WO2012169754A2 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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WO2012169754A2
WO2012169754A2 PCT/KR2012/004397 KR2012004397W WO2012169754A2 WO 2012169754 A2 WO2012169754 A2 WO 2012169754A2 KR 2012004397 W KR2012004397 W KR 2012004397W WO 2012169754 A2 WO2012169754 A2 WO 2012169754A2
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substrate
supported
roller
chamber
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강호영
조병호
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주식회사 테라세미콘
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    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus for loading and unloading only a substrate into a chamber.
  • Substrate processing apparatuses are used in the manufacture of flat panel displays, and are roughly classified into vapor deposition apparatuses and annealing apparatuses.
  • the deposition apparatus is a device for forming a transparent conductive layer, an insulating layer, a metal layer, or a silicon layer, which constitute the core of a flat panel display, and is a chemical vapor deposition apparatus such as low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) or plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). And physical vapor deposition apparatuses such as sputtering and the like.
  • LPCVD low pressure chemical vapor deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • physical vapor deposition apparatuses such as sputtering and the like.
  • the annealing device is a device for improving the properties of the deposited film after depositing a film on the substrate, and is a heat treatment device for crystallizing or phase changing the deposited film.
  • the heat treatment apparatus includes a single substrate type for heat treating one substrate and a batch type for heat treating a plurality of substrates.
  • Single sheet substrate processing apparatus has a simple configuration, but has a disadvantage of low productivity, a batch substrate processing apparatus is frequently used for mass production.
  • the substrate processing apparatus includes a main body having a chamber, which is a space where a substrate is processed, a holder installed inside the main body to support the substrate, a supporter supporting the plurality of holders in a stacked form, and installed inside the main body. And a heater for generating heat necessary for processing the substrate.
  • the conventional substrate processing apparatus as described above has a structure in which the holder is placed in the chamber while the substrate is mounted on the holder, the substrate is loaded into the chamber, and the holder is discharged from the chamber to release the substrate. Unload from the chamber. That is, the holder enters and exits the chamber.
  • the holder discharged from the chamber is cooled, then reinserted into the chamber, and the holder reinserted into the chamber is heated in a low temperature state. Therefore, since the energy and time are required to heat the holder at a high temperature, productivity of the substrate treating process is lowered.
  • an object of the present invention is to load the substrate in the chamber and unloaded from the chamber in a state in which the holder is left and placed in the chamber, the substrate is mounted, It is to provide a substrate processing apparatus that can improve the productivity of the processing process.
  • a substrate processing apparatus comprising: a main body in which a chamber is formed; A heater installed in the chamber to generate heat for processing the substrate; A holder mounted on the heater and mounted on the substrate; And is mounted to be liftable so as to mount the substrate on the holder while protruding upward through the heater and the holder while supporting the substrate, then mounting the substrate on the holder while descending. And a plurality of support pins protruding upward of the holder while spaced apart when the processing of the substrate is completed to separate the substrate from the holder.
  • the body is formed with a chamber which is a space in which the substrate is processed; A plurality of rollers rotatably supported by the body and positioned in the chamber; A holder on which the substrate is mounted and supported by the roller; A heater supported by the main body and positioned in the chamber, the heater generating heat for processing the substrate; And is mounted to be liftable to mount the substrate in the holder while supporting the substrate after descending while protruding upward through the holder while supporting the substrate. It includes a plurality of support pins protruding upward of the holder while spaced apart from the holder while the processing is completed.
  • the body is formed with a chamber which is a space in which the substrate is processed; A plurality of rollers rotatably supported by the body and positioned in the chamber; A holder on which the substrate is mounted and supported by the roller; A heater supported by the main body and positioned in the chamber, the heater generating heat for processing the substrate; A lower side is positioned below the main body, and an upper side penetrates through the main body and simultaneously passes through the holder. When mounting the substrate on the holder, the upper side protrudes above the holder to support the substrate.
  • the substrate includes a plurality of support pins that protrude upward and spaced apart from the holder.
