JP2628801B2 - 半導体レーザ構造体 - Google Patents
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- H01S5/32391—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength longer than 1000 nm, e.g. InP-based 1300 nm and 1500 nm lasers based on In(Ga)(As)P
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザを有する光
学システムに係り、特に半導体主要（水平）面を通る放
出光（放射光）の縦型キャビティレーザを有する光学シ
ステムに関する。
学システムに係り、特に半導体主要（水平）面を通る放
出光（放射光）の縦型キャビティレーザを有する光学シ
ステムに関する。
【０００２】
【従来技術】従来の光学システムにおいて、半導体レー
ザの１つの有用な構造体に縦キャビティ（単に縦型）レ
ーザがある。縦型レーザにおいては、プレーナｐｎ接合
を有する半導体本体（基板）に活性領域がある。一般
に、このｐｎ接合面は半導体基板本体の主要面に平行で
ある。本明細書では基板の主要面を水平と考える。縦型
レーザにおいては、半導体本体の上面もしくは底（主
要）面、またはその両面から光は放出され、縦型光キャ
ビテイはこの上面もしくは底面または両面上の位置にあ
る反射光ミラーにより形成される。
ザの１つの有用な構造体に縦キャビティ（単に縦型）レ
ーザがある。縦型レーザにおいては、プレーナｐｎ接合
を有する半導体本体（基板）に活性領域がある。一般
に、このｐｎ接合面は半導体基板本体の主要面に平行で
ある。本明細書では基板の主要面を水平と考える。縦型
レーザにおいては、半導体本体の上面もしくは底（主
要）面、またはその両面から光は放出され、縦型光キャ
ビテイはこの上面もしくは底面または両面上の位置にあ
る反射光ミラーにより形成される。
【０００３】縦型レーザ構造体は円対称とすることがで
きる。従って、縦型レーザは非点収差が比較的小さいと
いう利点を有する。また縦型レーザは比較的大きい開口
部を有するため、他のレーザ例えば“エッジ”レーザ
（光が半導体本体の側面端部から放出されるもの）と比
較すると発生ビームの発散が小さいという利点をさらに
有する。
きる。従って、縦型レーザは非点収差が比較的小さいと
いう利点を有する。また縦型レーザは比較的大きい開口
部を有するため、他のレーザ例えば“エッジ”レーザ
（光が半導体本体の側面端部から放出されるもの）と比
較すると発生ビームの発散が小さいという利点をさらに
有する。
【０００４】縦型レーザは、一般に、例えば次の半導体
層を半導体基板上に空間的に順次配列するように連続し
てエピタキシャル成長させて得られたダブルヘテロ構造
体（２つの化学的に異なる材料の接合を有する）として
形成される。すなわち、底部ミラー、底部光クラッド領
域、活性領域、上部クラッド領域、および上部ミラーで
ある。一般的に、縦型レーザにおいては、各ミラーは次
のような４分の１波長のスタックにより形成される。
層を半導体基板上に空間的に順次配列するように連続し
てエピタキシャル成長させて得られたダブルヘテロ構造
体（２つの化学的に異なる材料の接合を有する）として
形成される。すなわち、底部ミラー、底部光クラッド領
域、活性領域、上部クラッド領域、および上部ミラーで
ある。一般的に、縦型レーザにおいては、各ミラーは次
のような４分の１波長のスタックにより形成される。
【０００５】例えば異なる化学組成、従って異なる屈折
率を有する２種の半導体材料の交互層により形成される
ミラースタックで、半導体超格子を形成するものであ
る。光の反射を最大にして超格子の周期数を最小にし、
望ましくない縦電気抵抗と不要なパワー散逸を最小にす
るために、これらの屈折率の差が大きくなるようにミラ
ースタックに対する半導体材料を選択する。
率を有する２種の半導体材料の交互層により形成される
ミラースタックで、半導体超格子を形成するものであ
る。光の反射を最大にして超格子の周期数を最小にし、
望ましくない縦電気抵抗と不要なパワー散逸を最小にす
るために、これらの屈折率の差が大きくなるようにミラ
ースタックに対する半導体材料を選択する。
【０００６】光学的にポンプされた半導体レーザにおい
ては、レーザにより放出される波長より短い波長の光放
射をレーザに送ると電子数の反転分布が起こる。一般的
には、電気的にポンプ（駆動）された縦型キャビテイ半
