CN213988867U - 红外模组 - Google Patents
红外模组 Download PDFInfo
- Publication number
- CN213988867U CN213988867U CN202023207115.8U CN202023207115U CN213988867U CN 213988867 U CN213988867 U CN 213988867U CN 202023207115 U CN202023207115 U CN 202023207115U CN 213988867 U CN213988867 U CN 213988867U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- infrared
- infrared module
- metal layer
- chip
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本实用新型提供了一种红外模组，其包括基板和红外芯片。所述基板包括本体，所述本体在其厚度方向上具有第一表面。所述本体设置有凹槽和通孔，所述凹槽设置于所述第一表面上，所述通孔设置于所述凹槽的底面上并沿所述厚度方向贯通本体。所述红外芯片设置于所述本体的凹槽中并面向所述通孔。在本申请的红外模组中，由于红外芯片的至少部分收容在本体的凹槽中，从而降低了红外模组的整体高度，由此使得本申请的红外模组满足小型化及薄型化的设计需求；并且，由于红外芯片的部分经由通孔露出于本体，从而在红外模组的使用过程中，红外芯片能够通过通孔及时进行散热，由此增加了红外模组整体的散热效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及红外探测器技术领域，尤其涉及一种红外模组。
背景技术
由于陶瓷基板自身具有良好的散热性能，则其在红外模组及电子元件封装领域具有较广泛的应用。目前，现有红外模组的陶瓷基板一般为板状结构，而红外芯片都是直接贴装在陶瓷基板的上表面上，这种结构的红外模组的整体高度过高，从而不利于其应用在3C产品的小型化及薄型化上。
实用新型内容
鉴于背景技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种红外模组，其不仅降低了红外模组的整体高度，还增加了散热效果。
为了实现上述目的，本实用新型提供了一种红外模组，其包括基板和红外芯片。所述基板包括本体，所述本体在其厚度方向上具有第一表面。所述本体设置有凹槽和通孔，所述凹槽设置于所述第一表面上，所述通孔设置于所述凹槽的底面上并沿所述厚度方向贯通本体。所述红外芯片设置于所述本体的凹槽中并面向所述通孔。
在根据一些实施例的红外模组中，所述基板还包括第一金属层，所述第一金属层设置在所述凹槽的底面上。所述红外模组还包括焊料片，所述焊料片在所述红外芯片与所述第一金属层之间连接于所述红外芯片和所述第一金属层。
在根据一些实施例的红外模组中，所述本体还具有第二表面，所述第二表面在所述厚度方向上与所述第一表面相对设置。所述基板还包括第二金属层，所述第二金属层设置在所述第二表面上。
在根据一些实施例的红外模组中，所述基板还包括第三金属层，所述第三金属层设置在所述本体的第一表面上。所述红外模组还包括导线，所述导线电连接于所述红外芯片和第三金属层。
在根据一些实施例的红外模组中，所述第三金属层在所述厚度方向上不超出所述红外芯片。
在根据一些实施例的红外模组中，所述基板还包括围框，所述围框设置在所述本体的第一表面上并沿所述厚度方向延伸。所述红外芯片位于所述围框内侧并与所述围框间隔开。
在根据一些实施例的红外模组中，所述红外芯片在所述厚度方向上不超出所述围框。
在根据一些实施例的红外模组中，所述围框与所述本体为一体件。
在根据一些实施例的红外模组中，所述围框与所述本体为分体件。
在根据一些实施例的红外模组中，所述基板为电路板。
本实用新型的有益效果如下：
在本申请的红外模组中，由于红外芯片的至少部分收容在本体的凹槽中，从而降低了红外模组的整体高度，由此使得本申请的红外模组满足小型化及薄型化的设计需求；并且，由于红外芯片的部分经由通孔露出于本体，从而在红外模组的使用过程中，红外芯片能够通过通孔及时进行散热，由此增加了红外模组整体的散热效果。
附图说明
图1是本实用新型的红外模组的结构示意图。
图2是图1中的本体的结构示意图。
图3是图1的俯视图。
图4是图1的变形例。
图5是图4的俯视图。
其中，附图标记说明如下：
1基板 13第二金属层
11本体 14第三金属层
111第一表面 15围框
112凹槽 2红外芯片
113通孔 3焊料片
114第二表面 4导线
12第一金属层 H厚度方向
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下面参照附图来详细说明根据本申请的红外模组。
参照图1至图5，本申请的红外模组包括基板1和红外芯片2。
基板1包括本体11。本体11在其厚度方向H上具有第一表面111和第二表面114，第二表面114在所述厚度方向H上与第一表面111相对设置。
本体11设置有凹槽112和通孔113，凹槽112设置于第一表面111上，通孔113设置于凹槽112的底面上并沿所述厚度方向H贯通本体11。红外芯片2设置于本体11的凹槽112中并面向通孔113。
在本申请的红外模组中，由于红外芯片2的至少部分收容在本体11的凹槽112中，从而降低了红外模组的整体高度，由此使得本申请的红外模组满足小型化及薄型化的设计需求；并且，由于红外芯片2的部分经由通孔113露出于本体11，从而在红外模组的使用过程中，红外芯片2能够通过通孔113及时进行散热，由此增加了红外模组整体的散热效果。
在一些实施例中，参照图1和图4，基板1还包括第一金属层12，第一金属层12设置在凹槽112的底面上。红外模组还包括焊料片3，焊料片3在红外芯片2与第一金属层12之间连接于红外芯片2和第一金属层12。
在一些实施例中，参照图1、图2和图4，基板1还包括第三金属层14，第三金属层14设置在本体11的第一表面11上。红外模组还包括导线4，导线4电连接于红外芯片2(设置有焊盘结构)和第三金属层14。其中，第三金属层14在数量上为多个，所述多个第三金属层14分别通过对应的导线4与红外芯片2上不同的焊盘结构连接，由此形成红外模组的线路。
在一些实施例中，参照图1和图4，为了不增加红外模组的整体高度，第三金属层14在所述厚度方向H上不超出红外芯片2。
在一些实施例中，参照图1和图4，基板1还包括第二金属层13，第二金属层13设置在本体11的第二表面114上，则红外芯片2依次经由第三金属层14、第二金属层13与外部实现导通。
在一些实施例中，参照图4，基板1还包括围框15，围框15设置在本体11的第一表面11上并沿所述厚度方向H延伸，且红外芯片2位于围框15内侧并与围框15间隔开。换句话说，围框15环绕红外芯片2设置。
在一些实施例中，红外芯片2在所述厚度方向H上不超出围框15，由此降低了红外模组的整体高度。
在一些实施例中，围框15与基板1的本体11为一体件，且围框15与本体11可由陶瓷材料一体制成。
在一些实施例中，围框15与基板1的本体11为分体件。其中，基板1的本体11由陶瓷材料制成，而围框15由金属材料制成并与本体11连接。