  • One side and the other side of the roller is supported on one side and the other side of the main body to form a roller group located on the same horizontal plane from the front to the rear of the main body, the roller group has a predetermined interval up and down While being installed in plurality, one holder is supported on one roller group, and the plurality of support pins It is formed at a height and ascends to the top dead center, and then descends and supports the substrate sequentially from the holder on the uppermost side to the holder on the lower side while descending. The substrate is sequentially spaced from the holder up to the holder.
  • the holder is disposed in the chamber and only the substrate is loaded into the chamber and unloaded from the chamber. Therefore, since the energy and time for reheating the holder are relatively small, the productivity of the substrate processing process is improved.
  • FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view of main parts of FIG. 1;
  • FIG. 3 and 4 are perspective views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • FIG. 5 is a perspective view of principal parts of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • 6 to 8 are front views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • FIG. 9 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a perspective view of main parts of FIG. 9;
  • FIG. 11 and 12 are perspective views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • FIG. 13 is a perspective view of principal parts of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 to 16 is a front view showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • FIG. 17 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a perspective view of main parts of FIG. 17;
  • 19 to 22 are front views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • Treatment of a substrate includes processes for heating and cooling the substrate, all processes for depositing a predetermined film on the substrate, and all heat treatment processes for annealing, crystallizing, or phase changing the film deposited on the substrate.
  • the material of the substrate is not particularly limited and may be formed of a material such as glass, plastic, polymer, silicon wafer or stainless steel.
  • FIG. 1 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a perspective view of principal parts of FIG. 1.
  • the substrate processing apparatus includes a main body 110 having a substantially rectangular parallelepiped shape that forms an appearance.
  • the chamber 111 which is a space where the substrate 50 is processed, is formed in the main body 110, and the chamber 111 is provided as a closed space.
  • the main body 110 may be formed in various shapes according to the shape of the substrate 50 as well as the rectangular parallelepiped shape.
  • An opening is formed on the front surface of the main body 110, and the opening is opened and closed by a door 113 installed on the front of the main body 110.
  • the substrate 50 is supported by a robot arm (not shown) or the like to load the substrate 50 into the chamber 111.
  • the substrate 50 is processed while the door 113 is closed and the chamber 111 is closed.
  • the chamber 111 includes components such as a heater 120, a supporter 130 holder 140, and a cooling tube (not shown), which are required for processing the substrate 50, and when the components are repaired or replaced, a cover ( 115 is opened to communicate the chamber 111 with the outside.
  • the heater 120, the supporter 130, and the holder 140 will be described later.
  • the holder 140 is left in the chamber 111, only the substrate 50 is loaded into the chamber 111, and the chamber 111 is removed from the chamber 111. Unload
  • the substrate processing apparatus is installed to be elevated and mounted to mount the substrate 50 in the holder 140 while penetrating the heater 130 and the holder 140 while being raised. After protruding to the upper side of the 140, the substrate 50 is mounted on the holder 140 while supporting the substrate 50 and then descending, and when the processing of the substrate 50 is completed, the substrate 50 is raised and the upper side of the holder 140. Protruded to provide a means for separating the substrate 50 from the holder 140.
  • the chamber 111 is provided with a plurality of supporters 130, and the supporter 130 supports the edge portion side of the plate-shaped heater 120 that generates heat required for the processing of the substrate 50.
  • the holder 140 is mounted and supported by the heater 120, and the substrate 50 is mounted and supported by the holder 140. That is, the substrate 50 is mounted on the holder 140 and processed.
  • the means is provided with a plurality of support pins 151 provided to be elevated.
  • the lower portion of the support pin 151 is located under the body 110, the upper portion is located in the chamber 111 through the body 110.
  • the lower end of the support pin 151 is connected to the upper end side of the piston 155a of the cylinder 155 provided on the lower outer side of the main body 110, and the upper end side penetrates the heater 120 and the holder 140.
  • the through-holes 121 and 141 are respectively formed in the heater 120 and the holder 140 so that the support pin 151 can penetrate the heater 120 and the holder 140, and the through-hole 121. , 141 is formed to correspond to the support pin 151.
