JPH0287589A - 両面フレキシブルプリント回路基板の製造方法 - Google Patents
両面フレキシブルプリント回路基板の製造方法Info
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- JPH0287589A JPH0287589A JP23848988A JP23848988A JPH0287589A JP H0287589 A JPH0287589 A JP H0287589A JP 23848988 A JP23848988 A JP 23848988A JP 23848988 A JP23848988 A JP 23848988A JP H0287589 A JPH0287589 A JP H0287589A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野1
本発明は両面に金属導体を備えた両面フレキシブルプリ
ント回路基板の製造方法に関する6「従来の技術J 近年、電子機器の極薄軽小化、高密度化にともない、フ
レキシブルプリント回路基板の極薄軽小化、高密度化が
要求されており、特に、電子機器のデイスプレィ、サー
マルベツドなどでは、これらの端末接続を中心として、
フレキシブルプリント回路基板(FPC)の高密度微細
化が展開されている。
ント回路基板の製造方法に関する6「従来の技術J 近年、電子機器の極薄軽小化、高密度化にともない、フ
レキシブルプリント回路基板の極薄軽小化、高密度化が
要求されており、特に、電子機器のデイスプレィ、サー
マルベツドなどでは、これらの端末接続を中心として、
フレキシブルプリント回路基板(FPC)の高密度微細
化が展開されている。
ちなみに、高密度微細パターンでは、パターン本数を5
〜10本/rnmとしたり、それ以上とする要求も生じ
ている。
〜10本/rnmとしたり、それ以上とする要求も生じ
ている。
これらの要求に対し、電子機器の分野においては、両面
フレキシブルプリント回路基板が、片面フレキシブルプ
リント回路基板に代わるものとして技術的に検討されて
いる。
フレキシブルプリント回路基板が、片面フレキシブルプ
リント回路基板に代わるものとして技術的に検討されて
いる。
両面フレキシブルプリント回路基板としては、プラスチ
ックフィルムの両面に厚さ35pm、18μmなどの導
体層を備えたものが一般的であり、そのプラスチックフ
ィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポ
リイミド(PI)等からなり、その導体層は、接着剤を
介してプラスチックフィルム表面に張り合わされた電解
銅箔、圧延銅箔とか、物理的金属蒸若手段(PV[))
、電気化学的金属被覆手段を介してプラスチックフィ
ルム表面に直接形成された金属導体等からなる。
ックフィルムの両面に厚さ35pm、18μmなどの導
体層を備えたものが一般的であり、そのプラスチックフ
ィルムは、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポ
リイミド(PI)等からなり、その導体層は、接着剤を
介してプラスチックフィルム表面に張り合わされた電解
銅箔、圧延銅箔とか、物理的金属蒸若手段(PV[))
、電気化学的金属被覆手段を介してプラスチックフィ
ルム表面に直接形成された金属導体等からなる。
ところで、特開昭81−47015号公報に開示された
発明では、物理的金属蒸着手段と電気化学的金属被覆手
段とを併用して、プラスチックフィルム表面に導体金属
(導体層)を形成しており、当該先行技術の場合は、導
体層として極薄の銅箔を形成することができるので、既
成の技術よりも望ましいとされている。
発明では、物理的金属蒸着手段と電気化学的金属被覆手
段とを併用して、プラスチックフィルム表面に導体金属
(導体層)を形成しており、当該先行技術の場合は、導
体層として極薄の銅箔を形成することができるので、既
成の技術よりも望ましいとされている。
すなわち、既成の技術によるフレキシブルプリント回路
基板では、fi4箔をエツチングする際のサイドエッチ
