JPH06349775A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
- Publication number
- JPH06349775A JPH06349775A JP16377293A JP16377293A JPH06349775A JP H06349775 A JPH06349775 A JP H06349775A JP 16377293 A JP16377293 A JP 16377293A JP 16377293 A JP16377293 A JP 16377293A JP H06349775 A JPH06349775 A JP H06349775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting table
- heating element
- mount
- substrate
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 86
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 45
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 2
- 101000574352 Mus musculus Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Proteins 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- F27D99/0001—Heating elements or systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 発熱体から載置台を介して被処理体に供給さ
れる処理熱の温度分布の均一化を図ると共に、載置台の
クリーニングや取換えなどのメンテナンス性を向上させ
る。 【構成】 載置台２を発熱体３に対して着脱可能に形成
すると共に、載置台２とを発熱体３に密着させるための
密着手段（吸着溝８）を具備している。載置台２の着脱
は、その両側に設けた支持軸４を介してガイド部材６上
を矢印Ａ，Ｂ方向にスライドさせることにより行う。ガ
イド部材６の上縁部には支持軸４と同数の切欠部７が形
成され、切欠部７内に支持軸４が落込むことで載置台２
が発熱体３上に正確に位置決めされ着座する。
れる処理熱の温度分布の均一化を図ると共に、載置台の
クリーニングや取換えなどのメンテナンス性を向上させ
る。 【構成】 載置台２を発熱体３に対して着脱可能に形成
すると共に、載置台２とを発熱体３に密着させるための
密着手段（吸着溝８）を具備している。載置台２の着脱
は、その両側に設けた支持軸４を介してガイド部材６上
を矢印Ａ，Ｂ方向にスライドさせることにより行う。ガ
イド部材６の上縁部には支持軸４と同数の切欠部７が形
成され、切欠部７内に支持軸４が落込むことで載置台２
が発熱体３上に正確に位置決めされ着座する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、載置台上に載置され
る被処理体に熱を供給して処理を行う処理装置に関する
ものである。
る被処理体に熱を供給して処理を行う処理装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスやＬＣＤの製造
工程においては、シリコン基板あるいはＬＣＤ基板（ガ
ラス基板）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジ
ストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施され
る。
工程においては、シリコン基板あるいはＬＣＤ基板（ガ
ラス基板）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラ
フィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォトレジ
ストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施され
る。
【０００３】このような処理を行う場合、図９に示す処
理システムが使用されている。このシステムは、被処理
体としての基板Ｇを搬入・搬出するローダ部４０と、基
板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置４２と、基板Ｇを
高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄装置４４と、
基板Ｇの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置
４６と、基板Ｇを所定温度に冷却する冷却処理装置４８
と、基板Ｇの表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布
装置５０と、レジスト液塗布の前後で基板Ｇを加熱して
プリベーク又はポストベークを行う加熱処理装置５２及
び基板Ｇの周縁部のレジストを除去するレジスト除去装
置５４と、現像装置５５などを集合化して作業効率の向
上を図っている。
理システムが使用されている。このシステムは、被処理
体としての基板Ｇを搬入・搬出するローダ部４０と、基
板Ｇをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置４２と、基板Ｇを
高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄装置４４と、
基板Ｇの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置
４６と、基板Ｇを所定温度に冷却する冷却処理装置４８
と、基板Ｇの表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布
装置５０と、レジスト液塗布の前後で基板Ｇを加熱して
