JPH0645184A - 多層セラミックコンデンサ−用電極の製造法および その装置 - Google Patents

多層セラミックコンデンサ−用電極の製造法および その装置

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JPH0645184A
JPH0645184A JP3321146A JP32114691A JPH0645184A JP H0645184 A JPH0645184 A JP H0645184A JP 3321146 A JP3321146 A JP 3321146A JP 32114691 A JP32114691 A JP 32114691A JP H0645184 A JPH0645184 A JP H0645184A
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Joseph W Crownover
ダブリュ− クロ−ンオヴァ− ジョセフ
Ben B Meckel
ビ− メッケル ベン
Aubrey M Burer
エム ブ−ラ− アウブレイ
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】より薄い電極及び誘電性基材を用いて多層のコ
ンデンサを製造するための電極製造法及び装置を得る。 【構成】支持テープ上の未処理セラミックテープ１１
は、該テープ上に乗ったステンシルウェブ２０と位置合
せをされて移動する。ステンシルウェブは、テープ上に
形成しようとする伝導性コーチングの形状に対応する開
口部を有する。テープとウェブとのサンドイッチ体をス
パッター室２８に通し、ターゲット３０からスパッター
してステンシルウェブ上の開口部が在る全ての部位のセ
ラミックテープを被覆する。スパッター室は、セラミッ
クテープが最高スパッターに曝される位置４０の前に、
初めに軽い低エネルギー金属コーチングをされるように
配置され、熱輻射の強さが未被覆セラミックを損傷する
レベルに達する前に、反射性コーチングを形成して熱エ
ネルギーを反射するのを可能にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般にモノリシック（一
体的）コンデンサーの製造法に関し、更に詳しくはかか
るコンデンサー用の、セラミック誘電性基材上に金属電
極の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の多層コンデンサーは一般に、伝導
性金属電極と誘電性層との多くの交互の層から成り、そ
れら全てが平行に連結されて、所定の面積での電気的キ
ャパシタンスが増加するようにされている。この構造は
一般に、電極と誘電体のモノリシック（一体的）構造又
はモノリシックコンデンサーと呼ばれている。誘電体は
絶縁性合成樹脂、セラミック材料又はその他の絶縁体で
あり得る。多様の伝導性材料、典型的には金属、が電極
に使用し得る。
【０００３】現在では、電極は“シルクスクリーン”印
刷法によって誘導性基材上に形成され、該印刷法におい
ては、樹脂の担体中に分散された微粉砕貴金属粒子（典
型的には約１ミクロメートルの直径を有する）を含む印
刷インクの一種がスクリーンステンシルを通って基材上
に押し出される。伝導性インクは一般に、必要とされる
伝導性を与えるために少なくとも約０．００１インチの
厚さで付着する。伝導体と非伝導性樹脂マトリックスが
粒状体であるため、得られた層は最適な高い伝導性を持
たない。層を約０．００１インチより薄くすると、伝導
性は望ましくない程まで減少し、指数的割合で減少し
て、層が金属粒子の直径と実質的に等しい厚さを有する
時、実質的に零になる。１ミクロメートル（０．０００
４インチ）の粒子を用いると、必要な０．００１インチ
厚を与えるのに約２５層の粒子が必要となる。かかる電
極は、同じく約０．００１インチの厚さの誘電性基材に
有効であることが見出された。
【０００４】最近、０．００１インチよりも薄いシート
に使用しても有効な誘電性材料が開発された。不都合に
も、厚い伝導性電極を薄い誘電性シート上に有するコン
デンサーを積み重ねて多層コンデンサーを形成した場
合、該シートは電極の端部と良く一致せず、空洞と鋭い
端部を残し、それらは伝導性であるので、使用に際して
コンデンサーが電気的に破損する。
【０００５】従って、比較的厚い電極と基材を有するス
クリーン印刷されたコンデンサーを使用する本発明の方
法は、望ましくない程厚くそして小型化された電子集成
装置に使用するには望ましくない多層コンデンサーを製
造する傾向がある。
【０００６】スクリーン印刷は多層コンデンサーを二次
加工する慣用の方法であるが、伝導層を塗布するのに他
の方法を用いて、電極を形成する試みがなされた。
【０００７】Ｂｅｈｎ外の米国特許４，３７６，３２９
号に記載されているように、アルミニウムのような金属
を基材上に真空蒸発させ、次いでガス重合により合成樹
脂の層を形成し、次に別の金属層を真空蒸発させること
により、簡単なコンデンサーが製造された。この方法は
複雑であり、金属とセラミック誘導体の層を交互に含む
多層セラミックコンデンサーを効果的に高速度で製造す
ることができない。
【０００８】積層コンデンサーを製造する別の方法が、
Ｂｅｈｎによる米国特許第４，３７８，３８２号および
同第４，５０８，０４９号に記載されている。ここで、
担体はドラムのくぼみに位置し、該ドラムは回転して、
真空蒸発によりアルミニウムのような金属、次に合成樹
脂誘導体を付着させる真空室内に担体を交互に通過させ
る。これは他の複雑なシステムであり、ドラムが真空室
