JP2000017424A - 金属転写フィルム - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易かつ確実に電極を形成でき、また、形成
された電極の薄膜化が図れ、さらには、低コストで電極
を形成し得る金属転写フィルムを提供すること。 【解決手段】 プラスチックフィルムＦの表面Ｓに、金
属との密着性を低下させる処理を施して、その処理がな
された表面Ｓに金属層Ｍを設ける。このような金属転写
フィルムを使用すれば、転写したい対象物に、プラスチ
ックフィルムＦの表面Ｓに設けられた金属層Ｍを簡易か
つ確実に転写することができるので、電子部品の電極を
低コストで形成することができる。
された電極の薄膜化が図れ、さらには、低コストで電極
を形成し得る金属転写フィルムを提供すること。 【解決手段】 プラスチックフィルムＦの表面Ｓに、金
属との密着性を低下させる処理を施して、その処理がな
された表面Ｓに金属層Ｍを設ける。このような金属転写
フィルムを使用すれば、転写したい対象物に、プラスチ
ックフィルムＦの表面Ｓに設けられた金属層Ｍを簡易か
つ確実に転写することができるので、電子部品の電極を
低コストで形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属転写フィルム
に関し、詳しくは、電子部品の電極を形成するために使
用される金属転写フィルムに関する。
に関し、詳しくは、電子部品の電極を形成するために使
用される金属転写フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電子部品の電極を形成する方
法としては、たとえば、半導体回路などの製造において
は、基板上に、蒸着やめっきなどによって金属層を形成
した後に、フォトリソグラフィによってパターンニング
を行なう方法や、たとえば、積層セラミックコンデンサ
などの製造においては、セラミックグリーンシート上
に、スクリーン印刷によって導電ペーストをパターン塗
工した後に、その塗工されたセラミックグリーンシート
を積層し、これを焼成する方法などが知られている。
法としては、たとえば、半導体回路などの製造において
は、基板上に、蒸着やめっきなどによって金属層を形成
した後に、フォトリソグラフィによってパターンニング
を行なう方法や、たとえば、積層セラミックコンデンサ
などの製造においては、セラミックグリーンシート上
に、スクリーン印刷によって導電ペーストをパターン塗
工した後に、その塗工されたセラミックグリーンシート
を積層し、これを焼成する方法などが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、近年、電子部
品の電極は、ますます微細化、高密度化する傾向にあ
り、そのため、半導体回路などの製造において使用され
る、蒸着やめっき、あるいはフォトリソグラフィを行な
うための装置も高精度の高価な装置が必要となってきて
おり、またそれに伴って、製造工程の複雑化によって生
産性が低下し、電極形成のためのコストが増大するよう
になってきている。
品の電極は、ますます微細化、高密度化する傾向にあ
り、そのため、半導体回路などの製造において使用され
る、蒸着やめっき、あるいはフォトリソグラフィを行な
うための装置も高精度の高価な装置が必要となってきて
おり、またそれに伴って、製造工程の複雑化によって生
産性が低下し、電極形成のためのコストが増大するよう
になってきている。
【０００４】また、積層セラミックコンデンサにおいて
は、高容量化が強く望まれており、それに対応すべく積
層数を増加させると、一方で積層セラミックコンデンサ
の小型化が図れず、そのため、電極の薄膜化が望まれて
いるが、スクリーン印刷によって電極を形成する方法で
は、近年要望される電極の薄膜化には対応できなくなっ
てきている。
は、高容量化が強く望まれており、それに対応すべく積
層数を増加させると、一方で積層セラミックコンデンサ
の小型化が図れず、そのため、電極の薄膜化が望まれて
いるが、スクリーン印刷によって電極を形成する方法で
は、近年要望される電極の薄膜化には対応できなくなっ
てきている。
【０００５】本発明は、このような課題に鑑みなされた
もので、その目的とするところは、簡易かつ確実に電極
を形成でき、また、形成された電極の薄膜化が図れ、さ
らには、低コストで電極を形成し得る金属転写フィルム
を提供することにある。
もので、その目的とするところは、簡易かつ確実に電極
を形成でき、また、形成された電極の薄膜化が図れ、さ
らには、低コストで電極を形成し得る金属転写フィルム
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の金属転写フィルムは、プラスチックフィル
ムの表面に、金属との密着性を低下させる処理がなされ
ており、その処理がなされた表面に、金属層が設けられ
ていることを特徴としている。
に、本発明の金属転写フィルムは、プラスチックフィル
ムの表面に、金属との密着性を低下させる処理がなされ
ており、その処理がなされた表面に、金属層が設けられ
ていることを特徴としている。
【０００７】また、金属との密着性を低下させる処理
が、プラズマ処理であることが好ましく、そのプラズマ
処理が、プラスチックフィルムの表面に低凝集力層を形