導体レーザにおいては、上部ミラーの上部主要面上に形
成された上部電極と半導体基板の底部主要面上に形成さ
れた底部電極との間に電流が流れる。
ては、レーザにより放出される波長より短い波長の光放
射をレーザに送ると電子数の反転分布が起こる。一般的
には、電気的にポンプ（駆動）された縦型キャビテイ半
導体レーザにおいては、上部ミラーの上部主要面上に形
成された上部電極と半導体基板の底部主要面上に形成さ
れた底部電極との間に電流が流れる。
【０００７】多数のこのような縦型レーザは、次のよう
に溝または他の隔離により単一のこのような基板上に形
成することができる。すなわち、各レーザにより放出さ
れる光の強度が、例えばオンとオフのように、基板上の
他の全てのレーザとは独立に電気信号で制御されるよう
に形成される。従って、縦レーザは単一基板上に独立に
制御できる光源を２個以上所望する場合、実用上特に魅
力がある。またレーザ各個をマスキングしエッチングし
て、単一基板から多数の個別縦レーザを大量生産するこ
とができる。
に溝または他の隔離により単一のこのような基板上に形
成することができる。すなわち、各レーザにより放出さ
れる光の強度が、例えばオンとオフのように、基板上の
他の全てのレーザとは独立に電気信号で制御されるよう
に形成される。従って、縦レーザは単一基板上に独立に
制御できる光源を２個以上所望する場合、実用上特に魅
力がある。またレーザ各個をマスキングしエッチングし
て、単一基板から多数の個別縦レーザを大量生産するこ
とができる。
【０００８】従来、ダブルヘテロ構造体の縦型レーザに
使用されてきた半導体基板は、殆どヒ化ガリウムもしく
はリン化インジウムであった。それは光吸収の小さい、
量子効率の大きい、望ましい光放出に必要な高品位の
（欠陥密度の低い）エピタキシャル成長を得るために
は、ミラーも含め、ダブルヘテロ構造体では非常に近似
し整合する格子を有するレーザを形成する必要があると
考えられてきた。
使用されてきた半導体基板は、殆どヒ化ガリウムもしく
はリン化インジウムであった。それは光吸収の小さい、
量子効率の大きい、望ましい光放出に必要な高品位の
（欠陥密度の低い）エピタキシャル成長を得るために
は、ミラーも含め、ダブルヘテロ構造体では非常に近似
し整合する格子を有するレーザを形成する必要があると
考えられてきた。
【０００９】従って、スタックの隣接層間の屈折率差を
同時に大きく取ろうとするとミラースタックに対する材
料の選択幅は狭く限られていた。次に一般に、この半導
体材料の選択の幅が限られることから伝導帯と価電子帯
のバンド端部における不連続性が大きく望ましくない。
そして、ミラースタックの隣接層界面で電子と正孔の両
者に対し、高い量子反射係数と他の電荷移動障壁（有効
障壁）があるためミラースタックにより示される電気抵
抗は高く望ましくない。次にこの抵抗が高いことからレ
ーザにおけるパワー損失（散逸）が大きく望ましくない
結果となる。
同時に大きく取ろうとするとミラースタックに対する材
料の選択幅は狭く限られていた。次に一般に、この半導
体材料の選択の幅が限られることから伝導帯と価電子帯
のバンド端部における不連続性が大きく望ましくない。
そして、ミラースタックの隣接層界面で電子と正孔の両
者に対し、高い量子反射係数と他の電荷移動障壁（有効
障壁）があるためミラースタックにより示される電気抵
抗は高く望ましくない。次にこの抵抗が高いことからレ
ーザにおけるパワー損失（散逸）が大きく望ましくない
結果となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで、大きな電気抵
抗とパワー散逸の大きいという問題点の少ない縦型レー
ザが望まれている。
抗とパワー散逸の大きいという問題点の少ない縦型レー
ザが望まれている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体縦レーザ
構造体は、その非発光面上にミラースタックを有し、こ
のミラースタックは、スタックにおける多数キャリヤに
対し、比較的小さい、約５０ｍｅＶ未満の、すなわち約
２ｋＴ（ただしｋ＝ボルツマン定数、Ｔ＝室温）に等し
い値のバンド端部の不連続性を有する格子不整合の材料
から形成されるものである。
構造体は、その非発光面上にミラースタックを有し、こ
のミラースタックは、スタックにおける多数キャリヤに
対し、比較的小さい、約５０ｍｅＶ未満の、すなわち約
２ｋＴ（ただしｋ＝ボルツマン定数、Ｔ＝室温）に等し
い値のバンド端部の不連続性を有する格子不整合の材料
から形成されるものである。
