JPS625638A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS625638A JPS625638A JP4458286A JP4458286A JPS625638A JP S625638 A JPS625638 A JP S625638A JP 4458286 A JP4458286 A JP 4458286A JP 4458286 A JP4458286 A JP 4458286A JP S625638 A JPS625638 A JP S625638A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sheet
- wafer
- pellet
- pellets
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分封〕
本発明は半導体装置の製造方法にかかり、とくに半導体
ウェハーの裏面研磨に関するものである。
ウェハーの裏面研磨に関するものである。
従来より半導体ベレットの裏面の電位を取る為、半導体
ウェハーの裏面を研削し、裏面のシリコン面を露出させ
ている。しかしながら従来技術による４“φ（直径が４
インチ）〜６“φ（直径が６インチ）の半導体ウェハー
の場合、その反シや割れ等の懸念から厚さを５００μｍ
より犬、通常は５５０μｍよシ大に押えていた。このた
めにこれより得られたペレットをマクントしてワイヤボ
ンディングし、パッケージングするとワイヤーとベレッ
トのエツジとのショートあるいはワイヤーがパッケージ
の蓋内壁にぶつかると変形するという問題が発生する。
ウェハーの裏面を研削し、裏面のシリコン面を露出させ
ている。しかしながら従来技術による４“φ（直径が４
インチ）〜６“φ（直径が６インチ）の半導体ウェハー
の場合、その反シや割れ等の懸念から厚さを５００μｍ
より犬、通常は５５０μｍよシ大に押えていた。このた
めにこれより得られたペレットをマクントしてワイヤボ
ンディングし、パッケージングするとワイヤーとベレッ
トのエツジとのショートあるいはワイヤーがパッケージ
の蓋内壁にぶつかると変形するという問題が発生する。
又、従来の型層では裏面の荒さは念頭に置かなかったの
で、その粗度が０．４μｍ以上であった。
で、その粗度が０．４μｍ以上であった。
したがってシートを引き伸ばしたときに、分離された各
半導体ベレットが所定の場所に位置しない。
半導体ベレットが所定の場所に位置しない。
手動によるペレットの移送を行っている生産の場合は問
題とならないが、全て自動的な生産方式を採用する場合
に問題が発生する。
題とならないが、全て自動的な生産方式を採用する場合
に問題が発生する。
本発明の半導体装置の製造方法は、研削工程に於いて、
半導体ウエノ・−裏面の粗度を０．３μｍ以下とし、そ
の厚さを３００〜５００μｍとする事を特徴としている
。ここで粗度は１つのペレットの形成個所の裏面におい
て一番突出している個所と一番へこんでいる個所との間
のレンジ（寸法）である。
半導体ウエノ・−裏面の粗度を０．３μｍ以下とし、そ
の厚さを３００〜５００μｍとする事を特徴としている
。ここで粗度は１つのペレットの形成個所の裏面におい
て一番突出している個所と一番へこんでいる個所との間
のレンジ（寸法）である。
５００μｍ以下とすることによシ上記不都合の接触が発
生する問題が実際上回避できる。一方、研磨された半導
体ウエノ１−は４“φ〜６″φウニノー−の場合、３０
０μｍ以上としておかなければならない。
生する問題が実際上回避できる。一方、研磨された半導
体ウエノ１−は４“φ〜６″φウニノー−の場合、３０
０μｍ以上としておかなければならない。
これは３００μｍのときにそシが５００μｍとなシ、研
削後の洗浄時のスピンドライヤーによる乾燥時にその回
転数を５０ Ｏｒｐｍに下げた場合にも強度的限界点な
る。研磨時の割れの問題からは１５０μｍまで機械的研
磨が可能であるが上記理由から３００μｍ以上とする必
要がある。
削後の洗浄時のスピンドライヤーによる乾燥時にその回
転数を５０ Ｏｒｐｍに下げた場合にも強度的限界点な
る。研磨時の割れの問題からは１５０μｍまで機械的研
磨が可能であるが上記理由から３００μｍ以上とする必
要がある。
研磨作業の能率向上からは荒い砥石を用いた方が有利で
ある。しかしながらこのようにすると裏面の粗度が犬と
なる。本発明者の種々の検討によれは、従来この粗度が
０４μｍ以上あったものを０３μｍ以内に抑えると自動
吸着を行う際に効率よく行えるように各ペレットは、シ
ートを引延ばしだ後、整然と配列させることができる。
ある。しかしながらこのようにすると裏面の粗度が犬と
