JPS62164867A - 成膜マスク装置 - Google Patents
成膜マスク装置Info
- Publication number
- JPS62164867A JPS62164867A JP536186A JP536186A JPS62164867A JP S62164867 A JPS62164867 A JP S62164867A JP 536186 A JP536186 A JP 536186A JP 536186 A JP536186 A JP 536186A JP S62164867 A JPS62164867 A JP S62164867A
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- pattern
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- spring
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体板、絶縁板、金に板など基板にマス
クを当て、蒸着などによりパターンを成膜するだめの、
成膜マスク装置に関する０〔従来の技術〕 第６図は例えば「真空蒸着」（（株）アグネ社出版）に
示された、従来の一般的な成膜マスク装置を示す断面図
である。１はマスク枠で、１対の位置決めピン２．複数
の基板受はピン３及び基板押付けばね４が固着されてい
る。５はこれらのピン２に通され位１４決めされた成膜
用マスクで、０．０５Ｎｏ、５ｍｍ厚さのステンレス鋼
、４２合金、モリブデン、りす宵銅などの金属薄板のマ
スク板からなり、フォトリソ工程などによシ精密パター
ンが形成されである。６は基板枠で、位置決めピン２．
受はピン３に通され、マスク５上に位置決めされている
基板７に当てられ、マスク枠１に結合ねじ、結合ばね手
段（図示は略す）などＫより結合されている。
クを当て、蒸着などによりパターンを成膜するだめの、
成膜マスク装置に関する０〔従来の技術〕 第６図は例えば「真空蒸着」（（株）アグネ社出版）に
示された、従来の一般的な成膜マスク装置を示す断面図
である。１はマスク枠で、１対の位置決めピン２．複数
の基板受はピン３及び基板押付けばね４が固着されてい
る。５はこれらのピン２に通され位１４決めされた成膜
用マスクで、０．０５Ｎｏ、５ｍｍ厚さのステンレス鋼
、４２合金、モリブデン、りす宵銅などの金属薄板のマ
スク板からなり、フォトリソ工程などによシ精密パター
ンが形成されである。６は基板枠で、位置決めピン２．
受はピン３に通され、マスク５上に位置決めされている
基板７に当てられ、マスク枠１に結合ねじ、結合ばね手
段（図示は略す）などＫより結合されている。
上記従来装置において、位置決めピン２と基板受はピン
３との相対位置関係、及びマスク５のパターンと位置決
め用穴との相対位置関係を高精度に加工することにより
、基板マに対しマスク５のパターンを高精度に位置合せ
できるようにしている０ このように基板ツを成膜マスク装置和取付け、薄膜の成
膜手段により、マスク枠１の下方から成膜したい物質を
蒸着し、基板７にマスク５のパターンに従った薄膜のパ
ターンが形成される０スパツタ装置やＯＶＤ装置、ター
ゲット面積の大きな蒸着装置なと、基板７へ入射する蒸
着物質の方向が大きな範囲にわたる成膜装置で基板７に
パターンを成膜する場合、マスク５と基板７にすき間が
できると、そのすきが大きいほど成膜パターン精度は悪
くなる。このため、第６図に示した成膜マスク装置によ
シ、マスク５と基板７を密着させる必要がある。
３との相対位置関係、及びマスク５のパターンと位置決
め用穴との相対位置関係を高精度に加工することにより
、基板マに対しマスク５のパターンを高精度に位置合せ
できるようにしている０ このように基板ツを成膜マスク装置和取付け、薄膜の成
膜手段により、マスク枠１の下方から成膜したい物質を
蒸着し、基板７にマスク５のパターンに従った薄膜のパ
ターンが形成される０スパツタ装置やＯＶＤ装置、ター
ゲット面積の大きな蒸着装置なと、基板７へ入射する蒸
着物質の方向が大きな範囲にわたる成膜装置で基板７に
パターンを成膜する場合、マスク５と基板７にすき間が
できると、そのすきが大きいほど成膜パターン精度は悪
くなる。このため、第６図に示した成膜マスク装置によ
シ、マスク５と基板７を密着させる必要がある。
上記のような従来の成膜マスク装置では、基板へマスク
のパターン端が密接せず、すいている部分が生じ、蒸発
源の面積が大きい場合や、スパッタ装置、プラズマＣ’
ＶＤ装置など基板のある点に入射角範囲が広い成膜装置
