JPH0639707A - ポリッシング装置とその加工方法 - Google Patents

ポリッシング装置とその加工方法

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JPH0639707A
JPH0639707A JP21869292A JP21869292A JPH0639707A JP H0639707 A JPH0639707 A JP H0639707A JP 21869292 A JP21869292 A JP 21869292A JP 21869292 A JP21869292 A JP 21869292A JP H0639707 A JPH0639707 A JP H0639707A
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JP
Japan
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work
polishing head
auxiliary
sliding mechanism
main
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Application number
JP21869292A
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English (en)
Inventor
Tsukasa Nakahara
司 中原
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RATSUPU MASTER S F T KK
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RATSUPU MASTER S F T KK
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  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 半導体ウエハ等のワークに超平坦精度の加工
を施す。 【構成】 基台1と、バキュームチャック2と、左右摺
動機構を介設した担持台4と、前後摺動機構を介設した
保持体6と、主ポリッシングヘッド7と、補ポリッシン
グヘッド8と、非接触計測部9と、表示部10とを具備
する。主加工部でワークの全面ポリッシング加工を施
し、ワーク加工面を非接触計測部9で計測すると共に表
示部10へ表示させ、補加工部で部分的に修正ポリッシ
ング加工する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等のワー
クを超平坦精度の加工を施すポリッシング装置に関する
ものであり、詳しくは、主ポリッシングヘッドと主加工
部と補ポリッシングヘッドと補加工部と非接触計測装置
と表示部とから成り、主加工部でワーク全面のポリッシ
ング加工を施し、その後、補加工部でワーク加工面を部
分的に修正ポリッシング加工を施せるものである。
【0002】
【発明の背景】本発明に係るこの種の半導体ウエハ等の
ワークは、コンピュータ等の電子関連機器、所謂OA機
器等の集積回路に使用されており、その開発は日々進歩
しており機器そのものの小型化に伴う極薄化と、歩留ま
りの観点からのより超高精度の加工精度と、作業性の観
点からより一層の拡径化が要求されてきている。
【0003】
【従来技術とその問題点】一般にこの種のワークである
半導体ウエハは、先ず、シリコン結晶体を一定の厚さに
スライシングし、そのスライシングした半導体ウエハを
更に所望の厚さにするために研削加工を行っている。
【0004】通常、研削加工はカップホイールダイヤモ
ンド砥石によって粗研削、仕上研削等に分けて行われて
いるが、昨今要求される半導体ウエハは高精度の平坦精
度と鏡面加工であり、従来のようなカップホイールダイ
ヤモンド砥石で研削するだけでは、半導体ウエハに研削
によるダメージが残り今日求められる超平坦精度に仕上
げるのは不可能と成ってきている。
【0005】又、従来のポリッシング装置は、生産性の
観点から比較的大径とした下方定盤と略同径の上部定盤
との間にキャリァ等を介して複数枚の半導体ウエハ等の
ワークを挟圧させて同時にポリッシング加工を施してい
るが、極薄化、拡径化する半導体ウエハでは加工前後の
定盤への着脱の際、或いは、加工中に破壊してしまうこ
とが屡々あり、又、加工後の平坦精度にバラツキが有り
品質の均一化が計れない等に苦慮している実情である。
【0006】
【発明の目的】本発明は上記の問題点に鑑みて成された
もので、鋭意研鑚の結果、これらの問題点を一挙に解決
するもので、複数枚のワークをワンチャックでポリッシ
ング加工をするために品質の均一化が計れ、更に、主ポ
リッシングヘッドの主加工部でワークの全面ポリッシン
グ加工を施し、その後、非接触計測部で計測すると共に
表示部で画像として表示させ、補ポリッシングヘッドの
補加工部でワーク加工面を部分的に修正ポリッシング加
工を施し、超平坦精度の加工を施すポリッシング装置と
その加工方法に創達し、これを提供する目的である。
【0007】
【発明の構成】本発明は、基台と、バキュームチャック
と、基台へ左右摺動機構を介設した担持台と、担持台へ
前後摺動機構を介設した保持体と、保持体へ配設された
主ポリッシングヘッドと、主加工部と、保持体へ配設さ
れた補ポリッシングヘッドと、補加工部と、保持体へ配
設した非接触計測部と、非接触計測部と電気的に接続し
た表示部とを具備した構成のものである。
【0008】
【発明の作用】本発明の作用は、バキュームチャックの
上面へワークを載置させると共にバキューム吸着させ、
ワークの上面を左右摺動機構及び前後摺動機構によって
位置を合わせ主ポリッシングヘッドを降下させて主加工
部でワークの全面ポリッシング加工を施し、全面ポリッ
シング加工後にワーク加工面を左右摺動機構及び前後摺
動機構によって位置を合わせて非接触計測部で計測する
と共に表示部へ画像として表示させ、表示部の画像を基
に左右摺動機構及び前後摺動機構によって位置を合わせ
補ポリッシングヘッドを降下させて補加工部でワーク加
工面を部分的に修正ポリッシング加工させる作用を有す
るものである。
【0009】
【発明の実施例】斯る目的を達成した本発明を実施例の
図面によって説明する。
【0010】図1は本発明を実施するための全自動ポリ
ッシング装置であり、図2は本発明のポリッシング装置
の要部の概要正面図であり、図3は本発明のポリッシン
グ装置の要部の概要側面図である。
【0011】本発明は、半導体ウエハ等のワークWを超
平坦精度の加工を施すポリッシング装置に関するもので
あり、特許請求項1は、基台1と、該基台1へ突出させ
て配設した回転自在なバキュームチャック2と、前記基
台1へ左右方向の摺動を可能とさせる左右摺動機構3.