に入ったり出たりする位置に複雑な封止位置を必要とす
る。この方法は高温耐性コンデンサーのセラミック誘電
体および貴金属電極に適合しないようである。
【０００９】従って、薄いセラミック誘電性基材および
薄い貴金属電極を使用して高温耐性のモノリシックコン
デンサーを製造する方法および装置に対して、依然とし
て要求がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、多層
コンデンサーに使用するための、より薄い電極および誘
電性基材を製造するための方法および装置を提供するこ
とである。
【００１１】本発明の別の目的は、非常に薄い層であっ
て改良された伝導性を有するコンデンサー電極を製造す
ることである。本発明の他の目的は、電極層とセラミッ
ク基材との間により大きい表面接触効率を有するコンデ
ンサー電極を製造することである。
【００１２】本発明の更に別の目的は、従来の対応する
コンデンサーよりも少量の貴金属を用いてコンデンサー
を製造することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的およびその他
の目的は、本発明に従って、基本的には多数の隔れた薄
い電極層がセラミック基材上に形成されて積み重ねら
れ、多層のコンデンサーを形成する全般的な多層セラミ
ックコンデンサーの形成法により達成される。
【００１４】電極−セラミックサンドイッチ体を形成す
る態様の第１の又は直接の方法は、未処理セラミック基
材を担体テープ上に形成し、基材上に形成しようとする
所望の電極領域に対応する開口部を有するステンシルウ
ェブを、該基材と係合するように該基材上に置き、そし
てこのサンドイッチ体を位置合せしてスパッター室を通
過させるが、該スパッター室内で所望の金属はターゲッ
ト源から該ステンシルを通過して基材上に移される。こ
の方法に次いで、従来のコンデンサー製造工程により、
被覆した基材を熱処理して未処理セラミックを硬化さ
せ、被覆した基材を適当な部分に分割し、電極被覆基材
部分を積み重ね、そして該電極を電気的に接続して多層
のモノリシックコンデンサーを形成する。
【００１５】幾分こわれやすい未処理セラミックがスパ
ッター中に損傷を受けるのを防ぐために、初期の非常に
薄い金属コーチングを低エネルギーレベルで形成して、
スパッターに伴う熱エネルギーが基材を著しく損傷する
のを防ぐのが非常に望ましい。一旦薄い反射性の金属層
が形成されると、十分な動力（ｐｏｗｅｒ）のスパッタ
ーを行い得る。何故なら、反射層は基材から熱輻射を反
射して遠ざけるからである。以下に詳述するように、こ
の初期反射性金属層を生成する一つの便利な方法は、ス
テンシルで覆った基材を、基材が初めはスパッターター
ゲットから大きく離れた距離にあり、次に反射性層が形
成された後、十分な動力のスパッターを行うために、該
ターゲットのより近くに基材を運ぶようにすることであ
る。
【００１６】本発明の基本的方法の第２の態様である転
写法（ｄｅｃａｌｃｏｍａｎｉａｍｅｔｈｏｄ）におい
て、電極材料を、セラミック基材上に直接スパッターす
る代りに、厚い、しっかりしたプラスチックフィルム担
体上の感圧性プラスチックフィルム上にスパッターし得
る。セラミック層を、フィルム上のスパッターされた電
極上に形成する。セラミック、電極、感圧性フィルムお
よび担体フィルムから成る得られたサンドイッチ体の選
択領域を、シート全体から打抜く。
【００１７】打抜き作用はデカルコマニアのような担体
フィルムをゆるめ、該フィルムはサンドイッチ体から容
易に剥ぎ取ることができる。選択された数の打抜き領域
を積み重ね、そしてかなりの圧力下でプレスして、目的
の多層セラミックコンデンサーを製造する。
【００１８】本発明の詳細、およびその好ましい態様は
図面を参照して更に理解されるであろう。
【００１９】
【実施例】図１を参照すると、テープ１０上に被覆され
た未処理セラミック基材１１の上に金属電極コーチング
を形成する装置が示される。テープ１０は供給ロール１
２から装置を通って巻取りロール１４に供給される。典
型的には、これらのロール１２および１４は約１０イン
チの直径を有し、テープは約４インチの中心部上に巻か
れる。テープおよびセラミック基材は非常に薄いので
（典型的には約２又は３ミル厚）、長さ約２０００フィ
ートのロールを収容できる。テープ１０はロール１２お
よび１４の間のドラム１６の周りを通過する。一連のピ
ン穴（図示なし）がテープの端部に沿って設けられ、位
置合せピン１８と係合する。ドラム１６は図示されてい
ない慣用の駆動手段により、選択された速度で回転し、
テープ１０を供給ロール１２から引き出す。巻取りロー
ル１４もまた回転して、去っていくドラム１６からテー
プを円滑に巻き取る。
【００２０】連続ステンシルウェブ２０（図２に更に詳
しく示される）はドラム１６および二つの遊びロール２
２のまわりに乗っている。位置合せ穴２４がウェブ２０
の端部に沿って、設けられており、該穴２４はテープ１
０の端部およびドラム１６上の位置合せピン１８に沿っ
た端部穴に対応している。穴２４はループ状のウェブを
ドラム１６のまわりに駆動しそしてステンシルウェブ２
０とテープ１０との間の正確な位置合せを維持するのに
役立つ。ステンシルウェブ２０は、テープ１０に担持さ
れるセラミック基材上に形成される所望の電極に対応す
るステンシル孔２６のパターンを有する。典型的には、
ウェブ２０は約５インチの幅を有し、ステンシル孔２６
を３列有する。
【００２１】一般に２８で表わされるスパッター室はド
ラム１６に隣接して、テープ１０上のセラミック基材層