成する処理であるか、または、プラスチックフィルムの
表面をフッ素化する処理であることが好ましい。
が、プラズマ処理であることが好ましく、そのプラズマ
処理が、プラスチックフィルムの表面に低凝集力層を形
成する処理であるか、または、プラスチックフィルムの
表面をフッ素化する処理であることが好ましい。
【０００８】そして、このような本発明の金属転写フィ
ルムは、電子部品の電極を形成するために好適に使用さ
れる。
ルムは、電子部品の電極を形成するために好適に使用さ
れる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の金属転写フィルムに使用
されるプラスチックフィルムは、その表面に金属との密
着性を低下させる処理を施すことができるものであれ
ば、特に制限されず、公知のプラスチックフィルムを用
いることができる。このようなプラスチックフィルムと
しては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピ
レンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ塩化ビニル
フィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリイミドフィルム、ポリサルフォンフィル
ム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリアミドフィ
ルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルケトン
フィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルムなどが挙
げられる。これらのうち、好ましくはポリエステルフィ
ルム、なかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルム
が挙げられる。これらプラスチックフィルムは、その厚
みが約１０μｍ〜２００μｍ、とりわけ、約１５μｍ〜
１５０μｍであることが好ましい。
されるプラスチックフィルムは、その表面に金属との密
着性を低下させる処理を施すことができるものであれ
ば、特に制限されず、公知のプラスチックフィルムを用
いることができる。このようなプラスチックフィルムと
しては、たとえば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピ
レンフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリ塩化ビニル
フィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム、ポリイミドフィルム、ポリサルフォンフィル
ム、ポリエーテルサルフォンフィルム、ポリアミドフィ
ルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルケトン
フィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルムなどが挙
げられる。これらのうち、好ましくはポリエステルフィ
ルム、なかでも、ポリエチレンテレフタレートフィルム
が挙げられる。これらプラスチックフィルムは、その厚
みが約１０μｍ〜２００μｍ、とりわけ、約１５μｍ〜
１５０μｍであることが好ましい。
【００１０】本発明の金属転写フィルムは、このような
プラスチックフィルムの表面に、金属との密着性を低下
させる処理がなされている。このような処理は、より具
体的にはプラズマ処理によってなされることが好まし
い。プラズマ処理によると、プラスチックフィルムの表
面上にさらにコート層を設けなくてもプラスチックフィ
ルムの表面そのものの状態を改質することができるた
め、プラスチックフィルムと金属層との剥離をより確実
なものとすることができ、良好な転写性を確保すること
ができる。このプラズマ処理では、所定のガスの雰囲気
下においてプラズマ放電を発生させ、このプラズマ放電
によってプラスチックフィルムの表面を処理するように
する。このようなプラズマ処理を行なうための表面処理
装置の一例を図２に示す。図２において、この表面処理
装置では、真空槽５内に、高圧電極１およびアース電極
２が所定間隔を隔てて対向状に配置され、高圧電極１に
は、整合器４を介してＲＦ電源３が接続されている。そ
して、高圧電極１とアース電極２との間にプラスチック
フィルムを介在させるとともに、この真空槽５内に、そ
のガス圧が、たとえば、１０-1Ｐａ〜１０Ｐａ、好まし
くは、２×１０-1Ｐａ〜５Ｐａとなるように所定のガス
を封入した後、高圧電極１とアース電極２との間でプラ
ズマ放電を発生させ、これによってプラスチックフィル
ムの表面にプラズマ処理を施す。
プラスチックフィルムの表面に、金属との密着性を低下
させる処理がなされている。このような処理は、より具
体的にはプラズマ処理によってなされることが好まし
い。プラズマ処理によると、プラスチックフィルムの表
面上にさらにコート層を設けなくてもプラスチックフィ
ルムの表面そのものの状態を改質することができるた
め、プラスチックフィルムと金属層との剥離をより確実
なものとすることができ、良好な転写性を確保すること
ができる。このプラズマ処理では、所定のガスの雰囲気