【００１２】この目的を達成するためには、格子不整合
は一般的に約０．２０もしくは０．３０％から３．０％
以上の範囲である。このようにすると、電気抵抗とパワ
ー散逸を顕著に削減することができ、同時に上部ミラー
スタックにおける隣接層間の屈折率差が大きい適切な構
造体を得ることができる。さらにまた、格子不整合に起
因する格子欠陥（すなわちディスローケーション ライ
ン）により電流に対する有効な縦伝導路を与え、電気抵
抗を減少できる。
は一般的に約０．２０もしくは０．３０％から３．０％
以上の範囲である。このようにすると、電気抵抗とパワ
ー散逸を顕著に削減することができ、同時に上部ミラー
スタックにおける隣接層間の屈折率差が大きい適切な構
造体を得ることができる。さらにまた、格子不整合に起
因する格子欠陥（すなわちディスローケーション ライ
ン）により電流に対する有効な縦伝導路を与え、電気抵
抗を減少できる。
【００１３】
【実施例】図１に示すように、光学系は縦型レーザ構造
体１００と、レーザ構造体１００により放射される光出
力ビーム２０の利用手段２００を有する。例えば、縦型
レーザ構造体１００はｎ+ 型リン化インジウム（Ｉｎ
Ｐ）基板本体１０、底部ｎ+ 型ミラースタック１１、底
部ｎ+ 型ＩｎＰクラッド層１２、格子・整合のｐ+ 型ヒ
化インジウム ガリウム（Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ）活性層
１３（波長λ＝１．５５μｍ）、上部ｐ+ 型ＩｎＰクラ
ッド層１４、および上部ｐ+ 型ミラースタック１５（以
下に詳述する）からなる。
体１００と、レーザ構造体１００により放射される光出
力ビーム２０の利用手段２００を有する。例えば、縦型
レーザ構造体１００はｎ+ 型リン化インジウム（Ｉｎ
Ｐ）基板本体１０、底部ｎ+ 型ミラースタック１１、底
部ｎ+ 型ＩｎＰクラッド層１２、格子・整合のｐ+ 型ヒ
化インジウム ガリウム（Ｉｎx Ｇａ1-x Ａｓ）活性層
１３（波長λ＝１．５５μｍ）、上部ｐ+ 型ＩｎＰクラ
ッド層１４、および上部ｐ+ 型ミラースタック１５（以
下に詳述する）からなる。
【００１４】この基板１０上にある開口部８を有する底
部電極９とミラースタック１５の上部面上にある上部電
極１６を有する。“格子整合”のＩｎＧａＡｓは、Ｉｎ
x Ｇａ1-x Ａｓでｘ＝０．５３のものを指す。上部クラ
ッド層１４、活性領域１３、底部クラッド層１２、底部
ミラースタック１１、および基板１０は相互に格子が整
合するものである。しかし、上部ミラースタック１５は
格子が不整合である。すなわち、これは格子・不整合の
層を少なくとも１つを有し、これにより上部ミラースタ
ックに所望のディスローケーションを組み込む。
部電極９とミラースタック１５の上部面上にある上部電
極１６を有する。“格子整合”のＩｎＧａＡｓは、Ｉｎ
x Ｇａ1-x Ａｓでｘ＝０．５３のものを指す。上部クラ
ッド層１４、活性領域１３、底部クラッド層１２、底部
ミラースタック１１、および基板１０は相互に格子が整
合するものである。しかし、上部ミラースタック１５は
格子が不整合である。すなわち、これは格子・不整合の
層を少なくとも１つを有し、これにより上部ミラースタ
ックに所望のディスローケーションを組み込む。
【００１５】底部ｎ+ 型ミラースタック１１は、一般的
に次の層の約２０以上の周期からなる。すなわち、ｎ+
型ＩｎＰと格子・整合のｎ+ 型ＩｎＧａＡｓの４分の１
波長の厚さの交互層である。（つまり、各周期はｎ+ Ｉ
ｎＰの４分の１波長の厚さの層と格子・整合のｎ+ 型Ｉ
ｎＧａＡｓの４分の１波長の厚さの層を有する。）
に次の層の約２０以上の周期からなる。すなわち、ｎ+
型ＩｎＰと格子・整合のｎ+ 型ＩｎＧａＡｓの４分の１
波長の厚さの交互層である。（つまり、各周期はｎ+ Ｉ
ｎＰの４分の１波長の厚さの層と格子・整合のｎ+ 型Ｉ
ｎＧａＡｓの４分の１波長の厚さの層を有する。）
【００１６】上部ミラースタック１５は、例えば、ｐ+
型ＩｎＰのと格子・不整合のｐ+ 型ヒ化アルミニウムイ
ンジウム（すなわち、Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓでｙが約０．
８２に等しいもの）との４分の１波長の厚さ交互層から
なる。こうして、隣接する格子・不整合層の界面におけ
る価電子帯のバンド端部の不連続性は、次の場合では約
２ｋＴ未満である。
型ＩｎＰのと格子・不整合のｐ+ 型ヒ化アルミニウムイ
ンジウム（すなわち、Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓでｙが約０．