等に起因し、シャープでファインな回路を得ることがで
きず、パターンライン数も3〜5木/lllff1程度
のレベルにとどまるが、上記先行技術によるフレキシブ
ルプリント回路基板では、導体層として1〜9gtsの
極薄銅箔が形成されるので、かかる問題が起こりがたい
。
基板では、fi4箔をエツチングする際のサイドエッチ
等に起因し、シャープでファインな回路を得ることがで
きず、パターンライン数も3〜5木/lllff1程度
のレベルにとどまるが、上記先行技術によるフレキシブ
ルプリント回路基板では、導体層として1〜9gtsの
極薄銅箔が形成されるので、かかる問題が起こりがたい
。
こうして作製された両面フレキシブルプリント回路基板
には、その両面に電源系、アース系の回路パターン、信
号系の微細回路パターンなどが形成され、LSl、抵抗
、その他の素子が実装される。
には、その両面に電源系、アース系の回路パターン、信
号系の微細回路パターンなどが形成され、LSl、抵抗
、その他の素子が実装される。
上述した通り、先行技術による両面フレキシブルプリン
ト回路基板は、導体層たる銅箔が1〜9ルmと極薄であ
る。
ト回路基板は、導体層たる銅箔が1〜9ルmと極薄であ
る。
極薄導体層(銅箔)は、微細回路パターン(信号伝送ラ
イン)として最適であり、設計に際してのライン引き回
しも容易であるが、電源系、アース系に対しては、電流
容量がとれない。
イン)として最適であり、設計に際してのライン引き回
しも容易であるが、電源系、アース系に対しては、電流
容量がとれない。
r発明が解決しようとする課題J
上述した先行技術の対策として、接着剤を介して片面に
銅箔型の金属導体が張り合わされた安価で利用価値の高
い回路基板、すなわち、片面フレキシブルプリント回路
基板を活用し、その回路基板の残る片面に、スパッタリ
ング、電解メツキなどの手段を介して緻密で密着性のよ
い、かつ、グレインサイズの均一な金属導体(導体層)
を形成することが提案できる。
銅箔型の金属導体が張り合わされた安価で利用価値の高
い回路基板、すなわち、片面フレキシブルプリント回路
基板を活用し、その回路基板の残る片面に、スパッタリ
ング、電解メツキなどの手段を介して緻密で密着性のよ
い、かつ、グレインサイズの均一な金属導体(導体層)
を形成することが提案できる。
しかし、かかる手段をしても、つぎのような問題が生じ
る。
る。
たとえば、片面フレキシブルプリント回路基板における
プラスチックフィルムの残る片面に、スパッタリング法
の手段を介して、極薄の金属導体を直接形成するとぎ、
その際の輻射熱により基板の温度が200℃もの高温に
上昇し、その結果、ペース材たるプラスチックフィルム
ばかりか、既設の銅箔(金属導体)を接着している接着
剤までも軟化変形してしまい、当該銅箔とプラスチック
フィルムとの密着性が阻害されたり、基板の変形や寸法
変化が生じる。
プラスチックフィルムの残る片面に、スパッタリング法
の手段を介して、極薄の金属導体を直接形成するとぎ、
その際の輻射熱により基板の温度が200℃もの高温に
上昇し、その結果、ペース材たるプラスチックフィルム
ばかりか、既設の銅箔(金属導体)を接着している接着
剤までも軟化変形してしまい、当該銅箔とプラスチック
フィルムとの密着性が阻害されたり、基板の変形や寸法
変化が生じる。
電解メツキ手段を介してプラスチックフィルム表面に極
薄の金属導体を形成する場合も、金属導体とプラスチッ
クフィルムとの密着性が悪い、メツキ析出の初期成長過
程に大きく依存する当該金属導体の表面が粗くなる、薄
膜であるにも拘らず耐屈曲性が良好でない、パターン形
成に際してファインピッチに仕上げることができないな
ど、種々の問題が生じる。
薄の金属導体を形成する場合も、金属導体とプラスチッ
クフィルムとの密着性が悪い、メツキ析出の初期成長過
程に大きく依存する当該金属導体の表面が粗くなる、薄
膜であるにも拘らず耐屈曲性が良好でない、パターン形
成に際してファインピッチに仕上げることができないな
ど、種々の問題が生じる。
本発明は上述した課題に鑑み、金属導体とプラスチック
フィルムとの密着性、基板の耐屈曲性、基板寸法などを