下においてプラズマ放電を発生させ、このプラズマ放電
によってプラスチックフィルムの表面を処理するように
する。このようなプラズマ処理を行なうための表面処理
装置の一例を図２に示す。図２において、この表面処理
装置では、真空槽５内に、高圧電極１およびアース電極
２が所定間隔を隔てて対向状に配置され、高圧電極１に
は、整合器４を介してＲＦ電源３が接続されている。そ
して、高圧電極１とアース電極２との間にプラスチック
フィルムを介在させるとともに、この真空槽５内に、そ
のガス圧が、たとえば、１０-1Ｐａ〜１０Ｐａ、好まし
くは、２×１０-1Ｐａ〜５Ｐａとなるように所定のガス
を封入した後、高圧電極１とアース電極２との間でプラ
ズマ放電を発生させ、これによってプラスチックフィル
ムの表面にプラズマ処理を施す。
【００１１】このような表面処理装置を使用してプラズ
マ処理を行なうことによって、プラスチックフィルムの
表面に低凝集力層を形成し、あるいは、プラスチックフ
ィルムの表面をフッ素化することができ、これによって
プラスチックフィルムの表面を金属との密着性が低下す
るようにする。
マ処理を行なうことによって、プラスチックフィルムの
表面に低凝集力層を形成し、あるいは、プラスチックフ
ィルムの表面をフッ素化することができ、これによって
プラスチックフィルムの表面を金属との密着性が低下す
るようにする。
【００１２】プラズマ処理によって、プラスチックフィ
ルムの表面に低凝集力層を形成するための条件として
は、そのプラズマ処理の処理量を、プラスチックフィル
ムの表面の凝集力が低下するような状態とするために必
要な処理量とする必要がある。このようなプラズマ処理
量は、プラスチックフィルムの種類や放電させるガスの
種類によって異なるが、たとえば、高周波電力の周波数
として工業的に通常使用される１３．５６ＭＨｚにおい
ては、約１５Ｗ・ｓ／ｃｍ2 〜１００Ｗ・ｓ／ｃｍ2 で
あることが好ましい。ここで、プラズマ処理量は、高周
波電力（Ｗ）を電極面積（ｃｍ2 ）で割ったものに処理
時間（ｓ：秒）を掛け合わせた値で表わされる。１５Ｗ
・ｓ／ｃｍ2 よりも低い場合には、プラスチックフィル
ムの表面の凝集力が、その目的とは逆に高くなり金属と
の密着性が向上する場合がある。一方、１００Ｗ・ｓ／
ｃｍ2 以上では、プラスチックフィルムの表面の凝集力
がそれ以上に低くならず飽和状態となり、また、分子の
切断が進み過ぎてプラスチックの表面が劣化する場合が
ある。なお、高周波電力の周波数は、上記した１３．５
６ＭＨｚに限らず、低周波側では数１０ＫＨｚの領域か
ら、高周波側ではマイクロ波領域まで使用可能である。
また、この放電に使用されるガスとしては、たとえば、
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ2 、Ｏ2 などが挙げ
られる。これらのうち、実用的には、Ａｒ、Ｎ2 、Ｏ2
が好ましく使用される。このような条件によってプラズ
マ処理がなされると、プラスチックフィルムの表面に低
凝集力層が形成される。ここで、低凝集力層とは、プラ
ズマ放電によってプラスチックフィルムの表面の分子が
次第に切断され分子間に作用する引力が低められた状態
にある層を言い、言い換えると、たとえば、プラスチッ
クフィルムの表面の極性が低められた状態にある層、ま
たは、濡れ性が低下した状態にある層を言う。このよう
な低凝集力層が形成されることによって、プラスチック
フィルムの表面は金属との密着力が低下するようにな
る。
ルムの表面に低凝集力層を形成するための条件として
は、そのプラズマ処理の処理量を、プラスチックフィル
ムの表面の凝集力が低下するような状態とするために必
要な処理量とする必要がある。このようなプラズマ処理
量は、プラスチックフィルムの種類や放電させるガスの
種類によって異なるが、たとえば、高周波電力の周波数
として工業的に通常使用される１３．５６ＭＨｚにおい
ては、約１５Ｗ・ｓ／ｃｍ2 〜１００Ｗ・ｓ／ｃｍ2 で
あることが好ましい。ここで、プラズマ処理量は、高周
波電力（Ｗ）を電極面積（ｃｍ2 ）で割ったものに処理
時間（ｓ：秒）を掛け合わせた値で表わされる。１５Ｗ
・ｓ／ｃｍ2 よりも低い場合には、プラスチックフィル
ムの表面の凝集力が、その目的とは逆に高くなり金属と
の密着性が向上する場合がある。一方、１００Ｗ・ｓ／
ｃｍ2 以上では、プラスチックフィルムの表面の凝集力
がそれ以上に低くならず飽和状態となり、また、分子の
切断が進み過ぎてプラスチックの表面が劣化する場合が
ある。なお、高周波電力の周波数は、上記した１３．５
６ＭＨｚに限らず、低周波側では数１０ＫＨｚの領域か
ら、高周波側ではマイクロ波領域まで使用可能である。
また、この放電に使用されるガスとしては、たとえば、
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ2 、Ｏ2 などが挙げ
られる。これらのうち、実用的には、Ａｒ、Ｎ2 、Ｏ2
が好ましく使用される。このような条件によってプラズ
マ処理がなされると、プラスチックフィルムの表面に低
凝集力層が形成される。ここで、低凝集力層とは、プラ
ズマ放電によってプラスチックフィルムの表面の分子が
次第に切断され分子間に作用する引力が低められた状態
にある層を言い、言い換えると、たとえば、プラスチッ
クフィルムの表面の極性が低められた状態にある層、ま
