JPH0644665B2 - 縦方向空洞半導体レーザ装置 - Google Patents
縦方向空洞半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0644665B2 JPH0644665B2 JP2184436A JP18443690A JPH0644665B2 JP H0644665 B2 JPH0644665 B2 JP H0644665B2 JP 2184436 A JP2184436 A JP 2184436A JP 18443690 A JP18443690 A JP 18443690A JP H0644665 B2 JPH0644665 B2 JP H0644665B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor material
- semiconductor
- layer
- laser
- lattice
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3086—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure doping of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/3235—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers
- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体レーザ装置に係わり、特に半導体レー
ザ装置の主面、即ち、水平方向の面からレーザ光を放射
するための縦方向空洞を持つ半導体レーザ装置に関す
る。
ザ装置の主面、即ち、水平方向の面からレーザ光を放射
するための縦方向空洞を持つ半導体レーザ装置に関す
る。
（従来技術） 従来技術では、半導体レーザ装置に於ける一つの有用な
形態として、縦方向空洞レーザ（以下、単に縦方向レー
ザと称する）のカテゴリーに属するものが有る。縦方向
レーザには、プイーナｐｎ接合を含む活性領域が存在す
る。一般的には、このｐｎ接合の面は半導体基板の主面
と平行であり、この半導体基板の主面は水平方向である
とする。縦方向レーザでは、レーザ光は、半導体基板の
上側主面と下側主面のいずれか一方から、あるいはそれ
らの両方から放射され、半導体基板の上部主面と底面主
面のずれか一方か、あるいはそれらの両方に置かれた半
透過型光反射鏡によって、半導体基板内に縦方向光空洞
が生成される。
形態として、縦方向空洞レーザ（以下、単に縦方向レー
ザと称する）のカテゴリーに属するものが有る。縦方向
レーザには、プイーナｐｎ接合を含む活性領域が存在す
る。一般的には、このｐｎ接合の面は半導体基板の主面
と平行であり、この半導体基板の主面は水平方向である
とする。縦方向レーザでは、レーザ光は、半導体基板の
上側主面と下側主面のいずれか一方から、あるいはそれ
らの両方から放射され、半導体基板の上部主面と底面主
面のずれか一方か、あるいはそれらの両方に置かれた半
透過型光反射鏡によって、半導体基板内に縦方向光空洞
が生成される。
縦方向レーザの構造は周方向に対称的にすることができ
る。従って、縦方向レーザは、レーザ光が半導体基板の
側端からレーザ光を放射する「エッジ放射レーザ」のよ
うな他のレーザに較べると、非点収差が比較的に少ない
利点が有る。
る。従って、縦方向レーザは、レーザ光が半導体基板の
側端からレーザ光を放射する「エッジ放射レーザ」のよ
うな他のレーザに較べると、非点収差が比較的に少ない
利点が有る。
一般的には、縦方向レーザの各反射鏡は、屈折率が相違
する二つの半導体によって形成されているスタックのよ
うな四分の一波長スタックによって形成され、その結
果、半導体超格子構造を形成する。縦方向レーザは、例
えば半導体基板上に半導体層、即ち、底部反射鏡、底部
光学的クラッド領域、活性領域、上部クラッド領域及び
上部反射鏡が、次々と空間的に連続してエピタキシャル
成長される二重ヘテロ構造として作成することができ
る。
する二つの半導体によって形成されているスタックのよ
うな四分の一波長スタックによって形成され、その結
果、半導体超格子構造を形成する。縦方向レーザは、例
えば半導体基板上に半導体層、即ち、底部反射鏡、底部
光学的クラッド領域、活性領域、上部クラッド領域及び
上部反射鏡が、次々と空間的に連続してエピタキシャル
成長される二重ヘテロ構造として作成することができ
る。
工学的にポンピングされる半導体レーザにおいては、こ
のレーザによって放射されるべき波長より短い波長の光
放射がこのレーザに当てられて電子分布の反転を引き起
こす。電気的にポンピングされる縦方向空洞半導体レー
ザにおいては、電気的ポンピングを行なうために、上部
電極が上部反射鏡の上部主面上と半導体基板の底部主面
上とに形成される。多くのこのような縦方向レーザを、
溝やその他の分離手段によって、単一のそのような半導
体基板上に作成することが可能であり、このよにして構
築された各レーザから放射されるレーザ光の強度、例え
ば、ＯＮ／ＯＦＦは、同一半導体基板上の他の全レーザ
とは独立して、電気信号によって制御することができ
る。従って、縦方向レーザは、独立に制御できる二つ以
上のレーザ光源が必要とされている実際の応用面に使用
するのに特に魅力がある。一般的には、このような各縦
方向レーザによって放射されるレーザ光の光量は上部電
極を介して注入される電流によって定まる。他にも、マ
スキングとエッチングによって個々のレーザを分離する
ことで、一つの半導体基板から多数の分割された縦方向
レーザを大量に製造することができる。
のレーザによって放射されるべき波長より短い波長の光
放射がこのレーザに当てられて電子分布の反転を引き起
こす。電気的にポンピングされる縦方向空洞半導体レー
ザにおいては、電気的ポンピングを行なうために、上部
電極が上部反射鏡の上部主面上と半導体基板の底部主面
上とに形成される。多くのこのような縦方向レーザを、
溝やその他の分離手段によって、単一のそのような半導
体基板上に作成することが可能であり、このよにして構
築された各レーザから放射されるレーザ光の強度、例え
ば、ＯＮ／ＯＦＦは、同一半導体基板上の他の全レーザ
とは独立して、電気信号によって制御することができ
る。従って、縦方向レーザは、独立に制御できる二つ以
上のレーザ光源が必要とされている実際の応用面に使用
するのに特に魅力がある。一般的には、このような各縦
方向レーザによって放射されるレーザ光の光量は上部電
極を介して注入される電流によって定まる。他にも、マ
スキングとエッチングによって個々のレーザを分離する
ことで、一つの半導体基板から多数の分割された縦方向
レーザを大量に製造することができる。
従来技術において使用されて来た半導体基板は、殆ど砒
化ガリウムあるいは燐化インジウムに限定されていた。
このようなレーザは、一般的に望ましい低い光吸収性と
高い量子効率のレーザ光放射に必要な高品質（低欠陥密
度）のエピタキシャル成長を得るために、二重ヘテロ構
造に極めて近い格子整合要件が必要である。
化ガリウムあるいは燐化インジウムに限定されていた。
このようなレーザは、一般的に望ましい低い光吸収性と
高い量子効率のレーザ光放射に必要な高品質（低欠陥密
度）のエピタキシャル成長を得るために、二重ヘテロ構