阻害することのない、しかも、相対的に電気容量の大き
い回路パターン、微細回路パターンなどを満足に形成す
ることのできる両面フレキシブルプリント回路基板の製
造方法を提供しようとするものである。
フィルムとの密着性、基板の耐屈曲性、基板寸法などを
阻害することのない、しかも、相対的に電気容量の大き
い回路パターン、微細回路パターンなどを満足に形成す
ることのできる両面フレキシブルプリント回路基板の製
造方法を提供しようとするものである。
「課題を解決するための手段」
本発明に係る両面フレキシブルプリント回路基板の製造
方法は、所期の目的を達成するため、プラスチックフィ
ルムの片面に接着剤を介して厚さ18μm以上の金属箔
導体が張り合わされた片面フレキシブルプリント回路基
板を用意し、当該片面フレキシブルプリント回路基板に
おけるプラスチックフィルムの残る片面に、物理的金属
蒸着手段を介して厚さ0.1〜0.5μmの金属導体膜
を形成し、さらに、その金属導体膜の上に、電気化学的
金属被覆手段を介して厚さ1〜10JLmの金属導体層
を形成することを特徴とする。
方法は、所期の目的を達成するため、プラスチックフィ
ルムの片面に接着剤を介して厚さ18μm以上の金属箔
導体が張り合わされた片面フレキシブルプリント回路基
板を用意し、当該片面フレキシブルプリント回路基板に
おけるプラスチックフィルムの残る片面に、物理的金属
蒸着手段を介して厚さ0.1〜0.5μmの金属導体膜
を形成し、さらに、その金属導体膜の上に、電気化学的
金属被覆手段を介して厚さ1〜10JLmの金属導体層
を形成することを特徴とする。
「作用J
本発明方法の場合、プラスチックフィルムの片面に接着
剤を介して厚さ18pm以上の金属箔導体が張り合わさ
れたものを、片面フレキシブルプリント回路基板として
使用する。
剤を介して厚さ18pm以上の金属箔導体が張り合わさ
れたものを、片面フレキシブルプリント回路基板として
使用する。
かかる片面フレキシブルプリント回路基板を使用する理
由は、これが安価であるほか、当該回路基板の金属箔導
体が厚さ18pm以上であることにより、電気容量の大
きい回路パターンを容易に形成することができるからで
ある。
由は、これが安価であるほか、当該回路基板の金属箔導
体が厚さ18pm以上であることにより、電気容量の大
きい回路パターンを容易に形成することができるからで
ある。
上記片面フレキシブルプリント回路基板において、その
プラスチックフィルムの残る片面には、はじめに、物理
的金属蒸着手段を介して金属導体膜を形成する。
プラスチックフィルムの残る片面には、はじめに、物理
的金属蒸着手段を介して金属導体膜を形成する。
物理的金属蒸着手段を介して形成される金属導体膜の厚
さが0.1 grs未満であると、その金属導体膜がピ
ンホールの多い不均一なものになり、当該金属導体膜上
に形成される金属導体層の下地材にもならない。
さが0.1 grs未満であると、その金属導体膜がピ
ンホールの多い不均一なものになり、当該金属導体膜上
に形成される金属導体層の下地材にもならない。
物理的金属蒸着手段を介して形成される金属導体膜の厚
さが0.54raを越えると、金属蒸着時におけるプラ
スチックフィルムの温度が輻射熱その他により100℃
以上に上昇し、かかる温度上昇により接着剤が軟化変形
して、金属箔導体とプラスチックフィルムとの密着性が
阻害され、基板の変形、寸法変化が生じる。
さが0.54raを越えると、金属蒸着時におけるプラ
スチックフィルムの温度が輻射熱その他により100℃
以上に上昇し、かかる温度上昇により接着剤が軟化変形
して、金属箔導体とプラスチックフィルムとの密着性が
阻害され、基板の変形、寸法変化が生じる。
この際、プラスチックフィルムの温度上昇を抑制するの
みなら、金属蒸着速度を遅くすることで足りるが、これ
では、金属蒸着速度を遅くした分だけ生産性が低下する
。
みなら、金属蒸着速度を遅くすることで足りるが、これ
では、金属蒸着速度を遅くした分だけ生産性が低下する
。
したがって、物理的金属蒸着手段を介して金属導体膜を
形成するとき、当該金属導体膜の厚さはこれを0.1〜
