JPS60257523A - 真空プロセス装置 - Google Patents
真空プロセス装置Info
- Publication number
- JPS60257523A JPS60257523A JP11304584A JP11304584A JPS60257523A JP S60257523 A JPS60257523 A JP S60257523A JP 11304584 A JP11304584 A JP 11304584A JP 11304584 A JP11304584 A JP 11304584A JP S60257523 A JPS60257523 A JP S60257523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate holder
- etching
- substrate
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 38
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 1
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、スパッタリングおよびエツチングを行なうよ
うにした真空プロセス装置に関するものである。
うにした真空プロセス装置に関するものである。
従来の技術
この種の従来の装置においては、エツチング電極側に直
接基板を直接または基板ホルダ等を介して固定するかま
たは搬送系上に基板に基板を設置し、基板を所定の位置
へ移動してスパッタリングおよびエツチングを行なって
いる。このような構造のものでは、比較的大きな処理室
が必要とされ、そのために特に処理すべき基板が大きな
寸法のものである場合には処理室の排気系を大型化する
必要があシ、排気に時間がかかるだけでなく作業性が悪
い欠点がある。
接基板を直接または基板ホルダ等を介して固定するかま
たは搬送系上に基板に基板を設置し、基板を所定の位置
へ移動してスパッタリングおよびエツチングを行なって
いる。このような構造のものでは、比較的大きな処理室
が必要とされ、そのために特に処理すべき基板が大きな
寸法のものである場合には処理室の排気系を大型化する
必要があシ、排気に時間がかかるだけでなく作業性が悪
い欠点がある。
発明が解決しようとする問題点
そこで、本発明ではこの種の装置において電極配置を改
善して処理室の容積を小キくシ効率的な排気を可能にす
ると共に処理室内の各部の操作を簡単化して作業性を向
上させることを目的とする。
善して処理室の容積を小キくシ効率的な排気を可能にす
ると共に処理室内の各部の操作を簡単化して作業性を向
上させることを目的とする。
問題点を解決するための手段
従ってこの目的を達成するために、本発明によるスパッ
タリングおよびエツチング用真空プロセス装置において
は、スパッタ電極とエツチング電極とを対向して配置し
、これら両電極間においてエツチング電極にそれと共に
スパッタ霜−極に対して移動できかつエツチング電極に
対して相対移動できる基板ホルダを取付け、エツチング
電極をスパッタ電極に対して動かすことによシ基板ホル
ダに装着きれた基板をエツチング電極に接触させたシ基
板をスパッタ電極に対して所定の位置に位W(決めでき
るように構成される。
タリングおよびエツチング用真空プロセス装置において
は、スパッタ電極とエツチング電極とを対向して配置し
、これら両電極間においてエツチング電極にそれと共に
スパッタ霜−極に対して移動できかつエツチング電極に
対して相対移動できる基板ホルダを取付け、エツチング
電極をスパッタ電極に対して動かすことによシ基板ホル
ダに装着きれた基板をエツチング電極に接触させたシ基
板をスパッタ電極に対して所定の位置に位W(決めでき
るように構成される。
また本発明の装置においては好ましくは基鈑ホルダは横
方向に設けられるマニュピレータによって横方向に搬送
できるようにされ得る。
方向に設けられるマニュピレータによって横方向に搬送
できるようにされ得る。
作用
このように構成することによって本発明の装置ではエツ
チング電極を外部から操作することにょシ、エツチング
電極自体の移動(例えば上下移動)と共にエツチング電
極と基板とを接触させてエツチングおよび冷却またはス
パッタリングを行なうことができる。また対向電極間に
マニュピレータを使用することによシ基板の移動ができ
、次室へ搬送することができる。
チング電極を外部から操作することにょシ、エツチング
電極自体の移動(例えば上下移動)と共にエツチング電
極と基板とを接触させてエツチングおよび冷却またはス
パッタリングを行なうことができる。また対向電極間に