８２に等しいもの）との４分の１波長の厚さ交互層から
なる。こうして、隣接する格子・不整合層の界面におけ
る価電子帯のバンド端部の不連続性は、次の場合では約
２ｋＴ未満である。
【００１７】すなわち、この界面における多数キャリヤ
（正孔）に対する有効障壁を小さくし、従ってさもなけ
ればバント端部の不連続性から電気抵抗が増加するが、
この電気抵抗を小さくするための場合である。この場合
の格子・不整合は約２．２％である。
（正孔）に対する有効障壁を小さくし、従ってさもなけ
ればバント端部の不連続性から電気抵抗が増加するが、
この電気抵抗を小さくするための場合である。この場合
の格子・不整合は約２．２％である。
【００１８】レーザ動作時について述べると、電源７に
よりレーザ構造１００は駆動し、それによりレーザ光放
射の出力ビーム２０はレーザ構造１００から放射され、
利用手段２００に入射する。利用手段は光検出器、光学
レンズ、光ファイバ、またはそれらの組合わせのような
エレメントを含むことができる。
よりレーザ構造１００は駆動し、それによりレーザ光放
射の出力ビーム２０はレーザ構造１００から放射され、
利用手段２００に入射する。利用手段は光検出器、光学
レンズ、光ファイバ、またはそれらの組合わせのような
エレメントを含むことができる。
【００１９】また、例えば、ＩｎＰ基板１０と底部格子
・整合ミラースタック１１は、ドナー不純物、例えば硫
黄もしくはスズ、を約１Ｅ１８／ｃｍ3（１×１０18／
ｃｍ3 ）の濃度に高度にドープされる。光クラッド層１
２の上面の位置に約０．５μｍの厚さの活性領域１３が
ある。底部クラッド層１２のドーピングレベルは、レー
ザに好適な、一般に約１Ｅ１８／ｃｍ3 のレベルにされ
る。
・整合ミラースタック１１は、ドナー不純物、例えば硫
黄もしくはスズ、を約１Ｅ１８／ｃｍ3（１×１０18／
ｃｍ3 ）の濃度に高度にドープされる。光クラッド層１
２の上面の位置に約０．５μｍの厚さの活性領域１３が
ある。底部クラッド層１２のドーピングレベルは、レー
ザに好適な、一般に約１Ｅ１８／ｃｍ3 のレベルにされ
る。
【００２０】上部クラッド層１４について説明すると、
これはレーザに好適な厚さと不純物ドーピングレベル、
例えば約５Ｅ１８／ｃｍ3 のレベルを有し、また段階を
有してもよい。上部ミラースタック１５におけるＡｌy
Ｉｎ1-y Ａｓ層のドーピングレベルは例えば約５Ｅ１８
／ｃｍ3 であり、またこのＩｎＰ層のドーピングレベル
は約５Ｅ１８／ｃｍ3 である。
これはレーザに好適な厚さと不純物ドーピングレベル、
例えば約５Ｅ１８／ｃｍ3 のレベルを有し、また段階を
有してもよい。上部ミラースタック１５におけるＡｌy
Ｉｎ1-y Ａｓ層のドーピングレベルは例えば約５Ｅ１８
／ｃｍ3 であり、またこのＩｎＰ層のドーピングレベル
は約５Ｅ１８／ｃｍ3 である。
【００２１】上部電極１６は、例えば、金または銀のよ
うな物質から作られるが、これはオーム性接点として働
き、また必要に応じミラーとしても働き上部ミラースタ
ック１５による反射を増加する。底部ミラー９の底部開
口部８はレーザ１００からの光の出口となる。
うな物質から作られるが、これはオーム性接点として働
き、また必要に応じミラーとしても働き上部ミラースタ
ック１５による反射を増加する。底部ミラー９の底部開
口部８はレーザ１００からの光の出口となる。
【００２２】格子・不整合のＩｎＧａＡｓの代りに、活
性層１３をＩｎＰと格子・整合のＩｎＧａＡｓの交互
（“多重”）量子井戸層から作ることができる。この場
合、量子井戸ＩｎＰの各層の厚さは約５ないし５０ｎｍ
であり、量子井戸ＩｎＧａＡｓの各層の厚さは約１ない
し２０ｎｍの範囲である。一般に、このような多重量子
井戸層により形成される活性層には１ないし２０の空間
上の周期がある。
性層１３をＩｎＰと格子・整合のＩｎＧａＡｓの交互
（“多重”）量子井戸層から作ることができる。この場
合、量子井戸ＩｎＰの各層の厚さは約５ないし５０ｎｍ
であり、量子井戸ＩｎＧａＡｓの各層の厚さは約１ない
し２０ｎｍの範囲である。一般に、このような多重量子
井戸層により形成される活性層には１ないし２０の空間
上の周期がある。
【００２３】層１１、１２、１３、１４、および１５を
次の知られた方法により形成できる。すなわち、有機金
属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）、有機金属
気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）、モレキュラビーム エピタ