たは、濡れ性が低下した状態にある層を言う。このよう
な低凝集力層が形成されることによって、プラスチック
フィルムの表面は金属との密着力が低下するようにな
る。
【００１３】また、プラズマ処理によって、プラスチッ
クフィルムの表面をフッ素化するための条件としては、
放電に使用するガスとして、たとえば、ＣＨＦ3 、ＣＦ
4 などのフッ素系ガスを使用して、上記した表面に低凝
集力層を形成するためのプラズマ処理の処理量よりも低
い処理量、たとえば、約１〜２０Ｗ・ｓ／ｃｍ2 で処理
すればよい。なお、１Ｗ・ｓ／ｃｍ2 よりも低い場合に
は、プラスチックフィルムの表面がフッ素化されない場
合があり、一方、２０Ｗ・ｓ／ｃｍ2 以上では、プラス
チックフィルムの表面がそれ以上にフッ素化されない飽
和状態となる。このような条件によってプラズマ処理が
なされると、プラスチックフィルムの表面がフッ素化さ
れ、その表面は金属との密着力が低下するようになる。
なお、このようなプラズマ処理によってプラスチックフ
ィルムの表面をフッ素化すれば、プラスチックフィルム
の表面にフッ素を化学的に直接結合させることができる
ので、たとえば、フッ素系樹脂をプラスチックフィルム
の表面に蒸着する場合などに比べて、プラスチックフィ
ルムの表面に対するフッ素の結合力が強く、プラスチッ
クフィルムから金属層を確実に剥離させることができ、
転写性を向上させることができる。
クフィルムの表面をフッ素化するための条件としては、
放電に使用するガスとして、たとえば、ＣＨＦ3 、ＣＦ
4 などのフッ素系ガスを使用して、上記した表面に低凝
集力層を形成するためのプラズマ処理の処理量よりも低
い処理量、たとえば、約１〜２０Ｗ・ｓ／ｃｍ2 で処理
すればよい。なお、１Ｗ・ｓ／ｃｍ2 よりも低い場合に
は、プラスチックフィルムの表面がフッ素化されない場
合があり、一方、２０Ｗ・ｓ／ｃｍ2 以上では、プラス
チックフィルムの表面がそれ以上にフッ素化されない飽
和状態となる。このような条件によってプラズマ処理が
なされると、プラスチックフィルムの表面がフッ素化さ
れ、その表面は金属との密着力が低下するようになる。
なお、このようなプラズマ処理によってプラスチックフ
ィルムの表面をフッ素化すれば、プラスチックフィルム
の表面にフッ素を化学的に直接結合させることができる
ので、たとえば、フッ素系樹脂をプラスチックフィルム
の表面に蒸着する場合などに比べて、プラスチックフィ
ルムの表面に対するフッ素の結合力が強く、プラスチッ
クフィルムから金属層を確実に剥離させることができ、
転写性を向上させることができる。
【００１４】そして、本発明の金属転写フィルムでは、
このようにして金属との密着性を低下させる処理がなさ
れた表面に金属層が設けられている。金属層を形成する
金属材料としては、特に制限されず公知の金属材料を使
用することができる。このような金属材料としては、そ
の用途などによって異なるが、たとえば、電極を形成す
るために好適な金属材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎ
ｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｍ
ｇ、Ａｌおよびこれらの合金などが挙げられる。このよ
うな金属層は、たとえば、真空蒸着法、塗工法、スプレ
ー法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、焼
付法など公知の方法によって形成することができる。こ
れら金属層を形成する方法のうち、積層セラミックコン
デンサなど積層型電子部品の電極を形成する場合には、
薄い金属層を形成する必要があり、そのような場合には
真空蒸着法などを使用することが好ましい。この真空蒸
着法においては、スパッタ蒸着、抵抗加熱蒸着、電子ビ
ーム加熱蒸着など公知の方法を使用することができる。
また、これら真空蒸着法によって金属層を成形した上に
更に電気めっきなどを施してもよい。金属層の厚みは、
用途によって異なるが、通常、約０．３μｍ〜２０μｍ
の範囲が好ましい。
このようにして金属との密着性を低下させる処理がなさ
れた表面に金属層が設けられている。金属層を形成する
金属材料としては、特に制限されず公知の金属材料を使
用することができる。このような金属材料としては、そ
の用途などによって異なるが、たとえば、電極を形成す
るために好適な金属材料として、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎ
ｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｍ
ｇ、Ａｌおよびこれらの合金などが挙げられる。このよ
うな金属層は、たとえば、真空蒸着法、塗工法、スプレ
ー法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、焼
付法など公知の方法によって形成することができる。こ
れら金属層を形成する方法のうち、積層セラミックコン
デンサなど積層型電子部品の電極を形成する場合には、
薄い金属層を形成する必要があり、そのような場合には
真空蒸着法などを使用することが好ましい。この真空蒸
着法においては、スパッタ蒸着、抵抗加熱蒸着、電子ビ
ーム加熱蒸着など公知の方法を使用することができる。