在一些实施例中，基板1为电路板。
Claims (10)
1.一种红外模组，包括基板(1)和红外芯片(2)，所述基板(1)包括本体(11)，所述本体(11)在厚度方向(H)上具有第一表面(111)，其特征在于，
所述本体(11)设置有凹槽(112)和通孔(113)，所述凹槽(112)设置于所述第一表面(111)上，所述通孔(113)设置于所述凹槽(112)的底面上并沿所述厚度方向(H)贯通本体(11)；
所述红外芯片(2)设置于所述本体(11)的凹槽(112)中并面向所述通孔(113)。
2.根据权利要求1所述的红外模组，其特征在于，
所述基板(1)还包括第一金属层(12)，所述第一金属层(12)设置在所述凹槽(112)的底面上；
所述红外模组还包括焊料片(3)，所述焊料片(3)在所述红外芯片(2)与所述第一金属层(12)之间连接于所述红外芯片(2)和所述第一金属层(12)。
3.根据权利要求1所述的红外模组，其特征在于，
所述本体(11)还具有第二表面(114)，所述第二表面(114)在所述厚度方向(H)上与所述第一表面(111)相对设置；
所述基板(1)还包括第二金属层(13)，所述第二金属层(13)设置在所述第二表面(114)上。
4.根据权利要求1所述的红外模组，其特征在于，
所述基板(1)还包括第三金属层(14)，所述第三金属层(14)设置在所述本体(11)的第一表面(111)上；
所述红外模组还包括导线(4)，所述导线(4)电连接于所述红外芯片(2)和第三金属层(14)。
5.根据权利要求4所述的红外模组，其特征在于，所述第三金属层(14)在所述厚度方向(H)上不超出所述红外芯片(2)。
6.根据权利要求1所述的红外模组，其特征在于，
所述基板(1)还包括围框(15)，所述围框(15)设置在所述本体(11)的第一表面(111)上并沿所述厚度方向(H)延伸；
所述红外芯片(2)位于所述围框(15)内侧并与所述围框(15)间隔开。
7.根据权利要求6所述的红外模组，其特征在于，所述红外芯片(2)在所述厚度方向(H)上不超出所述围框(15)。
8.根据权利要求6所述的红外模组，其特征在于，所述围框(15)与所述本体(11)为一体件。
9.根据权利要求6所述的红外模组，其特征在于，所述围框(15)与所述本体(11)为分体件。
10.根据权利要求6所述的红外模组，其特征在于，所述基板(1)为电路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023207115.8U CN213988867U (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 红外模组 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202023207115.8U CN213988867U (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 红外模组 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN213988867U true CN213988867U (zh) | 2021-08-17 |
Family
ID=77248458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202023207115.8U Active CN213988867U (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 红外模组 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN213988867U (zh) |
-
2020
- 2020-12-25 CN CN202023207115.8U patent/CN213988867U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9892998B2 (en) | Package module of power conversion circuit and manufacturing method thereof | |
| JPH04256342A (ja) | 半導体パッケージ | |
| CN102468249A (zh) | 功率封装模块及制造该功率封装模块的方法 | |
| JPH03169062A (ja) | 半導体装置 | |
| CN213988867U (zh) | 红外模组 | |
| JP4020795B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN109801900B (zh) | 一种电力用逆变电路装置 | |
| JP3764214B2 (ja) | プリント回路基板およびこれを備えた電子機器 | |
| KR100843734B1 (ko) | 반도체 전력용 모듈 및 그 제조방법 | |
| JP3931696B2 (ja) | 電子装置 | |
| JPH0661408A (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JPH02278856A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| CN211062704U (zh) | 芯片模组和电子设备 | |
| CN215496713U (zh) | 一种被动元件与芯片堆叠的封装结构及系统 | |
| JPH0334909Y2 (zh) | ||
| CN210897256U (zh) | 功率半导体器件 | |
| US5260602A (en) | Hybrid integrated-circuit device having an asymmetrical thermal dissipator | |
| JP2690248B2 (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| CN210984717U (zh) | 散热封装结构 | |
| CN211980603U (zh) | 一种具有底面散热板的半导体产品及电子产品 | |
| US5345363A (en) | Method and apparatus of coupling a die to a lead frame with a tape automated bonded tape that has openings which expose portions of the tape leads | |
| JPH01302757A (ja) | 基板集合シート | |
| JPS60200545A (ja) | 実装基板 | |
| JPH04260396A (ja) | 回路モジュールの実装構造 | |
| US20050206013A1 (en) | Chip module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |