JPH064587Y2 - 縦型バイアススパツタリング装置の基板ホルダ− - Google Patents
縦型バイアススパツタリング装置の基板ホルダ−Info
- Publication number
- JPH064587Y2 JPH064587Y2 JP1987012028U JP1202887U JPH064587Y2 JP H064587 Y2 JPH064587 Y2 JP H064587Y2 JP 1987012028 U JP1987012028 U JP 1987012028U JP 1202887 U JP1202887 U JP 1202887U JP H064587 Y2 JPH064587 Y2 JP H064587Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- substrate holder
- bias sputtering
- vertical bias
- holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、基板を鉛直またはそれに近い姿勢に保持して
処理する縦型バイアススパッタリング装置の基板ホルダ
ーの改良に関し、殊に半導体基板のＳｉＯ２膜のスパッ
タリング等において有用な働きをするものである。
処理する縦型バイアススパッタリング装置の基板ホルダ
ーの改良に関し、殊に半導体基板のＳｉＯ２膜のスパッ
タリング等において有用な働きをするものである。
（従来の技術） 従来の、基板を鉛直またはそれに近い姿勢に保持して処
理する縦型バイアススパッタリング装置、殊に、基板を
鉛直に近い姿勢で搬送する機構をもつＳｉＯ２膜のバイ
アススパッタリング装置等の基板ホルダーでは、スパッ
タリング処理時の基板の落下を防ぐため基板を機械的に
保持する機構を設けており、且つ、基板上に形成される
例えばＳＩＯ２膜の汚染を防止するため基板と同質の例
えば石英等で極力基板ホルダー表面を覆うようにして、
次記するように非常に複雑な形状・構成のものとなって
いる。
理する縦型バイアススパッタリング装置、殊に、基板を
鉛直に近い姿勢で搬送する機構をもつＳｉＯ２膜のバイ
アススパッタリング装置等の基板ホルダーでは、スパッ
タリング処理時の基板の落下を防ぐため基板を機械的に
保持する機構を設けており、且つ、基板上に形成される
例えばＳＩＯ２膜の汚染を防止するため基板と同質の例
えば石英等で極力基板ホルダー表面を覆うようにして、
次記するように非常に複雑な形状・構成のものとなって
いる。
第３図は従来の基板ホルダーの概略図であり、７は基板
ホルダー、８，８′は石英製の基板保持板、９は基板保
持動作棒である。この図は基板保持機構の動作前の状態
を示している。この基板保持機構を動作させるときは、
第４図の如く基板保持動作棒９，９′がそれぞれ、図の
矢印ａ，ａ′の方向へ動き、基板保持板８，８′の一端
を押さえる。
ホルダー、８，８′は石英製の基板保持板、９は基板保
持動作棒である。この図は基板保持機構の動作前の状態
を示している。この基板保持機構を動作させるときは、
第４図の如く基板保持動作棒９，９′がそれぞれ、図の
矢印ａ，ａ′の方向へ動き、基板保持板８，８′の一端
を押さえる。
この動作により、基板ホルダー７は基板２を装着する態
勢を整えたことになり、基板２が図の矢印の如く進入す
ると、基板保持動作棒９，９′が第３図の位置に退い
て、図示しないバネの力で、基板２は基板ホルダー１に
保持される。
勢を整えたことになり、基板２が図の矢印の如く進入す
ると、基板保持動作棒９，９′が第３図の位置に退い
て、図示しないバネの力で、基板２は基板ホルダー１に
保持される。
（考案が解決しようとする問題点） しかしながら、上記の複雑な構成のでは、基板ホルダー
７の近傍で部材相互間の接触や摺動が多く、塵埃が多量
に発生する。また、基板を保持する機構のメタル部分が
時としてエッチングされるなどしたりして生成するＳｉ
Ｏ２膜の絶縁機能を損なうことがある。基板ホルダーの
メンテナンス作業例えば交換作業も頻繁に行なう必要が
あり、その作業も煩雑なものになる欠点がある。
７の近傍で部材相互間の接触や摺動が多く、塵埃が多量
に発生する。また、基板を保持する機構のメタル部分が
時としてエッチングされるなどしたりして生成するＳｉ
Ｏ２膜の絶縁機能を損なうことがある。基板ホルダーの
メンテナンス作業例えば交換作業も頻繁に行なう必要が
あり、その作業も煩雑なものになる欠点がある。
（考案の目的） 本考案は、上記の問題を解決し、基板上の生成膜の膜質
を損なわず、且つ、メンテナンス性の良好な縦型バイア
ススパッタリング装置の基板ホルダーの提供を目的とす
る。
を損なわず、且つ、メンテナンス性の良好な縦型バイア
ススパッタリング装置の基板ホルダーの提供を目的とす
る。
（問題を解決するための手段） 上記問題を解決するため、本考案は、表面の材質が基板
の処理表面の材質に合致したものであるとともに基板の
輪郭に適合した輪郭の凹部を有してこの凹部に基板が嵌
入されるものであり、さらに、この凹部は、嵌入させた
基板の裏面に当接して電気的接触を達成する底面を有
し、且つこの底面は基板が鉛直面に対し所定角度傾いた
姿勢になるよう形成されており、基板が自重でその位置
を保持するような基板ホルダーを採用した。
の処理表面の材質に合致したものであるとともに基板の
輪郭に適合した輪郭の凹部を有してこの凹部に基板が嵌
入されるものであり、さらに、この凹部は、嵌入させた
基板の裏面に当接して電気的接触を達成する底面を有
し、且つこの底面は基板が鉛直面に対し所定角度傾いた
姿勢になるよう形成されており、基板が自重でその位置
を保持するような基板ホルダーを採用した。
（作用） 複雑な機構が一掃され、塵埃の発生や生成膜の汚染を極
めて小さくすることが出来、メンテナンス作業は大幅に
簡略化される。
めて小さくすることが出来、メンテナンス作業は大幅に
簡略化される。
（実施例） 第１図は本考案の実施例の基板ホルダー部の概略の斜視
図であって、１は基板ホルダー、２は基板である。基板
ホルダー１は鉛直面に対して２°上向きに傾けられて待
機しており、これに向かって、矢張り２°傾いた基板２
が矢印のように進んで行く。基板保持用の従来の複雑な
機構はすべて取り去られて極めて単純な構成になってい
る。
図であって、１は基板ホルダー、２は基板である。基板
ホルダー１は鉛直面に対して２°上向きに傾けられて待
機しており、これに向かって、矢張り２°傾いた基板２