マニュピレータを使用することによシ基板の移動ができ
、次室へ搬送することができる。
41 ヶ、、8゜
以下、添附図面を参照して本発明の一実施例について説
明する。
明する。
zi〜3図に示す装置において、lはプロセス室を画定
している壁材で、仁のプロセス室内には基板ホルダ受は
部材コをはきんでエツチング電極組立体3とスパッタ電
極組立体ダとが相対して配信キれている。エツチング電
極組立体3はエツチング翫&3 aとこの電%3aを一
端に支持している結合軸3bとを備え、結合軸3bの他
端はマツチングボックスs内にのひている。エツチング
電極3aには碍子6を介して基板ホルダ受は部材−を支
持する支持案内棒7が取付けられ、この支持案内棒りに
はばねgが装着されている。ワは土壁/aの内側に取付
けられた案内棒で基板ホルダ受は部材−2を案内する。
している壁材で、仁のプロセス室内には基板ホルダ受は
部材コをはきんでエツチング電極組立体3とスパッタ電
極組立体ダとが相対して配信キれている。エツチング電
極組立体3はエツチング翫&3 aとこの電%3aを一
端に支持している結合軸3bとを備え、結合軸3bの他
端はマツチングボックスs内にのひている。エツチング
電極3aには碍子6を介して基板ホルダ受は部材−を支
持する支持案内棒7が取付けられ、この支持案内棒りに
はばねgが装着されている。ワは土壁/aの内側に取付
けられた案内棒で基板ホルダ受は部材−2を案内する。
エツチング電極組立体3は昇降機構10によって上下に
動き得るようにされている。
動き得るようにされている。
スパッタ電極組立体ダは電極本体ダaとこの電極本体+
aを一端に支持している支持結合l+グbとを備え、こ
の支持結合軸グbの他端はマツチングボックス/θ′内
にのびている。また支持結合軸+bは上下に位置調整で
きるように構成されている。
aを一端に支持している支持結合l+グbとを備え、こ
の支持結合軸グbの他端はマツチングボックス/θ′内
にのびている。また支持結合軸+bは上下に位置調整で
きるように構成されている。
捷だ図面において//はシャッタ機構、/コは防着板、
/3は基板ホルダ受は部材λ上に基板ホルダ/41を搬
入しそこから基板ホルダ/弘を搬出するマニュピレータ
組立体である。なお図面においてその他の図示構成部分
については本発明にrは接し一連しない部分であるので
説明を省略する。
/3は基板ホルダ受は部材λ上に基板ホルダ/41を搬
入しそこから基板ホルダ/弘を搬出するマニュピレータ
組立体である。なお図面においてその他の図示構成部分
については本発明にrは接し一連しない部分であるので
説明を省略する。
このように構成した図示装置の動作においてまずマニュ
ピレータ組立体/3を操作して基鈑ホルダlqを基板ホ
ルダ受は部材−上の所定の位が1−に位餉′決めする。
ピレータ組立体/3を操作して基鈑ホルダlqを基板ホ
ルダ受は部材−上の所定の位が1−に位餉′決めする。
昇降装置IOを操作してエツチング電極組立体3の結合
軸3aを下け、基鈑ホルダ/4を乗せた基板ホルダ受は
部拐λが案内棒7の先端に当接1−7て係止させる。さ
らに昇降装置/θを操作してエツチング電極弘aをばね
gに抗して押し下は基鈑ホルダ受は部材コ上の基板ホル
ダl弘に接触するまで下げる。こうして基板のエツチン
グおよび冷却を行なう。
軸3aを下け、基鈑ホルダ/4を乗せた基板ホルダ受は
部拐λが案内棒7の先端に当接1−7て係止させる。さ
らに昇降装置/θを操作してエツチング電極弘aをばね
gに抗して押し下は基鈑ホルダ受は部材コ上の基板ホル
ダl弘に接触するまで下げる。こうして基板のエツチン
グおよび冷却を行なう。
次に対向電極であるスパッタ電極taにRF正電圧印加
し、スパッタリングを行なうためエツチング電極組立体
3r昇降装澁10によって動かし基鈑を所定の位置に調
整する。
し、スパッタリングを行なうためエツチング電極組立体
3r昇降装澁10によって動かし基鈑を所定の位置に調
整する。
このようにしてRlgのエツチングおよびスパッタリン
グ処理が終了すると、マニュピレータeAm13を操作
して基板ホルダ/弘に横からさし込むため昇降装置lO
を操作してエツチング電極Jaおよび従って基板ホルダ
受は部材−を少し下け、こうして基板ホルダ/fをその
受け部材−からはずして第2図に一点@線で示すように
次室へ搬送する。
グ処理が終了すると、マニュピレータeAm13を操作
して基板ホルダ/弘に横からさし込むため昇降装置lO
を操作してエツチング電極Jaおよび従って基板ホルダ
受は部材−を少し下け、こうして基板ホルダ/fをその
受け部材−からはずして第2図に一点@線で示すように
次室へ搬送する。
なお基鈑ホルダlダの搬送は一方向だけでなく必要なら