  • the lower end of the support pin 151 is integrally coupled to the rectangular connection frame 153 installed on the lower side of the main body 110 so that the plurality of support pins 151 can be elevated in the same way, and the center portion of the connection frame 153
  • the upper end of the piston 155a of the cylinder 155 is coupled to the lower surface. Therefore, the lifting movement of the piston 155a is transmitted to the support pin 151 through the connecting frame 153.
  • the support pins are mounted to mount the substrate 50 to the holder 140.
  • 151 rises and protrudes upward of the holder 140 through the heater 130 and the holder 140.
  • the robot arm is lowered to mount the substrate 50 on the support pin 151, and the support pin when the substrate 50 is mounted on the support pin 151.
  • the substrate 50 is mounted on the holder 140.
  • the support pin 151 is raised to protrude upward of the holder 140 to separate the substrate 50 from the holder 140.
  • the robot arm supports the substrate 50 and is unloaded from the chamber 111.
  • a sealing member may be installed on a lower surface of the main body 110 through which the support pin 151 penetrates to prevent leakage of heat or gas into a gap between the support pin 151 and the main body 110.
  • Reference numeral 160 in FIG. 1 is a support frame supporting the main body 110.
  • FIGS. 2 to 4. 3 and 4 are perspective views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • the state in which the substrate 50 is not mounted in the holder 140 is an initial state.
  • the substrate 50 see FIGS. 1 and 4
  • FIG. 3 by driving the cylinder 155.
  • the piston 155a is raised.
  • the support pin 151 is raised by the connecting frame 153, and thus the upper end side of the support pin 151 is the through hole 121 of the heater 120 and the through hole 141 of the holder 140. Protrudes through the upper side of the holder 140.
  • the robot arm is lowered to support the substrate 50, as shown in Figure 4, the upper end of the support pin 151.
  • the robot arm is moved out of the chamber 111 and the support pin 151 is lowered.
  • the upper end of the support pin 151 is inserted into the through hole 141 of the holder 140 by the lowering of the support pin 151, the substrate 50 is mounted and supported by the holder 140.
  • the support pin 151 is raised to hold the substrate 50 as shown in FIG. 4. Spaced above 140. Then, the robot arm flows into the chamber 111 to support and support the lower surface of the substrate 50, and then unload the substrate 50 to the outside of the chamber 111.
  • the holder 140 remains disposed in the chamber 111, and only the substrate 50 is loaded into the chamber 111 and unloaded from the chamber 111. Therefore, since energy and time for reheating the holder 140 are relatively small, the productivity of the substrate processing process is improved.
  • FIG. 5 is a perspective view of principal parts of the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention, and only the differences from the first embodiment will be described.
  • a plurality of heaters 220 are stacked and supported by the supporter 230, and the holders 240 are mounted on and supported by the heaters 220.
  • the connecting frame 253 is provided by the number of holders 240 to form a stacked form, each of the lower end of the support pin 251 is coupled to each connecting frame 253, respectively. Then, the piston 255a of each cylinder 255 is coupled to each connection frame 253.
  • connection frame 253 arranged in a stacked form is concentric. Incidentally, for the sake of simplicity, only one cylinder 255 and one piston 255a are shown.
  • the support pin 251a coupled to the connection frame 253a of the first layer passes through the heater 220a of the first layer and the holder 240a of the first layer while being mounted and supported on the holder 240a of the first layer ( 50) and the support pins 251b coupled to the connection frame 253b of the second layer pass through the heaters 220a and 220b of the first and second layers and the holders 240a and 240b of the first and second layers.
  • the support pin 251c coupled to the connection frame 253c of the three layers has the heaters 220a,
  • the substrate 50 mounted on and supported by the three-layer holder 240c is elevated by passing through the holders 220a and 220c and the holders 240a, 240b and 240c of the first, second and third layers.
  • FIGS. 6 to 8. are front views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • the substrate 50 is first mounted on the three-layer holder 240c or the substrate 50 mounted on the three-layer holder 240c is spaced apart from the holder 240c,
  • the support pin 251c coupled to the three-layer connection frame 253c is lifted, and as shown in FIG. 7, the substrate 50 is mounted and supported on the holder 240b of the second layer, or the holder of the second layer (
  • the support pin 251b coupled to the connection frame 253b of the two layers is lifted, and as shown in FIG.