また、これら真空蒸着法によって金属層を成形した上に
更に電気めっきなどを施してもよい。金属層の厚みは、
用途によって異なるが、通常、約０．３μｍ〜２０μｍ
の範囲が好ましい。
【００１５】このようにして得られる本発明の金属転写
フィルムは、たとえば、図１に示すように、プラスチッ
クフィルムＦの一方の表面Ｓに、金属との密着性を低下
させる処理がなされ、その処理がなされた表面Ｓに、金
属層Ｍが設けられたような形状をなしている。また、図
１において、プラスチックフィルムＦの表面Ｓの一部の
みに金属との密着性を低下させる処理を施して、その処
理がなされた表面Ｓに金属層Ｍを設けてもよく、また、
そのような処理および金属層Ｍの形成を電子部品の電極
として形成する場合には、所定の回路要素を構成するよ
うなパターンとして形成してもよい。なお、プラスチッ
クフィルムＦの両面に金属との密着性を低下させる処理
を施して、その両面に金属層Ｍを設けてもよい。
フィルムは、たとえば、図１に示すように、プラスチッ
クフィルムＦの一方の表面Ｓに、金属との密着性を低下
させる処理がなされ、その処理がなされた表面Ｓに、金
属層Ｍが設けられたような形状をなしている。また、図
１において、プラスチックフィルムＦの表面Ｓの一部の
みに金属との密着性を低下させる処理を施して、その処
理がなされた表面Ｓに金属層Ｍを設けてもよく、また、
そのような処理および金属層Ｍの形成を電子部品の電極
として形成する場合には、所定の回路要素を構成するよ
うなパターンとして形成してもよい。なお、プラスチッ
クフィルムＦの両面に金属との密着性を低下させる処理
を施して、その両面に金属層Ｍを設けてもよい。
【００１６】そして、本発明の金属転写フィルムによっ
て金属層を転写するには、たとえば、転写しようとする
対象物にその金属層を接触させるとともに、プラスチッ
クフィルム側から金属層側に向かって、たとえば、熱、
超音波、電磁波、物理的な圧力などの外力を加えること
によって、プラスチックフィルムの表面から金属層を剥
離させて、その対象物に金属層を転写させればよい。な
お、この場合には、金属層の表面上または対象物の表面
上に粘着層を設けて転写性の向上を図ってもよく、ま
た、上記した複数の外力を組み合わせて使用してもよ
い。そして、転写の際には、本発明の金属転写フィルム
では、プラスチックフィルムの表面に、金属との密着性
を低下させる処理がなされているので、金属層を容易か
つ確実に転写することができる。すなわち、このような
転写フィルムとしては、たとえば、フッ素系樹脂フィル
ムの表面に直接金属層を設けるようにした転写フィルム
も知られているが、このような金属転写フィルムでは、
フィルムの表面をある程度粗く仕上げておいて、その上
に金属層を設けるようなものもあり、表面の粗さ如何に
よっては、金属層を転写する時にフィルムの表面からそ
の一部が剥がれ、その剥がれたフィルムの一部が金属層
とともに転写されるようなことを生じる場合があるが、
一方、本発明の金属転写フィルムでは、金属との密着性
を低下させる処理がなされた表面に金属層が設けられる
ので、そのようなことを生じる場合はなく、プラスチッ
クフィルムの表面に容易に金属層を形成できながら、か
つ金属層のみを確実に転写することができる。
て金属層を転写するには、たとえば、転写しようとする
対象物にその金属層を接触させるとともに、プラスチッ
クフィルム側から金属層側に向かって、たとえば、熱、
超音波、電磁波、物理的な圧力などの外力を加えること
によって、プラスチックフィルムの表面から金属層を剥
離させて、その対象物に金属層を転写させればよい。な
お、この場合には、金属層の表面上または対象物の表面
上に粘着層を設けて転写性の向上を図ってもよく、ま
た、上記した複数の外力を組み合わせて使用してもよ
い。そして、転写の際には、本発明の金属転写フィルム
では、プラスチックフィルムの表面に、金属との密着性
を低下させる処理がなされているので、金属層を容易か
つ確実に転写することができる。すなわち、このような
転写フィルムとしては、たとえば、フッ素系樹脂フィル
ムの表面に直接金属層を設けるようにした転写フィルム
も知られているが、このような金属転写フィルムでは、
フィルムの表面をある程度粗く仕上げておいて、その上
に金属層を設けるようなものもあり、表面の粗さ如何に
よっては、金属層を転写する時にフィルムの表面からそ
の一部が剥がれ、その剥がれたフィルムの一部が金属層
とともに転写されるようなことを生じる場合があるが、
一方、本発明の金属転写フィルムでは、金属との密着性
を低下させる処理がなされた表面に金属層が設けられる
ので、そのようなことを生じる場合はなく、プラスチッ
クフィルムの表面に容易に金属層を形成できながら、か
つ金属層のみを確実に転写することができる。
【００１７】そして、このような本発明の金属転写フィ
ルムは、その用途が特に限定されることはないが、主と
して、電子部品の電極を形成するために使用される。た
とえば、半導体回路などの基板に電極を形成するには、
本発明の金属転写フィルムの金属層を、基板における電
極を形成したい部位に接触させるとともに、前記したよ
うにプラスチックフィルム側から金属層側に向かって外
力を加えて転写すればよい。また、積層セラミックコン
デンサの内部電極など積層型電子部品の電極を形成する
場合にあっては、本発明の金属転写フィルムの金属層