キシャル成長法（ＭＢＥ）、または水素化物気相エピタ
キシャル成長法（ＨＶＰＥ）である。必要に応じ、さら
にアニーリングを行い、上部ミラースタック１５におけ
るバンド端部の不連続性を少なくすることができる。
次の知られた方法により形成できる。すなわち、有機金
属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）、有機金属
気相堆積法（ＭＯＣＶＤ）、モレキュラビーム エピタ
キシャル成長法（ＭＢＥ）、または水素化物気相エピタ
キシャル成長法（ＨＶＰＥ）である。必要に応じ、さら
にアニーリングを行い、上部ミラースタック１５におけ
るバンド端部の不連続性を少なくすることができる。
【００２４】オーム性接点層９は蒸着のような既知の方
法により作られ、次にフォトリソグラフィを行い、例え
ば所望の輪形にすることができる。金属ミラー接点１６
はミラー金属の蒸着のような既知の方法により作られ、
次に既知のマスキングおよびリフトオフまたはエッチン
グを行う。
法により作られ、次にフォトリソグラフィを行い、例え
ば所望の輪形にすることができる。金属ミラー接点１６
はミラー金属の蒸着のような既知の方法により作られ、
次に既知のマスキングおよびリフトオフまたはエッチン
グを行う。
【００２５】単一基板上に多数のレーザを次のように製
造する。すなわち、まずＩｎＰ基板１０の本体面の全面
に全ての半導体と金属の層を形成し、次にエッチングに
より各個金属ミラー接点１６（各レーザにつき１つ）を
形成し、その後オーム性接点９に開口部８をエッチング
し、さらに各レーザ別にマスキングとエッチング（また
は劈開面形成）を行うことにより多数のレーザを形成す
る。また従来既知の方法で多数のレーザを同一基板１０
上でアレイで集積化して残すこともでき、また同時に溝
もしくはメサ分離法により相互に分離することもでき
る。
造する。すなわち、まずＩｎＰ基板１０の本体面の全面
に全ての半導体と金属の層を形成し、次にエッチングに
より各個金属ミラー接点１６（各レーザにつき１つ）を
形成し、その後オーム性接点９に開口部８をエッチング
し、さらに各レーザ別にマスキングとエッチング（また
は劈開面形成）を行うことにより多数のレーザを形成す
る。また従来既知の方法で多数のレーザを同一基板１０
上でアレイで集積化して残すこともでき、また同時に溝
もしくはメサ分離法により相互に分離することもでき
る。
【００２６】以上の説明は、本発明の一実施例に関する
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。例えば放射光の光子当りのエネル
ギーを増加（波長を減少）させるために、活性領域に格
子・整合の４元系ＩｎＧａＡｓＰを形成できる量のリン
を含有させることができる。
もので、この技術分野の当業者であれば、本発明の種々
の変形例が考え得るが、それらはいずれも本発明の技術
的範囲に包含される。例えば放射光の光子当りのエネル
ギーを増加（波長を減少）させるために、活性領域に格
子・整合の４元系ＩｎＧａＡｓＰを形成できる量のリン
を含有させることができる。
【００２７】さらに、随意選択可能なものとして、活性
層１３をＧａＡｓとし次の上部ミラーと組合わせること
もできる。すなわち、ＡｌＡｓとＩｎz Ｇａ1-z Ｐでｚ
が約０．５５に等しい交互層から構成され、これは約
０．３６％の格子・不整合に相当するものである。尚、
特許請求の範囲に記載した参照番号は発明の容易なる理
解のためで、その技術範囲を制限するよう解釈されるべ
きではない。
層１３をＧａＡｓとし次の上部ミラーと組合わせること
もできる。すなわち、ＡｌＡｓとＩｎz Ｇａ1-z Ｐでｚ
が約０．５５に等しい交互層から構成され、これは約
０．３６％の格子・不整合に相当するものである。尚、
特許請求の範囲に記載した参照番号は発明の容易なる理
解のためで、その技術範囲を制限するよう解釈されるべ
きではない。
【００２８】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明により従来よ
り電気抵抗とパワー散逸の小さい縦レーザを提供するこ
とができる。
り電気抵抗とパワー散逸の小さい縦レーザを提供するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の半導体レーザ構造体の側面図
をその光出力の利用手段と共に示す図である。
をその光出力の利用手段と共に示す図である。
