JPS63243269A - スパツタリング・タ−ゲツトの固定装置 - Google Patents
スパツタリング・タ−ゲツトの固定装置Info
- Publication number
- JPS63243269A JPS63243269A JP7708087A JP7708087A JPS63243269A JP S63243269 A JPS63243269 A JP S63243269A JP 7708087 A JP7708087 A JP 7708087A JP 7708087 A JP7708087 A JP 7708087A JP S63243269 A JPS63243269 A JP S63243269A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- fixing member
- target
- fixing device
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明はスパッタリング・ターゲットの固定装置に関す
るものである。
るものである。
(従来の技術)
MO3半導体装置のゲート電極や配線電極材料としては
従来一般的に使用されてきたアルミニウムおよび従来一
般的であったポリシリコンに代わるモリブデン、タング
ステン等の高融点金属のシリサイドが最近は多用されて
いる。
従来一般的に使用されてきたアルミニウムおよび従来一
般的であったポリシリコンに代わるモリブデン、タング
ステン等の高融点金属のシリサイドが最近は多用されて
いる。
このような金属材料を主体とする膜を形成する技術とし
ては各種の方法が開発されているが、スパッタリングが
代表的なものである。スパッタリングはプラズマ中の正
イオンを加速してターゲットに衝突させ、これにより飛
出した物質をウェーハ上に堆積させる技術である。
ては各種の方法が開発されているが、スパッタリングが
代表的なものである。スパッタリングはプラズマ中の正
イオンを加速してターゲットに衝突させ、これにより飛
出した物質をウェーハ上に堆積させる技術である。
第4図にこのようなスパッタリングに使用されるターゲ
ットおよびその固定装置を示す。
ットおよびその固定装置を示す。
これはいわゆるボンディング型ターゲットであって、支
持台をなす銅製の円盤状バッキング・プレート4上にタ
ーゲット3が載置され、断面路り字形状の円環状をなす
ステンレス製の固定部材2の内側面がターゲット3の外
周端に当接し、また固定部材2がステンレス製のねじに
よりバッキング・プレート4に固着されることにより、
ターゲット3はその周囲が固定されるようになっている
。
持台をなす銅製の円盤状バッキング・プレート4上にタ
ーゲット3が載置され、断面路り字形状の円環状をなす
ステンレス製の固定部材2の内側面がターゲット3の外
周端に当接し、また固定部材2がステンレス製のねじに
よりバッキング・プレート4に固着されることにより、
ターゲット3はその周囲が固定されるようになっている
。
ターゲット3としては平面形状が略くさび状をなすモリ
ブデン片とシリコン片とを組合わせて円盤状とした複合
ターゲットが通常使用される。
ブデン片とシリコン片とを組合わせて円盤状とした複合
ターゲットが通常使用される。
また、このバッキングプレート4はターゲットに対して
マグネトロンスパッタ法として必要な磁場を与える電磁
石とこれを冷却する冷却部を備えたカソードアセンブリ
を含むターゲット保持用架台6に絶縁板5を介して取付
けられている。
マグネトロンスパッタ法として必要な磁場を与える電磁
石とこれを冷却する冷却部を備えたカソードアセンブリ
を含むターゲット保持用架台6に絶縁板5を介して取付
けられている。
ターゲット固定部材2とターゲット保持用架台6との間
にはターゲット固定部材2の電位を0にしてターゲット
固定部材2自身がスパッタリングされるのを防止するア
ースシールド1が設けられ、これはターゲット保持用架
台6に取付けられている。
にはターゲット固定部材2の電位を0にしてターゲット
固定部材2自身がスパッタリングされるのを防止するア
ースシールド1が設けられ、これはターゲット保持用架
台6に取付けられている。
しかしながら、このような構成では発生したプラズマが
ターゲット固定部材2の上面とアースシールド1の下面
との間の空隙に侵入するため、ターゲット固定部材2が
スパッタリングされ、鉄、クロム、ニッケル等の不純物
原子がスパッタリングで形成された薄膜中に混入する。
ターゲット固定部材2の上面とアースシールド1の下面
との間の空隙に侵入するため、ターゲット固定部材2が
スパッタリングされ、鉄、クロム、ニッケル等の不純物
原子がスパッタリングで形成された薄膜中に混入する。
この様な混入が例えばMOSメモリの配線材料として用
いられるモリブデンシリサイドについて生じたとすると
、エツチング特性が変化し、エツチングされにくくなる
等の現象が起る。この結果素子面にエツチング残渣が発
生し、場合によっては配線間のショートを招き、製品の
歩留りが低下する。
いられるモリブデンシリサイドについて生じたとすると
、エツチング特性が変化し、エツチングされにくくなる
等の現象が起る。この結果素子面にエツチング残渣が発
生し、場合によっては配線間のショートを招き、製品の
歩留りが低下する。
(発明が解決しようとする問題点)
このように従来のスパッタリング・ターゲットの固定装