3を介設した担持台4と、該担持台4へ前後方向の摺動
を可能とさせる前後摺動機構5を介設した保持体6と、
該保持体6へ昇降自在に且つ回転自在に配設された主ポ
リッシングヘッド7と、該主ポリッシングヘッド7の下
端へ設けた主加工部7aと、前記保持体6へ昇降自在に
且つ回転自在に配設された補ポリッシングヘッド8と、
該補ポリッシングヘッド8の下端へ設けた補加工部8a
と、前記保持体6へ配設した非接触計測部9と、該非接
触計測部9と電気的に接続した表示部10とを具備した
ものである。
【0012】そして、特許請求項2は主ポリッシングヘ
ッド7と補ポリッシングヘッド8と非接触計測装置9と
表示部10とから成り、補ポリッシングヘッド8の補加
工部8aで部分的に修正ポリッシング加工を施せるもの
で、特許請求項1のポリッシング装置を用いて、バキュ
ームチャック2の上面へワークWを載置させると共にバ
キューム吸着させ、該ワークWの上面を左右摺動機構
3.3及び前後摺動機構5によって位置を合わせ主ポリ
ッシングヘッド7を降下させて主加工部7aでワークW
の全面ポリッシング加工を施し、全面ポリッシング加工
後のワーク加工面を左右摺動機構3.3及び前後摺動機
構5によって位置を合わせて非接触計測部9で計測する
と共に表示部10へ画像として表示させ、該表示部10
の画像を基に左右摺動機構3.3及び前後摺動機構5に
よって位置を合わせ補ポリッシングヘッド8を降下させ
て補加工部8aでワーク加工面を部分的に修正ポリッシ
ング加工する加工方法である。
【0013】即ち、本発明は、昨今要求される半導体ウ
エハ等のワークWの極薄化、拡径化、超高精度の平坦面
加工に充分に対応できる全自動のポリッシング装置とそ
の加工方法に関するものである。
【0014】本発明の基台1は当該ポリッシング装置の
後述する各機構を組設するためものであり、全体的には
矩形状を呈しており、高さは作業性を考慮し適宜に設定
されるものである。
【0015】前記基台1へ上面を突出させて配設したバ
キュームチャック2は後述するハンドリングロボット1
7よって移送させた半導体ウエハ等のワークWを上面に
載置させ、上面を通気性部材で形成すると共に下方を真
空ポンプ等の吸引機構(図示せず)と連繋させてバキュ
ーム吸着すると共に、モーター等(図示せず)の駆動源
を得て機械的接続によって加工の際に後述する夫々のポ
リッシングヘッド7.8の回転と逆方向に回転するもの
である。
【0016】そして、担持台4は前記基台1と左右方向
に摺動自在とする入子式の左右摺動機構3.3を夫々両
側へ介設したものである。
【0017】加えて、担持台4と保持体6とへは前後方
向にも摺動自在とする入子式の前後摺動機構5を介設し
たものである。
【0018】前記保持体6へは昇降自在に、且つ、回転
自在に主ポリッシングヘッド7と補ポリッシングヘッド
8を配設したものであり、主ポリッシングヘッド7及び
補ポリッシングヘッド8の夫々の下端へはクロス等を張
設した主加工部7a及び補加工部8aを設け、上方を夫
々のスピンドルに固定し夫々のモーター等の駆動力を機
械的に接続させて回転をさせるものである。
【0019】更に、前記保持体6へはレーザー、マイク
ロ波、超音波、静電容量、磁気等を用いた非接触計測部
9と、該非接触計測部9と電気的に接続した表示部10
とを具備したものであり、非接触計測部9で平坦精度、
面粗さ等の加工精度を計測すると共に表示部10へ画像
として表示し、該画像によって加工精度を把握するもの
である。
【0020】そして、特許請求項2へ記載の加工方法
は、前述のポリッシング装置を用いて、先ず、ワークW
をバキュームチャック2の上面へ載置し、バキューム吸
着等の手段によって、確りとバキュームチャック2の上
面へ固着させるものであり、バキュームチャック2はモ
ーター等の駆動源から動力を得て機械的に接続されて回
転させるものである。
【0021】次いで、基台1と担持台4との両側へ介設
した左右摺動機構3.3と、担持台4と保持体6とへ介
設した前後摺動機構5とを夫々エア又はオイル等の流体
圧或いはモーターと機械的接続等によって作動させると
共に、バキュームチャック2の上方に位置合わせし、保
持体6から主ポリッシングヘッド7を降下させ主加工部
7aをワークWの上面に若干押圧させながらポリッシン
グ加工を開始するものである。
【0022】この時、バキュームチャック2の軸心と主
ポリッシングヘッド7の軸心とはずらせており、ポリッ