およびステンシルウェブ２０のサンドイッチ体に向い合
うように位置する。典型的には全幅約２１インチそして
高さ約３６インチであり得る装置全体は、慣用の真空容
器（図示なし）内に封入されていてもよい。典型的に
は、該容器は約５×１０-4ないし５×１０-9mmHgの圧力
に減圧され、次にアルゴンのような不活性気体で約１０
-2ないし１０-4mmHgの圧力に埋戻され、そしてその圧力
範囲に維持される。
【００２２】室２８は基本的にはスパッターターゲット
３０（そこから金属原子は慣用の方法でドラム１６上の
サンドイッチ体に向けて噴射される）、および遮へい材
３２および３４（スパッター原子がサンドイッチ体から
離れて拡がるのを防止する）を含む。当業界で良く知ら
れた適当なスパッター系の多くが使用し得る。
【００２３】スパッターは、高電圧により加速されたイ
オンを固体表面に向けて衝撃させることにより固体表面
を崩壊する方法を記述する幾分グラフィックな用語であ
る。衝突イオンの運動量は表面原子に移され、該イオン
自身のかなりの高速度でそれらの原子を追い出す。追い
出された原子はセラミック基材上のステンシル開口部２
６中におよび該開口部の間のステンシル上に付着する。
薄いフィルムがこのようにして一原子毎に付着する。ス
パッター法は非蒸発法であるので、高融点材料を付着す
ることができる。本願の場合、スパッターされた金属
は、１０００℃よりも十分高い温度を必要とする後の未
処理セラミック基材の焼成の際、電極に損傷を与えるの
を回避するに十分高い融点を持たなければならない。ス
パッター法を用いると、合金組成を変化させることな
く、合金をターゲットから基材に移すことも可能であ
る。
【００２４】過去において、スパッター法は比較的遅い
方法であった。二極管系を用いると、付着は毎分約２０
０ないし５００オングストロームに限定されていた。
“平面マグネトロン”スパッター法を用いると、比較的
厚いフィルムが許容速度にて形成できることを本発明者
等は見出した。何故なら、毎分２０，０００オングスト
ロームの高い付着速度が可能であるからである。従っ
て、従来の平面マグネトロン系を用いて、ターゲット３
０からステンシルウェブ２０の表面および開口部２６を
通ってセラミック基材１０へ流れる金属原子流を生成す
るのが好ましい。金属の層はウェブ２０上に蓄積し、結
局その可撓性を制限することになる。該ウェブを次に取
り替えそして金属コーチングを該ウェブから回収する。
【００２５】未処理セラミックは樹脂マトリックス中の
セラミック粒子を含むので、スパッターの際の高温が未
処理セラミック表面を損傷し得る。スパッター中に著し
い熱エネルギーがターゲット３０により放出される。未
処理セラミック基材を十分な動力のスパッターに曝す前
に、該セラミック上に薄い反射性金属層を形成すること
により、未処理セラミック表面を保護することができる
ことを本発明者等は見出した。図１に見られるように、
テープ１０とステンシルウェブ２０のサンドイッチ体が
矢印３６の方向に移動しそして遮へい材３２を通過する
につれ、サンドイッチ体はまず、ターゲット３０から比
較的遠い距離にある点３８で原子および熱エネルギーに
曝される。このようにして、ステンシル開口部２６内の
セラミック基材は低エネルギーレベルにて初期の非常に
薄い金属コーチングを受け取り、次にドラム１６がター
ゲット３０に最も接近する点４０付近の領域での十分な
動力のスパッター時に、熱エネルギーを反射することが
できる。
【００２６】図示されたドラム配置は簡単で便利で且つ
効果的であるための非常に好ましいが、所望により、基
材を除々に十分なスパッターに導入する同様の効果を与
える他の曲面表面が使用し得る。位置合せピンを有する
線ベルト（ｔｒａｃｋｅｄｂｅｌｔ）が、テープとウェ
ブのサンドイッチ体をかかる表面上で移動させるのに使
用できる。
【００２７】所望により、この時差初期のコーチング効
果は、ターゲット３０を傾けて、ターゲットを入口端部
の位置のドラム１６から更に遠ざけ、図１に見られるよ
うにターゲットを更に右に移動し、ドラム１６の直径を
変える等により、更に変えることができる。特に感受性
の高い未処理セラミック材料を用いて、テープとステン
シルウェブとのサンドイッチ体を、一度は非常に低いス
パッターエネルギー割合で装置内を通過させて非常に薄
い反射性金属層を形成し、次に十分な動力レベルにて工
程を繰返すことも可能である。何故なら、位置合せピン
系は二回の通過の間、正確な位置合せを維持するからで
ある。この代替法は勿論、本願の好ましい方法よりもか
なり遅い。
【００２８】この系の種々の構成要素は適切ないかなる
材料から成っていてもよい。ポリエステルフィルムは、
可撓性、靱性および関係する温度に対する耐性のため
に、ステンシルウェブ２０およびセラミック基材を担持
するテープ１０に使用するのに好ましい。未処理セラミ
ック層は微粉砕誘電性セラミック粒子、典型的にはバリ
ウム、ストロンチウム、チタン又はそれらの混合物のよ
うな金属の酸化物から形成され、平均直径約０．５ない
し２．０ミクロンを有し、樹脂マトリックス中に典型的
には樹脂約５０重量％に対してセラミック約５０重量％
の重量比にて分散されたものを含むのが好ましい。典型
的な樹脂にはビニルポリマーおよびアクリルポリマーが
含まれ、典型的にはトルエン又はエタノール溶媒で可塑
化したこれらのポリマーが含まれる。樹脂系材料は典型
的には樹脂約２０重量％および溶媒約８０重量％から成
り、そして従来の家庭用塗料と同様の粘稠度を有する。
セラミック−樹脂混合物は典型的にはスリップキャスト
してテープ１０上に層１１を形成するか、テープ１０は
適切なあらゆるフィルム、例えばポリプロピレンであっ
てもよい。あらゆる所望の金属をスパッター法によりセ
ラミック基材上に付着させてもよいが、殆んどの場合、
パラジウムと銀の合金又は純粋なパラジウムが好まし
い。未処理セラミックの焼成温度、典型的には約１２０
０℃、よりも高い融点を有する白金又は金のようなその
他の金属を所望により使用し得る。
【００２９】一旦金属層が塗布されると、未処理セラミ
ックを積み重ねそして慣用の方法で焼成して、図３に断
面略図を示したモノリシックコンデンサーを形成する。
セラミック基材層４０は変形して、伝導体４４の隣接領
域４２の間の空間を満す。この図式的例示での層の相対
的厚さは明示のために幾分誇張されているが、セラミッ
ク層１１が伝導体４４の端部の上で曲っている所に、小
さな空洞４６が見られる。過剰の空洞体積はコンデンサ
ーの電気特性に不利である。前に論じたように、セラミ
ックが典型的には伝導体の厚さの約５倍の厚さを有する
場合、従来のスクリーン印刷された伝導体を用いると、
これらの空洞は望ましくない程大きくなるであろう。伝
導体が基材の厚さの１／１０であると、これらの空洞は
非常に小さくなるであろう。
【００３０】多層セラミックコンデンサー用電極の製造
法の第２の態様は図４〜８に図式的に例示されている。
この方法は、図１に例示した装置を材料および製造工程
について変更して使用するのが好ましい。
【００３１】初めに、エタノール又はその他のアルコー
ル溶媒中のビニル又はアクリルポリマーのような感圧性
樹脂材料からなる薄い（典型的には約２ミル厚）フィル
ム５０を比較的厚い担体フィルム５２の表面上に流延す
る。フィルム５０は非常に滑らかな上表面を有する。後
の焼成工程での便宜上、感圧性接着層５０用の樹脂にセ
ラミック粒子結合樹脂と同じものを使用するのが有利で
ある。担体フィルム５２は、典型的には厚さ約２ミルの
ポリスチレン又はポリプロピレン樹脂から形成される。
担体フィルム５２は図１のテープ１０の形状を有し得、
図２で２４で示される位置合せ穴を有し得る。
【００３２】図４ｂに見られるように、ステンシル５４
は感圧性フィルム層５０の上に置かれる。ステンシル５
４は図２でのステンシル２０と同様の形状を有し得る。
フィルム５０の感圧接着特性は、加工中ステンシル２０
を離脱可能に保持するであろう。
【００３３】次に金属電極層５６を、図４ｃに示すよう
に、前述の方法で、典型的には図１の装置を用いて、サ
ンドイッチ体上にスパッターする。前に詳述したよう
に、適当なあらゆる金属を適当ないかなる厚さでも形成
できる。ステンシル上に被覆された５７で示される金属
は再利用のために回収されるであろう。金属層５６の低
い表面は非常に滑らかで、理想的には０．１ミクロン未
満の平均不連続性を有するであろうフィルム５０の鏡の
ように滑らかな表面と同じである。非常に均一な厚さの
平滑層５４は、二つの非常に粗い表面を有する層よりも
ずっと薄くすることができ、それでも所望の伝導性を与
えることができる。表面が両方とも粗い場合、非常に薄
い層の平均厚は広範囲に変化し、表面粗さは層厚に大き
な割合を占める。従って、粗い層の平均厚は最高厚より
もずっと小さいので、厚い層は所望の最低伝導度を与え
ることが必要である。本願の伝導性電極層５６は薄くす
ることができるので、多層コンデンサーの全体的な厚さ
は、小さな電子機器においては重要な利点ではない。
【００３４】次にステンシル５４を図４ｄに示すように
除去すると、担体フィルム５２上の接着フィルム又は層
５０上に電極５６のデカルコマニア集合体が残る。所望
により、工程を直ちに継続するか、或いは集合体をこの
時巻き取りそして貯蔵し、そして次の段階を後に遂行し
てもよい。
【００３５】上記の種類の未処理セラミック混合物を図
４ｅに示すように電極表面上にスリップキャストする。
未処理セラミック層５８を乾燥すると、まとまった一つ
のサンドイッチ体６０が形成され、それはコンデンサー
製造前に貯蔵することができる。層５８は感圧性層５０
によく結合するが、特にセラミック層結合剤と層５０と
が同じ又は類似の組成を有する場合、十分に結合する。
セラミック層５８の上表面は比較的粗く、一方該表面と
係合する層５０は非常に滑らかになる傾向があり、層５
０の平滑上表面を複製する。
【００３６】サンドイッチ体６０から領域を打抜きそし
て該領域を一列に集めるための打抜き装置（ｐｕｎｃｈ
ａｓｓｅｍｂｌｙ）が図５に概略で例示されている。
一般に長方形の断面の抜き穴６４を有するダイ６２が底
部６６上に設けられている。抜き穴６４と一致する底板
６８が抜き穴６４内に底部６６に向って置かれる。抜き
穴６４に適合した形状のパンチ７０が抜き穴６４上に位
置する。矢印７２で示される力が、パンチ７０を抜き穴
６４内に押し入れるために適用される。操作に際し、パ
ンチ７０は抜き穴６４から除かれ、サンドイッチ体６０
の部分が選択された配列で、セラミック層５８を下にし
て抜き穴６４の入口を横切って抜き穴６４に置かれ、そ
してパンチ７０が抜き穴６４に押し入れられ、サンドイ
ッチ体６０の該部分が抜き穴６４に広がりそして該部分
を抜き穴の下方に押すのに役立つ。初めの打抜き作用は
担体フィルム５２を感圧性層５０からゆるめるので、パ
ンチ７２を抜き穴から引き出した時、担体フィルム５２
はピンセット等で抜き穴から容易に取り出すことができ
る。感圧性層５０でのこのデカルコマニア分離は非常に
便利な製造法を与える。サンドイッチ体６０の次の部分
を正しい位置に置き、そして打抜きおよび担体フィルム
除去工程を繰返す。サンドイッチ体６０の多くのかかる