プリベーク又はポストベークを行う加熱処理装置５２及
び基板Ｇの周縁部のレジストを除去するレジスト除去装
置５４と、現像装置５５などを集合化して作業効率の向
上を図っている。
【０００４】上記のように構成される処理システムの中
央部には、長手方向に沿って基板搬送路５６が設けら
れ、この基板搬送路５６に各装置４０〜５４が正面を向
けて配置され、各装置４０〜５４との間で基板Ｇの受け
渡しを行う基板搬送機構５８が基板搬送路５６に沿って
移動自在に設けられている。この基板搬送機構５８は、
真空吸着などによって基板Ｇを保持するためのアーム５
９を備えている。アーム５９は上下に例えば２本配設さ
れており、移動機構によりそれぞれ独立に各装置４０〜
５４の基板載置位置まで移動できるようになっている。
央部には、長手方向に沿って基板搬送路５６が設けら
れ、この基板搬送路５６に各装置４０〜５４が正面を向
けて配置され、各装置４０〜５４との間で基板Ｇの受け
渡しを行う基板搬送機構５８が基板搬送路５６に沿って
移動自在に設けられている。この基板搬送機構５８は、
真空吸着などによって基板Ｇを保持するためのアーム５
９を備えている。アーム５９は上下に例えば２本配設さ
れており、移動機構によりそれぞれ独立に各装置４０〜
５４の基板載置位置まで移動できるようになっている。
【０００５】加熱処理装置５２は、基板搬送路５６側に
面して開口部５２Ａを有する複数の加熱処理装置５２が
多段に積み重なった１つのブロック体として設けられ、
かつ複数のブロックが並設されている。そして、各加熱
処理装置５２は、例えば図１０及び図１１に示すよう
に、基板Ｇを載置する載置台である熱板６０と、熱板６
０を介して基板Ｇに熱を供給するヒータを内蔵した発熱
体６２と、基板Ｇの上方に処理空間６４を形成すべく配
置されると共に加熱処理時に発生するガスを排気するカ
バー部材６６と、熱板６０及び発熱体６２に形成された
貫通口６８を挿通して基板Ｇを熱板６０の上方で受け渡
しする支持ピン７０とで主要部が構成されている。この
場合、図１０に示す加熱処理装置５２においては、支持
ピン７０側を固定し、熱板６０及び発熱体６２を昇降シ
リンダ７２のピストン７４にて移動可能にして、支持ピ
ン７０を熱板６０上に出没させるようにしている。一
方、図１１に示す加熱処理装置５２においては、熱板６
０及び発熱体６２を固定し、支持ピン７０をシリンダ７
６のピストン７８に連結して熱板６０上に出没可能とし
ている。なお、図１１において、熱板６０の外周部には
筒状のシャッタ８０が昇降可能に配置されており、この
シャッタ８０は、シャッタ昇降用シリンダ８２のピスト
ン８４に連結されて、昇降移動によって処理空間６４の
容積を調節できるようになっている。
面して開口部５２Ａを有する複数の加熱処理装置５２が
多段に積み重なった１つのブロック体として設けられ、
かつ複数のブロックが並設されている。そして、各加熱
処理装置５２は、例えば図１０及び図１１に示すよう
に、基板Ｇを載置する載置台である熱板６０と、熱板６
０を介して基板Ｇに熱を供給するヒータを内蔵した発熱
体６２と、基板Ｇの上方に処理空間６４を形成すべく配
置されると共に加熱処理時に発生するガスを排気するカ
バー部材６６と、熱板６０及び発熱体６２に形成された
貫通口６８を挿通して基板Ｇを熱板６０の上方で受け渡
しする支持ピン７０とで主要部が構成されている。この
場合、図１０に示す加熱処理装置５２においては、支持
ピン７０側を固定し、熱板６０及び発熱体６２を昇降シ
リンダ７２のピストン７４にて移動可能にして、支持ピ
ン７０を熱板６０上に出没させるようにしている。一
方、図１１に示す加熱処理装置５２においては、熱板６
０及び発熱体６２を固定し、支持ピン７０をシリンダ７
６のピストン７８に連結して熱板６０上に出没可能とし
ている。なお、図１１において、熱板６０の外周部には
筒状のシャッタ８０が昇降可能に配置されており、この
シャッタ８０は、シャッタ昇降用シリンダ８２のピスト
ン８４に連結されて、昇降移動によって処理空間６４の
容積を調節できるようになっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来こ
の種の加熱処理装置においては、熱板６０と発熱体６２
とが一体的に構成されているため、熱板６０のクリーニ
ングや基板サイズ変更の際の取換えが面倒でメンテナン
ス性が悪いという問題がある。
の種の加熱処理装置においては、熱板６０と発熱体６２
とが一体的に構成されているため、熱板６０のクリーニ
ングや基板サイズ変更の際の取換えが面倒でメンテナン
ス性が悪いという問題がある。
【０００７】この問題を解決する手段として、熱板６０
と発熱体６２とを分離すると共に、両者間に熱伝導の大
きな物質を介在させて発熱体６２から熱板６０への熱伝
達を確保するようにしたものや（実開昭５７−８４７３
８号公報参照）、熱板６０の下側に渦巻状のシーズヒー
タを設けたもの（実開昭６２−５６３８号公報参照）が
提案されているが、いずれも熱板６０と発熱体６２とが
非接触のため熱板６０全体を均一に加熱することが難し
く、そのため、熱板６０を介して基板Ｇを加熱する上
で、処理熱の温度分布の均一性が確保できないという問
題があった。
と発熱体６２とを分離すると共に、両者間に熱伝導の大
きな物質を介在させて発熱体６２から熱板６０への熱伝
達を確保するようにしたものや（実開昭５７−８４７３
８号公報参照）、熱板６０の下側に渦巻状のシーズヒー
タを設けたもの（実開昭６２−５６３８号公報参照）が
提案されているが、いずれも熱板６０と発熱体６２とが
非接触のため熱板６０全体を均一に加熱することが難し
く、そのため、熱板６０を介して基板Ｇを加熱する上
で、処理熱の温度分布の均一性が確保できないという問
題があった。
【０００８】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、被処理体の処理熱の温度分布の均一化
が図れると共に、熱板のクリーニングや取換えなどのメ
ンテナンス性の向上が図れる処理装置を提供することに
ある。
で、その目的は、被処理体の処理熱の温度分布の均一化
が図れると共に、熱板のクリーニングや取換えなどのメ