  • the support coupled to the connection frame 253a on the first layer.
  • the pin 251a moves up and down.
  • connection frame 253c of the third layer must be raised, and the connection frame 253b of the second and third layers to rise the connection frame 253a of the first layer. 253c) should be elevated.
  • the support pins 251a coupled to the connection frame 253a of the first layer are properly adjusted by adjusting the length of the support pins 251 coupled to the connection frame 253.
  • the substrate 50 can be elevated, and the support pins 251b coupled to the connection frames 253b of two layers are provided with the heaters 220a and 220b of the first and second layers and the holders 240a and the second and second layers, respectively.
  • the support pin 251 coupled to the connection frame 253 of the layer corresponding to the reverse of the number of layers of the holder 240 is mounted on the holder 240 of the layer corresponding to the reverse of the number of the layers of the connection frame 253.
  • the substrate 50 can be raised and lowered.
  • the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention also has the same effect as the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention
  • FIG. 10 is a perspective view of principal parts of FIG. 9, which describes only differences from the first embodiment.
  • the substrate processing apparatus includes a body 310 having a substantially rectangular parallelepiped shape that forms an appearance.
  • An opening is formed on the front surface of the main body 310, and the opening is opened and closed by a door 313 installed on the front of the main body 310.
  • the door 313 is opened to support the substrate 50 with a robot arm (not shown) in a state in which the chamber 311 is in communication with the outside, thereby loading the substrate 50 into the chamber 311. Then, the substrate 50 is processed while the door 313 is closed and the chamber 311 is closed.
  • An opening may also be formed on the top surface of the main body 310.
  • the opening portion of the upper surface of the main body 310 is opened and closed by the cover 315, and when the interior of the main body 310 is repaired, the cover 315 is opened to communicate the chamber 311 with the outside.
  • the main body 310 is provided with a plurality of rollers 320.
  • One side and the other side of the roller 320 is rotatably installed and supported on one side and the other side of the main body 310, respectively, is located in the chamber 311.
  • the roller 320 has a predetermined interval while going from the front to the rear of the main body 310, and is located on the same horizontal surface.
  • the holder 320 is mounted on the roller 320 to support the substrate 50.
  • the main body 310 is provided with a heater 340 for generating heat required for processing the substrate 50.
  • the heater 340 is formed in a tube shape and disposed between the roller 320 and the roller 320 adjacent to each other.
  • the heater 340 may be installed inside the roller 320. At this time, the heater 340 installed inside the roller 320 is preferably independent of the rotation of the roller 320. That is, it is preferable that the heater 340 installed inside the roller 320 does not rotate.
  • the substrate processing apparatus loads only the substrate 50 into the chamber 311 with the holder 330 placed in the chamber 311, or the chamber 311. Unload from.
  • the substrate processing apparatus when the substrate 50 is mounted on the holder 330, the substrate processing apparatus is lifted and penetrates through the holder 330 while being raised to the upper side of the holder 330. After protruding to the substrate 50, the substrate 50 is mounted on the holder 330 while supporting the substrate 50 and then lowered. When the processing of the substrate 50 is completed, the substrate 50 is raised and protrudes to the upper side of the holder 330. Means are provided for separating the 50 from the holder 330.
  • the means is provided with a plurality of support pins 351 which are installed to be elevated.
  • the lower side of the support pin 351 is located under the main body 310, the upper side is located in the chamber 311 through the main body 310.
  • the lower end of the support pin 351 is connected to the upper end side of the piston 355a of the cylinder 355 installed on the lower outer side of the main body 310, and the upper end side penetrates through the holder 330.
  • the through hole 331 is formed in the holder 330 to correspond to the support pin 351 so that the support pin 351 can pass through the holder 330.
  • the lower end of the support pin 351 is integrally coupled to the quadrangular connecting frame 353 so that the plurality of support pins 351 can be elevated in the same manner, and a piston 355a is provided on the lower surface of the central portion of the connecting frame 353. ) Is combined with the upper end. Therefore, the lifting movement of the piston 355a is transmitted to the support pin 351 through the connecting frame 353.