0.51Lmの範囲内に設定することが必要である。
形成するとき、当該金属導体膜の厚さはこれを0.1〜
0.51Lmの範囲内に設定することが必要である。
上記金属導体膜の上には、成膜速度の高い、生産性の高
い電気化学的金属被覆手段を介して金属導体層を形成す
る。
い電気化学的金属被覆手段を介して金属導体層を形成す
る。
この際の金属導体層は、均一かつ緻密な金属導体膜を下
地材にしながら、所定厚さの緻密な層として強力に付着
する。
地材にしながら、所定厚さの緻密な層として強力に付着
する。
電気化学的金属被覆手段を介して形成される金属導体層
の厚さが1 gra未満であると、これを下地にした当
該金属導体層の厚膜化が困難となってしまう。
の厚さが1 gra未満であると、これを下地にした当
該金属導体層の厚膜化が困難となってしまう。
電気化学的金属被覆手段を介して形成される金属導体層
の厚さが10牌mを越えると、その下地材たる金属導体
膜の内部応力が大きくなって、基板のフレキシビリティ
が低下し、しかも、過剰な厚膜化が、パターン形成(フ
ォトエツチング)時のサイドエッチの原因となり、高密
度微細化パターンが得がたくなる。
の厚さが10牌mを越えると、その下地材たる金属導体
膜の内部応力が大きくなって、基板のフレキシビリティ
が低下し、しかも、過剰な厚膜化が、パターン形成(フ
ォトエツチング)時のサイドエッチの原因となり、高密
度微細化パターンが得がたくなる。
したがって、電気化学的金属被覆手段を介して金属導体
層を形成するとき、当該金属導体層の厚さは、これを1
〜10.u+w(7)i凹円に設定することが必要であ
る。
層を形成するとき、当該金属導体層の厚さは、これを1
〜10.u+w(7)i凹円に設定することが必要であ
る。
r実 施 例J
以下、本発明に係る両面フレキシブルプリント回路基板
の製造方法につき、図示の実施例を参照して説明する。
の製造方法につき、図示の実施例を参照して説明する。
第1図において、片面フレキシブルプリント回路基板1
1は、プラスチックフィルム(ベースフィルム)12と
、そのプラスチックフィルム12の片面に接着剤13を
介して張り合わされた金属導体箔14とよりなる。
1は、プラスチックフィルム(ベースフィルム)12と
、そのプラスチックフィルム12の片面に接着剤13を
介して張り合わされた金属導体箔14とよりなる。
プラスチックフィルム12は、ポリエチレンテレフタレ
ー) (PE丁)、ポリイミド(PI)、ポリエーテル
ニールケトン(PEEK)、ボリフェニレンサルフ。
ー) (PE丁)、ポリイミド(PI)、ポリエーテル
ニールケトン(PEEK)、ボリフェニレンサルフ。
イド(pps)などのプラスチックからなる。
接着剤13は耐熱性を看する公知ないし周知の合成接着
剤からなる。
剤からなる。
金属導体箔14は、電解銅箔、圧延銅箔など、主に銅箔
からなるが、場合により、銀、アルミニウムなどの金属
導体からることもある。
からなるが、場合により、銀、アルミニウムなどの金属
導体からることもある。
金属導体箔14の厚さは、181Lm以上である。
上述した片面フレキシブルプリント回路基板11におい
て、プラスチックフィルム12の残る片面には、第2図
のごとく、物理的金属蒸着手段(PVD)を介して厚さ
0.1 μm以上、0.5 μm以下の金属導体膜15
を形成する。
て、プラスチックフィルム12の残る片面には、第2図
のごとく、物理的金属蒸着手段(PVD)を介して厚さ
0.1 μm以上、0.5 μm以下の金属導体膜15
を形成する。
物理的金属蒸着手段(PVD)としては、スパッタリン
グ、イオンブレーティング、イオンクラスタビームなど
が採用され、当該PVD法を介して形成される金属導体
膜15は、−例として、銅薄膜からなる。
グ、イオンブレーティング、イオンクラスタビームなど
が採用され、当該PVD法を介して形成される金属導体
膜15は、−例として、銅薄膜からなる。
上述した金属導体膜15の上には、第3図のごとく、電
気化学的金属被覆手段を介して金属導体層16を形成す
る。
気化学的金属被覆手段を介して金属導体層16を形成す
る。
電気化学的金属被覆手段としては、たとえば。