を、セラミックグリーンシートにおける電極を形成した
い部位に接触させるとともに、前記したようにプラスチ
ックフィルム側から金属層側に向かって外力を加えて転
写した後に、その金属層が転写されたグリーンシートを
順次積層して焼成すればよい。
ルムは、その用途が特に限定されることはないが、主と
して、電子部品の電極を形成するために使用される。た
とえば、半導体回路などの基板に電極を形成するには、
本発明の金属転写フィルムの金属層を、基板における電
極を形成したい部位に接触させるとともに、前記したよ
うにプラスチックフィルム側から金属層側に向かって外
力を加えて転写すればよい。また、積層セラミックコン
デンサの内部電極など積層型電子部品の電極を形成する
場合にあっては、本発明の金属転写フィルムの金属層
を、セラミックグリーンシートにおける電極を形成した
い部位に接触させるとともに、前記したようにプラスチ
ックフィルム側から金属層側に向かって外力を加えて転
写した後に、その金属層が転写されたグリーンシートを
順次積層して焼成すればよい。
【００１８】このように、本発明の金属転写フィルムを
使用して電子部品の電極を形成すれば、半導体回路など
の製造においては、基板に簡易かつ確実に電極を形成で
き、また、積層セラミックコンデンサなど積層型電子基
板の製造においては、プラスチックフィルムの表面に形
成された薄い金属層をそのまま転写させることができる
ので、セラミックグリーンシートに導電ペーストをパタ
ーン塗工する場合に比べて、薄い電極を形成することが
できる。そのため、積層数を増やしても、それほど大型
化させることなく高容量のものを製造することができ
る。したがって、ますます微細化、高密度化が要求され
る電子部品の電極の形成を簡易かつ低コストで行なうこ
とができる。
使用して電子部品の電極を形成すれば、半導体回路など
の製造においては、基板に簡易かつ確実に電極を形成で
き、また、積層セラミックコンデンサなど積層型電子基
板の製造においては、プラスチックフィルムの表面に形
成された薄い金属層をそのまま転写させることができる
ので、セラミックグリーンシートに導電ペーストをパタ
ーン塗工する場合に比べて、薄い電極を形成することが
できる。そのため、積層数を増やしても、それほど大型
化させることなく高容量のものを製造することができ
る。したがって、ますます微細化、高密度化が要求され
る電子部品の電極の形成を簡易かつ低コストで行なうこ
とができる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例および比較例を挙げて、本発明
をさらに具体的に説明する。
をさらに具体的に説明する。
【００２０】実施例１ 上述した図２に示す表面処理装置において、電極１上に
厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（以下、Ｐ
ＥＴと略する。）フィルムを載置して、ガス圧が５×１
０-1ＰａとなるようにＡｒガスを封入した後、１３．５
６ＭＨｚの高周波放電によって、プラズマ処理量が２０
Ｗ・ｓ／ｃｍ2 となるようなプラズマ処理を行ない、Ｐ
ＥＴフィルムの表面に低凝集力層を形成した。次に、プ
ラズマ処理がなされたＰＥＴフィルムの表面に、真空蒸
着装置を使用して、電子ビーム加熱法によって厚み０．
５μｍのＮｉの金属層を形成することにより、本発明の
金属転写フィルムを得た。
厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（以下、Ｐ
ＥＴと略する。）フィルムを載置して、ガス圧が５×１
０-1ＰａとなるようにＡｒガスを封入した後、１３．５
６ＭＨｚの高周波放電によって、プラズマ処理量が２０
Ｗ・ｓ／ｃｍ2 となるようなプラズマ処理を行ない、Ｐ
ＥＴフィルムの表面に低凝集力層を形成した。次に、プ
ラズマ処理がなされたＰＥＴフィルムの表面に、真空蒸
着装置を使用して、電子ビーム加熱法によって厚み０．
５μｍのＮｉの金属層を形成することにより、本発明の
金属転写フィルムを得た。
【００２１】実施例２ 上述した図２に示す表面処理装置において、電極２上に
厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムを載置して、ガス圧が７
×１０-1ＰａとなるようにＣＦ4 ガスを封入した後、１
３．５６ＭＨｚの高周波放電によって、プラズマ処理量
が３Ｗ・ｓ／ｃｍ2 となるようなプラズマ処理を行な
い、ＰＥＴフィルムの表面をフッ素化した。次に、プラ
ズマ処理がなされたＰＥＴフィルムの表面に、真空蒸着
装置を使用して、電子ビーム加熱法によって厚み０．５
μｍのＮｉの金属層を形成することにより、本発明の金
属転写フィルムを得た。
厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムを載置して、ガス圧が７
×１０-1ＰａとなるようにＣＦ4 ガスを封入した後、１
３．５６ＭＨｚの高周波放電によって、プラズマ処理量
が３Ｗ・ｓ／ｃｍ2 となるようなプラズマ処理を行な
い、ＰＥＴフィルムの表面をフッ素化した。次に、プラ
ズマ処理がなされたＰＥＴフィルムの表面に、真空蒸着
装置を使用して、電子ビーム加熱法によって厚み０．５
μｍのＮｉの金属層を形成することにより、本発明の金
属転写フィルムを得た。