７ 電源 ８ 開口部 ９ 底部電極（オーム性接点） １０ 基板 １１ 底部ミラースタック １２ 底部クラッド層 １３ 活性層 １４ 上部クラッド層 １５ 上部ミラースタック １６ 上部電極（金属ミラー接点） ２０ ビーム １００ レーザ（本体） ２００ レーザ利用手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−86883（ＪＰ，Ａ)
Claims (9)
- 【請求項１】 活性半導体層（１３）上に成長させたク
ラッド層（１４）とミラースタック（１５）を有し、ミ
ラースタックは複数の半導体層を含む活性半導体層を有
する半導体レーザ構造体において、 上記ミラースタックの半導体層の少なくとも１つがそれ
に隣接する他の層と格子・不整合であることを特徴とす
る、縦型キャビティ面発光型半導体レーザ構造体。 - 【請求項２】 ミラースタックにおいて、１つおきの層
は第１の格子定数を有し、そのスタックにおける残りの
層は第１の格子定数とは異なる第２の格子定数を有する
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ構造体。 - 【請求項３】 第１の格子定数と第２の格子定数の差は
少なくとも０．３０％であることを特徴とする請求項２
記載のレーザ構造体。 - 【請求項４】 第１の格子定数と第２の格子定数の差は
少なくとも約０．２０％であることを特徴とする請求項
１に記載のレーザ構造体。 - 【請求項５】 格子・不整合は少なくとも０．３０％で
あることを特徴とする請求項１に記載のレーザ構造体。 - 【請求項６】 格子・不整合は少なくとも０．２０％で
あることを特徴とする請求項１に記載のレーザ構造体。 - 【請求項７】 活性層は本質的にＧａＡｓであり、ミラ
ースタックは複数の本質的にＡｌＡｓとＩｎz Ｇａ1-z
Ｐの交互層を含有することを特徴とする請求項１に記載
のレーザ構造体。 - 【請求項８】 活性層は本質的に約１．５５μｍの真空
での波長の光を生成するＩｎＧａＡｓであり、ミラース
タックは複数の本質的にＩｎＰとＡｌy Ｉｎ1-y Ａｓの
交互層を有することを特徴とする請求項１に記載のレー
ザ構造体。 - 【請求項９】 ｙは０．８に等しいことを特徴とする請
求項８に記載の構造体。
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|---|---|---|---|
| US07/506,413 US5012486A (en) | 1990-04-06 | 1990-04-06 | Vertical cavity semiconductor laser with lattice-mismatched mirror stack |
| US506413 | 1990-04-06 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225588A JPH04225588A (ja) | 1992-08-14 |
| JP2628801B2 true JP2628801B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=24014479
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3089095A Expired - Fee Related JP2628801B2 (ja) | 1990-04-06 | 1991-03-29 | 半導体レーザ構造体 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5012486A (ja) |
| JP (1) | JP2628801B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2596195B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1997-04-02 | 日本電気株式会社 | 垂直共振器型面入出力光電融合素子 |
| US5237581A (en) * | 1990-11-14 | 1993-08-17 | Nec Corporation | Semiconductor multilayer reflector and light emitting device with the same |
| US5115441A (en) * | 1991-01-03 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Vertical cavity surface emmitting lasers with transparent electrodes |