造に極めて近い格子整合要件が必要である。
砒化ガリウム（ＧａＡｓ）をベースとするレーザにおい
ては、その必要な格子整合は、ＧａＡｓをベースとする
二元半導体と砒化ガリウム・アルミニウム（ＡｌｘＧａ
１−ｘＡｓ、ｘは０から１までの値）をベースとする三
元半導体との間には、格子整合が充分に近似している特
別な特性があるので、この砒化ガリウム・アルミニウム
（ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、同じくｘは０から１までの
値）をベースとする三元半導体を用いて達成することが
できる。他方、反射鏡スタック内の互いに隣接する二つ
の層の間の各界面に合理的な大きさの光反射性を得るた
めに、また反射鏡スタック内に必要とされる層の数がは
なはだしく大きくなるとここでの光吸収が増大するの
で、このような不所望な厚い構造になるのを避けるた
め、二つの層はそれらの屈折率、ひいてはそれらの化学
組成が合理的に異なっていなければならない。そのう
え、活性領域、即ち放射されるレーザ光の波長を決定す
るバンドギャップは、クラッド領域あるいは反射鏡内で
の不所望な光吸収を避けるために、クラッド領域及び反
射鏡内の層のバンドギャップより常に小さいバンドギャ
ップを持つＧａＡｓ半導体、あるいは格子整合ＩｎＧａ
Ａｓ半導体のような半導体でもって形成される。ＡｌＡ
ｓのバンドギャップは約５．５μｍの真空波長に相当す
る約２．２ｅＶであり、ＧａＡｓにおける約１．４ｅＶ
のバンドギャップ、即ち約０．９μｍの真空波長に相当
するバンドギャップより大きい。この結果、ＧａＡｓレ
ーザは約０．９μｍより短い波長のレーザ光を放射す
る。
ては、その必要な格子整合は、ＧａＡｓをベースとする
二元半導体と砒化ガリウム・アルミニウム（ＡｌｘＧａ
１−ｘＡｓ、ｘは０から１までの値）をベースとする三
元半導体との間には、格子整合が充分に近似している特
別な特性があるので、この砒化ガリウム・アルミニウム
（ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、同じくｘは０から１までの
値）をベースとする三元半導体を用いて達成することが
できる。他方、反射鏡スタック内の互いに隣接する二つ
の層の間の各界面に合理的な大きさの光反射性を得るた
めに、また反射鏡スタック内に必要とされる層の数がは
なはだしく大きくなるとここでの光吸収が増大するの
で、このような不所望な厚い構造になるのを避けるた
め、二つの層はそれらの屈折率、ひいてはそれらの化学
組成が合理的に異なっていなければならない。そのう
え、活性領域、即ち放射されるレーザ光の波長を決定す
るバンドギャップは、クラッド領域あるいは反射鏡内で
の不所望な光吸収を避けるために、クラッド領域及び反
射鏡内の層のバンドギャップより常に小さいバンドギャ
ップを持つＧａＡｓ半導体、あるいは格子整合ＩｎＧａ
Ａｓ半導体のような半導体でもって形成される。ＡｌＡ
ｓのバンドギャップは約５．５μｍの真空波長に相当す
る約２．２ｅＶであり、ＧａＡｓにおける約１．４ｅＶ
のバンドギャップ、即ち約０．９μｍの真空波長に相当
するバンドギャップより大きい。この結果、ＧａＡｓレ
ーザは約０．９μｍより短い波長のレーザ光を放射す
る。
ＩｎＰをベースとするレーザの場合、より長い波長、即
ち、１．７μｍ程度の波長を得ることができる。このよ
うなレーザでは、格子整合が例えばＧａ０．４７Ｉｎ
０．５３Ａｓ三元半導体、即ち格子整合ＧａＩｎＡｓ半
導体、あるいは ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙや、 ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＡｓのような四元半導体を
用いて格子整合を得ることができる。更に、従来技術で
はクラッド領域及び反射鏡内での不所望な光吸収を最小
にし、それによってレーザ動作のための閾値電流を最小
にするために、活性領域のバンドギャップは常にクラッ
ド領域及び反射鏡のバンドギャップより低くなるように
選ばれていた。更にまた、反射鏡スタック内の隣接する
二つの層の間の各界面に合理的な大きさの光反射性を得
るために、それらの二つの層の化学組成は、それらの層
の屈折率に合理的な差異が得られ、ひいてはそれらの界
面に合理的な大きさの光反射が得られるよう、合理的に
異なるように選ばれていた。しかしながら、そうなると
このような要件は光吸収性を高めてしまい、それによっ
てレーザ動作のための閾値電流も高くなってしまう。例
えば、活性領域が格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体と、Ｉｎ
Ｐをベースとするクラッド領域と、四分の一波長厚みを
有する格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体層及び、ＩｎＰ層が
交互して重なる反射鏡とで構成されている、ＩｎＰをベ
ースとするレーザでは、悪いことにその反射鏡スタック
内のＧａＩｎＡｓ半導体層での光吸収性が高く、その結
果、悪いことにレーザ動作のための閾値電流もまた高く
なる。この光吸収性は、例えば１９８５年３月２８日に
発行された「エレクトニック・レターズ」、第２１巻、
第７号の３０３−３０４頁に、「ヘテロ多層ブラッグ反
射器を持つ、ＧａＩｎＡｓＰ面放射レーザ（λ＝１．４
μｍ、７７Ｋ）」の題名で掲載されている論文に記載さ
れているように、反射鏡スタック内の格子整合ＧａＩｎ
Ａｓ半導体層に単に燐を加え同時に反射鏡を構成してい
るＧａＩｎＡｓ半導体層のＧａとＩｎの原子比を変えた
格子整合ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ半導体層を作
ることによって減少させることができるが、悪いこと
に、このような方法は元のＩｎＰ層間の界面で反射性を
減少させ、この方法で得られた ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ半導体層は各層の屈折
率間の差が小さいので、反射鏡スタックには、このスタ
ックの総合反射性を充分高く維持するために多数の四分
一波長厚みを有する層が必要となってしまう。そうする
と、反射鏡スタック内のこのように多数の層が、レーザ
構造内の光路当たりのこのレーザ構造での光吸収を増加
させてしまう。そのうえ、仮に短い波長のレーザ光出
力、即ち光子当たりエネルギーが大きいレーザ光出力を
得るよう努力しても、この光吸収性の問題は厳しく、活
性領域はそのような短い波長の光放射を起こす多数の量
子井戸構造で構成されなければならいであろう。
ち、１．７μｍ程度の波長を得ることができる。このよ
うなレーザでは、格子整合が例えばＧａ０．４７Ｉｎ
０．５３Ａｓ三元半導体、即ち格子整合ＧａＩｎＡｓ半
導体、あるいは ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙや、 ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＡｓのような四元半導体を
用いて格子整合を得ることができる。更に、従来技術で
はクラッド領域及び反射鏡内での不所望な光吸収を最小
にし、それによってレーザ動作のための閾値電流を最小
にするために、活性領域のバンドギャップは常にクラッ
ド領域及び反射鏡のバンドギャップより低くなるように
