで製造することができる利
点がある。
の如く焼結性の良い原料を用い、焼結を阻害するＩＴＯ
の解離が少ない１４００〜１６００℃の焼成温度で焼成
し、更に解離の抑制及び焼結促進のために焼成雰囲気中
の酸素濃度を４０％以上の酸化雰囲気に保持して常圧焼
結することにより、従来は特別の耐圧容器などを使用し
なければ製造できなかった高密度ＩＴＯ焼結体を工業的
に安定して、しかも低コストで製造することができる利
点がある。
【図１】本発明に係る焼結体の焼成温度と焼結体相対密
度との関係を示すグラフである。
度との関係を示すグラフである。
【図２】本発明に係る焼結体の焼成温度と焼成時の重量
減少率との関係を示すグラフである。
減少率との関係を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 比表面積２０ｍ２／ｇ以上の酸化インジ
ウム粉末８５〜１００重量％、残部が酸化スズ粉末及び
不可避不純物からなる混合粉末を加圧成形後、酸素濃度
４０％以上の酸化雰囲気中にて１４００〜１６００℃で
焼成することを特徴とする高密度酸化インジウムスズ焼
結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245435A JP2789285B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 高密度酸化インジウムスズ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245435A JP2789285B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 高密度酸化インジウムスズ焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0648816A true JPH0648816A (ja) | 1994-02-22 |
| JP2789285B2 JP2789285B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=17133622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4245435A Expired - Fee Related JP2789285B2 (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 高密度酸化インジウムスズ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789285B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6121178A (en) * | 1996-10-04 | 2000-09-19 | Dowa Mining Co., Ltd. | Sintered ITO and an ITO sputtering target |
| US6500225B2 (en) | 1998-12-03 | 2002-12-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for producing high density indium-tin-oxide sintered body |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126655A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化インジウム‐酸化錫焼結体及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4245435A patent/JP2789285B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH03126655A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化インジウム‐酸化錫焼結体及びその製造方法 |
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| US6500225B2 (en) | 1998-12-03 | 2002-12-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for producing high density indium-tin-oxide sintered body |
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| JP2789285B2 (ja) | 1998-08-20 |
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