電解メツキ法が採用され、かかる電解メツキ法を介して
形成される金属導体層16は、主として、銅からなるが
、当該金属導体層16が、銀、アルミニウム、ニッケル
、クローム、あるいは、これらの合金(銅合金も含む)
からなる場合もある。
形成される金属導体層16は、主として、銅からなるが
、当該金属導体層16が、銀、アルミニウム、ニッケル
、クローム、あるいは、これらの合金(銅合金も含む)
からなる場合もある。
かくて、所定の工程を終えたとき、所要の両面フレキシ
ブルプリント回路基板17が得られる。
ブルプリント回路基板17が得られる。
なお、ベースフィルムたるプラスチックフィルム12上
に、PVD法を介して金属導体膜15を形成するとき、
プラスチックフィルム12と金属導体膜15との相対密
着力をより高める目的で、酸素、アルゴン、二酸化炭素
、空気などによる低温プラズマ処理を事前に施しておく
ことがある。
に、PVD法を介して金属導体膜15を形成するとき、
プラスチックフィルム12と金属導体膜15との相対密
着力をより高める目的で、酸素、アルゴン、二酸化炭素
、空気などによる低温プラズマ処理を事前に施しておく
ことがある。
第4図は、このようにして得られた両面フレキシブルプ
リント回路基板17において、その必要な回路部をフォ
トレジストによりマスキングし、その他部をエツチング
することにより形成した両面フレキシブルプリント回路
の一例である。
リント回路基板17において、その必要な回路部をフォ
トレジストによりマスキングし、その他部をエツチング
することにより形成した両面フレキシブルプリント回路
の一例である。
第4図のごとき回路では、大電流容量を必要とする電源
系、アース系の回路パターン18が、金属導体箔14を
有していた片面側に形成され(例:2本/mm)、小電
流容量でよい信号系の微細回路パターン19が、金属導
体層16を有していた他の片面側に形成される(例:1
0本7m+s)。
系、アース系の回路パターン18が、金属導体箔14を
有していた片面側に形成され(例:2本/mm)、小電
流容量でよい信号系の微細回路パターン19が、金属導
体層16を有していた他の片面側に形成される(例:1
0本7m+s)。
もちろん、微細であることを要しないならば。
金属導体箔14を有していた片面側に、信号系の回路パ
ターンが形成されてもよく、回路パターンの幅によって
は、基板両面に形成された信号系の回路パターン相互を
、スルーホール化することができる。
ターンが形成されてもよく、回路パターンの幅によって
は、基板両面に形成された信号系の回路パターン相互を
、スルーホール化することができる。
つぎに、本発明方法のより具体的な実施例を以下の述べ
る。
る。
実施例1
第1工程として、プラズマ処理機構を備えたスパッタ装
置内に、厚さ18μmの銅箔を有する片面フレキシブル
プリント回路基板にッカン工業■製)をセットし、該ス
パッタ装置内を十分にパージして酸素ガスを導入した後
、ガス圧:3X10−2Tart、 AC電圧:800
Vにて、上記回路基板(7)PI製プラスチックフィル
ム面(銅箔のない面)に、10秒間、低温プラズマ処理
を施した。
置内に、厚さ18μmの銅箔を有する片面フレキシブル
プリント回路基板にッカン工業■製)をセットし、該ス
パッタ装置内を十分にパージして酸素ガスを導入した後
、ガス圧:3X10−2Tart、 AC電圧:800
Vにて、上記回路基板(7)PI製プラスチックフィル
ム面(銅箔のない面)に、10秒間、低温プラズマ処理
を施した。
第2工程として、上記スパッタ装置内を十分にパージし
てアルゴンガスを導入した後、ガス圧:3X 1O−3
Tarr、 DC電圧=400■ノ条件で、上記回路基
板の低温プラズマ処理面に向けてスパッタし、当該処理
面に厚さ0.5ルmの銅膜を付着形成した。
てアルゴンガスを導入した後、ガス圧:3X 1O−3
Tarr、 DC電圧=400■ノ条件で、上記回路基
板の低温プラズマ処理面に向けてスパッタし、当該処理
面に厚さ0.5ルmの銅膜を付着形成した。
第3工程として、スパッタリング後の加工品をクリーナ
160(メルテックスジャパン■製)にて脱脂し、水洗