ば二方向で行ない得るようにすることもできる。
ば二方向で行ない得るようにすることもできる。
効 果
以上説明してきたように本発明による装置は、エツチン
グ電極およびスパッタ電極とが対向配Wjされているの
でスパッタ室(エツチング室)が小さくてすみ、このと
とは排気の観点および従ってプロセスサイクルの点から
極めて不利である。1た電極の上下移動だけでエツチン
グおよび冷却またはスパッタリングができるので操作性
および作業能率を向上させることができる。ざらに対向
電極間にマニュピレータ機構を用いた場合には基鈑の他
室への移動が可能となる。
グ電極およびスパッタ電極とが対向配Wjされているの
でスパッタ室(エツチング室)が小さくてすみ、このと
とは排気の観点および従ってプロセスサイクルの点から
極めて不利である。1た電極の上下移動だけでエツチン
グおよび冷却またはスパッタリングができるので操作性
および作業能率を向上させることができる。ざらに対向
電極間にマニュピレータ機構を用いた場合には基鈑の他
室への移動が可能となる。
第1図は本発明の一実施例の装置の部分断面正面図、第
2図は第1図の装置の要部の水平断面図、第3図はその
部分断面側面図である。 図中、コニ基板ホルダ受は部材、3:エッチング11L
極組立体、ダニスパッタ電極組立体、り:支持啄内棒、
9:案内棒、lO:昇降装置、/3;マニュピレータ機
構、/ダニ基板ホルダ。 兎1図
2図は第1図の装置の要部の水平断面図、第3図はその
部分断面側面図である。 図中、コニ基板ホルダ受は部材、3:エッチング11L
極組立体、ダニスパッタ電極組立体、り:支持啄内棒、
9:案内棒、lO:昇降装置、/3;マニュピレータ機
構、/ダニ基板ホルダ。 兎1図
Claims (1)
- スパッタ電極とエツチング電極とを対向して配置し、こ
れら両電極間においてエツチング電極にそれと共にスパ
ッタ電極に対して移動できかつエツチング電極に対して
相対移動できる基板ホルダを取付け、エツチング電極を
スパッタ電極に対して動かすことによシ基板ホルダに装
着された基板をエツチング電極に接触させたシ基叛をス
パッタ電極に対して所定の位置に位置決めできるように
構成したことを特徴とする真空プロセス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11304584A JPS60257523A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空プロセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11304584A JPS60257523A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空プロセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257523A true JPS60257523A (ja) | 1985-12-19 |
Family
ID=14602090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11304584A Pending JPS60257523A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 真空プロセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257523A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50109183A (ja) * | 1974-02-07 | 1975-08-28 | ||
| JPS54131539A (en) * | 1978-04-03 | 1979-10-12 | Eikoo Enjiniaringu Kk | Ion treatment device |
-
1984
- 1984-06-04 JP JP11304584A patent/JPS60257523A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50109183A (ja) * | 1974-02-07 | 1975-08-28 | ||
| JPS54131539A (en) * | 1978-04-03 | 1979-10-12 | Eikoo Enjiniaringu Kk | Ion treatment device |
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