シング加工の際の夫々の回転の周速の変化を抑え、加え
て、ワークWの中心辺に残留しがちな小突起状物を無く
するものである。
【0023】前記ワークWの全面を主ポリッシングヘッ
ド7の主加工部7aでの加工後は、主ポリッシングヘッ
ド7を主加工部7aと共にワークWの上面より上昇させ
て、基台1と担持台4とへ介設した左右摺動機構3.3
と、担持台4と保持体6とへ介設した前後摺動機構5と
を夫々作動させ非接触計測部9をワークWの直上へ移動
させてレーザー光線等を照射して非接触測定し、該レー
ザー光線の反射光を利して表示部10へ画像として表示
し、平坦精度、面粗さ等の加工精度を確認するものであ
る。
【0024】そして、前記表示部10の画像にずれが生
じていれば、つまり、精度の悪いところがあれば、主加
工部7aでのポリッシング加工と同様に補ポリッシング
ヘッド8の補加工部8aを基台1と担持台4とへ介設し
た左右摺動機構3.3と、担持台4と保持体6とへ介設
した前後摺動機構5とを夫々作動させると共に、保持体
6から補ポリッシングヘッド8を降下させ補加工部8a
でワーク加工面を部分的に修正ポリッシング加工を施す
ものであり、非接触計測装置9による計測及び補加工部
8aによる修正ポリッシング加工は一度で終えても、数
回繰り返しても構わないものである。
【0025】即ち、本発明はワークWの全面ポリッシン
グ加工から、計測及び加工後の部分的な修正ポリッシン
グ加工まで一つのバキュームチャック2から一度も取り
外すこと無く加工できるものであり、多数枚のワークW
を加工しても均一的な加工精度を維持できるものであ
る。
【0026】次に、本発明を実施するためのポリッシン
グ装置は、図1に図示の如く、カセットエレベータ機構
11は側方へ配設された駆動源のモーターと機械的に接
続された棒螺子、歯車、ベルト等の伝導機構によって後
述するカセット12をカセット載置台13に載置し搬出
及び搬入する際に、上下位置を調整可能に昇降自在とし
て組設されているものであり、図1ではモーターの駆動
力を棒螺子の伝導機構に伝え、該伝導機構の回転によっ
て昇降する昇降部材(図示せず)を基台1内に組設し、
該昇降部材と共に昇降するカセット載置台13を基台1
の上面に出没自在に配設したものである。
【0027】前記カセット12は複数枚のワークWを水
平に設けた複数の桟体で仕切った棚へ外周縁部を支持さ
れて単品毎に収納する函状のものであり、該カセット1
2は前記カセット載置台13へ載置され、該カセット載
置台13の昇降によって後述するワーク搬出機構14又
はワーク搬入機構15によって出入れされるものであ
る。
【0028】ワーク搬出機構14はエア又はオイルで進
退するシリンダの先端にワークWである半導体ウエハの
外径と略同径の円弧状のワーク押圧部を備えたものであ
り、前記カセット12に収納されているワークWをカセ
ット載置台13の昇降と、前記シリンダを伸延させるこ
とによってワーク押圧部で押圧され単品毎にワークスラ
イドプレート16に搬出するものである。
【0029】ワークスライドプレート16は両側へ一対
のガイドプーレトを平行に設け、前記ワーク搬出機構1
4で搬出されたワークWを該ガイドプーレトの間へ乗載
すると共に、後述するハンドリングロボット17によっ
てワークWを移送するための着脱位置となるものであ
り、下方よりエア又は水を噴流させることによってワー
クWを浮上状態とさせるエア又は水リフトによってワー
クWを遊動自在としているものである。
【0030】そして、前記ワークスライドプレート16
へはポリッシング加工された後のワークWもハンドリン
グロボット17によって移送され乗載されるものであ
り、該乗載されたワークWをワーク搬入機構15でカセ
ット12へ搬入するものであって、前記ワーク搬出機構
14とワークスライドプレート16を介して相対位置へ
配設され、進退自在なエア又はオイルで駆動するシリン
ダの先端にワークWである半導体ウエハの外径と略同径
の円弧状のワーク押圧部を備え、カセットエレベータ機
構13の昇降によってカセット12の枠体へ単品毎に収
納されるものである。
【0031】ハンドリングロボット17は前記ワークス
ライドプレート16の上面へ乗載されたワークWの外周
縁を一対の挟持扞で挟持し、マニピュレーター機構によ
って前記バキュームチャック2の上面に移送するもので
あり、又、該バキュームチャック2でポリッシング加工
