JPH0644110Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0644110Y2 JPH0644110Y2 JP1988134485U JP13448588U JPH0644110Y2 JP H0644110 Y2 JPH0644110 Y2 JP H0644110Y2 JP 1988134485 U JP1988134485 U JP 1988134485U JP 13448588 U JP13448588 U JP 13448588U JP H0644110 Y2 JPH0644110 Y2 JP H0644110Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- mounting portion
- mounting
- semiconductor element
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は半導体装置に関し、詳細には放熱板を兼ねる支
持板の一方の主面に半導体素子と回路基板とが固着され
た半導体装置に関する。
持板の一方の主面に半導体素子と回路基板とが固着され
た半導体装置に関する。
従来の技術 例えば、自動車用イグナイタ又はアクチュエータ制御回
路等に使用される電力用ハイブリッドICは、絶縁性の樹
脂材料により形成されたケースと、このケースから導出
された複数の外部端子とを有する。また、ケース内には
外部端子に電気的に接続された半導体素子と、抵抗又は
コンデンサ等の電子素子が配置された回路基板とが収容
されている。
路等に使用される電力用ハイブリッドICは、絶縁性の樹
脂材料により形成されたケースと、このケースから導出
された複数の外部端子とを有する。また、ケース内には
外部端子に電気的に接続された半導体素子と、抵抗又は
コンデンサ等の電子素子が配置された回路基板とが収容
されている。
第７図についてこの種の従来のハイブリッドICを具体的
に説明すると、電力用バイブリッドIC（１）は、放熱板
を兼ねる支持板（２）と、支持板（２）の一方の主面
（2a）に固着された半導体素子（３）及び回路基板
（４）と、半導体素子（３）又は回路基板（４）とリー
ド細線（５）を介して電気的に接続された外部端子
（６）と、支持板（２）と外部端子（６）の一部を被覆
する外囲体（７）とを有する。
に説明すると、電力用バイブリッドIC（１）は、放熱板
を兼ねる支持板（２）と、支持板（２）の一方の主面
（2a）に固着された半導体素子（３）及び回路基板
（４）と、半導体素子（３）又は回路基板（４）とリー
ド細線（５）を介して電気的に接続された外部端子
（６）と、支持板（２）と外部端子（６）の一部を被覆
する外囲体（７）とを有する。
支持板（２）にはその厚み方向に貫通した孔（８）が形
成されている。一般的にこの種の電力用ハイブリッドIC
（１）は第８図に示すように外部放熱体等の支持体
（９）に対してビス（10）とナット（11）で締結されて
取付けられる。ビス（10）は図示のように、支持板
（２）の孔（８）に対応して形成された取付け部（12）
に挿入される。
成されている。一般的にこの種の電力用ハイブリッドIC
（１）は第８図に示すように外部放熱体等の支持体
（９）に対してビス（10）とナット（11）で締結されて
取付けられる。ビス（10）は図示のように、支持板
（２）の孔（８）に対応して形成された取付け部（12）
に挿入される。
考案が解決しようとする課題 今日、この種の電力用ハイブリッドICは種々の電子機器
に実装され、電力用ハイブリッドICを固定する支持体
（９）は必ずしも平板状とは限らない。例えば、第９図
に示すように支持体（９）が湾曲している場合もある。
このように、支持体（９）が湾曲していると従来の電力
用ハイブリッドIC（１）は確実に取付けることができ
ず、また取付け作業も煩雑化する。
に実装され、電力用ハイブリッドICを固定する支持体
（９）は必ずしも平板状とは限らない。例えば、第９図
に示すように支持体（９）が湾曲している場合もある。
このように、支持体（９）が湾曲していると従来の電力
用ハイブリッドIC（１）は確実に取付けることができ
ず、また取付け作業も煩雑化する。
そこで、本考案は、上記問題を解決する一手段を提供す
ることを目的とする。
ることを目的とする。
課題を解決するための手段 本考案による電子部品は、放熱板を兼ねる支持板と、支
持板の主面に固着された半導体素子及び回路基板と、半
導体素子又は回路基板と電気的に接続された複数の外部
端子と、支持板に固定されかつ半導体素子及び回路基板
を包囲するとともに外部端子の一部を被覆する外囲体と
を備えている。支持板と一体に形成された一対の取付け
部は、外囲体から導出される外部端子と略並行な支持板
の一対の端部に、支持板に対して一定角度傾斜して突出
する。外部端子と略並行に孔を支持板の取付け部に形成