部分を、構成しようとするコンデンサーの特定の寸法に
従って、抜き穴６４内に打抜く。一旦サンドイッチ体片
の必要数が打ち抜かれたなら、得られた積重ね体を一平
方インチ当り約１０００ポンド又はそれ以上の程度の高
圧に付す。得られた十分に固められたバーを、底板６８
に対してエゼクターピンを上方に動かすことにより、抜
き穴から取出す。
【００３７】図６は好ましい積重ね配置を例示し、明示
のため、サンドイッチ体６０の個々の部分を僅かに隔し
て示す。好ましくは、目的とするコンデンサーの外側表
面を与えるために、セラミック誘電体のブランク（ｂｌ
ａｎｋ）層７６を初めに抜き穴に打抜く。後に続くサン
ドイッチ体６０の各部分は前の部分にプレスされるの
で、セラミック層５８の粗い外側層７８は次のサンドイ
ッチ体６０の隣接する感圧性フィルム５０に押しつけら
れて、優れた接着性を与える。また、外側の粗い層７８
に結合剤樹脂が僅かに不足している場合は、該層７８を
隣接する樹脂層に押しつければ、そのような不足を補う
であろう。この積重ねは、最後のブランク誘電性セラミ
ック層７６を、粗い面７８を下にして上層５０と確実に
良く接着させるようにして付加することにより、完了す
る。各電極５６は感圧性樹脂５０の層とセラミック５８
との間に、プレス前に埋込まれるので、電極相互間の最
終配置が確実に適切になる。
【００３８】非常に厚い多層コンデンサーが形成された
場合、新たに打抜かれた部分の各々に加えられる初期打
抜き圧力は、担体フィルム５２を感圧性層５０から適切
にゆるめて担体フィルムを抜き穴から容易に取り出せる
ほど十分でないかもしれない。この問題は、既に抜き穴
内にある積重ね体のレジリエンスの結果のようである。
この場合、領域８０（図７に示される）を打抜き工程の
直前に抜き穴領域とほぼ一致するように加工するのが好
ましい。担体フィルム５２はしばしば透明なので、コン
デンサー領域５６はしばしば平面図に見ることができ
る。この予備プレスは、サンドイッチ体６０を平らな表
面８２と平らなパンチ８４の間で動かし、そして矢印８
３で示されるように、十分な力でそれらを一諸にして、
所望の領域内の担体フィルム８２と感圧性フィルム５０
との間の結合をゆるめることにより、簡単に行うことが
できる。好ましくは、予備プレスは平方インチ当り約１
０００ないし５０００ポンドの圧力で行われる。ローラ
ー間にテープを通すこと等によってはサンドイッチ体テ
ープの全体を予備プレスすることはできない。何故な
ら、早すぎる分離が生じて、抜き穴上の次に続く各部分
の適正な整列が妨げられるからである。局部領域の予備
プレスにより、部分のまわり又は部分の間のプレスされ
ない領域は、加圧抜き穴で打抜き作用が起るまで、ゆる
んだ中心部分を本来の場所に維持する支持体として作用
するであろう。
【００３９】この第２の態様は僅かに複雑であるが、各
電極５６が二つの滑らかな表面間に形成されそして次の
加工の間、十分に埋込まれるという利点を有する。一
方、図１〜３の態様は、セラミック基材の粗い表面上に
スパッターされた電極を有する。 ある種の好ましい材
料、関係および形状を好ましい態様についての記述で詳
述したが、適切な場合はそれらを変えることができ、同
様の結果が得られる。本発明のその他の変更、応用およ
び枝分れが、本願の開示を読むことにより当業者にわか
るであろう。これらは本願特許請求の範囲に規定した本
発明の範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】コンデンサー電極構造体製造用の装置の正面略
図である。
【図２】ステンシルシートの略式斜視図である。
【図３】本発明の直接電極−セラミック法により製造し
た典型的なモノリシックコンデンサーの縦断面略図であ
る。
【図４ａ】感圧性フィルムを形成する、転写法の態様の
第１段階を例示する正面略図である。
【図４ｂ】ステンシルを適用する第２段階を例示する正
面略図である。
【図４ｃ】電極にスパッターを行う第３段階を例示する
正面略図である。
【図４ｄ】ステンシルを除去する第４段階を例示する正
面略図である。
【図４ｅ】セラミック材料を適用する第５段階を例示す
る正面略図である。
【図５】図４ｅの段階で形成された積重ね層を積層する
ための装置の正面略図である。
【図６】図５に示した積重ね体の縦断面略図である。
【図７】典型的な予備プレス領域を示す、電極シート全
体の平面略図である。
【図８】予備プレス工程を例示する正面略図である。
【符号の説明】
１０ テープ １１ セラミック基材 １６ ドラム ２０ ステンシルウェブ ２６ ステンシル穴 ２８ スパッター室 ３０ ターゲット ４４ 伝導体 ５０ 感圧性フィルム ５２ 担体フィルム ５４ ステンシル ５６ 電極層 ６０ サンドイッチ体 ６２ ダイ ６４ 抜き穴 ７０ パンチ ８２ パンチ
フロントページの続き (72)発明者 ベン ビ− メッケル アメリカ国 92024 カリフォルニア エ ンシニタス シ−マン ドライヴ 329 (72)発明者 アウブレイ エム ブ−ラ− アメリカ国 92019 カリフォルニア イ −エル カジョン ヴィスタ グランデ ロ−ド 1162

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記（イ）〜（ホ）の工程を特徴とす
    る、モノリシックコンデンサー用に適した伝導体シート
    の製造法： （イ）担体テープ上に未処理セラミック基材層に設け；
    （ロ）所望の伝導体電極層形状に対応する開口部を有す
    るステンシルを該層上に置き；（ハ）得られたサンドイ