を施された後のワークWを前述のハンドリングロボット
17と逆の動作によってワークスライドプレート16の
上面へ乗載させるものである。
【0032】ワーク位置合わせ機構18.18は前記バ
キュームチャック2の上面にハンドリングロボット17
によって移送され載置されたワークWの位置を正確に合
わせるものであり、前記バキュームチャック2の両側へ
配設され夫々エア又はオイルで進退自在とするシリンダ
の先端にワークWの外径と略同径の円弧状のワーク位置
調整部を備えたものであり、両側から伸延するシリンダ
とワーク位置調整部によってバキュームチャック2の中
心位置へ移動させ位置合わせするものである。
【0033】次いで、チャック洗浄機構19はワークW
を載置する前、つまり、ワークWを除いた後に前記バキ
ュームチャック2の上面を噴射する洗浄液と共に先端に
ブラシを付設した伸延可能な回転軸によってブラシを回
転させて洗浄するものである。
【0034】ワーク洗浄機構20は伸延可能な回転軸の
先端にブラシを付設し、バキュームチャック2の上面に
吸着させたワークWを後述する夫々のポリッシングヘッ
ド7.8の夫々の加工部7a.8aによってポリッシン
グ加工された後に該加工面を洗浄するものであり、洗浄
後のワークWは前記ハンドリングロボット17によって
ワークスライドプレート16に移送するものである。
【0035】本発明のポリッシング盤を用いてポリッシ
ング加工を施すには、先ず、複数枚のワークWを収納し
たカセット12をカセット載置台13へ載置するもので
あり、載置されたカセット12はカセットエレベータ機
構11によってカセット載置台13と共に下方を基台1
の内部へ没入され、最上段のワークWがワーク搬出機構
14のシリンダとワーク押圧部によって押圧されてワー
クスライドプレート16に搬出されるものである。
【0036】前記ワークスライドプレート16へ搬出さ
れたワークWはエア又は水リフトによって揺動自在に載
置されるものであり、該ワークWは上方に配設されたハ
ンドリングロボット17の先端の一対の挟持扞によって
外周縁を挟着され、マニピュレーター機構の作動によっ
て、予め、チャック洗浄機構19によって洗浄されたバ
キュームチャック2の上面へ移送されるものである。
【0037】前記バキュームチャック2では両側に配設
されたワーク位置合わせ機構18.18のエア又はオイ
ルによって伸延するシリンダの夫々のワーク位置調整の
間に挟さまれて正確にバキュームチャック2の中心位置
へ位置合わせされ、下方からバキューム吸着されて確り
と固着させると共に、該バキュームチャック2はポリッ
シング加工のために回転を開始するものである。
【0038】そして、ワークWの全面ポリッシング加工
及びワーク加工面の部分的な修正ポリッシング加工を施
した後は、主加工部7a及び補加工部8aを上昇させる
と共に、基台1と担持台4との両側へ夫々介設した左右
摺動機構3.3、及び、担持台4と保持体6とへ介設し
た前後摺動機構5を夫々作動させてバキュームチャック
2の上方から移動させ、一方、バキュームチャック2へ
はワーク洗浄機構20の回転軸を伸延させ乍ブラシを回
転させてワークWの加工面を洗浄するものである。
【0039】そして、バキュームチャック2は回転を停
止させると共にバキュームを開放し、ハンドリングロボ
ット17のマニピュレーター機構の作動により、一対の
挟持扞でワークWの外周縁を挟持してワークスライドプ
レート16へ乗載されるものである。
【0040】ワークスライドプレート16に乗載された
ワークWはワーク搬入機構15のシリンダを延伸させて
ワーク押圧部によって押圧すると共に、カセットエレベ
ータ機構11に昇降によってカセット12の棚にワーク
Wを収納するものである。
【0041】本発明は、上述の工程を全自動で且つ規則
的に繰返し、一つのカセット12に収納されている全て
のワークWのポリッシング加工を同一条件かでワンチャ
ックで行なうものである。
【0042】
【発明の効果】本発明の前述ように、主ポリッシングヘ
ッドの主加工部でワークの全面ポリッシング加工を施
し、非接触計測部で計測しながら補ポリッシングヘッド
の補加工部でワーク加工面へ部分的な修正ポリッシング
加工を施せる上、複数枚のワークをワンチャックでポリ
ッシング加工を施せるために、ポリッシング加工後の平
坦精度にむらがなく、高精度の加工精度を安定して維持
できる画期的なものである。