選ばれていた。更にまた、反射鏡スタック内の隣接する
二つの層の間の各界面に合理的な大きさの光反射性を得
るために、それらの二つの層の化学組成は、それらの層
の屈折率に合理的な差異が得られ、ひいてはそれらの界
面に合理的な大きさの光反射が得られるよう、合理的に
異なるように選ばれていた。しかしながら、そうなると
このような要件は光吸収性を高めてしまい、それによっ
てレーザ動作のための閾値電流も高くなってしまう。例
えば、活性領域が格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体と、Ｉｎ
Ｐをベースとするクラッド領域と、四分の一波長厚みを
有する格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体層及び、ＩｎＰ層が
交互して重なる反射鏡とで構成されている、ＩｎＰをベ
ースとするレーザでは、悪いことにその反射鏡スタック
内のＧａＩｎＡｓ半導体層での光吸収性が高く、その結
果、悪いことにレーザ動作のための閾値電流もまた高く
なる。この光吸収性は、例えば１９８５年３月２８日に
発行された「エレクトニック・レターズ」、第２１巻、
第７号の３０３−３０４頁に、「ヘテロ多層ブラッグ反
射器を持つ、ＧａＩｎＡｓＰ面放射レーザ（λ＝１．４
μｍ、７７Ｋ）」の題名で掲載されている論文に記載さ
れているように、反射鏡スタック内の格子整合ＧａＩｎ
Ａｓ半導体層に単に燐を加え同時に反射鏡を構成してい
るＧａＩｎＡｓ半導体層のＧａとＩｎの原子比を変えた
格子整合ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ半導体層を作
ることによって減少させることができるが、悪いこと
に、このような方法は元のＩｎＰ層間の界面で反射性を
減少させ、この方法で得られた ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ半導体層は各層の屈折
率間の差が小さいので、反射鏡スタックには、このスタ
ックの総合反射性を充分高く維持するために多数の四分
一波長厚みを有する層が必要となってしまう。そうする
と、反射鏡スタック内のこのように多数の層が、レーザ
構造内の光路当たりのこのレーザ構造での光吸収を増加
させてしまう。そのうえ、仮に短い波長のレーザ光出
力、即ち光子当たりエネルギーが大きいレーザ光出力を
得るよう努力しても、この光吸収性の問題は厳しく、活
性領域はそのような短い波長の光放射を起こす多数の量
子井戸構造で構成されなければならいであろう。
（発明の概要） 従って、本発明はこの光吸収性の問題を緩和することが
可能な、ＩｎＰをベースとするレーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
可能な、ＩｎＰをベースとするレーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
ＩｎＰをベースとするレーザにおける上記光吸収の問題
は、格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体で構成されている活性
領域と結合し、ＧａＩｎＡｓ半導体層−ＩｎＰ層構成の
反射鏡スタックを構成している反射鏡層、例えばｎ型格
子整合ＧａＩｎＡｓ半導体層のうち、少なくとも一つの
層を縮退ドーピングすることによって緩和される。この
ｎ型縮退ドーピングによって、少なくともｎ型格子整合
ＧａＩｎＡｓ半導体の場合には、バンド間吸収を減少
し、同時に反射鏡スタックの光反射性への悪影響を回避
できることが実験によって確認された。
は、格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体で構成されている活性
領域と結合し、ＧａＩｎＡｓ半導体層−ＩｎＰ層構成の
反射鏡スタックを構成している反射鏡層、例えばｎ型格
子整合ＧａＩｎＡｓ半導体層のうち、少なくとも一つの
層を縮退ドーピングすることによって緩和される。この
ｎ型縮退ドーピングによって、少なくともｎ型格子整合
ＧａＩｎＡｓ半導体の場合には、バンド間吸収を減少
し、同時に反射鏡スタックの光反射性への悪影響を回避
できることが実験によって確認された。
より一般的には、本発明は縮退ドーピングされた反射鏡
スタック内の層のうち、少なくとも一つの層のバンドギ
ャップ・エネルギー、即ち放射された光子当たりのエネ
ルギーと同等またはそれより高いバンドギャップ・エネ
ルギーを持つ活性領域を有する縦方向空洞半導体レーザ
装置に係わる。一般的に反射鏡スタック内の層のドーピ
ングは、そのバンドギャップを減少し、その結果光吸収
を増大し、従ってレーザ動作の閾値を増加する傾向が有
るが、本発明で求められる縮退ドーピングは、伝導バン
ドの下部域を電荷キャリヤで満たし、その結果バンド間
電子遷移による吸収に必要な光子当たりエネルギーを増
加することによって、上記の傾向を補償する。この結
果、光子当たりエネルギーが高過ぎないかぎり、即ち活
性領域のバンドギャップが反射鏡スタックでの光吸収に
必要な強化バンド間エネルギーより高くないかぎり、反
射鏡スタックでの光吸収が減少され、それによってレー
ザ動作の閾値が低下される。
スタック内の層のうち、少なくとも一つの層のバンドギ
ャップ・エネルギー、即ち放射された光子当たりのエネ
ルギーと同等またはそれより高いバンドギャップ・エネ
ルギーを持つ活性領域を有する縦方向空洞半導体レーザ
装置に係わる。一般的に反射鏡スタック内の層のドーピ
ングは、そのバンドギャップを減少し、その結果光吸収
を増大し、従ってレーザ動作の閾値を増加する傾向が有
るが、本発明で求められる縮退ドーピングは、伝導バン
ドの下部域を電荷キャリヤで満たし、その結果バンド間
電子遷移による吸収に必要な光子当たりエネルギーを増
加することによって、上記の傾向を補償する。この結
果、光子当たりエネルギーが高過ぎないかぎり、即ち活
性領域のバンドギャップが反射鏡スタックでの光吸収に
必要な強化バンド間エネルギーより高くないかぎり、反
射鏡スタックでの光吸収が減少され、それによってレー
ザ動作の閾値が低下される。
このようにして、本発明はまた、活性領域に縮退ドーピ
ングされた格子整合ＧａＩｎＡｓＰ四元半導体、即ちＧ
ａＩｎＡｓとＧａＩｎＰとの多重量子井戸を用いて実現
することができる。この結果、放射された光子当たりエ
ネルギーが増加する。即ち、波長が短縮する。そしてこ
の場合、ｎ型反射鏡はＩｎＰ層と縮退ドーピングされた
格子整合ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ四元半導体層とが交互する
スタックを持つことができる。なお、反射性が幾分か損
なわれ、その結果反射鏡スタックでの光吸収が増加する
が、しかし減少された所望の光吸収性を維持するために
必要な燐が、極く僅かだけ反射鏡スタックに加えられる
ので、反射性の低下や光吸収増加は従来程大きくはな
い。従って、四元半導体層と二元半導体層との界面での
高い反射性は、従来より少量の燐でもって所望状態に減
少される。
ングされた格子整合ＧａＩｎＡｓＰ四元半導体、即ちＧ
ａＩｎＡｓとＧａＩｎＰとの多重量子井戸を用いて実現
することができる。この結果、放射された光子当たりエ
ネルギーが増加する。即ち、波長が短縮する。そしてこ
の場合、ｎ型反射鏡はＩｎＰ層と縮退ドーピングされた
格子整合ｎ型ＧａＩｎＡｓＰ四元半導体層とが交互する