    ッチ体を、スパッターターゲットを越えるようにスパッ
    ター領域を通過させ、該スパッターターゲットにより放
    出された原子を、該開口部を通過して該ステンシルウェ
    ブおよび該層に衝突させ；（ニ）該サンドイッチ体を、
    選択された厚さの電極層が各ステンシル開口部を通して
    該セラミック基材上に堆積するような速度で移動させ続
    け；そして（ホ）該ステンシルウェブを、電極担持セラ
    ミック基材から取り除く。
  2. 【請求項２】 該サンドイッチ体を、配置された曲線経
    路に沿って該スパッター領域を通過させて、金属の初期
    の付着が低エネルギー領域で起り、次に初期の反射金属
    層が形成した後に、該サンドイッチ体が最高スパッター
    エネルギー領域内に移動するようにさせ、これにより該
    低エネルギー領域内で該基材に衝突する熱エネルギーは
    該基材を著しく損傷するに不十分であり、そして該最高
    スパッター領域内の熱エネルギーは形成する金属層によ
    り実質的に反射される、請求項１の方法。
  3. 【請求項３】 前記の曲線経路が円形であり、ここで該
    基材は、初期の金属付着中の該スパッターターゲットか
    ら比較的遠く離れた位置から、継続付着中の比較的近い
    位置へと移動する、請求項２の方法。
  4. 【請求項４】 下記（イ）〜（ハ）の工程を特徴とす
    る、モノリシックコンデンサー用に適した伝導体シート
    の製造法： （イ）長く伸びた自立支持性の基材を供給し；（ロ）所
    望の伝導体電極層形状に対応する開口部を有するステン
    シルのウェブを該基材上に置き；そして（ハ）得られた
    サンドイッチ体を、配置された曲線経路に沿ってスパッ
    ターターゲットを越えるように該スパッター領域を通過
    させて、該ターゲットにより放出された金属原子の初期
    の付着が低エネルギー領域で起り、次に初期の反射金属
    層が形成した後に、該サンドイッチ体が最高スパッター
    エネルギー領域内に移動するようにさせ；これにより該
    低エネルギー領域内で該基材に衝突する熱エネルギーは
    該基材を著しく損傷するに不十分であり、そして該最高
    スパッター領域内の熱エネルギーは該基材上に継続的に
    形成する金属層により実質的に反射される。
  5. 【請求項５】 下記（イ）〜（ホ）を特徴とするモノリ
    シックコンデンサー用の伝導体の製造用装置： （イ）金属の層を隣接した表面に塗布するためのスパッ
    ター手段；（ロ）支持用テープ上に未処理セラミック層
    を有するテープを、該表面に沿って移動させる手段；
    （ハ）該未処理セラミック層と接触する、複数個の開口
    部を有するステンシル手段；（ニ）該テープのサンドイ
    ッチ体と該ステンシル手段との間の整列を移動中保持す
    るための位置合せ手段；および（ホ）該表面は曲線状で
    あり、従って該表面に沿って移動する該セラミック層
    は、初期には該未処理セラミック層の著しい損傷を回避
    するに十分離れた距離にて該スパッター手段に曝され、
    そして次により高いエネルギースパッターのために該ス
    パッター手段の近くに移動する；上記の手段により、初
    期の曝露中に、高エネルギースパッターの際の未処理セ
    ラミック基材の著しい損傷を回避するに十分な薄い反射
    性コーチングが形成される。
  6. 【請求項６】 前記の曲線状表面が、該サンドイッチ体
    を該スパッター手段を通過させて運ぶのに適合した回転
    可能なシリンダーである、請求項５の装置。
  7. 【請求項７】 前記の位置合せ手段が、該テープおよび
    ウェブ中の対応する穴と協同する、該シリンダーから突
    出した位置合せピンである、請求項６の装置。
  8. 【請求項８】 前記のスパッター手段が、初期金属形成
    中に該セラミック基材に到達する熱エネルギーが減少す
    るような位置にあるスパッターターゲットを含む、請求
    項５の装置。
  9. 【請求項９】 前記のステンシルウェブが、該曲線状表
    面および複数個の遊びロールの周辺に連行されたエンド
    レスベルトの形体にある、請求項５の装置。
  10. 【請求項１０】 前記のテープが供給ロールから該曲線
    表面に沿って巻取りロールに供給され、それらの全部は
    該エンドレスステンシルウェブベルトの経路内にある、
    請求項９の装置。
  11. 【請求項１１】 下記（イ）〜（ト）の工程を特徴とす
    る、モノリシックコンデンサー用に適した伝導体シート
    の製造法： （イ）担体フィルムを供給し；（ロ）僅かに不粘着性の
    表面を有する感圧性樹脂フィルムの薄層を該担体フィル
    ム上に形成し；（ハ）所望の伝導体面積に対応する多数
    個の開口部を有するステンシルを該不粘着性表面と接触
    して置き；（ニ）得られたサンドイッチ体を、スパッタ
    ーターゲットを越えるように、スパッター領域を通過さ
    せ、ここで該スパッターターゲットにより放出された原
    子は該ステンシルウェブと衝突し；（ホ）該サンドイッ
    チ体を、選択された厚さの電極層が各ステンシル開口部
    内で該担体フィルム上に堆積するような速度で移動させ
    続け；（ヘ）該ステンシルを除き；そして（ト）ステン
    シルを除いた表面上に誘電性セラミック材料の層を形成
    させ、これにより、非常に滑らかな表面を有する伝導体