置では、スパッタリングにより形成された薄膜への不純
物の混入を招きやすいという問題がある。
置では、スパッタリングにより形成された薄膜への不純
物の混入を招きやすいという問題がある。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、スパッタリングを行ったときに不純物を発生しにく
いスパッタリング・ターゲットの固定装置を提供するこ
とを目的とする。
で、スパッタリングを行ったときに不純物を発生しにく
いスパッタリング・ターゲットの固定装置を提供するこ
とを目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明によれば、支持板と、スパッタリング時にプラズ
マのターゲットとなるスパッタリング・ターゲットをそ
の表面周囲部で挟持し、支持板に対して固定する固定部
材を備えたスパッタリング・ターゲットの固定装置にお
いて、固定部材の表面をスパッタリング・ターゲットを
構成する主要な元素としたことを特徴としている。
マのターゲットとなるスパッタリング・ターゲットをそ
の表面周囲部で挟持し、支持板に対して固定する固定部
材を備えたスパッタリング・ターゲットの固定装置にお
いて、固定部材の表面をスパッタリング・ターゲットを
構成する主要な元素としたことを特徴としている。
(作 用)
スパッタリングφターゲットを支持板に対して固定する
固定部材の表面はスパッタリング・ターゲットを構成す
る主要な元素となっているので、たとえプラズマがこの
固定部材に衝突したとしてもスパッタリング・ターゲッ
トと同じ元素が飛出すだけであり、堆積される膜に対し
ては同等悪影響を及ぼさない。
固定部材の表面はスパッタリング・ターゲットを構成す
る主要な元素となっているので、たとえプラズマがこの
固定部材に衝突したとしてもスパッタリング・ターゲッ
トと同じ元素が飛出すだけであり、堆積される膜に対し
ては同等悪影響を及ぼさない。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明にかかるスパッタリング・
ターゲットの固定装置の実施例のいくつかを詳細に説明
する。
ターゲットの固定装置の実施例のいくつかを詳細に説明
する。
第1図は本発明の固定装置を中心としたターゲットの固
定構造を示す断面図である。
定構造を示す断面図である。
この実施例によれば、従来の固定装置と同様に、バッキ
ング・プレート上にターゲット3が載置され、断面路り
字形状の円環状をなす固定部材2の内側面がターゲット
3の外周端に当接し、また固定部材2がねじによりバッ
キング・プレート4に固着されることにより、ターゲッ
ト3はその周囲が固定されるようになっている。バッキ
ングプレート4はターゲット保持用架台6に絶縁板5を
介して取付けられている。
ング・プレート上にターゲット3が載置され、断面路り
字形状の円環状をなす固定部材2の内側面がターゲット
3の外周端に当接し、また固定部材2がねじによりバッ
キング・プレート4に固着されることにより、ターゲッ
ト3はその周囲が固定されるようになっている。バッキ
ングプレート4はターゲット保持用架台6に絶縁板5を
介して取付けられている。
従来と異なるところは固定部材2の上面にモリブデン板
7が取付けられている点である。このモリブデン板7の
取付けはねじ止め、接着等いかなる方法でもよい。
7が取付けられている点である。このモリブデン板7の
取付けはねじ止め、接着等いかなる方法でもよい。
このようなモリブデン板7は固定部材2の上面を覆って
いるため、プラズマが固定部材2とアースシールド1と
の間に侵入したとしてもステンレス製のアースシールド
1には衝突せず、モリブデン板に衝突する。しかし、こ
れによってモリブデン板からはモリブデンが飛出すだけ
であり、同等問題は生じない。
いるため、プラズマが固定部材2とアースシールド1と
の間に侵入したとしてもステンレス製のアースシールド
1には衝突せず、モリブデン板に衝突する。しかし、こ
れによってモリブデン板からはモリブデンが飛出すだけ
であり、同等問題は生じない。
第2図はモリブデン板8を固定部材の内面側に延長し、
張出し部8aを設けた例を示すものである。プラズマの
進行方向は一様ではないので、この実施例のようにする
ことにより固定部材2の側面がより保護されることにな
る。
張出し部8aを設けた例を示すものである。プラズマの
進行方向は一様ではないので、この実施例のようにする
ことにより固定部材2の側面がより保護されることにな
る。
第3図はモリブデン板9を固定部材の内面側で折曲げ、
断面をL字形状にしたものである。この実施例では固定
部材の内面側壁部が折曲げ部9aにより完全に覆われる
ため、固定部材2の保護がより完全になり、有害物質の
飛散を防屯することができる。
断面をL字形状にしたものである。この実施例では固定
部材の内面側壁部が折曲げ部9aにより完全に覆われる
ため、固定部材2の保護がより完全になり、有害物質の
飛散を防屯することができる。
以上の実施例においてはステンレス製の固定部材を使用
することが前提になっているが、プラズマが当たる部分
が全てターゲット構成材料となっていれば良いのであり
、この観点に立って固定部材そのものをターゲット構成
材料で形成することも可能である。
することが前提になっているが、プラズマが当たる部分
が全てターゲット構成材料となっていれば良いのであり