し、硫酸で活性化し、さらに、水洗した後、硫酸銅メツ
キ浴中で電解メツキ族して銅膜上に厚さ5 JLrrr
の銅層を形成した。
160(メルテックスジャパン■製)にて脱脂し、水洗
し、硫酸で活性化し、さらに、水洗した後、硫酸銅メツ
キ浴中で電解メツキ族して銅膜上に厚さ5 JLrrr
の銅層を形成した。
こうして得られた両面フレキシブルプリント回路基板は
、銅箔を接着している接着剤の劣化(接着ないし密着不
良)、基板の変形、寸法変化などが殆どみられなかった
。
、銅箔を接着している接着剤の劣化(接着ないし密着不
良)、基板の変形、寸法変化などが殆どみられなかった
。
実施例2
第1工程として、実施例1と同じ片面フレキシブルプリ
ント回路基板を、実施例1と同様低温プラズマ処理を施
した。
ント回路基板を、実施例1と同様低温プラズマ処理を施
した。
第2工程として、実施例と同じ条件で、上記回路基板の
低温プラズマ処理面に厚さ0.1 gtrrのクロム膜
を付着形成した。
低温プラズマ処理面に厚さ0.1 gtrrのクロム膜
を付着形成した。
第3工程として、スパッタリング後の加工品を実施例1
と同様に脱脂、水洗、硫酸活性化、水洗した後、硫酸銅
メツキ浴中で電解メツキ族してクロム膜上に厚さ9 g
raの銅層を形成した。
と同様に脱脂、水洗、硫酸活性化、水洗した後、硫酸銅
メツキ浴中で電解メツキ族してクロム膜上に厚さ9 g
raの銅層を形成した。
こうして得られた両面フレキシブルプリント回路基板も
、実施例1と同様に良好であった。
、実施例1と同様に良好であった。
比較例
第1工程として、実施例1と同じ片面フレキシブルプリ
ント回路基板を、実施例1と同様低温プラズマ処理を施
した。
ント回路基板を、実施例1と同様低温プラズマ処理を施
した。
第2工程として、実施例1と同じ条件で上記回路基板の
低温プラズマ処理面に厚さ2 μmの銅膜を付着形成し
たところ、当該回路基板の表面温度が200℃以上にも
達し、銅箔を接着している接着剤が熱劣化して、良好な
両面フレキシブルプリント回路基板が得られなかった。
低温プラズマ処理面に厚さ2 μmの銅膜を付着形成し
たところ、当該回路基板の表面温度が200℃以上にも
達し、銅箔を接着している接着剤が熱劣化して、良好な
両面フレキシブルプリント回路基板が得られなかった。
r発明の効果J
以上説明した通り、本発明方法によると、金属導体とプ
ラスチックフィルムとの密着性、基板の耐屈曲性、基板
寸法などを阻害することのない良好な両面フレキシブル
プリント回路基板が得られるようになり、その回路基板
の両面に、相対的に電気容量の大きい回路パターン、微
細回路パターンなどを満足に形成することができるので
、電子機器の極薄軽小化、高密度化に貢献することがで
きる。
ラスチックフィルムとの密着性、基板の耐屈曲性、基板
寸法などを阻害することのない良好な両面フレキシブル
プリント回路基板が得られるようになり、その回路基板
の両面に、相対的に電気容量の大きい回路パターン、微
細回路パターンなどを満足に形成することができるので
、電子機器の極薄軽小化、高密度化に貢献することがで
きる。
第1図、第2図、第3図は本発明に係る両面フレキシブ
ルプリント回路基板の製造方法をその工程順に略示した
断面図、第4図は本発明方法により得られた両面フレキ
シブルプリント回路基板に所要の回路パターンが形成さ
れている例を略示した断面図である。 11・・・・・・片面フレキシブルプリント回路基板1
2・・・・・・プラスチックフィルム13・・・・・・
接着剤 14・・・・・・金属導体箔 15・・・・・・金属導体膜 16・・・・・・金属導体層 17・・・・・・両面フレキシブルプリント回路基板代
理人 弁理士 斎 藤 義 雄
ルプリント回路基板の製造方法をその工程順に略示した
断面図、第4図は本発明方法により得られた両面フレキ
シブルプリント回路基板に所要の回路パターンが形成さ
れている例を略示した断面図である。 11・・・・・・片面フレキシブルプリント回路基板1
2・・・・・・プラスチックフィルム13・・・・・・
接着剤 14・・・・・・金属導体箔 15・・・・・・金属導体膜 16・・・・・・金属導体層 17・・・・・・両面フレキシブルプリント回路基板代