    層を有する伝導体シートを生成する。
  12. 【請求項１２】 下記（イ）〜（ヲ）の工程を特徴とす
    る、モノリシックコンデンサー用に適した多層導体バー
    の製造法： （イ）担体フィルムを供給し；（ロ）僅かに不粘着性の
    表面を有する感圧性樹脂フィルムの薄層を該担体フィル
    ム上に形成し；（ハ）所望の伝導体面積に対応する多数
    個の開口部を有するステンシルを該不粘着性表面と接触
    して置き；（ニ）得られたサンドイッチ体を、スパッタ
    ーターゲットを越えるようにスパッター領域を通過さ
    せ、ここで該スパッターターゲットにより放出された原
    子は該ステンシルウェブと衝突し；（ホ）該サンドイッ
    チ体を、選択された厚さの電極層が各ステンシル開口部
    内で該担体フィルム上に堆積するような速度で移動させ
    続け；（ヘ）該ステンシルを除き；（ト）誘電性セラミ
    ック材料からなる実質的に滑らかな層を、ステンシルを
    除いたサンドイッチ体表面上に形成し；（チ）該サンド
    イッチ体を、選択された領域を打抜く空洞上に置き、こ
    こで該担体フィルムは該空洞から除去できるように配向
    させ；（リ）該担体フィルムを該感圧性フィルムからゆ
    るめるに十分な衝撃で該サンドイッチ体から該領域を打
    抜き；（ヌ）ゆるんだ該担体フィルムを該空洞から除
    き；（ル）該打抜きおよび担体フィルム除去工程を、少
    なくとも一つの追加のサンドイッチ領域に対して行い；
    そして（ヲ）該空洞中の得られたサンドイッチ領域の積
    重ね体に十分な圧力をかけて該領域をモノリシックバー
    に固め；これにより複数個の電極層を有する多層コンデ
    ンサーに非常に滑らかな上表面および下表面を与える。
JP3321146A 1990-11-08 1991-11-08 多層セラミックコンデンサ−用電極の製造法および その装置 Pending JPH0645184A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11498502B2 (en) 2019-03-15 2022-11-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Vehicle pipe holder

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5179773A (en) * 1991-08-30 1993-01-19 Bmc Technology Corporation Process of manufacturing multilayer ceramic capacitors
US5600533A (en) * 1994-06-23 1997-02-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer ceramic capacitor having an anti-reducing agent
DE69635566T2 (de) * 1995-03-16 2006-06-14 Murata Manufacturing Co Monolithisches Keramikbauelement und seine Herstellung
US5655209A (en) * 1995-03-28 1997-08-05 International Business Machines Corporation Multilayer ceramic substrates having internal capacitor, and process for producing same
DE19700408A1 (de) * 1997-01-09 1998-07-16 Leybold Ag Vakuum-Beschichtungsanlage
AU6556598A (en) * 1997-03-28 1998-10-22 Preco Industries, Inc. Web or sheet-fed apparatus having high-speed positioning mechanism
US7640836B1 (en) 1997-03-28 2010-01-05 Preco Industries, Inc. Method for simultaneous x, y and θ registration of segment of continuous web with a processing station
US6169801B1 (en) 1998-03-16 2001-01-02 Midcom, Inc. Digital isolation apparatus and method
DE19901088B4 (de) * 1999-01-14 2008-11-27 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Behandeln eines bandförmigen Substrates mit einem Gas
DE19906676A1 (de) * 1999-02-18 2000-08-24 Leybold Systems Gmbh Bedampfungsvorrichtung
US6368514B1 (en) 1999-09-01 2002-04-09 Luminous Intent, Inc. Method and apparatus for batch processed capacitors using masking techniques