、この観点に立って固定部材そのものをターゲット構成
材料で形成することも可能である。
表は第1図の実施例においてスパッタリングを行った場
合に形成された膜中の不純物濃度を表に示す。
合に形成された膜中の不純物濃度を表に示す。
表
同表によれば、鉄、クロム、ニッケルについて検出限界
の0.0ippm未満であり、本発明により著しい改屏
効果があることがわかる。
の0.0ippm未満であり、本発明により著しい改屏
効果があることがわかる。
なお、モリブデン板は圧延およびプレス加工により所望
の形状としたものを用いればよい。
の形状としたものを用いればよい。
以上のように本発明によれば、固定部材のプラズマの衝
突する表面をターゲットの主要構成元素としているので
、スパッタリング時に固定部材にプラズマが衝突しても
有害な元素が飛出すことはなく、不純物の混入のない良
好な堆積膜が得られる。
突する表面をターゲットの主要構成元素としているので
、スパッタリング時に固定部材にプラズマが衝突しても
有害な元素が飛出すことはなく、不純物の混入のない良
好な堆積膜が得られる。
第1図ないし第3図は本発明の固定装置の詳細を示す拡
大断面図、第4図は従来の固定装置の構成を示す断面図
である。 1・・・アースシールド、2・・・固定部材、3・・・
ターゲット、4・・・バッキングプレート、5・・・絶
縁板、6・・・保持用架台、7,8.9・・・モリブデ
ン板。 出願人代理人 佐 藤 −雄 61 図 色2 図 昆3 図 F)4 図
大断面図、第4図は従来の固定装置の構成を示す断面図
である。 1・・・アースシールド、2・・・固定部材、3・・・
ターゲット、4・・・バッキングプレート、5・・・絶
縁板、6・・・保持用架台、7,8.9・・・モリブデ
ン板。 出願人代理人 佐 藤 −雄 61 図 色2 図 昆3 図 F)4 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、支持板と、スパッタリング時にプラズマのターゲッ
トとなるスパッタリング・ターゲットをその表面周囲部
で挟持し、前記支持板に対して固定する固定部材を備え
たスパッタリング・ターゲットの固定装置において、 前記固定部材の表面を前記スパッタリング・ターゲット
を構成する主要な元素としたことを特徴とするスパッタ
リング・ターゲットの固定装置。 2、固定部材自体をスパッタリング・ターゲットを構成
する主要な元素で構成したことを特徴とする特許請求の
範囲第1項記載のスパッタリング・ターゲットの固定装
置。 3、固定部材の表面をスパッタリング・ターゲットを構
成する主要な元素で被覆したことを特徴とする特許請求
の範囲第1項記載のスパッタリング・ターゲットの固定
装置。 4、固定部材の、表面にスパッタリング・ターゲットを
構成する主要な元素で形成された被覆部材を取着したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のスパッタリ
ング・ターゲットの固定装置。 5、スパッタリング・ターゲットおよび支持板が円盤状
をなしており、また固定部材が断面略L字形の円環状を
なすことを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4
項のいずれかに記載のスパッタリング・ターゲットの固
定装置。 6、被覆部材が固定部材の上面を覆うものである特許請
求の範囲第4項記載のスパッタリング・ターゲットの固
定装置。 7、被覆部材が固定部材の上面を覆い、かつ内方に張出
しているものである特許請求の範囲第4項記載のスパッ
タリング・ターゲットの固定装置。 8、被覆部材が固定部材の上面および内側面を覆うもの
である特許請求の範囲第4項記載のスパッタリング・タ
ーゲットの固定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7708087A JPS63243269A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | スパツタリング・タ−ゲツトの固定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7708087A JPS63243269A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | スパツタリング・タ−ゲツトの固定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243269A true JPS63243269A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13623799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7708087A Pending JPS63243269A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | スパツタリング・タ−ゲツトの固定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243269A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855236B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Components for vacuum deposition apparatus and vacuum deposition apparatus therewith, and target apparatus |