【００２２】実施例３ 上述した図２に示す表面処理装置において、電極１上に
厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムを載置して、ガス圧が８
×１０-1ＰａとなるようにＡｒガスを封入した後、１
３．５６ＭＨｚの高周波放電によって、プラズマ処理量
が３０Ｗ・ｓ／ｃｍ2 となるようなプラズマ処理を行な
い、ＰＥＴフィルムの表面に低凝集力層を形成した。次
に、プラズマ処理がなされたＰＥＴフィルムの表面に、
真空蒸着装置を使用して、抵抗加熱法によって厚み１０
μｍのＩｎの金属層を形成することにより、本発明の金
属転写フィルムを得た。
厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムを載置して、ガス圧が８
×１０-1ＰａとなるようにＡｒガスを封入した後、１
３．５６ＭＨｚの高周波放電によって、プラズマ処理量
が３０Ｗ・ｓ／ｃｍ2 となるようなプラズマ処理を行な
い、ＰＥＴフィルムの表面に低凝集力層を形成した。次
に、プラズマ処理がなされたＰＥＴフィルムの表面に、
真空蒸着装置を使用して、抵抗加熱法によって厚み１０
μｍのＩｎの金属層を形成することにより、本発明の金
属転写フィルムを得た。
【００２３】比較例１ 厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムに、プラズマ処理を施す
ことなく実施例１と同様の方法により、厚さ０．５μｍ
のＮｉの金属層を形成して、金属転写フィルムを得た。
ことなく実施例１と同様の方法により、厚さ０．５μｍ
のＮｉの金属層を形成して、金属転写フィルムを得た。
【００２４】比較例２ プラズマ処理量を５Ｗ・ｓ／ｃｍ2 としたこと以外は、
実施例１と同様の方法により金属転写フィルムを得た。
なお、この金属転写フィルムは、後述する評価において
明らかなように、ＰＥＴフィルムの表面に施されたプラ
ズマ処理によって金属層との密着性が向上し、金属層を
転写できなかった。
実施例１と同様の方法により金属転写フィルムを得た。
なお、この金属転写フィルムは、後述する評価において
明らかなように、ＰＥＴフィルムの表面に施されたプラ
ズマ処理によって金属層との密着性が向上し、金属層を
転写できなかった。
【００２５】比較例３ 厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムに、プラズマ処理を施す
ことなく実施例３と同様の方法により、厚さ１０μｍの
Ｉｎの金属層を形成して、金属転写フィルムを得た。
ことなく実施例３と同様の方法により、厚さ１０μｍの
Ｉｎの金属層を形成して、金属転写フィルムを得た。
【００２６】金属転写フィルムの評価 １）実施例１および２、ならびに、比較例１および２の
金属転写フィルムを、アクリル系粘着剤のパターンが５
０個印刷された１ｍｍ×１ｍｍの大きさのＳｉウエハ上
に圧接して、金属転写フィルムを剥がした時に５０個中
何個に金属層が転写されたかによって転写性を評価し
た。
金属転写フィルムを、アクリル系粘着剤のパターンが５
０個印刷された１ｍｍ×１ｍｍの大きさのＳｉウエハ上
に圧接して、金属転写フィルムを剥がした時に５０個中
何個に金属層が転写されたかによって転写性を評価し
た。
【００２７】その結果、実施例１および２の金属転写フ
ィルムでは、５０個中５０個とも良好に転写されていた
が、一方、比較例１の金属転写フィルムでは、５０個中
６個しか転写されず、また、比較例２の金属転写フィル
ムでは、５０個中０個、すなわち、全く転写されていな
かった。 ２）実施例３および比較例３の金属転写フィルムの金属
層を、Ｓｉウエハと接触させて、金属転写フィルムの背
面より１ｍｍφの金属棒を押し付けて、ＩｎのＳｉウエ
ハへの転写性を評価した。実施例３の金属転写フィルム
では確実にＩｎが転写されたが、比較例３の金属転写フ
ィルムではＩｎが転写されなかった。
ィルムでは、５０個中５０個とも良好に転写されていた
が、一方、比較例１の金属転写フィルムでは、５０個中
６個しか転写されず、また、比較例２の金属転写フィル
ムでは、５０個中０個、すなわち、全く転写されていな
かった。 ２）実施例３および比較例３の金属転写フィルムの金属
層を、Ｓｉウエハと接触させて、金属転写フィルムの背
面より１ｍｍφの金属棒を押し付けて、ＩｎのＳｉウエ
ハへの転写性を評価した。実施例３の金属転写フィルム
では確実にＩｎが転写されたが、比較例３の金属転写フ
ィルムではＩｎが転写されなかった。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の金属転写フ
ィルムは転写性が良好であり、転写したい対象物に、プ
ラスチックフィルムの表面に設けられた金属層を、簡易
かつ確実に転写することができる。そして、このような
本発明の金属転写フィルムは、主として、電子部品の電
極を形成するために好適に使用でき、低コストで電極を
形成することができる。
ィルムは転写性が良好であり、転写したい対象物に、プ
ラスチックフィルムの表面に設けられた金属層を、簡易
かつ確実に転写することができる。そして、このような
本発明の金属転写フィルムは、主として、電子部品の電
極を形成するために好適に使用でき、低コストで電極を
形成することができる。