  • the support pins are mounted to mount the substrate 50 to the holder 330.
  • 351 is raised and penetrates through the holder 330 to protrude upward of the holder 330.
  • the robot arm descends to mount the substrate 50 on the support pin 351, and when the substrate 50 is mounted on the support pin 351, the support pin is supported.
  • the substrate 50 is mounted on the holder 330.
  • the support pin 351 is raised to protrude upward of the holder 330 to separate the substrate 50 from the holder 330.
  • the substrate 50 is supported by the robot arm to be unloaded from the chamber 311.
  • a sealing member may be installed on a lower surface of the main body 310 through which the support pin 351 penetrates to prevent leakage of heat or gas into a gap between the support pin 351 and the main body 310.
  • Reference numeral 360 of FIG. 9 is a support frame supporting the main body 310.
  • FIGS. 10 to 12. 11 and 12 are perspective views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • the state in which the substrate 50 is not mounted in the holder 330 is the first state.
  • the cylinder 355 is driven to drive the cylinder arm 355.
  • the piston 355a is raised.
  • the support pin 351 is raised by the connection frame 353, and thus the upper end side of the support pin 351 passes through the through hole 331 and protrudes above the holder 330.
  • the robot arm is lowered to support the substrate 50, the upper end of the support pin 351, as shown in FIG.
  • the robot arm is moved out of the chamber 311 and the support pin 351 is lowered.
  • the support pin 351 is lowered and the upper end of the support pin 351 is inserted into the through hole 331, the substrate 50 is mounted and supported by the holder 330.
  • the support pin 351 is raised to hold the substrate 50 as shown in FIG. 12. Spaced above 330. Then, the robot arm flows into the chamber 311 to support and support the lower surface of the substrate 50, and then unload the substrate 50 to the outside of the chamber 311.
  • the holder 330 since the holder 330 remains disposed in the chamber 311, and only the substrate 50 is loaded into the chamber 311 and unloaded from the chamber 311, Relatively little energy and time is required to heat the holder 330. Therefore, productivity of a substrate processing process is improved.
  • FIG. 13 is a perspective view of principal parts of the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, and only the differences from the third embodiment will be described.
  • the roller 420 forms one roller group 420a located on the same horizontal plane from the front to the rear of the main body 310 (see FIG. 9), and the roller group 420a is predetermined up and down. Multiple installations are provided at intervals.
  • the heater 440 is preferably located between the roller 420 and the roller 420 adjacent to each other forming one roller group 420a.
  • the connecting frame 453 is provided by the number of holders 430 to form a stacked form, each of the lower end of the support pin 451 is coupled to each connecting frame 453, respectively. Then, the piston 455a of each cylinder 455 is coupled to each connection frame 453.
  • holders 430 are mounted and supported on three roller groups 420a, respectively, and holders 430a, 430b, and 430c are stacked in three layers, and three connection frames 453a, 453b, and 453c are three. It appears to be stacked in layers. At this time, it is preferable that the connection frame 453 arranged in a stacked form is concentric. Incidentally, for the sake of simplicity, only one cylinder 455 and one piston 455a are shown.
  • FIGS. 13 to 16. 14 to 16 are front views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • the support pin 451c coupled to the connection frame 453c of the three layers is elevated, and as shown in FIG. 15, the substrate 50 is mounted and supported on the holder 430b of the two layers, or the holder of the two layers of the holder ( In order to separate the substrate 50 mounted on the 430b from the holder 430b, the support pin 451b coupled to the connection frame 453b of the two layers is lifted, and as shown in FIG. To support the substrate 50 mounted on the holder 430a or to separate the substrate 50 mounted on the holder 430a on one layer from the holder 430a, the support coupled to the connection frame 453a on the first layer. The pin 451a moves up and down.
  • connection frame 453c of the third floor must be raised, and the connection frame 453b of the second and third floors to rise the connection frame 453a of the first floor. 453c) should be elevated.
  • the substrate processing apparatus appropriately adjusts the length of the support pin 451 coupled to the connection frame 453 so that the support pin 451a coupled to the connection frame 453a of the first layer.