ンテナンス性の向上が図れる処理装置を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の処理装置は、被処理体を載置する載置台
（熱板）と、この載置台を介して上記被処理体に熱を供
給する発熱体とを有する処理装置を前提とし、上記載置
台を上記発熱体に対して着脱可能に形成すると共に、上
記載置台と上記発熱体とを密着させるための密着手段を
具備してなるものである。
に、この発明の処理装置は、被処理体を載置する載置台
（熱板）と、この載置台を介して上記被処理体に熱を供
給する発熱体とを有する処理装置を前提とし、上記載置
台を上記発熱体に対して着脱可能に形成すると共に、上
記載置台と上記発熱体とを密着させるための密着手段を
具備してなるものである。
【００１０】この発明において、上記載置台の上記発熱
体に対する着脱は、載置台をスライドさせて処理装置の
前面あるいは背面から行えるようにすることが好まし
い。
体に対する着脱は、載置台をスライドさせて処理装置の
前面あるいは背面から行えるようにすることが好まし
い。
【００１１】また、上記密着手段は、載置台を発熱体に
真空吸着や磁気吸着する手段、或いはばねなどの弾性力
の付勢機構やボルト、ナットによる締付機構などによっ
て構成することができるが、載置台自体もその自重で発
熱体に密着できるように形成されていることが好まし
い。また、上記載置台と発熱体との間に熱の良導体を介
在させることが好ましい。
真空吸着や磁気吸着する手段、或いはばねなどの弾性力
の付勢機構やボルト、ナットによる締付機構などによっ
て構成することができるが、載置台自体もその自重で発
熱体に密着できるように形成されていることが好まし
い。また、上記載置台と発熱体との間に熱の良導体を介
在させることが好ましい。
【００１２】
【作用】上記のように構成されるこの発明の処理装置に
よれば、被処理体を載置する載置台を発熱体に対して着
脱可能に形成することにより、処理装置からの載置台の
みの取り外しが可能になるので、熱板のクリーニング及
びメンテナンス性が向上する。また、上記密着手段によ
って載置台と発熱体とを密着させることにより、発熱体
の熱を載置台全体に均一に伝えることができるので、載
置台の表面温度が均一化され、被処理体全体が均一に加
熱処理される。
よれば、被処理体を載置する載置台を発熱体に対して着
脱可能に形成することにより、処理装置からの載置台の
みの取り外しが可能になるので、熱板のクリーニング及
びメンテナンス性が向上する。また、上記密着手段によ
って載置台と発熱体とを密着させることにより、発熱体
の熱を載置台全体に均一に伝えることができるので、載
置台の表面温度が均一化され、被処理体全体が均一に加
熱処理される。
【００１３】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面を用いて詳
細に説明する。ここでは、この発明の処理装置を図９に
示したＬＣＤ基板のレジスト塗布現像装置に使用される
加熱処理装置に適用した場合について説明する。
細に説明する。ここでは、この発明の処理装置を図９に
示したＬＣＤ基板のレジスト塗布現像装置に使用される
加熱処理装置に適用した場合について説明する。
【００１４】なお、上記レジスト塗布現像装置は、例え
ば、ローダ部４０に設けられた処理前の基板Ｇを収納し
た図示省略のカセットから基板Ｇを１枚ずつ取り出し
て、順に、ブラシ洗浄装置４２、ジェット水洗浄装置４
４、アドヒージョン処理装置４６、冷却処理装置４８、
レジスト塗布装置５０、レジスト除去装置、プリベーク
を行う加熱処理装置５２、図示省略の露光装置、現像装
置５５、ポストベークを行う加熱処理装置５２に搬送し
て各処理を行い、処理済みの基板Ｇをローダ部４０に設
けられた図示省略のカセットに収納する。
ば、ローダ部４０に設けられた処理前の基板Ｇを収納し
た図示省略のカセットから基板Ｇを１枚ずつ取り出し
て、順に、ブラシ洗浄装置４２、ジェット水洗浄装置４
４、アドヒージョン処理装置４６、冷却処理装置４８、
レジスト塗布装置５０、レジスト除去装置、プリベーク
を行う加熱処理装置５２、図示省略の露光装置、現像装
置５５、ポストベークを行う加熱処理装置５２に搬送し
て各処理を行い、処理済みの基板Ｇをローダ部４０に設
けられた図示省略のカセットに収納する。
【００１５】図１はこの発明の一実施例の加熱処理装置
の概略斜視図、図２は加熱処理装置の要部平面図、図３
は図２の部分破断側面図、図４は図２の部分破断正面図
が示されている。
の概略斜視図、図２は加熱処理装置の要部平面図、図３
は図２の部分破断側面図、図４は図２の部分破断正面図
が示されている。
【００１６】この実施例の加熱処理装置は、ほぼ矩形状
に形成される筐体１内に、被処理体である基板Ｇを載置
する載置台２と、載置台２を介して基板Ｇに熱を供給す
る発熱体３とを上下に配置してなる。
に形成される筐体１内に、被処理体である基板Ｇを載置
する載置台２と、載置台２を介して基板Ｇに熱を供給す
る発熱体３とを上下に配置してなる。
【００１７】この場合、載置台２は熱伝導性の良好な矩
形状のアルミニウム合金製の板にて形成されており、そ
の左右両側部の前後２箇所には支持軸４が左右に突出し
て設けられている。なお、支持軸４の先端部に把手４ａ
を設けておけば、載置台２の取外し、運搬等を容易に行
うことができる。
形状のアルミニウム合金製の板にて形成されており、そ
の左右両側部の前後２箇所には支持軸４が左右に突出し
て設けられている。なお、支持軸４の先端部に把手４ａ
を設けておけば、載置台２の取外し、運搬等を容易に行
うことができる。
【００１８】一方、発熱体３は、載置台２と大体同じ平
面寸法のアルミニウム合金製の板の内部にヒータ５を埋
設してなり、その左右両側部には、支持軸４を載置状に
係合させて載置台２を前後（Ｘa ，Ｘb 方向）に案内す
るための一対のレール状ガイド部材６が設けられてい
る。これらガイド部材６は、発熱体３の対向する辺と平
行方向例えば発熱体３が図のように長方形の場合、発熱
体３の長手方向に沿って互いに平行に延びており、載置
台２の着脱作業を行う際に手前側となる側の端部６ａ
は、発熱体３の前面３ａより大きく突出して形成されて