で形成されたパターンは、パターン端かにじんで鮮明で
なくなるなどの問題点があった。
のパターン端が密接せず、すいている部分が生じ、蒸発
源の面積が大きい場合や、スパッタ装置、プラズマＣ’
ＶＤ装置など基板のある点に入射角範囲が広い成膜装置
で形成されたパターンは、パターン端かにじんで鮮明で
なくなるなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、基板に成膜形成されたパターン端が鮮明で
精密にできる成膜マスク装置を得ることを目的としてい
る。
れたもので、基板に成膜形成されたパターン端が鮮明で
精密にできる成膜マスク装置を得ることを目的としてい
る。
この発明にかかる成膜マスク装置は、マスクに形成され
であるパターンの端部近くを、板状押えばねから出され
た多数のばね片で押えるようにし、また、マスクと押え
ばねを同一の（：′Ｌ置決めピンにはめ、位Ｖｔ合せか
されるようにしだものである。
であるパターンの端部近くを、板状押えばねから出され
た多数のばね片で押えるようにし、また、マスクと押え
ばねを同一の（：′Ｌ置決めピンにはめ、位Ｖｔ合せか
されるようにしだものである。
この発明においては、板状押７ｔばねにより々スフのパ
ターン端部が基板に密接し、広範囲の角度から蒸着粒子
が入射してもマスクのパターン端で基板との間に入るこ
となく、鮮明なパターンが成膜される。また、マスクと
同一の位置決めピンに押えばね板をはめることにより、
作業性よく位置合せ組立てがされる。
ターン端部が基板に密接し、広範囲の角度から蒸着粒子
が入射してもマスクのパターン端で基板との間に入るこ
となく、鮮明なパターンが成膜される。また、マスクと
同一の位置決めピンに押えばね板をはめることにより、
作業性よく位置合せ組立てがされる。
第１図及び第２図はこの発明による成膜マスク装置の一
実施例の正面図及び正面断面図で、第３図は第１図の装
置の平面図である０１１はステージをなす支持板で、位
置決めピン１２．基板の受はピン１３及びカバー支えピ
ン１４を固着している。１５は支持板１１上に載せられ
た基板２２を先端部で各受はピン１３に押し付は位置決
めする押付けばねで、他喘部が１対の取付けねじ１６に
より支持板１１に固定されているＯ１７は位置決めピン
１２￥Ｃ通されて位置決めされ、基板２２に当てられた
マスクで、パターン１７ａが設けられている。１８は内
周から突出する多数のばね片１８ａによりマスク１７の
パターン端１’７１１近くを抑圧する板状押えばねで、
位置決めピン１２に通され位置決めされる。この押えば
ね１８を第４図及び第５図に平面図及び正面図で示し、
対向する筒内周辺から多数のばね片１８ａかくし歯状に
出され、下方に折曲けられている。１８ｂは位置決めピ
ン用穴、１８Ｃはねじ用穴である。
実施例の正面図及び正面断面図で、第３図は第１図の装
置の平面図である０１１はステージをなす支持板で、位
置決めピン１２．基板の受はピン１３及びカバー支えピ
ン１４を固着している。１５は支持板１１上に載せられ
た基板２２を先端部で各受はピン１３に押し付は位置決
めする押付けばねで、他喘部が１対の取付けねじ１６に
より支持板１１に固定されているＯ１７は位置決めピン
１２￥Ｃ通されて位置決めされ、基板２２に当てられた
マスクで、パターン１７ａが設けられている。１８は内
周から突出する多数のばね片１８ａによりマスク１７の
パターン端１’７１１近くを抑圧する板状押えばねで、
位置決めピン１２に通され位置決めされる。この押えば
ね１８を第４図及び第５図に平面図及び正面図で示し、
対向する筒内周辺から多数のばね片１８ａかくし歯状に
出され、下方に折曲けられている。１８ｂは位置決めピ
ン用穴、１８Ｃはねじ用穴である。
第１図、第２図に返り、１９は位置決めピン１２に通さ
れ位置決めされ、各受はピン１３及び支えピン１４に押
えはね１８を介し受けられたカバーで、結合ねじ２０及
びナツト２１によシ支持板１１に結合されてコブ、押え
ばね１ｓｔ−押える。
れ位置決めされ、各受はピン１３及び支えピン１４に押
えはね１８を介し受けられたカバーで、結合ねじ２０及
びナツト２１によシ支持板１１に結合されてコブ、押え
ばね１ｓｔ−押える。
上記一実施例の装置において、支持板１１に固着された
位置決めピン１２と受はピン１３とは相対位置が正確に
されており、また、マスク１７もパターン１７ａに対す
る位置決めピン用穴の位置が正確に設けられており、基
板２２にマスク１７が精密に位置決めされる０ さらに、双方をいっそう精密位置決めするには、基板２
２又はマスク１７のいづれかを１マイクロメータヘツド
で微細に移動させる機構としておき、基板２２に形成さ