  • the substrate 50 mounted on and supported by the three-layer holder 430c can be lifted and penetrated through the first, second, and third holders 430a, 430b, and 430c, and the connection frame 453b of two layers is provided.
  • the support pin 451b coupled to the first layer and the second layer may pass through the holders 430a and 430b to lift and lower the substrate 50 mounted on the holder 430b on the second layer.
  • the support pin 451c coupled to the 453c may lift and lower the substrate 50 mounted on the first layer holder 430a while passing through the first layer holder 430a.
  • the support pin 451 coupled to the connection frame 453 of the layer corresponding to the reverse of the number of layers of the holder 430 is mounted and supported on the holder 430 of the layer corresponding to the reverse of the number of the layers of the connection frame 453.
  • the substrate 50 can be raised and lowered.
  • the substrate processing apparatus according to the fourth embodiment of the present invention also has the same effect as the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a perspective view of a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention
  • FIG. 18 is a perspective view of principal parts of FIG. 17, which describes only differences from the third embodiment.
  • the substrate processing apparatus includes a main body 510 having an approximately rectangular parallelepiped shape.
  • An opening is formed in the front of the main body 510, and the opening is opened and closed by a door 513 installed in the front of the main body 510.
  • the substrate 50 is supported by a robot arm (not shown) or the like to load the substrate 50 into the chamber 511. Then, the substrate 50 is processed while the door 513 is closed and the chamber 511 is closed.
  • An opening may be formed on the upper surface of the main body 510.
  • the opening portion of the upper surface of the main body 510 is opened and closed by the cover 515, and when the interior of the main body 510 is repaired, the cover 515 is opened to communicate the chamber 511 with the outside.
  • the body 510 is provided with a plurality of rollers 520.
  • One side and the other side of the roller 520 is rotatably installed and supported on one side and the other side of the body 510, respectively, is located in the chamber 511.
  • the roller 520 forms a roller group 520a which is positioned on the same horizontal plane while having a predetermined interval from the front to the rear of the main body 510, and the roller group 520a has a predetermined interval up and down. Plural numbers are installed.
  • the holder 530 on which the substrate 50 is mounted and supported is supported by one roller group 520a. Therefore, the number of substrates 50 loaded into the chamber 511 and processed at one time corresponds to the number of roller groups 520a.
  • holders 530 are mounted and supported on three roller groups 520a, respectively, and the holders 530a, 530b, and 530c are stacked in three layers.
  • the main body 510 is provided with a heater 540 for generating heat necessary for processing the substrate 50.
  • the heater 540 is disposed in a tube shape and disposed between the rollers 520 and the rollers 520 which are adjacent to each other to form one roller group 520a.
  • the heater 540 may be installed in the roller 520.
  • the heater 540 installed inside the roller 520 is preferably independent of the rotation of the roller 520. That is, it is preferable that the heater 540 installed inside the roller 520 does not rotate.
  • the substrate processing apparatus In the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention, only the substrate 50 is loaded into or unloaded from the chamber 511 while the holder 530 is disposed and left in the chamber 511.
  • the substrate 50 when the substrate 50 is mounted on the holder 530, the substrate 50 protrudes above the holder 530 to support the substrate 50, and then descends. ) Is mounted on the holder 530, and when the processing of the substrate 50 mounted on the holder 530 is completed, the substrate 50 is raised upward and protrudes upward from the holder 530 to lift the substrate 50 from the holder 530.
  • a plurality of support pins 551 are formed at the same height to be spaced apart.
  • the lower side of the support pin 551 is positioned below the main body 510, and the upper side passes through the main body 510 and is positioned in the chamber 511. And, the lower end of the support pin 551 is connected to the upper end side of the piston 555a of the cylinder 555 via a connecting frame 553 installed on the lower outer side of the main body 510, the upper end side is connected to the holder 530 Penetrates.
  • the through hole 531 is formed in the holder 530 to correspond to the support pin 551 so that the support pin 551 can penetrate the holder 530.
  • the lower end of the support pin 551 is coupled to the connection frame 553, and the upper end of the piston 555a is coupled. Therefore, the lifting motion of the piston 555a is transmitted to the support pins 551 through the connection frame 553, and the plurality of support pins 551 are equally moved by the connection frame 553.