いる。各ガイド部材６の上縁部には、支持軸４と同じ間
隔で前後２箇所に円弧状の切欠部７がそれぞれ形成され
ており、左右のガイド部材６に形成された計４個の切欠
部７内に載置台２の４本の支持軸４を落し込ませること
によって、載置台２が正確に位置決めされて発熱体３の
上面に着座するようになっている。この場合、図６に示
すように、載置台２が発熱体３の上面に確実に着座でき
るよう、支持軸４を受け入れる切欠部７の深さｄは、載
置台２の下面と支持軸４の間隔ｓよりも若干深くなって
いる。
面寸法のアルミニウム合金製の板の内部にヒータ５を埋
設してなり、その左右両側部には、支持軸４を載置状に
係合させて載置台２を前後（Ｘa ，Ｘb 方向）に案内す
るための一対のレール状ガイド部材６が設けられてい
る。これらガイド部材６は、発熱体３の対向する辺と平
行方向例えば発熱体３が図のように長方形の場合、発熱
体３の長手方向に沿って互いに平行に延びており、載置
台２の着脱作業を行う際に手前側となる側の端部６ａ
は、発熱体３の前面３ａより大きく突出して形成されて
いる。各ガイド部材６の上縁部には、支持軸４と同じ間
隔で前後２箇所に円弧状の切欠部７がそれぞれ形成され
ており、左右のガイド部材６に形成された計４個の切欠
部７内に載置台２の４本の支持軸４を落し込ませること
によって、載置台２が正確に位置決めされて発熱体３の
上面に着座するようになっている。この場合、図６に示
すように、載置台２が発熱体３の上面に確実に着座でき
るよう、支持軸４を受け入れる切欠部７の深さｄは、載
置台２の下面と支持軸４の間隔ｓよりも若干深くなって
いる。
【００１９】上記のように載置台２が着座される発熱体
３の上面には、載置台２を発熱体３に強制的に密着させ
るための密着手段を構成する吸着溝８が周縁に沿って環
状に形成されている（図５参照）。この吸着溝８は、例
えば幅が１〜５mm程度、深さが０．５〜２mm程度で、発
熱体３を貫通させて形成された空気通路９を介して図示
省略の真空吸引装置に接続されており、真空吸引装置の
駆動により吸着溝８内を負圧にすることで載置台２の下
面に吸着するようになっている。
３の上面には、載置台２を発熱体３に強制的に密着させ
るための密着手段を構成する吸着溝８が周縁に沿って環
状に形成されている（図５参照）。この吸着溝８は、例
えば幅が１〜５mm程度、深さが０．５〜２mm程度で、発
熱体３を貫通させて形成された空気通路９を介して図示
省略の真空吸引装置に接続されており、真空吸引装置の
駆動により吸着溝８内を負圧にすることで載置台２の下
面に吸着するようになっている。
【００２０】上記のように構成される載置台２と発熱体
３の共通する６箇所にはそれぞれ上下方向に貫通孔１０
が形成されており、これら貫通孔１０内に基板受け渡し
用の支持ピン１１を挿通し得るようになっている。この
場合、支持ピン１１は支持ピン昇降用シリンダ１２のピ
ストン１２ａに連結されており、シリンダ１２の駆動に
より載置台２及び発熱体３を貫通して基板Ｇの支持・受
け渡しを行うようになっている。載置台２の上面には基
板Ｇと載置台２との接触を避けるためのスペーサ１３
が、基板Ｇの載置位置の周縁に沿って設けられている。
このスペーサ１３は扁平小判形のセラミックス製の板片
からなり、その一端部に形成した貫通孔に取付ねじ１５
を挿通し、これを載置台２の上面に刻設されたねじ孔１
４にねじ込むことによって載置台２上に装着される。
３の共通する６箇所にはそれぞれ上下方向に貫通孔１０
が形成されており、これら貫通孔１０内に基板受け渡し
用の支持ピン１１を挿通し得るようになっている。この
場合、支持ピン１１は支持ピン昇降用シリンダ１２のピ
ストン１２ａに連結されており、シリンダ１２の駆動に
より載置台２及び発熱体３を貫通して基板Ｇの支持・受
け渡しを行うようになっている。載置台２の上面には基
板Ｇと載置台２との接触を避けるためのスペーサ１３
が、基板Ｇの載置位置の周縁に沿って設けられている。
このスペーサ１３は扁平小判形のセラミックス製の板片
からなり、その一端部に形成した貫通孔に取付ねじ１５
を挿通し、これを載置台２の上面に刻設されたねじ孔１
４にねじ込むことによって載置台２上に装着される。
【００２１】一方、筐体１の上部には、これと共働して
処理室１６を形成するカバー部材２１が配置されてい
る。このカバー部材２１には排気通路（内部空間）２２
が設けられると共に、側部には排気口２３が設けられて
おり、熱処理時に発生する処理室２０内のガスを排気通
路２２及び排気口２３を介して吸引排気し得るようにな
っている。また、筐体１の側部にも同様の目的で排気通
路２２ａ及び排気口２３ａが設けられている。
処理室１６を形成するカバー部材２１が配置されてい
る。このカバー部材２１には排気通路（内部空間）２２
が設けられると共に、側部には排気口２３が設けられて
おり、熱処理時に発生する処理室２０内のガスを排気通
路２２及び排気口２３を介して吸引排気し得るようにな
っている。また、筐体１の側部にも同様の目的で排気通
路２２ａ及び排気口２３ａが設けられている。
【００２２】なお、載置台２の周囲には、図示省略の角
型筒状のシャッタが昇降可能に設けられており、基板熱
処理時、このシャッタによって処理部と外部とが区画さ
れるようになっている。
型筒状のシャッタが昇降可能に設けられており、基板熱
処理時、このシャッタによって処理部と外部とが区画さ
れるようになっている。
【００２３】次に、上記のように構成された加熱処理装
置の動作について説明する。まず、図１に示すように、
搬送機構５８の搬送アーム５９によって載置台２の上方
に搬送された基板Ｇは上昇した支持ピン１１に受け渡さ
れ、支持ピン１１の下降によって載置台２の上面のスペ
ーサ１３上に載置される。次に、図示省略のシャッタが
駆動されて処理部と外部が区画される。処理部内では、
発熱体３からの熱が載置台２に伝達され、載置台２の上
面から基板Ｇに伝達される。この場合の発熱体３から載
置台２への熱伝達は、熱伝導性の良いアルミニウム合金
同士の直接接触による熱伝導によって達成されるので極
めて熱伝達効率が良く、しかも、それが載置台２の下面
と発熱体３の上面との接触面全体を通して成されるの