理人 弁理士 斎 藤 義 雄
Claims (1)
- プラスチックフィルムの片面に接着剤を介して厚さ1
8μm以上の金属箔導体が張り合わされた片面フレキシ
ブルプリント回路基板を用意し、当該片面フレキシブル
プリント回路基板におけるプラスチックフィルムの残る
片面に、物理的金属蒸着手段を介して厚さ0.1〜0.
5μmの金属導体膜を形成し、さらに、その金属導体膜
の上に、電気化学的金属被覆手段を介して厚さ1〜10
μmの金属導体層を形成することを特徴とする両面フレ
キシブルプリント回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63238489A JP2542428B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 両面フレキシブルプリント回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63238489A JP2542428B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 両面フレキシブルプリント回路基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0287589A true JPH0287589A (ja) | 1990-03-28 |
JP2542428B2 JP2542428B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=17031006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63238489A Expired - Lifetime JP2542428B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 両面フレキシブルプリント回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2542428B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003009655A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Ajinomoto Co., Inc. | Film for circuit board |
US20130260182A1 (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | Caterpillar, Inc. | PCB with Both High and Low Current Traces for Energy Storage Modules |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63238489A patent/JP2542428B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003009655A1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-30 | Ajinomoto Co., Inc. | Film for circuit board |
US20130260182A1 (en) * | 2012-03-27 | 2013-10-03 | Caterpillar, Inc. | PCB with Both High and Low Current Traces for Energy Storage Modules |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2542428B2 (ja) | 1996-10-09 |
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