れている位置決めパターンとマスク１７のパターンｌ’
７ａとを顕＠、鏡により観察し、位置合せできたところ
で結合ねじ２ｏを締付け、押えばね１８でマスク１７／
１ｒ：基板２２に押え付ければよい。
位置決めピン１２と受はピン１３とは相対位置が正確に
されており、また、マスク１７もパターン１７ａに対す
る位置決めピン用穴の位置が正確に設けられており、基
板２２にマスク１７が精密に位置決めされる０ さらに、双方をいっそう精密位置決めするには、基板２
２又はマスク１７のいづれかを１マイクロメータヘツド
で微細に移動させる機構としておき、基板２２に形成さ
れている位置決めパターンとマスク１７のパターンｌ’
７ａとを顕＠、鏡により観察し、位置合せできたところ
で結合ねじ２ｏを締付け、押えばね１８でマスク１７／
１ｒ：基板２２に押え付ければよい。
基板２２にスパッタ装置で成膜すると、基板２２に入射
する蒸着物質の粒子の入射角はさまざまなので、マスク
１７と基板２２にすき間があると、マスク１７の下へ入
射粒子が回り込み、成膜されるパターンが不鮮明になる
が、押えばね１８によりマスク１７のパターン端１”１
）が基板２２に密接するようにしている。この押えばね
１８によシ、マスク１７と基板２２が成膜中にずれない
ように固定する機能をももっている。
する蒸着物質の粒子の入射角はさまざまなので、マスク
１７と基板２２にすき間があると、マスク１７の下へ入
射粒子が回り込み、成膜されるパターンが不鮮明になる
が、押えばね１８によりマスク１７のパターン端１”１
）が基板２２に密接するようにしている。この押えばね
１８によシ、マスク１７と基板２２が成膜中にずれない
ように固定する機能をももっている。
また、基板２２に斜めに入射する粒子に対しては、マス
ク１７のパターン端１’ｉ”ｔ）の高さがかげとなり、
成膜されたパターンが不鮮明、不正確となるので、これ
に対処し、マスク１７のパターン４１７ｔ＋に［＋を付
けている。
ク１７のパターン端１’ｉ”ｔ）の高さがかげとなり、
成膜されたパターンが不鮮明、不正確となるので、これ
に対処し、マスク１７のパターン４１７ｔ＋に［＋を付
けている。
ばね片１８ａの押付ける位置がマスク１７のパターン端
１’７１）に近過ぎると、ばね片１８ａが蒸着の入射粒
子のかげとなる。これに対処し、押えばね１８とマスク
１７との合計厚さだけパターン端１’７１）から離して
おり、基板２２に４２以上の角度で入射する粒子に対し
てかげとはならない。スパッタ装置では４５°以上の角
度で入射する粒子数が多いので、ばね片１８ａをパター
ン第１７ｂに上記よシ近づけると、かげとなる影響が大
きくなり好ましくない。反対に、ばね片１８ａ ｆパタ
ーン端１７ｂから離し過ぎると、マスク１７のパターン
端１’７ｂが基板２２から離れることになる。このパタ
ーン端１７ｂからばね片１８ａの距離の上限は、基板２
２やマスク１７の平たん度により主に決まる。
１’７１）に近過ぎると、ばね片１８ａが蒸着の入射粒
子のかげとなる。これに対処し、押えばね１８とマスク
１７との合計厚さだけパターン端１’７１）から離して
おり、基板２２に４２以上の角度で入射する粒子に対し
てかげとはならない。スパッタ装置では４５°以上の角
度で入射する粒子数が多いので、ばね片１８ａをパター
ン第１７ｂに上記よシ近づけると、かげとなる影響が大
きくなり好ましくない。反対に、ばね片１８ａ ｆパタ
ーン端１７ｂから離し過ぎると、マスク１７のパターン
端１’７ｂが基板２２から離れることになる。このパタ
ーン端１７ｂからばね片１８ａの距離の上限は、基板２
２やマスク１７の平たん度により主に決まる。
これら押えばね１８とマスク１７との位置合せは、高度
な精密さは要しないが、同一の位置決めピン１２に通す
ことにより、双方は自動的に位置決めされる。
な精密さは要しないが、同一の位置決めピン１２に通す
ことにより、双方は自動的に位置決めされる。
次に、マスク１７と基板２２との押圧力が場所により不
均一が大きいと、押圧力の過小なところでは双方にすき
ができるが、押えばね１８にはばね片１８ａを多数設け
ていて、ピッチが小さくなっており、均一化される。し
かし、押圧力に差の小さい多数のうねりが生じるが、マ
スク１７と基板２２とにすきはできないことが確認され
ている。また、多数のばね片１８ａは一体に押えばね１
８に形成されておシ、簡単に作業性よく組立てられる。
均一が大きいと、押圧力の過小なところでは双方にすき
ができるが、押えばね１８にはばね片１８ａを多数設け
ていて、ピッチが小さくなっており、均一化される。し
かし、押圧力に差の小さい多数のうねりが生じるが、マ