なる。本発明者の種々の検討によれは、従来この粗度が
０４μｍ以上あったものを０３μｍ以内に抑えると自動
吸着を行う際に効率よく行えるように各ペレットは、シ
ートを引延ばしだ後、整然と配列させることができる。
このようにすることによシ可能となった。
第１図ｔａ）に示すように５００μｍ以下で３００μｍ
以上たとえば４５０μｍに研磨された、４“φ〜６“φ
の半導体ウェハー４の裏面をエレクトロン・シート又は
粘着シート１にはシつけ、部分３にダイシングを行う。
以上たとえば４５０μｍに研磨された、４“φ〜６“φ
の半導体ウェハー４の裏面をエレクトロン・シート又は
粘着シート１にはシつけ、部分３にダイシングを行う。
このダイシングは図のように半導体ウェハーの全厚を削
除してもよいし、あるいは底をある程度残していてもよ
い。この後、第２図に示すようにシート１を引き伸ばす
と、各半導体ペレット９は整然と並んでおシ、自動吸着
作業が効率よく行なわれる。このようになるのは、半導
体ウェハーの裏面が０．３μｍ以下の平担な粗面となっ
ているから、シートとの密着性がよくなるからである。
除してもよいし、あるいは底をある程度残していてもよ
い。この後、第２図に示すようにシート１を引き伸ばす
と、各半導体ペレット９は整然と並んでおシ、自動吸着
作業が効率よく行なわれる。このようになるのは、半導
体ウェハーの裏面が０．３μｍ以下の平担な粗面となっ
ているから、シートとの密着性がよくなるからである。
この半導体ベレット９を、第１図（ｂ）に示すようにア
イランド部５′とリード蔀謳がｐ平担の上面のリードフ
レームの該アイランド部５′にマウントシ、ボンディン
グワイヤ６で接続する。半導体ベレット９は５００μｍ
以下の厚さであるからワイヤ６とペレット９の端とは短
絡しない。又、第１図（ｅ）に示すように、小さいパッ
ケージ１０に入れに接する程度で変形することはない。
イランド部５′とリード蔀謳がｐ平担の上面のリードフ
レームの該アイランド部５′にマウントシ、ボンディン
グワイヤ６で接続する。半導体ベレット９は５００μｍ
以下の厚さであるからワイヤ６とペレット９の端とは短
絡しない。又、第１図（ｅ）に示すように、小さいパッ
ケージ１０に入れに接する程度で変形することはない。
又、この半導体ウェハーは３００μｍ以上であるから第
５図に示すように、反シは５００μｍ以下に抑えること
が ｌでき、乾燥時に十分にスピンチャックが可能とな
る０ これに対して、第３図ｆａ）に示す従来の４“φ〜６“
φの半導体ウェハー２は５００μｍよシ厚くたとえば５
５０μｍの厚さでかつ粗度は０．４μｍ以上であった。
５図に示すように、反シは５００μｍ以下に抑えること
が ｌでき、乾燥時に十分にスピンチャックが可能とな
る０ これに対して、第３図ｆａ）に示す従来の４“φ〜６“
φの半導体ウェハー２は５００μｍよシ厚くたとえば５
５０μｍの厚さでかつ粗度は０．４μｍ以上であった。
したがってダイシング後とシート１を引き伸ばすと、第
４図に示すように、各半導体ペレット７は整然と並ばず
、組立の自動化が効率的に行なわれない。これはシート
との密着性が悪いからである。
４図に示すように、各半導体ペレット７は整然と並ばず
、組立の自動化が効率的に行なわれない。これはシート
との密着性が悪いからである。
又、これを第１図（ｂ）と同じリードフレームにマウン
トし、ワイヤボンディングすると、第３図ｔｂ）のペレ
ットのエツジ８においてボンディングワイヤが短絡する
確率が犬となる。これは、５００μｍより厚いペレット
を用いているからである。又、第１図（Ｃ）と同じパッ
ケージ１０に入れると、ペレットが厚いだけワイヤ６も
高い個所をループを描くから、パッケージｌＯの上内壁
（ふたの下面）に強くあたシ、変形をする確率も大とな
る。
トし、ワイヤボンディングすると、第３図ｔｂ）のペレ
ットのエツジ８においてボンディングワイヤが短絡する
確率が犬となる。これは、５００μｍより厚いペレット
を用いているからである。又、第１図（Ｃ）と同じパッ
ケージ１０に入れると、ペレットが厚いだけワイヤ６も
高い個所をループを描くから、パッケージｌＯの上内壁
（ふたの下面）に強くあたシ、変形をする確率も大とな
る。
第１図は本発明の実施例の工程を示す断面図、第２図は
本発明の実施例におけるシート上のペレットの状態を示
す平面図、第３図は従来技術の工程を示す断面図、第４
図は従来技術におけるシート上のペレットの状態を示す
平面図、第５図は機械研磨された半導体ウェハーの厚さ
を該ウェハーの反シとの関係を示す図である。 尚、図において、１はエレクトロン・シート又は粘着シ
ート、２は５５０μｍの厚さの半導体ウェハー、３はダ
イシングされた部分、４は４５０μｍの厚さの半導体フ