| WO2023112155A1 (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | 日新電機株式会社 | スパッタリング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS588768U (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-20 | セイコー精機株式会社 | 気体圧縮機 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7708087A patent/JPS63243269A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS588768U (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-20 | セイコー精機株式会社 | 気体圧縮機 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6855236B2 (en) | 1999-12-28 | 2005-02-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Components for vacuum deposition apparatus and vacuum deposition apparatus therewith, and target apparatus |
| WO2023112155A1 (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | 日新電機株式会社 | スパッタリング装置 |
| JPWO2023112155A1 (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3979787B2 (ja) | スパッタリングターゲット、その製造方法、および被覆方法 | |
| JP3746084B2 (ja) | スパッタリング装置におけるスパッタ率の均一性を向上させるための装置及び方法 | |
| JP2962912B2 (ja) | 陰極スパッタリング装置で基板を被覆するためのスパッタカソード | |
| US20030015421A1 (en) | Collimated sputtering of cobalt | |
| US6171453B1 (en) | Alignment mark shielding ring and method of using | |
| US6676812B2 (en) | Alignment mark shielding ring without arcing defect and method for using | |
| JPH0387358A (ja) | 成膜装置と成膜方法およびスパッタ装置 | |
| JPS63243269A (ja) | スパツタリング・タ−ゲツトの固定装置 | |
| KR100278158B1 (ko) | 소형 스퍼터링 타게트를 이용한 고진공 스퍼터링 장치 | |
| JPH06108241A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2939751B2 (ja) | 分割スパッタリングターゲット | |
| JPH02285067A (ja) | 真空薄膜形成装置 | |
| JPS62164867A (ja) | 成膜マスク装置 | |
| JPH08325719A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPS59179783A (ja) | スパツタリングタ−ゲツト | |
| JPS60194069A (ja) | スパツタタ−ゲツト及びスパツタリング方法 | |
| JPS59179784A (ja) | スパツタ装置 | |
| JP2000345330A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPH11236663A (ja) | スパッタリングターゲット、スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
| JP2001316810A (ja) | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 | |
| JPH027870Y2 (ja) | ||
| JPH0473932A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS586973A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH06306590A (ja) | スパッタリング装置用金属ターゲット | |
| JPS63125674A (ja) | 真空成膜装置 |