スク１７と基板２２とにすきはできないことが確認され
ている。また、多数のばね片１８ａは一体に押えばね１
８に形成されておシ、簡単に作業性よく組立てられる。
なお、上記実施例では、押えばね１Ｂを基板２２から所
定間隔にするため、カバー支えピン１４を設けたが、場
合によっては省いてもよい。この場合は、カバー１９に
受はビン用逃し穴を設けておく。
定間隔にするため、カバー支えピン１４を設けたが、場
合によっては省いてもよい。この場合は、カバー１９に
受はビン用逃し穴を設けておく。
また、この発明による成膜マスク装置は、スパッタ装置
に限らず、入射粒子の角度が広範囲に広がる反応性の蒸
着やＯＶＤ装置、入射粒子の平均自由行程が基板とター
ゲット間距離と同程度以下の成膜装置など、成膜時圧力
が１０ 〜１ＯＴｏｒｒである成膜装置に適用できる。
に限らず、入射粒子の角度が広範囲に広がる反応性の蒸
着やＯＶＤ装置、入射粒子の平均自由行程が基板とター
ゲット間距離と同程度以下の成膜装置など、成膜時圧力
が１０ 〜１ＯＴｏｒｒである成膜装置に適用できる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によれば、押えばねの内周側に
出された多数のばね片により、マスクをこれに形成され
であるパターンの端部近く位置で押えるようにしたので
、基板に鮮明で精度のよいパターンが成膜でき、また、
押圧ばねが作業性よく組立てられる。
出された多数のばね片により、マスクをこれに形成され
であるパターンの端部近く位置で押えるようにしたので
、基板に鮮明で精度のよいパターンが成膜でき、また、
押圧ばねが作業性よく組立てられる。
第１図はこの発明による成膜マスク装置の正面図、第２
図は第１図の装置の部分正面断面図、第３図は第１図の
装置の平面図、第４図及び第５図は第１図の押えばねの
平面図及び正面図、Ｗ、６図は従来の成膜マスク装置像
の正面断面図である。 １１・・・支持板、１７・・・マスク、１７ａ・・・パ
ターン、１７ｂ・・・パターン端、１８・・・板状押え
ばね、１８ａ・・・ばね片、１９・・・カバー、２２・
・・基板なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す
。
図は第１図の装置の部分正面断面図、第３図は第１図の
装置の平面図、第４図及び第５図は第１図の押えばねの
平面図及び正面図、Ｗ、６図は従来の成膜マスク装置像
の正面断面図である。 １１・・・支持板、１７・・・マスク、１７ａ・・・パ
ターン、１７ｂ・・・パターン端、１８・・・板状押え
ばね、１８ａ・・・ばね片、１９・・・カバー、２２・
・・基板なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す
。
Claims (2)
- （１）支持板に支持され表面にパターンが成膜される基
板、パターンが形成されていて上記基板に当てられたマ
スク、内周に多数のばね片が出され、これらのばね片の
先端で上記マスクのパターン端近くを押え上記基板に密
接させる板状押えばね、及びこの押えばねに当てられて
押え上記支持板に結合されたカバーを備えた成膜マスク
装置。 - （２）マスクパターン端から、板状押えばねとマスクの
合計厚さだけ離した付近をばね片の先端で押えたことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の成膜マスク装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP536186A JPS62164867A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 成膜マスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP536186A JPS62164867A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 成膜マスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62164867A true JPS62164867A (ja) | 1987-07-21 |
Family