スタックを持つことができる。なお、反射性が幾分か損
なわれ、その結果反射鏡スタックでの光吸収が増加する
が、しかし減少された所望の光吸収性を維持するために
必要な燐が、極く僅かだけ反射鏡スタックに加えられる
ので、反射性の低下や光吸収増加は従来程大きくはな
い。従って、四元半導体層と二元半導体層との界面での
高い反射性は、従来より少量の燐でもって所望状態に減
少される。
（実施例の説明） 図に示すように、レーザ１００はｎ型ＩｎＰ基板１０を
有し、その底面にはオーミック接触金属層９が載置され
ている。このオーミック接触金属層９は、レーザ１００
からのレーザ光を出力させる開孔８を持っている。ｎ型
基板１０には、硫黄あるいは錫のようなドナー不純物
が、一般的には１立方cm当たり約１Ｅ１８（１×１０
１８）の濃度でドーピングされる。ＩｎＰ基板１０の上
面には、四分の一波長厚みを有するＩｎＰ層と、Ｇａ
０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ半導体層、即ち格子整合Ｇａ
ＩｎＡｓ半導体層とが交互するスタックを持つ反射鏡が
載置されている。これら格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体層
は、活性領域が、０．７ｅＶの光子当たりエネルギーに
相当する約１．６５μｍの真空波長を持つ光放射を行な
う場合、硫黄あるいは錫のようなドナー不純物を加える
ことにより少なくとも１立方cm当たり約４Ｅ１８の自由
移動電子濃度に縮退ドーピングされる利点が有り、約
１．５５μｍの波長を持つ光放射を行なう場合、硫黄あ
るいは錫のようなドナー不純物を与えることにより、少
なくとも１立方cm当たり約２Ｅ１９の自由移動電子濃度
に縮退ドーピングされる利点が有る。更に、この反射鏡
スタック内の各ＩｎＰ層は、１．６５μｍの波長を持つ
光放射を行なう場合及び、１．５５μｍの波長を持つ光
放射を行なう場合の両方共、少なくとも１立方cm当たり
約１Ｅ１８のドナー原子濃度にドーピングされる利点が
有る。これらＩｎＰ層をドーピングする目的は、スタッ
クに合理的な電気伝導性を得ることにある。
有し、その底面にはオーミック接触金属層９が載置され
ている。このオーミック接触金属層９は、レーザ１００
からのレーザ光を出力させる開孔８を持っている。ｎ型
基板１０には、硫黄あるいは錫のようなドナー不純物
が、一般的には１立方cm当たり約１Ｅ１８（１×１０
１８）の濃度でドーピングされる。ＩｎＰ基板１０の上
面には、四分の一波長厚みを有するＩｎＰ層と、Ｇａ
０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ半導体層、即ち格子整合Ｇａ
ＩｎＡｓ半導体層とが交互するスタックを持つ反射鏡が
載置されている。これら格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体層
は、活性領域が、０．７ｅＶの光子当たりエネルギーに
相当する約１．６５μｍの真空波長を持つ光放射を行な
う場合、硫黄あるいは錫のようなドナー不純物を加える
ことにより少なくとも１立方cm当たり約４Ｅ１８の自由
移動電子濃度に縮退ドーピングされる利点が有り、約
１．５５μｍの波長を持つ光放射を行なう場合、硫黄あ
るいは錫のようなドナー不純物を与えることにより、少
なくとも１立方cm当たり約２Ｅ１９の自由移動電子濃度
に縮退ドーピングされる利点が有る。更に、この反射鏡
スタック内の各ＩｎＰ層は、１．６５μｍの波長を持つ
光放射を行なう場合及び、１．５５μｍの波長を持つ光
放射を行なう場合の両方共、少なくとも１立方cm当たり
約１Ｅ１８のドナー原子濃度にドーピングされる利点が
有る。これらＩｎＰ層をドーピングする目的は、スタッ
クに合理的な電気伝導性を得ることにある。
典型的な例では、反射鏡スタック１１は少なくとも１０
乃至２０個の間の空間周期部を持ち、各周期部は、四分
の一波長厚みのＩｎＰ層及び四分の一波長厚みの格子整
合ＧａＩｎＡｓ半導体層を有する。
乃至２０個の間の空間周期部を持ち、各周期部は、四分
の一波長厚みのＩｎＰ層及び四分の一波長厚みの格子整
合ＧａＩｎＡｓ半導体層を有する。
反射鏡スタック１１の上面には、ｎ型ＩｎＰをベースと
する光学クラッド層１２が載置され、このクラッド層１
２の上面には、約０．５μｍ乃至４μｍの厚みを有する
ｐ型あるいはｎ型の格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体による
活性領域、即ち活性層１３が載置される。クラッド層１
２のドーピング・レベルは、活性層１３のドーピング・
レベルと反射鏡スタック１１のドーピング・レベルとの
中間である。いずれにしても、クラッド層１２のドーピ
ング・レベルはレーザのドーピング・レベルとして適す
るようになされ、典型的な例では、１立方cm当たり約１
Ｅ１７乃至５Ｅ１７の濃度になされる。
する光学クラッド層１２が載置され、このクラッド層１
２の上面には、約０．５μｍ乃至４μｍの厚みを有する
ｐ型あるいはｎ型の格子整合ＧａＩｎＡｓ半導体による
活性領域、即ち活性層１３が載置される。クラッド層１
２のドーピング・レベルは、活性層１３のドーピング・
レベルと反射鏡スタック１１のドーピング・レベルとの
中間である。いずれにしても、クラッド層１２のドーピ
ング・レベルはレーザのドーピング・レベルとして適す
るようになされ、典型的な例では、１立方cm当たり約１
Ｅ１７乃至５Ｅ１７の濃度になされる。
上記の代わりに、活性層１３は、ＩｎＰ半導体と、格子
整合ＧａＩｎＡｓ半導体との量子井戸層が交互するよう
に、即ち多重量子井戸層に形成することができる。この
ような場合の典型的な例では、各ＩｎＰ層の厚みの範囲
は、ほぼ５ｎｍ乃至５０ｎｍであり、各ＧａＩｎＡｓ半
導体層の厚みの範囲は、ほぼ１ｎｍ乃至２０ｎｍであ
る。典型的な例では、そのような多重量子井戸層は、１
個から２０個の間の数で空間周期部を有する。
整合ＧａＩｎＡｓ半導体との量子井戸層が交互するよう
に、即ち多重量子井戸層に形成することができる。この
ような場合の典型的な例では、各ＩｎＰ層の厚みの範囲
は、ほぼ５ｎｍ乃至５０ｎｍであり、各ＧａＩｎＡｓ半
導体層の厚みの範囲は、ほぼ１ｎｍ乃至２０ｎｍであ
る。典型的な例では、そのような多重量子井戸層は、１
個から２０個の間の数で空間周期部を有する。
活性層１３の上面には、レーザのドーピング・レベルと
して適するドーピング・レベル、一般的には１立方cm当
たり約１Ｅ１７乃至５Ｅ１７の濃度のドーピング・レベ
ルを持つｐ型ＩｎＰクラッド層１４が載置される。
して適するドーピング・レベル、一般的には１立方cm当
たり約１Ｅ１７乃至５Ｅ１７の濃度のドーピング・レベ
ルを持つｐ型ＩｎＰクラッド層１４が載置される。
このクラッド層１４の上面には、Ｐ型反射鏡スタック１
５が載置される。なお、このｐ型反射鏡スタック１５は
選択的で、省略することもできる。このｐ型反射鏡スタ
ック１５は、四分の一波長厚みを有するＰ型ＩｎＰ層と
四分の一波長厚みを有するＰ型格子整合ＧａＩｎＡｓ半
導体層とが交互する複数の層で構成される。これらの層
は、合理的な電気伝導性を得るのに充分な高さのドーピ
ング・レベルを持ち、典型的な例ではＩｎＰ層に１立方
cm当たり約１Ｅ１８乃至２Ｅ１８の濃度のアクセプター
不純物原子を持ち、ＧａＩｎＡｓ半導体層には１立方cm
当たり約１Ｅ１８乃至５Ｅ１８の濃度のアクセプター不