【図１】本発明の金属転写フィルムの一実施形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】表面処理装置の要部構成を示す説明図である。
Ｆ プラスチックフィルム Ｓ プラスチックフィルムの表面 Ｍ 金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｂ４４Ｃ 1/165 Ｂ４４Ｃ 1/165 Ｋ
Claims (5)
- 【請求項１】 プラスチックフィルムの表面に、金属と
の密着性を低下させる処理がなされており、その処理が
なされた表面に、金属層が設けられていることを特徴と
する、金属転写フィルム。 - 【請求項２】 金属との密着性を低下させる処理が、プ
ラズマ処理であることを特徴とする、請求項１に記載の
金属転写フィルム。 - 【請求項３】 前記プラズマ処理が、プラスチックフィ
ルムの表面に低凝集力層を形成する処理であることを特
徴とする、請求項２に記載の金属転写フィルム。 - 【請求項４】 前記プラズマ処理が、プラスチックフィ
ルムの表面をフッ素化する処理であることを特徴とす
る、請求項２に記載の金属転写フィルム。 - 【請求項５】 電子部品の電極を形成するために使用さ
れる、請求項１〜４のいずれかに記載の金属転写フィル
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10188691A JP2000017424A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 金属転写フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10188691A JP2000017424A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 金属転写フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000017424A true JP2000017424A (ja) | 2000-01-18 |
Family
ID=16228146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10188691A Pending JP2000017424A (ja) | 1998-07-03 | 1998-07-03 | 金属転写フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000017424A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003071979A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Toyo Metallizing Co Ltd | 電子部品用金属膜転写フィルム |
| JP2006297714A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Seiren Co Ltd | 転写用金属薄膜シート |
| JP2020531692A (ja) * | 2017-08-23 | 2020-11-05 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウＦｒａｕｎｈｏｆｅｒ−Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｚｕｒ Ｆｏｅｒｄｅｒｕｎｇ ｄｅｒ ａｎｇｅｗａｎｄｔｅｎ Ｆｏｒｓｃｈｕｎｇ ｅ．Ｖ． | 導電性フィルムの製造方法 |
-
1998
- 1998-07-03 JP JP10188691A patent/JP2000017424A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003071979A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Toyo Metallizing Co Ltd | 電子部品用金属膜転写フィルム |
| JP2006297714A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Seiren Co Ltd | 転写用金属薄膜シート |
| JP2020531692A (ja) * | 2017-08-23 | 2020-11-05 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウＦｒａｕｎｈｏｆｅｒ−Ｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ ｚｕｒ Ｆｏｅｒｄｅｒｕｎｇ ｄｅｒ ａｎｇｅｗａｎｄｔｅｎ Ｆｏｒｓｃｈｕｎｇ ｅ．Ｖ． | 導電性フィルムの製造方法 |
| JP7191937B2 (ja) | 2017-08-23 | 2022-12-19 | フラウンホーファー－ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | 導電性フィルムの製造方法 |
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