ID=11609033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP536186A Pending JPS62164867A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 成膜マスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62164867A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149662A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-06-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 蒸着治具 |
| US4932358A (en) * | 1989-05-18 | 1990-06-12 | Genus, Inc. | Perimeter wafer seal |
| US5565035A (en) * | 1996-03-14 | 1996-10-15 | United Technologies Corporation | Fixture for masking a portion of an airfoil during application of a coating |
| EP1293584A1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-03-19 | General Electric Company | Method and assembly for masking |
| KR100499476B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2005-07-05 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 새도우 마스크 |
| CN105908124A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-08-31 | 浙江大学昆山创新中心 | 一种用于气相沉积镀膜的掩膜夹具 |
| CN107119254A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-09-01 | 苏州求是真空电子有限公司 | 一种用于气相双面沉积镀膜的掩膜夹具 |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP536186A patent/JPS62164867A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02149662A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-06-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 蒸着治具 |
| JPH0551660B2 (ja) * | 1988-10-03 | 1993-08-03 | Ibm | |
| US4932358A (en) * | 1989-05-18 | 1990-06-12 | Genus, Inc. | Perimeter wafer seal |
| US5565035A (en) * | 1996-03-14 | 1996-10-15 | United Technologies Corporation | Fixture for masking a portion of an airfoil during application of a coating |
| EP1293584A1 (en) * | 2001-09-18 | 2003-03-19 | General Electric Company | Method and assembly for masking |
| KR100499476B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2005-07-05 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 새도우 마스크 |
| CN105908124A (zh) * | 2016-07-05 | 2016-08-31 | 浙江大学昆山创新中心 | 一种用于气相沉积镀膜的掩膜夹具 |
| CN107119254A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-09-01 | 苏州求是真空电子有限公司 | 一种用于气相双面沉积镀膜的掩膜夹具 |
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