ェノ・−１５，５’はリードフレーム、６はボンディン
グワイヤー、７は５５０μｍの厚さの半導体ペレット、
８は半導体ペレットのエツジ部、９は４５０μｍの厚さ
の半導体ペレット、１０はパッケージである。 〈 ズＵ゛シドライヤーのｖＬ宥〜戸・ 倣ρ ＃ ３ρθ る汁肖りによりイ昂ら老に厚さくｐだ）第、、！５反 椿／ ス （Ｃ） 第３ 図 Ｑつ （Ｃ）
本発明の実施例におけるシート上のペレットの状態を示
す平面図、第３図は従来技術の工程を示す断面図、第４
図は従来技術におけるシート上のペレットの状態を示す
平面図、第５図は機械研磨された半導体ウェハーの厚さ
を該ウェハーの反シとの関係を示す図である。 尚、図において、１はエレクトロン・シート又は粘着シ
ート、２は５５０μｍの厚さの半導体ウェハー、３はダ
イシングされた部分、４は４５０μｍの厚さの半導体フ
ェノ・−１５，５’はリードフレーム、６はボンディン
グワイヤー、７は５５０μｍの厚さの半導体ペレット、
８は半導体ペレットのエツジ部、９は４５０μｍの厚さ
の半導体ペレット、１０はパッケージである。 〈 ズＵ゛シドライヤーのｖＬ宥〜戸・ 倣ρ ＃ ３ρθ る汁肖りによりイ昂ら老に厚さくｐだ）第、、！５反 椿／ ス （Ｃ） 第３ 図 Ｑつ （Ｃ）
Claims (1)
- （１）半導体ウェハーの表面に所定の加工処理をほどこ
した後、前記半導体ウェハーの裏面の粗度が０．３μｍ
以下となり、かつその厚さが３００〜５００μｍとなる
ように研削し、しかる後に前記半導体ウェハーをシート
上に搭載した後ダイシングを行い、前記シートを引延し
て前記半導体ウェハーを分離して各ペレットを得、前記
ペレットとリード間をワイヤーで接続し、前記 リード、ワイヤー、ペレットをパッケージ 内に収容する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60-40489 | 1985-03-01 | ||
| JP4048985 | 1985-03-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625638A true JPS625638A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=12581997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4458286A Pending JPS625638A (ja) | 1985-03-01 | 1986-02-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625638A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514852A (en) * | 1993-06-10 | 1996-05-07 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129699A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-09 | Seiko Epson Corp | Single crystal silicon substrate |
| JPS58176802A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 強誘電体基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4458286A patent/JPS625638A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56129699A (en) * | 1980-03-11 | 1981-10-09 | Seiko Epson Corp | Single crystal silicon substrate |
| JPS58176802A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 強誘電体基板の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5514852A (en) * | 1993-06-10 | 1996-05-07 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment device |
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