【0043】
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明を実施するための全自動ポリッシ
ング装置である。
【図2】図2は本発明のポリッシング装置の要部の概要
正面図である。
【図3】図3は本発明のポリッシング装置の要部の概要
側面図である。
【0044】
【符号の説明】
W ワーク 1 基台 2 バキュームチャック 3 左右摺動機構 4 担持台4 5 前後摺動機構 6 保持体 7 主ポリッシングヘッド 7a 主加工部 8 補ポリッシングヘッド 8a 補加工部 9 非接触計測部 10 表示部 11 カセットエレベータ機構 12 カセット 13 カセット載置台 14 ワーク搬出機構 15 ワーク搬入機構 16 ワークスライドプレート 17 ハンドリングロボット 18 ワーク位置合わせ機構 19 チャック洗浄機構 20 ワーク洗浄機構

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基台と、該基台へ突出させて配設した回転
    自在なバキュームチャックと、前記基台へ左右方向の摺
    動を可能とさせる左右摺動機構を介設した担持台と、該
    担持台へ前後方向の摺動を可能とさせる前後摺動機構を
    介設した保持体と、該保持体へ昇降自在に且つ回転自在
    に配設された主ポリッシングヘッドと、該主ポリッシン
    グヘッドの下端へ設けた主加工部と、前記保持体へ昇降
    自在に且つ回転自在に配設された補ポリッシングヘッド
    と、該補ポリッシングヘッドの下端へ設けた補加工部
    と、前記保持体へ配設した非接触計測部と、該非接触計
    測部と電気的に接続した表示部とを具備したことを特徴
    とするポリッシング装置。
  2. 【請求項2】基台と、該基台へ突出させて配設した回転
    自在なバキュームチャックと、前記基台へ左右方向の摺
    動を可能とさせる左右摺動機構を介設した担持台と、該
    担持台へ前後方向の摺動を可能とさせる前後摺動機構を
    介設した保持体と、該保持体へ昇降自在に且つ回転自在
    に配設された主ポリッシングヘッドと、該主ポリッシン
    グヘッドの下端へ設けた主加工部と、前記保持体へ昇降
    自在に且つ回転自在に配設された補ポリッシングヘッド
    と、該補ポリッシングヘッドの下端へ設けた補加工部
    と、前記保持体へ配設した非接触計測部と、該非接触計
    測部と電気的に接続した表示部とを具備したポリッシン
    グ装置を用いて、バキュームチャックの上面へワークを
    載置させると共にバキューム吸着させ、該ワークの上面
    を左右摺動機構及び前後摺動機構によって位置を合わせ
    主ポリッシングヘッドを降下させて主加工部でワークの
    全面ポリッシング加工を施し、全面ポリッシング加工後
    のワーク加工面を左右摺動機構及び前後摺動機構によっ
    て位置を合わせて非接触計測部で計測すると共に表示部
    へ画像として表示させ、該表示部の画像を基に左右摺動
    機構及び前後摺動機構によって位置を合わせ補ポリッシ
    ングヘッドを降下させて補加工部でワーク加工面を部分
    的に修正ポリッシング加工することを特徴とする加工方
    法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040753A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Siltronic Ag ポリッシングされた半導体ウェハを製造する方法

Cited By (2)

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JP2011040753A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Siltronic Ag ポリッシングされた半導体ウェハを製造する方法
US8409992B2 (en) 2009-08-12 2013-04-02 Siltronic Ag Method for producing a polished semiconductor wafer

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