し、取付け部の孔に取付け用ビスを挿入して、湾曲した
支持体から突出する取付け部に支持板を固定することが
できる。
持板の主面に固着された半導体素子及び回路基板と、半
導体素子又は回路基板と電気的に接続された複数の外部
端子と、支持板に固定されかつ半導体素子及び回路基板
を包囲するとともに外部端子の一部を被覆する外囲体と
を備えている。支持板と一体に形成された一対の取付け
部は、外囲体から導出される外部端子と略並行な支持板
の一対の端部に、支持板に対して一定角度傾斜して突出
する。外部端子と略並行に孔を支持板の取付け部に形成
し、取付け部の孔に取付け用ビスを挿入して、湾曲した
支持体から突出する取付け部に支持板を固定することが
できる。
本考案の実施例では、支持板の取付け部は外囲体から離
間する方向に傾斜する。支持板は外部端子側に位置する
第１の端部と、第１の端部に対向する第２の端部と、第
１の端部と第２の端部との間に形成された第３の端部及
び第４の端部とを有し、取付け部は第３の端部及び第４
の端部に設けられる。半導体素子は支持板の第１の端部
側及び支持板の第２の端部側にそれぞれ第１の端部と第
２の端部とを有する。半導体素子及び回路基板は支持板
の第１の端部側から支持板上に順次配置され、取付け部
は互いに平行してそれぞれが第３の端部及び第４の端部
に交差する半導体素子の第１の端部側の接線と第２の端
部側の接線との間に配置された部分を有する。取付け部
の長さは支持板の長さよりも小さく、取付け部の平均的
な板厚は支持板の平均的な板厚よりも大きい。
間する方向に傾斜する。支持板は外部端子側に位置する
第１の端部と、第１の端部に対向する第２の端部と、第
１の端部と第２の端部との間に形成された第３の端部及
び第４の端部とを有し、取付け部は第３の端部及び第４
の端部に設けられる。半導体素子は支持板の第１の端部
側及び支持板の第２の端部側にそれぞれ第１の端部と第
２の端部とを有する。半導体素子及び回路基板は支持板
の第１の端部側から支持板上に順次配置され、取付け部
は互いに平行してそれぞれが第３の端部及び第４の端部
に交差する半導体素子の第１の端部側の接線と第２の端
部側の接線との間に配置された部分を有する。取付け部
の長さは支持板の長さよりも小さく、取付け部の平均的
な板厚は支持板の平均的な板厚よりも大きい。
作用 支持板と一体に形成された一対の取付け部は、外囲体か
ら導出される外部端子と略並行な支持板の一対の端部
に、支持板に対して一定角度傾斜して突出するので、取
付け用ビスを使用して、湾曲した支持体に支持板を安定
して固定することができる。また、支持板の取付の際
に、支持板の取付け部に形成した孔に取付け用ビスを挿
入して、湾曲した支持体から突出する取付け部に支持板
を固定するので、支持板の取付が容易である。支持板の
取付け部とその取付け部に形成される孔は外部端子と略
並行に形成されるので、十分なねじ込み長さを確保する
ことができる。
ら導出される外部端子と略並行な支持板の一対の端部
に、支持板に対して一定角度傾斜して突出するので、取
付け用ビスを使用して、湾曲した支持体に支持板を安定
して固定することができる。また、支持板の取付の際
に、支持板の取付け部に形成した孔に取付け用ビスを挿
入して、湾曲した支持体から突出する取付け部に支持板
を固定するので、支持板の取付が容易である。支持板の
取付け部とその取付け部に形成される孔は外部端子と略
並行に形成されるので、十分なねじ込み長さを確保する
ことができる。
実施例 以下、本考案の実施例を第１図〜第６図について説明す
る。これらの図面では第７図〜第９図に示す箇所と同一
の部分には同一の符号を付し説明を省略する。
る。これらの図面では第７図〜第９図に示す箇所と同一
の部分には同一の符号を付し説明を省略する。
放熱板を兼ねる支持板（21）は、外部端子（22）に対向
する第１の端部（21a）と、第１の端部（21a）に対向す
る第２の端部（21b）と、第１及び第２の端部（21a）
（21b）間に形成された第３及び第４の端部（21c）（21
d）とを有する。支持板（21）の一方の主面にはパワー
トランジスタチップである半導体素子（３）と回路基板
（４）とがそれぞれ半田と接着用樹脂を介して直接に固
着されている。半導体素子（３）は支持板（21）に部分
的に肉厚に形成された台座部（23）上に接着されてい
る。半導体素子（３）及び回路基板（４）は支持板（2
1）上に第１の端部（21a）側から順次配置されており、
支持板（21）の第３の端部（21c）及び第４の端部（21
d）にはそれぞれ支持板（21）と一体にアルミダイキャ
ストで形成された一対の取付け部（24）が設けられてい
る。
する第１の端部（21a）と、第１の端部（21a）に対向す
る第２の端部（21b）と、第１及び第２の端部（21a）
（21b）間に形成された第３及び第４の端部（21c）（21
d）とを有する。支持板（21）の一方の主面にはパワー
トランジスタチップである半導体素子（３）と回路基板