純物原子を持つ。
５が載置される。なお、このｐ型反射鏡スタック１５は
選択的で、省略することもできる。このｐ型反射鏡スタ
ック１５は、四分の一波長厚みを有するＰ型ＩｎＰ層と
四分の一波長厚みを有するＰ型格子整合ＧａＩｎＡｓ半
導体層とが交互する複数の層で構成される。これらの層
は、合理的な電気伝導性を得るのに充分な高さのドーピ
ング・レベルを持ち、典型的な例ではＩｎＰ層に１立方
cm当たり約１Ｅ１８乃至２Ｅ１８の濃度のアクセプター
不純物原子を持ち、ＧａＩｎＡｓ半導体層には１立方cm
当たり約１Ｅ１８乃至５Ｅ１８の濃度のアクセプター不
純物原子を持つ。
Ｐ型反射鏡スタック１５の上面の限られた部分、あるい
はこのＰ型反射鏡スタック１５が省略されている場合に
は、クラッド層１４の上面の限られた部分に、典型的な
例では金あるいは銀を用いたオーミック接触金属層１６
が載置され、このオーミック接触金属層１６は、活性層
１３で生じてこの層へ入射する光放射のうち、約９５％
乃至９８％を反射する。ここで、反射鏡スタック１５は
それ自身では良好な光学的作用を奏するのに充分な光反
射性を持つことはできず、金属性反射鏡１６が前記空洞
に更に必要とされる光反射性を与えることが注目され
る。
はこのＰ型反射鏡スタック１５が省略されている場合に
は、クラッド層１４の上面の限られた部分に、典型的な
例では金あるいは銀を用いたオーミック接触金属層１６
が載置され、このオーミック接触金属層１６は、活性層
１３で生じてこの層へ入射する光放射のうち、約９５％
乃至９８％を反射する。ここで、反射鏡スタック１５は
それ自身では良好な光学的作用を奏するのに充分な光反
射性を持つことはできず、金属性反射鏡１６が前記空洞
に更に必要とされる光反射性を与えることが注目され
る。
このレーザ１００を製造するには、有機金属気相成長法
（ＭＯＶＰＥ）として知られている成長法や、やはり成
長有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）知られている
成長法によって、あるいは分子線成長法（ＭＢＥ）、あ
るいは水素化物気相成長法（ＶＰＥ）によって、半導体
層１１、１２、１３及び１４を基板１０上で成長させる
ことができる。オーミック接触金属層９は、例えば蒸着
を行なった後、光リソグラフィで所望の環形状を得るよ
うな公知な技法で作ることができる。オーミック接触金
属層１６は、反射金属層を蒸着した後、この技術分野で
知られているように、マスキング及びエッチングを行な
うことにより作られることができる。
（ＭＯＶＰＥ）として知られている成長法や、やはり成
長有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）知られている
成長法によって、あるいは分子線成長法（ＭＢＥ）、あ
るいは水素化物気相成長法（ＶＰＥ）によって、半導体
層１１、１２、１３及び１４を基板１０上で成長させる
ことができる。オーミック接触金属層９は、例えば蒸着
を行なった後、光リソグラフィで所望の環形状を得るよ
うな公知な技法で作ることができる。オーミック接触金
属層１６は、反射金属層を蒸着した後、この技術分野で
知られているように、マスキング及びエッチングを行な
うことにより作られることができる。
ここで、先ず半導体と金属層の全てをＩｎＰ基板１０の
全面の亘って作成し、エッチングによって個々の、即ち
各レーザに一つのオーミック接触金属層１６を作り、オ
ーミック接触金属層９に開孔８をエッチングし、更にそ
の後、マスキング及びエッチング、即ちクリービングに
よって個々のレーザに分離することにより、多数のレー
ザを一個の基板上で製造することができる。それに代わ
る方法としては、多数のレーザを同一の基板１０の上に
集積して残し、同時にこの技術分野で知られているよう
に、溝やあるいはメーサ分離技術法によって相互間の分
離を行なうことができる。
全面の亘って作成し、エッチングによって個々の、即ち
各レーザに一つのオーミック接触金属層１６を作り、オ
ーミック接触金属層９に開孔８をエッチングし、更にそ
の後、マスキング及びエッチング、即ちクリービングに
よって個々のレーザに分離することにより、多数のレー
ザを一個の基板上で製造することができる。それに代わ
る方法としては、多数のレーザを同一の基板１０の上に
集積して残し、同時にこの技術分野で知られているよう
に、溝やあるいはメーサ分離技術法によって相互間の分
離を行なうことができる。
本発明を特定の実施例に関連して詳細に説明したが、種
々の変更を本発明の範囲から逸脱することなく為すこと
が可能である。例えば、放射されたレーザ光の光子当た
りエネルギーを増加するために、即ちレーザ光の波長を
短縮するために、能動領域に、格子整合ＧａＩｎＡｓＰ
四元半導体を形成する量の燐を含有させることができ
る。このような場合、上記したように活性領域に燐を含
有する、即ちＩｎＰ半導体の多重量子井戸を用いるか、
あるいは何らかの他の技術を用いる場合のような光子当
たりエネルギーを増加させる他の場合と同じく、格子整
合ＧａＩｎＡｓ三元波動体の代わりに、ｎ型の縮退ドー
ピング格子整合 ＧａＩｎＡｓＰ四元半導体を反射鏡スタック内に使用す
ることが可能となる利点がある。
々の変更を本発明の範囲から逸脱することなく為すこと
が可能である。例えば、放射されたレーザ光の光子当た
りエネルギーを増加するために、即ちレーザ光の波長を
短縮するために、能動領域に、格子整合ＧａＩｎＡｓＰ
四元半導体を形成する量の燐を含有させることができ
る。このような場合、上記したように活性領域に燐を含
有する、即ちＩｎＰ半導体の多重量子井戸を用いるか、
あるいは何らかの他の技術を用いる場合のような光子当
たりエネルギーを増加させる他の場合と同じく、格子整
合ＧａＩｎＡｓ三元波動体の代わりに、ｎ型の縮退ドー
ピング格子整合 ＧａＩｎＡｓＰ四元半導体を反射鏡スタック内に使用す
ることが可能となる利点がある。
（発明の効果） いずにしても、本発明により、活性領域のバンドギャッ
プは、反射鏡の三元半導体層あるいは四元半導体層のバ
ンドギャップと同等またはそれ以上になる。しかし、レ
ーザ動作の閾値は反射鏡スタックの縮退ドーピングによ
って低下し、電気的なバンド間光吸収が抑圧される。
プは、反射鏡の三元半導体層あるいは四元半導体層のバ
ンドギャップと同等またはそれ以上になる。しかし、レ
ーザ動作の閾値は反射鏡スタックの縮退ドーピングによ
って低下し、電気的なバンド間光吸収が抑圧される。
なお、特許請求の範囲に記載された参照番号は、発明を
理解し易くするためのものであって、その範囲を制限す
るよう解釈されるべきではない。
理解し易くするためのものであって、その範囲を制限す
るよう解釈されるべきではない。
【図面の簡単な説明】 図は本発明の特定の実施例に基づく縦方向空洞半導体レ
ーザ装置を示す断面図である。
ーザ装置を示す断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アードマン フレデリック シュバート アメリカ合衆国，07974 ニュージャージ ィ ニュープロビデンス，ウッドランド ロード 70 (56)参考文献 特開 昭56−48192（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−86883（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−264285（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−156589（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】光放射を起こす能動領域（１３）と、それ