が矢印のように進んで行く。基板保持用の従来の複雑な
機構はすべて取り去られて極めて単純な構成になってい
る。
第２図は、第１図の基板ホルダー１の詳細な断面図であ
る。３は石英シールド、４は電極管、５はウラ板、６は
石英ネジである。従って、基板ホルダーの外面にはメタ
ル部分の露出は無い。
る。３は石英シールド、４は電極管、５はウラ板、６は
石英ネジである。従って、基板ホルダーの外面にはメタ
ル部分の露出は無い。
基板ホルダー１は、第１図に示すように、基板２の輪郭
に適合した輪郭の凹部１ａを有してこの凹部１ａに基板
１が嵌入されるものである。そして、第２図に示すよう
に、この凹部１ａの底面は、嵌入させた基板１の裏面が
当接して電気的接触を達成するよう構成されている。基
板ホルダー１が前述の如く鉛直面に対して２°傾けられ
ていることから、上記底面に当接した状態では、基板１
は、第２図に示すようにやはり２°傾いた姿勢になる。
そして、基板１は、自重によりその傾いた姿勢を保持
し、この状態でスパッタリングが行われる。
に適合した輪郭の凹部１ａを有してこの凹部１ａに基板
１が嵌入されるものである。そして、第２図に示すよう
に、この凹部１ａの底面は、嵌入させた基板１の裏面が
当接して電気的接触を達成するよう構成されている。基
板ホルダー１が前述の如く鉛直面に対して２°傾けられ
ていることから、上記底面に当接した状態では、基板１
は、第２図に示すようにやはり２°傾いた姿勢になる。
そして、基板１は、自重によりその傾いた姿勢を保持
し、この状態でスパッタリングが行われる。
上記の構成では、塵埃の発生は極めて軽減される。また
メンテナンス作業で交換される部分は基板ホルダー１の
みであり、作業は非常に簡単になる。形状が簡素化され
ているため、石英製の基板ホルダーの製作・加工も容易
であり、経済面でも有利である。
メンテナンス作業で交換される部分は基板ホルダー１の
みであり、作業は非常に簡単になる。形状が簡素化され
ているため、石英製の基板ホルダーの製作・加工も容易
であり、経済面でも有利である。
（考案の効果） 本考案は、基板上の生成膜の膜質を損なわず、且つ、メ
ンテナンス性の良好な縦型バイアススパッタリング装置
の基板ホルダーを提供する効果がある。
ンテナンス性の良好な縦型バイアススパッタリング装置
の基板ホルダーを提供する効果がある。
第１図は、本考案の実施例の基板ホルダーの斜視図。 第２図はその詳細断面図。 第３，４図は、従来の基板ホルダーの斜視図。 １……基板ホルダー、２……基板、３……石英シール
ド、４……電極管、５……ウラ板、６……石英ネジ。
ド、４……電極管、５……ウラ板、６……石英ネジ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−153580（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−39162（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−120567（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】縦型バイアススパッタリング装置の基板ホ
ルダーにおいて、該基板ホルダーはその表面の材質が基
板の処理表面の材質に合致したものであるとともに基板
の輪郭に適合した輪郭の凹部を有してこの凹部に基板が
嵌入されるものであり、さらに、この凹部は、嵌入させ
た基板の裏面に当接して電気的接触を達成する底面を有
し、且つこの底面は基板が鉛直面に対し所定角度傾いた
姿勢になるよう形成されており、基板が自重でその位置
を保持しながらスパッタリング処理せしめる如くしたこ
とを特徴とする縦型バイアススパッタリング装置の基板
ホルダー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987012028U JPH064587Y2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 縦型バイアススパツタリング装置の基板ホルダ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987012028U JPH064587Y2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 縦型バイアススパツタリング装置の基板ホルダ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174445U JPS63174445U (ja) | 1988-11-11 |
| JPH064587Y2 true JPH064587Y2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=30799777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987012028U Expired - Lifetime JPH064587Y2 (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | 縦型バイアススパツタリング装置の基板ホルダ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH064587Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5314462B2 (ja) * | 1974-03-06 | 1978-05-17 | ||
| JPS50153580A (ja) * | 1974-05-29 | 1975-12-10 | ||
| JPS6039162A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-28 | Anelva Corp | 薄膜処理真空装置 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP1987012028U patent/JPH064587Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63174445U (ja) | 1988-11-11 |
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