（４）とがそれぞれ半田と接着用樹脂を介して直接に固
着されている。半導体素子（３）は支持板（21）に部分
的に肉厚に形成された台座部（23）上に接着されてい
る。半導体素子（３）及び回路基板（４）は支持板（2
1）上に第１の端部（21a）側から順次配置されており、
支持板（21）の第３の端部（21c）及び第４の端部（21
d）にはそれぞれ支持板（21）と一体にアルミダイキャ
ストで形成された一対の取付け部（24）が設けられてい
る。
半導体素子（３）は略正方形の平面形状を有しており、
支持板（21）の第１の端部（21a）側及び第２の端部（2
1b）側にそれぞれ第１の端部（3a）及び第２の端部（3
b）を有している。
支持板（21）の第１の端部（21a）側及び第２の端部（2
1b）側にそれぞれ第１の端部（3a）及び第２の端部（3
b）を有している。
取付け部（24）は支持板（21）の第３の端部（21c）と
第４の端部（21d）を横切る中心線（25）の上方、即ち
中心線（25）と第１の端部（21a）との間に配置されて
おり、半導体素子（３）の第１の端部（3a）側の接線
（26）と第２の端部（3b）側の接線（27）との間に跨が
って位置する。中心線（25）に直交する方向における取
付け部（24）の長さL2は支持板（21）の長さL1よりも小
さく、取付け部（24）の層厚T2は支持板（21）の層厚T1
よりも大きい。
第４の端部（21d）を横切る中心線（25）の上方、即ち
中心線（25）と第１の端部（21a）との間に配置されて
おり、半導体素子（３）の第１の端部（3a）側の接線
（26）と第２の端部（3b）側の接線（27）との間に跨が
って位置する。中心線（25）に直交する方向における取
付け部（24）の長さL2は支持板（21）の長さL1よりも小
さく、取付け部（24）の層厚T2は支持板（21）の層厚T1
よりも大きい。
取付け部（24）に形成された取付け用ビス挿入用の孔
（28）は支持板（21）の延在する方向（第３及び第４の
端部（21c）（21d）の延在する方向）に延びて形成され
ている。支持板（21）の取付け部（24）と取付け部（2
4）に形成される孔（28）は外部端子（22）と略並行に
形成されるので、十分なねじ込み長さを確保することが
できる。
（28）は支持板（21）の延在する方向（第３及び第４の
端部（21c）（21d）の延在する方向）に延びて形成され
ている。支持板（21）の取付け部（24）と取付け部（2
4）に形成される孔（28）は外部端子（22）と略並行に
形成されるので、十分なねじ込み長さを確保することが
できる。
第２図〜第４図に示すように、外囲体（29）は外部端子
（22）の一部を被覆すると共に、支持板（21）に接着剤
で固着される。本実施例のハイブリッドICは例えば第５
図及び第６図に示すように、自動車用ディストリビュー
タの円筒状のケースを支持体（９）として縦方向に取付
けられる。
（22）の一部を被覆すると共に、支持板（21）に接着剤
で固着される。本実施例のハイブリッドICは例えば第５
図及び第６図に示すように、自動車用ディストリビュー
タの円筒状のケースを支持体（９）として縦方向に取付
けられる。
電力用ハイブリッドICはビス（10）を取付け用ビス挿入
用孔（28）に挿入し、支持体（９）の取付け部（9a）に
対してビス（10）とナット（11）で締結して取付けられ
る。
用孔（28）に挿入し、支持体（９）の取付け部（9a）に
対してビス（10）とナット（11）で締結して取付けられ
る。
本考案の上記の実施例では、下記の効果が得られる。
本実施例の電力用ハイブリッドICは第５図及び第６図
に示すように縦方向に取付けることができるので、湾曲
した形状の支持体（９）に対して安定にかつ容易に取付
けることができる。
に示すように縦方向に取付けることができるので、湾曲
した形状の支持体（９）に対して安定にかつ容易に取付
けることができる。
取付け部（24）が支持板（21）よりも肉厚となってお
り、半導体素子（３）の両側方において支持板（21）に
一体に形成されている。したがって、取付け部（24）が
放熱板の一部として有効に作用し、放熱性の良好な電力
用ハイブリッドICを提供できる。
り、半導体素子（３）の両側方において支持板（21）に
一体に形成されている。したがって、取付け部（24）が
放熱板の一部として有効に作用し、放熱性の良好な電力
用ハイブリッドICを提供できる。
取付け部（24）が外部端子（22）側に位置するので、
支持体（21）に対する取付け安定性が良い。したがっ
て、外部端子（22）への外部導線のネジ留め作業等が良
好に行える。
支持体（21）に対する取付け安定性が良い。したがっ
て、外部端子（22）への外部導線のネジ留め作業等が良
好に行える。
本考案の上記の実施例は種々の変更が可能である。例え
ば、取付け部（24）は支持板（21）の第３の端部（21
c）と第４の端部（21d）を横切る中心線（25）より下方
に長く延びてもよい。しかし、取付け部（24）が放熱板
として有効に作用するのは主として半導体素子（３）の
第１の端部（3a）の接線（26）と第２の端部（3b）の接
線（27）との間であるから、取付け部（24）を延長して
もそれに見合った放熱性向上の効果は期待できないし、
装置の小型化、軽量化を妨げるので望ましいとは言えな
い。
ば、取付け部（24）は支持板（21）の第３の端部（21
c）と第４の端部（21d）を横切る中心線（25）より下方
に長く延びてもよい。しかし、取付け部（24）が放熱板
として有効に作用するのは主として半導体素子（３）の
第１の端部（3a）の接線（26）と第２の端部（3b）の接
線（27）との間であるから、取付け部（24）を延長して
もそれに見合った放熱性向上の効果は期待できないし、
装置の小型化、軽量化を妨げるので望ましいとは言えな
い。
また、取付け部（24）の形状は支持体（９）の形状等に
対応して変更することができる。例えば、一対の取付け
部（24）の支持板（21）に対する角度θ（第４図）を変
えることにより、横幅の減少が可能である。
対応して変更することができる。例えば、一対の取付け
部（24）の支持板（21）に対する角度θ（第４図）を変
えることにより、横幅の減少が可能である。
考案の効果 本考案によれば、縦方向の取り付けが安定に、かつ容易
に行え、さらに放熱性も良好な半導体装置を提供でき
る。
に行え、さらに放熱性も良好な半導体装置を提供でき
る。
第１図は本考案の半導体装置を電力用ハイブリッドICに
応用した場合の支持板の斜視図、第２図、第３図及び第
４図はそれぞれ電力用ハイブリッドICの正面図、平面図
及び底面図、第５図はこの電力用ハイブリッドICを自動
車用ディストリビュータに取付けた状態を示す平面図、
第６図はこの断面図、第７図は従来の電力用ハイブリッ
ドICの平面図、第８図はこの取付け状態を示す側面図、
第９図は湾曲した支持体にこの電力用ハイブリッドICを
取付ける場合の側面図を示す。 （21）……支持板、（21a）……第１の端部、（21b）…
…第２の端部、（21c）……第３の端部、（21d）……第
４の端部、（３）……半導体素子、（3a）……第１の端
部、（3b）……第２の端部、（４）……回路基板、（2
2）……外部端子、（29）……外囲体、（24）……取付
け部、（26）、（27）……接線、（28）……孔、L1……
支持板の長さ、L2……取付け部の長さ、
応用した場合の支持板の斜視図、第２図、第３図及び第
４図はそれぞれ電力用ハイブリッドICの正面図、平面図
及び底面図、第５図はこの電力用ハイブリッドICを自動
車用ディストリビュータに取付けた状態を示す平面図、
第６図はこの断面図、第７図は従来の電力用ハイブリッ
ドICの平面図、第８図はこの取付け状態を示す側面図、
第９図は湾曲した支持体にこの電力用ハイブリッドICを
取付ける場合の側面図を示す。 （21）……支持板、（21a）……第１の端部、（21b）…
…第２の端部、（21c）……第３の端部、（21d）……第
４の端部、（３）……半導体素子、（3a）……第１の端
部、（3b）……第２の端部、（４）……回路基板、（2
2）……外部端子、（29）……外囲体、（24）……取付
け部、（26）、（27）……接線、（28）……孔、L1……
支持板の長さ、L2……取付け部の長さ、
Claims (4)
- 【請求項１】放熱板を兼ねる支持板と、該支持板の主面
に固着された半導体素子及び回路基板と、前記半導体素
子又は回路基板と電気的に接続された複数の外部端子
と、前記支持板に固定されかつ前記半導体素子及び前記
回路基板を包囲するとともに前記外部端子の一部を被覆
する外囲体とを備えた電子部品において、 前記外囲体から導出される前記外部端子と略並行な前記
支持板の一対の端部に、前記支持板に対して一定角度傾
斜して突出する一対の取付け部を前記支持板と一体に形
成し、 前記外部端子と略並行に孔を前記支持板の前記取付け部
に形成し、 前記取付け部の孔に取付け用ビスを挿入して、湾曲した
支持体から突出する取付け部に前記支持板を固定できる
ことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記支持板の取付け部は前記外囲体から離
間する方向に傾斜する実用新案登録請求の範囲第（１）
項に記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記支持板は前記外部端子側に位置する第
１の端部と、該第１の端部に対向する第２の端部と、前
記第１の端部と第２の端部との間に形成された第３の端
部及び第４の端部とを有し、前記取付け部は前記第３の
端部及び第４の端部に設けられる実用新案登録請求の範
囲第（１）項に記載の半導体装置。 - 【請求項４】前記半導体素子は前記支持板の第１の端部
側及び前記支持板の第２の端部側にそれぞれ第１の端部
と第２の端部とを有し、 前記半導体素子及び回路基板は前記支持板の前記第１の