ぞれがほぼ四分の一波長厚みを持つ第一半導体材料層及
びこの第一半導体材料層とは異なる材料でなる四分の一
波長厚みを持つ第二半導体材料層とで構成される複数の
空間周期部を有する前記光放射を反射する反射鏡スタッ
ク（１１）とから成る縦方向空洞半導体レーザ装置（１
００）に於いて、 前記第二半導体材料層の各層は、前記光放射がの光子当
たりエネルギーと同等以下のバンドギャップを有し、 前記第二半導体材料層の各層は、この第二半導体材料層
を縮退させ、前記光放射の吸収を著しく低下させるのに
充分な不純物濃度を含む ことを特徴とする縦方向空洞半導体レーザ装置。 - 【請求項２】前記第一半導体材料は、ＩｎＰであり、前
記第二半導体材料及び能動領域は、格子整合したＧａＩ
ｎＡｓであることを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項３】前記第一半導体材料は、ＩｎＰであり、前
記第二半導体材料は、格子整合したＧａＩｎＡｓである
ことを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項４】前記第二半導体材料は、少なくとも１立方
cm当たり約１Ｅ１９（１×１０１９）のドーピング・レ
ベルを持つｎ型のＧａＩｎＡｓあるいはＧａＩｎＡｓＰ
であることを特徴とする請求項１記載の装置。 - 【請求項５】前記ドーピング・レベルが、少なくとも１
立方cm当たり約１Ｅ２０（１×１０２０）であることを
特徴とする請求項４記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US472145 | 1990-01-30 | ||
| US07/472,145 US5018157A (en) | 1990-01-30 | 1990-01-30 | Vertical cavity semiconductor lasers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03236295A JPH03236295A (ja) | 1991-10-22 |
| JPH0644665B2 true JPH0644665B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=23874370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2184436A Expired - Lifetime JPH0644665B2 (ja) | 1990-01-30 | 1990-07-13 | 縦方向空洞半導体レーザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5018157A (ja) |
| JP (1) | JPH0644665B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19644780A1 (de) * | 1995-10-27 | 1997-04-30 | Yamaha Corp | Klaviaturmusikinstrument zum Spiel bzw. für Fingerübungen auf der Klaviatur ohne akustische Klänge |
| DE19639710B4 (de) * | 1995-09-28 | 2007-03-22 | Kabushiki Kaisha Kawai Gakki Seisakusho, Hamamatsu | Elektronisches Piano |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5115441A (en) * | 1991-01-03 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity surface emmitting lasers with transparent electrodes |
| US5208820A (en) * | 1991-01-08 | 1993-05-04 | Nec Corporation | Optical device with low-resistive multi-level reflecting structure |
| US5170407A (en) * | 1991-10-11 | 1992-12-08 | At&T Bell Laboratories | Elimination of heterojunction band discontinuities |
| US5206871A (en) * | 1991-12-27 | 1993-04-27 | At&T Bell Laboratories | Optical devices with electron-beam evaporated multilayer mirror |
| US5226053A (en) * | 1991-12-27 | 1993-07-06 | At&T Bell Laboratories | Light emitting diode |
| JP3052552B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2000-06-12 | 株式会社日立製作所 | 面発光型半導体レーザ |
| US5351256A (en) * | 1993-04-28 | 1994-09-27 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electrically injected visible vertical cavity surface emitting laser diodes |
| GB2304993B (en) * | 1995-08-23 | 1997-08-06 | Toshiba Cambridge Res Center | Semiconductor device |
| DE19535778A1 (de) * | 1995-09-26 | 1997-03-27 | Siemens Ag | Strahlungsemittierende Halbleitervorrichtung |
| DE19723677A1 (de) * | 1997-06-05 | 1998-12-10 | Siemens Ag | Optoelektronisches Halbleiterbauelement |
| US5960024A (en) | 1998-03-30 | 1999-09-28 | Bandwidth Unlimited, Inc. | Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy |
| US6535541B1 (en) | 1998-04-14 | 2003-03-18 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6760357B1 (en) | 1998-04-14 | 2004-07-06 | Bandwidth9 | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487230B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493371B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493372B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US5991326A (en) | 1998-04-14 | 1999-11-23 | Bandwidth9, Inc. | Lattice-relaxed verticle optical cavities |
| US6493373B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487231B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6301281B1 (en) | 1998-08-31 | 2001-10-09 | Agilent Technologies, Inc. | Semiconductor laser having co-doped distributed bragg reflectors |
| US6226425B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-05-01 | Bandwidth9 | Flexible optical multiplexer |
| US6233263B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-05-15 | Bandwidth9 | Monitoring and control assembly for wavelength stabilized optical system |
| US6275513B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-14 | Bandwidth 9 | Hermetically sealed semiconductor laser device |
| US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
| US6480520B1 (en) * | 2000-04-17 | 2002-11-12 | Mp Technologies Llc | Aluminum-free vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) |
| NL1015714C2 (nl) * | 2000-07-14 | 2002-01-15 | Dsm Nv | Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur. |
| EP1294063B1 (en) * | 2001-09-18 | 2004-12-08 | Avalon Photonics AG | Indium-phoshpide-based vertical-cavity surface-emitting laser |
| DE10219345B4 (de) * | 2002-04-30 | 2011-05-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Co-Dotierung |
| JP4126980B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2008-07-30 | 豊田合成株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザ素子 |
| US7072376B2 (en) * | 2004-09-16 | 2006-07-04 | Corning Incorporated | Method of manufacturing an InP based vertical cavity surface emitting laser and device produced therefrom |
| US7483212B2 (en) * | 2006-10-11 | 2009-01-27 | Rensselaer Polytechnic Institute | Optical thin film, semiconductor light emitting device having the same and methods of fabricating the same |
| US9461201B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-10-04 | Cree, Inc. | Light emitting diode dielectric mirror |
| US7915629B2 (en) * | 2008-12-08 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Composite high reflectivity layer |
| US8217410B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-07-10 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Hybrid vertical cavity light emitting sources |
| US9362459B2 (en) | 2009-09-02 | 2016-06-07 | United States Department Of Energy | High reflectivity mirrors and method for making same |
| US9435493B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-09-06 | Cree, Inc. | Hybrid reflector system for lighting device |
| US10243121B2 (en) | 2011-06-24 | 2019-03-26 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip with improved reliability |
| US9728676B2 (en) | 2011-06-24 | 2017-08-08 | Cree, Inc. | High voltage monolithic LED chip |
| US10658546B2 (en) | 2015-01-21 | 2020-05-19 | Cree, Inc. | High efficiency LEDs and methods of manufacturing |