US20100261159A1 (en) * 2000-10-10 2010-10-14 Robert Hess Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof
DE10113361A1 (de) * 2001-03-20 2002-09-26 Andreas Roosen Verfahren zur Verbindung keramischer Grünkörper unter Verwendung eines Transfertapes und Überführung dieser verklebten Grünkörper in einen Keramikkörper
US6570753B2 (en) 2001-05-25 2003-05-27 University Of Houston Capacitor and method of storing energy
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
DE10250951B4 (de) * 2002-10-25 2006-05-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Bandes mit texturierter Metallschicht
DE102006010732B4 (de) * 2006-03-08 2013-05-29 Süss Microtec Lithography Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen einer Struktur auf ein Substrat
KR20090101738A (ko) * 2008-03-24 2009-09-29 삼성전기주식회사 진공증착장치 및 그 제어방법
JP5323041B2 (ja) * 2010-12-22 2013-10-23 日東電工株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
JP7172927B2 (ja) * 2019-09-19 2022-11-16 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品、およびその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1162927A (en) * 1967-08-10 1969-09-04 Erie Technological Prod Inc Method of making ceramic capacitors
US4435738A (en) * 1981-05-27 1984-03-06 Union Carbide Corporation Multilayer ceramic capacitors
DE3224234A1 (de) * 1981-09-01 1983-03-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung von metallfreien streifen bei der metallbedampfung eines isolierstoffbandes und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
IT1185177B (it) * 1985-07-03 1987-11-04 Metalvuoto Films Spa Dispositivo per realizzare film plastici metallizzati presentanti zone ben delimitate prive di metallizzazione
US4715940A (en) * 1985-10-23 1987-12-29 Gte Products Corporation Mask for patterning electrode structures in thin film EL devices
DE3638286A1 (de) * 1986-11-10 1988-05-11 Siemens Ag Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung
JPH0754780B2 (ja) * 1987-08-10 1995-06-07 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサの製造方法
JPH0670941B2 (ja) * 1988-12-15 1994-09-07 株式会社村田製作所 積層コンデンサの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11498502B2 (en) 2019-03-15 2022-11-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Vehicle pipe holder

Also Published As

Publication number Publication date
EP0488535A3 (en) 1992-09-23
EP0488535A2 (en) 1992-06-03
US5304274A (en) 1994-04-19

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