で、載置台２全体が均一に加熱される。したがって、発
熱体３から載置台２を介して基板Ｇに伝達される熱の温
度分布は均一となり、基板Ｇが均一に加熱処理される。
なお、載置台２を装着する際その下面にシリコングリー
スなどの熱の良導体を塗るなどして、載置台２と発熱体
３との間に熱の良導体を介在させるようにしてもよい。
置の動作について説明する。まず、図１に示すように、
搬送機構５８の搬送アーム５９によって載置台２の上方
に搬送された基板Ｇは上昇した支持ピン１１に受け渡さ
れ、支持ピン１１の下降によって載置台２の上面のスペ
ーサ１３上に載置される。次に、図示省略のシャッタが
駆動されて処理部と外部が区画される。処理部内では、
発熱体３からの熱が載置台２に伝達され、載置台２の上
面から基板Ｇに伝達される。この場合の発熱体３から載
置台２への熱伝達は、熱伝導性の良いアルミニウム合金
同士の直接接触による熱伝導によって達成されるので極
めて熱伝達効率が良く、しかも、それが載置台２の下面
と発熱体３の上面との接触面全体を通して成されるの
で、載置台２全体が均一に加熱される。したがって、発
熱体３から載置台２を介して基板Ｇに伝達される熱の温
度分布は均一となり、基板Ｇが均一に加熱処理される。
なお、載置台２を装着する際その下面にシリコングリー
スなどの熱の良導体を塗るなどして、載置台２と発熱体
３との間に熱の良導体を介在させるようにしてもよい。
【００２４】処理後に載置台２をクリーニングあるいは
交換したり、点検・修理する場合には、まず、載置台２
と発熱体３間の真空吸着を解いた後、図６（ａ）に示す
ように、載置台２を手動にて手前（実線矢印Ａ側）に引
いてその支持軸４を切欠部７内からガイド部材６の上面
に乗り上げさせる。これにより、載置台２が発熱体３上
に持ち上げられる。引き続き、図６（ｂ）に示すよう
に、支持軸４を滑らせるようにして載置台２をさらに手
動にて手前に引き寄せることにより、載置台２を容易に
取り外すことができる。
交換したり、点検・修理する場合には、まず、載置台２
と発熱体３間の真空吸着を解いた後、図６（ａ）に示す
ように、載置台２を手動にて手前（実線矢印Ａ側）に引
いてその支持軸４を切欠部７内からガイド部材６の上面
に乗り上げさせる。これにより、載置台２が発熱体３上
に持ち上げられる。引き続き、図６（ｂ）に示すよう
に、支持軸４を滑らせるようにして載置台２をさらに手
動にて手前に引き寄せることにより、載置台２を容易に
取り外すことができる。
【００２５】また、載置台２を装着する場合には、上記
の手順と全く逆の手順によって載置台２を発熱体３の上
面に容易に載置することができる。すなわち、載置台２
の支持軸４をガイド部材６の上面に係合させて、図６
（ｂ）に示す位置に載置台２を載せた後、支持軸４を滑
らせるようにして載置台２を発熱体３側（破線矢印Ｂ
側）へ押し込んでいく。これによって、図６（ａ）に破
線矢印Ｂで示すように支持軸４が切欠部７内に落ち込
み、載置台２が発熱体３の上面に正確に載置される。こ
のように、載置台２を前後にスライドさせて着脱可能と
することで、多段に積み重ねた熱処理装置の前面あるい
は背面から載置台２を取り出し、別の載置台２や、クリ
ーニングあるいは点検・修理後の載置台２を容易に装着
することができる。したがって、この熱処理装置はメン
テナンス性が極めて良い。
の手順と全く逆の手順によって載置台２を発熱体３の上
面に容易に載置することができる。すなわち、載置台２
の支持軸４をガイド部材６の上面に係合させて、図６
（ｂ）に示す位置に載置台２を載せた後、支持軸４を滑
らせるようにして載置台２を発熱体３側（破線矢印Ｂ
側）へ押し込んでいく。これによって、図６（ａ）に破
線矢印Ｂで示すように支持軸４が切欠部７内に落ち込
み、載置台２が発熱体３の上面に正確に載置される。こ
のように、載置台２を前後にスライドさせて着脱可能と
することで、多段に積み重ねた熱処理装置の前面あるい
は背面から載置台２を取り出し、別の載置台２や、クリ
ーニングあるいは点検・修理後の載置台２を容易に装着
することができる。したがって、この熱処理装置はメン
テナンス性が極めて良い。
【００２６】なお、上記実施例において、載置台２を発
熱体３に真空吸着によって強制的に密着させるようにし
ているが、このような密着手段に代え、例えば、載置台
２を磁性体で構成し、あるいは載置台２に磁性体の部材
３０を取り付け、これら磁性部材３０に下方から電磁石
３１などによる磁気的吸引力を作用させることによって
載置台２を発熱体３に強制密着させるマグネット式の密
着手段を用いることも可能である（図７参照）。
熱体３に真空吸着によって強制的に密着させるようにし
ているが、このような密着手段に代え、例えば、載置台
２を磁性体で構成し、あるいは載置台２に磁性体の部材
３０を取り付け、これら磁性部材３０に下方から電磁石
３１などによる磁気的吸引力を作用させることによって
載置台２を発熱体３に強制密着させるマグネット式の密
着手段を用いることも可能である（図７参照）。
【００２７】また、図８に示すように、板ばね３２など
の弾性力を付勢させて載置台２を発熱体３に押さえ付け
るように構成することも可能である。さらには、載置台
２と発熱体３とをボルト、ナットによる締結機構によっ
て密着手段を形成することも可能である。また、載置台
２の自重により発熱体３に密着させるように形成しても
よい。さらに、載置台２のスライド、落し込み、持ち上
げ等の動作は、エアーシリンダ、ボールネジ、リンク機
構などを使用して自動的に行えるように構成してもよ
い。
の弾性力を付勢させて載置台２を発熱体３に押さえ付け
るように構成することも可能である。さらには、載置台
２と発熱体３とをボルト、ナットによる締結機構によっ
て密着手段を形成することも可能である。また、載置台
２の自重により発熱体３に密着させるように形成しても
よい。さらに、載置台２のスライド、落し込み、持ち上
げ等の動作は、エアーシリンダ、ボールネジ、リンク機
構などを使用して自動的に行えるように構成してもよ
い。
【００２８】なお、図７及び図８において、その他の部
分は上記実施例と同じであるので、同一部分には同一符
号を付して、その説明は省略する。