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| US5568499A (en) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Sandia Corporation | Optical device with low electrical and thermal resistance bragg reflectors |
| US5633886A (en) * | 1995-08-28 | 1997-05-27 | Motorola | Short wavelength VCSEL with Al-free active region |
| US5724376A (en) * | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
| US5694412A (en) * | 1996-04-08 | 1997-12-02 | He Holdings Inc. | Epitaxial visible-light-emitting devices with light extracted through the substrate and method of making same |
| US5701327A (en) * | 1996-04-30 | 1997-12-23 | Lucent Technologies Inc. | Saturable Bragg reflector structure and process for fabricating the same |
| US7112830B2 (en) * | 2002-11-25 | 2006-09-26 | Apa Enterprises, Inc. | Super lattice modification of overlying transistor |
| US20200321755A1 (en) * | 2019-04-08 | 2020-10-08 | RaySea Technology Inc., R&D | Output-Programmed Vertical Cavity Surface Emitting Laser Array |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6081888A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-09 | Rohm Co Ltd | 面発光レ−ザおよびその製造方法 |
| JPH0740619B2 (ja) * | 1985-10-14 | 1995-05-01 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH0793473B2 (ja) * | 1987-10-06 | 1995-10-09 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体素子 |
| JPH01264285A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Omron Tateisi Electron Co | 面発光型半導体レーザ |
| US4943970A (en) * | 1988-10-24 | 1990-07-24 | General Dynamics Corporation, Electronics Division | Surface emitting laser |
-
1990
- 1990-04-06 US US07/506,413 patent/US5012486A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-29 JP JP3089095A patent/JP2628801B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04225588A (ja) | 1992-08-14 |
| US5012486A (en) | 1991-04-30 |
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|---|---|---|---|
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