端部側から前記支持板上に順次配置され、該取付け部は
互いに平行してそれぞれが前記第３の端部及び第４の端
部に交差する前記半導体素子の第１の端部側の接線と第
２の端部側の接線との間に配置された部分を有し、 前記取付け部の長さは前記支持板の長さよりも小さく、 前記取付け部の平均的な板厚は前記支持板の平均的な板
厚よりも大きい実用新案登録請求の範囲第（１）項に記
載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988134485U JPH0644110Y2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988134485U JPH0644110Y2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256451U JPH0256451U (ja) | 1990-04-24 |
| JPH0644110Y2 true JPH0644110Y2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=31393283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988134485U Expired - Lifetime JPH0644110Y2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644110Y2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831424U (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | カルソニックカンセイ株式会社 | たわみ軸の潤滑油上り防止装置 |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP1988134485U patent/JPH0644110Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5831424U (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | カルソニックカンセイ株式会社 | たわみ軸の潤滑油上り防止装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0256451U (ja) | 1990-04-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9373563B2 (en) | Semiconductor assembly having a housing | |
| JPH064595Y2 (ja) | ハイブリッドｉｃ | |
| JPH073674Y2 (ja) | 電子装置 | |
| JPH0644110Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0736468U (ja) | 電子部品の放熱構造 | |
| US5260602A (en) | Hybrid integrated-circuit device having an asymmetrical thermal dissipator | |
| CN213988867U (zh) | 红外模组 | |
| JPS6242549Y2 (ja) | ||
| JPH0810230Y2 (ja) | 電気部品と放熱体の取付構造 | |
| JPH073673Y2 (ja) | 発熱素子の放熱構造 | |
| JPS62134957A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2575953Y2 (ja) | 半導体部品取付構造 | |
| JPH047175U (ja) | ||
| JPS6141240Y2 (ja) | ||
| JPS635248Y2 (ja) | ||
| JPH0747915Y2 (ja) | 電子部品実装構造体 | |
| JP2906635B2 (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JPH0316314Y2 (ja) | ||
| JPS608446Y2 (ja) | フレキシブル基板を利用した絶縁装置 | |
| JP2002141688A (ja) | 回路素子から熱を放散させる装置 | |
| JPS5910796Y2 (ja) | 電気機器の冷却構造 | |
| JPH0536305Y2 (ja) | ||
| JPS6157562U (ja) | ||
| JPS622779Y2 (ja) | ||
| JP2940528B2 (ja) | トランジスタ組立取付用放熱板 |