分は上記実施例と同じであるので、同一部分には同一符
号を付して、その説明は省略する。
【００２９】以上の実施例では被処理体がＬＣＤ基板の
場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体基
板ＬＣＤ基板に限られるものではなく、例えば半導体基
板について同様に加熱処理するものについても適用でき
るものである。
場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体基
板ＬＣＤ基板に限られるものではなく、例えば半導体基
板について同様に加熱処理するものについても適用でき
るものである。
【００３０】また、上記実施例では処理装置をレジスト
塗布現像装置に適用した場合について説明したが、これ
以外にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処
理を行う装置にも適用できることは勿論である。
塗布現像装置に適用した場合について説明したが、これ
以外にも、例えばエッチング液塗布処理や磁性液塗布処
理を行う装置にも適用できることは勿論である。
【００３１】
【発明の効果】以上要するにこの発明の処理装置によれ
ば、以下のような優れた効果が発揮できる。 １） 被処理体を載置する載置台を発熱体に対して着脱
可能に形成することにより、処理装置からの載置台のみ
の取り外しが可能になるので、クリーニング及びメンテ
ナンス性を向上できる。 ２） 密着手段によって載置台と発熱体とを密着させる
ことにより、発熱体の熱を載置台全体に均一に伝えるこ
とができるので、載置台の表面温度が均一化され、被処
理体全体を均一に加熱処理できる。
ば、以下のような優れた効果が発揮できる。 １） 被処理体を載置する載置台を発熱体に対して着脱
可能に形成することにより、処理装置からの載置台のみ
の取り外しが可能になるので、クリーニング及びメンテ
ナンス性を向上できる。 ２） 密着手段によって載置台と発熱体とを密着させる
ことにより、発熱体の熱を載置台全体に均一に伝えるこ
とができるので、載置台の表面温度が均一化され、被処
理体全体を均一に加熱処理できる。
【図１】この発明の処理装置の一実施例の概略斜視図で
ある。
ある。
【図２】この発明の処理装置の要部平面図である。
【図３】図２の部分破断側面図である。
【図４】図２の部分破断正面図である。
【図５】発熱体の要部平面図である
【図６】この発明の処理装置における載置部の着脱手順
を説明するための要部側面図である。
を説明するための要部側面図である。
【図７】この発明における密着手段の別の実施例を示す
部分破断側面図である。
部分破断側面図である。
【図８】この発明における密着手段の更に別の実施例を
示す部分破断側面図である。
示す部分破断側面図である。
【図９】この発明の処理装置を適用する処理システムを
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図１０】従来の処理装置の要部断面図である。
【図１１】従来の処理装置の要部断面図である。
２ 載置台 ３ 発熱体 ４ 支持軸 ６ ガイド部材 ７ 切欠部 ８ 吸着溝（密着手段） ９ 空気通路 ３０ 磁性部材（密着手段） ３１ 電磁石（密着手段） ３２ 板ばね（密着手段） Ｇ 基板（被処理体）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理体を載置する載置台と、この載置
台を介して上記被処理体に熱を供給する発熱体とを有す
る処理装置において、 上記載置台を上記発熱体に対して着脱可能に形成すると
共に、上記載置台と上記発熱体とを密着させるための密
着手段を具備したことを特徴とする処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16377293A JP2890087B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 処理装置 |
| KR1019940013094A KR100236410B1 (ko) | 1993-06-10 | 1994-06-10 | 열처리장치(heat treatment device) |
| US08/258,206 US5514852A (en) | 1993-06-10 | 1994-06-10 | Heat treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16377293A JP2890087B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349775A true JPH06349775A (ja) | 1994-12-22 |
| JP2890087B2 JP2890087B2 (ja) | 1999-05-10 |
Family
ID=15780430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16377293A Expired - Lifetime JP2890087B2 (ja) | 1993-06-10 | 1993-06-10 | 処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5514852A (ja) |
| JP (1) | JP2890087B2 (ja) |
| KR (1) | KR100236410B1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5762745A (en) * | 1994-09-09 | 1998-06-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| JP2004103799A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Canon Inc | 基板保持装置、デバイス製造装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004083754A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Hirata Corporation | 大型基板用多段式加熱装置 |