| RU188629U1 (ru) * | 2018-12-21 | 2019-04-18 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Гетероструктура вертикально-излучающего лазера |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6081888A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-09 | Rohm Co Ltd | 面発光レ−ザおよびその製造方法 |
| JPS6097684A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-31 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ |
| JPS6446996A (en) * | 1988-08-03 | 1989-02-21 | Agency Ind Science Techn | Method for realizing optical bistable function and optical bistable function element |
| JPH0264285A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-05 | Matsushita Refrig Co Ltd | 密閉型回転式冷媒ポンプ |
-
1990
- 1990-01-30 US US07/472,145 patent/US5018157A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-07-13 JP JP2184436A patent/JPH0644665B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19639710B4 (de) * | 1995-09-28 | 2007-03-22 | Kabushiki Kaisha Kawai Gakki Seisakusho, Hamamatsu | Elektronisches Piano |
| DE19644780A1 (de) * | 1995-10-27 | 1997-04-30 | Yamaha Corp | Klaviaturmusikinstrument zum Spiel bzw. für Fingerübungen auf der Klaviatur ohne akustische Klänge |
| DE19644780C2 (de) * | 1995-10-27 | 2002-01-10 | Yamaha Corp | Klaviaturmusikinstrument zum Spiel bzw. für Fingerübungen auf der Klaviatur ohne akustische Klänge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03236295A (ja) | 1991-10-22 |
| US5018157A (en) | 1991-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0644665B2 (ja) | 縦方向空洞半導体レーザ装置 | |
| US4991179A (en) | Electrically pumped vertical cavity laser | |
| US5568499A (en) | Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors | |
| US6912236B2 (en) | Semiconductor laser device having lower threshold current | |
| JP2016036050A (ja) | 高インジウムおよび低アルミニウムを有する量子井戸と高アルミニウムおよび低インジウムを有するバリア層とを備えトラップが削減されたレーザ | |
| US20070223549A1 (en) | High-Power Optoelectronic Device with Improved Beam Quality Incorporating A Lateral Mode Filtering Section | |
| JP2628801B2 (ja) | 半導体レーザ構造体 | |
| JP3143662B2 (ja) | 光―電子半導体素子 | |
| US9350138B2 (en) | Single-step-grown transversely coupled distributed feedback laser | |
| JPH04229688A (ja) | 半導体垂直キャビティ面発光レーザ | |
| JP2008503090A (ja) | ＩｎＰ基板上のＩＩ−ＶＩ／ＩＩＩ−Ｖ層状構造 | |
| KR20040041730A (ko) | 전류 제한 구조를 갖는 반도체 광소자 | |
| US10651628B2 (en) | Micropillar optoelectronic device | |
| JP5029254B2 (ja) | 面発光レーザ | |
| US6878958B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser with buried dielectric distributed Bragg reflector | |
| JPH05283808A (ja) | 低抵抗のブラッグ反射層を備えた表面発光レーザ | |
| US6931044B2 (en) | Method and apparatus for improving temperature performance for GaAsSb/GaAs devices | |
| CN113675726A (zh) | 一种高速垂直腔面发射激光器的外延结构 | |
| US8548022B2 (en) | Single-frequency distributed feedback laser diode with complex-coupling coefficient and transparent conductive cladding layer | |
| KR100545113B1 (ko) | 가시파장의수직공동표면방출레이저 | |
| JPH05283806A (ja) | 選択的に設置された損失部を有する分布帰還型レーザーダイオード | |
| JPH04350988A (ja) | 量子井戸構造発光素子 | |
| Modak et al. | AlGaInP microcavity light-emitting diodes at 650 nm on Ge substrates | |
| Namegaya et al. | 1.48 mu m high-power GaInAsP-InP graded-index separate-confinement-heterostructure multiple-quantum-well laser diodes | |
| Su et al. | A novel vertical-cavity surface-emitting laser with semiconductor/superlattice distributed bragg reflectors |