| WO2012169754A2 (ko) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| KR101297666B1 (ko) * | 2011-06-20 | 2013-08-21 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| KR101297670B1 (ko) * | 2011-06-20 | 2013-08-21 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| KR101306767B1 (ko) * | 2011-06-10 | 2013-09-10 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| JP6400771B1 (ja) * | 2017-04-11 | 2018-10-03 | 株式会社石井表記 | ヒータ付き減圧ユニット及び電池製造用装置 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100274127B1 (ko) * | 1996-04-23 | 2001-01-15 | 이시다 아키라 | 기판 온도 제어방법, 기판 열처리장치 및 기판 지지장치 |
| JP3162313B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-04-25 | 工業技術院長 | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
| US6008476A (en) * | 1997-08-04 | 1999-12-28 | Motorola, Inc. | Apparatus for indexing and affixing components to a substrate |
| US6416318B1 (en) * | 1999-06-16 | 2002-07-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Process chamber assembly with reflective hot plate and pivoting lid |
| JP3631445B2 (ja) * | 2001-06-06 | 2005-03-23 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 平型半導体スタック装置 |
| EP1352600B1 (de) * | 2002-04-12 | 2005-08-03 | Electrolux Professional GmbH | Einrichtung zum servierfähigen Bereithalten von Speisen |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7371022B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-05-13 | Sokudo Co., Ltd. | Developer endpoint detection in a track lithography system |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7525072B2 (en) * | 2005-07-13 | 2009-04-28 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Heated O-ring |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1596525A (ja) * | 1968-07-24 | 1970-06-22 | ||
| US4245613A (en) * | 1978-11-01 | 1981-01-20 | Black Body Corporation | Tunnel oven |
| US4486172A (en) * | 1980-10-03 | 1984-12-04 | Allied Corporation | Oven and method for heating thermoplastic articles |
| JPS5784738A (en) * | 1980-11-14 | 1982-05-27 | Hitachi Ltd | Gas-liquid contact tower |
| JPS625638A (ja) * | 1985-03-01 | 1987-01-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6439645A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-09 | Fuji Electric Co Ltd | Optical recording medium |
| FR2683299B1 (fr) * | 1991-10-30 | 1996-02-02 | Jovanovic Dragomir | Procede et appareil a emission infrarouge pour la cuisson d'aliments en forme de galette. |
-
1993
- 1993-06-10 JP JP16377293A patent/JP2890087B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-10 US US08/258,206 patent/US5514852A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-10 KR KR1019940013094A patent/KR100236410B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5762745A (en) * | 1994-09-09 | 1998-06-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus |
| JP2004103799A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Canon Inc | 基板保持装置、デバイス製造装置及びデバイス製造方法 |
| WO2004083754A1 (ja) * | 2003-03-19 | 2004-09-30 | Hirata Corporation | 大型基板用多段式加熱装置 |
| WO2012169754A2 (ko) * | 2011-06-10 | 2012-12-13 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| WO2012169754A3 (ko) * | 2011-06-10 | 2013-04-04 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| KR101306767B1 (ko) * | 2011-06-10 | 2013-09-10 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| KR101297666B1 (ko) * | 2011-06-20 | 2013-08-21 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| KR101297670B1 (ko) * | 2011-06-20 | 2013-08-21 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 처리 장치 |
| JP6400771B1 (ja) * | 2017-04-11 | 2018-10-03 | 株式会社石井表記 | ヒータ付き減圧ユニット及び電池製造用装置 |
| JP2018181556A (ja) * | 2017-04-11 | 2018-11-15 | 株式会社石井表記 | ヒータ付き減圧ユニット及び電池製造用装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5514852A (en) | 1996-05-07 |
| KR100236410B1 (ko) | 1999-12-15 |
| KR950001954A (ko) | 1995-01-04 |
| JP2890087B2 (ja) | 1999-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06349775A (ja) | 処理装置 | |
| KR101269748B1 (ko) | 가열 처리 장치 | |
| JPH0445514A (ja) | 基板処理装置及び基板の熱処理方法 | |
| JP2003218186A (ja) | 基板搬送装置における基板の受け渡し位置検知方法及びその教示装置 | |
| US5960159A (en) | Heat treatment of semiconductor wafers where upper heater directly heats upper wafer in its entirety and lower heater directly heats lower wafer in its entirety | |
| JPH09295236A (ja) | 基板吸着保持装置 | |
| JP3874960B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0870007A (ja) | 基板の熱処理装置 | |
| JP3803487B2 (ja) | 基板冷却装置および基板冷却方法 | |
| JP3158829B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
| JP4662479B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP3259226B2 (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
| JP3610187B2 (ja) | 除電方法ならびに処理装置および処理方法 | |
| JP2855308B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP4811882B2 (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP4180304B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2002313700A (ja) | 加熱装置及び冷却装置 | |
| JP3479771B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH11329927A (ja) | 基板冷却方法および基板冷却装置 | |
| KR20210055362A (ko) | 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| KR100680769B1 (ko) | 열처리장치 | |
| CN110233119B (zh) | 基板处理装置 | |
| KR20220021290A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| JP2003347183A (ja) | 基板温度処理装置 | |
| JP3833827B2 (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990122 |