  • Reference numeral 560 in FIG. 17 is a frame supporting the main body 510.
  • FIGS. 18 to 22 are front views showing the operation of the support pin shown in FIG.
  • the support pin 551 is located at the bottom dead center position, and the substrate 50 (see FIGS. 20 to 22) is not mounted on the holder 530 supported by the roller 520. Assume the state is the original state.
  • the robot arm is moved out of the chamber 511.
  • the support pin 551 is lowered to a position between the holder 530c of the third layer and the holder 530b of the second layer.
  • the substrate 50 is mounted and supported by the holder 530c of the third layer.
  • the robot arm supporting the substrate 50 is inserted between the three layers of the holder 530c and the two layers of the holder 530b to mount the substrate 50 on the upper end of the support pin 551.
  • the robot arm is moved out of the chamber 511 and is supported.
  • the pin 551 is lowered to a position between the holder 530b of the second layer and the holder 530a of the first layer, as shown in FIG. 22.
  • the support pin 551 is lowered to a position between the holder 530b of the second layer and the holder 530a of the first layer, the substrate 50 is mounted and supported by the holder 530b of the second layer.
  • the robot arm supporting the substrate 50 is inserted between the holder 530b on the two layers and the holder 530a on the first layer to mount the substrate 50 on the upper end of the support pin 551.
  • the robot arm is moved out of the chamber 511 and supported.
  • the pin 551 is lowered to the bottom dead center position and is in the state shown in FIG. 19. Then, the board
  • the support pin 551 ascends to the top dead center position and then descends to the bottom dead center position while descending sequentially. Then, the board
  • the support pins 551 sequentially rise from the bottom dead center to rise to the top dead center. That is, the support pin 551 spaces apart the substrate 50 mounted on the first layer holder 530a first, and when the substrate 50 mounted on the first layer holder 530a is unloaded, The substrate 50 mounted on the holder 530b of the layer is spaced apart. And when the board
  • the substrate processing apparatus according to the fifth embodiment of the present invention also has the same effect as the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention.

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 홀더는 챔버에 배치되어 남아있고, 기판만이 챔버에 로딩되고 챔버로부터 언로딩된다. 따라서, 홀더를 재가열하기 위한 에너지 및 시간이 상대적으로 적게 소요되므로, 기판 처리 공정의 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Description

기판 처리 장치
본 발명은 기판만을 챔버에 로딩하고 챔버로부터 언로딩하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 평판 디스플레이의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다.
증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 장치로써, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 화학 기상 증착 장치와 스퍼터링(Sputtering) 등과 같은 물리 기상 증착 장치가 있다.
그리고, 어닐링 장치는 기판에 막을 증착한 후, 증착된 막의 특성을 향상시키는 장치로써, 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.
일반적으로, 열처리 장치는 하나의 기판을 열처리하는 매엽식(Single Substrate Type)과 복수의 기판을 열처리하는 배치식(Batch Type)이 있다. 매엽식 기판 처리 장치는 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어, 대량 생산에는 배치식 기판 처리 장치가 많이 사용된다.
기판 처리 장치는 기판이 처리되는 공간인 챔버가 내부에 형성된 본체, 상기 본체의 내부에 설치되며 기판을 지지하는 홀더, 복수의 상기 홀더를 적층된 형태로 지지하는 서포터, 상기 본체의 내부에 설치되며 상기 기판의 처리에 필요한 열을 발생하는 히터 등을 가진다.
상기와 같은 종래의 기판 처리 장치는, 그 구조상, 상기 홀더에 상기 기판을 탑재한 상태에서 상기 홀더를 상기 챔버에 투입하여 상기 기판을 상기 챔버에 로딩하고, 상기 홀더를 상기 챔버로부터 배출하여 상기 기판을 상기 챔버로부터 언로딩한다. 즉, 상기 홀더는 상기 챔버를 출입한다.
그러므로, 상기 챔버에서 배출된 상기 홀더는 냉각된 후, 상기 챔버에 다시 투입되고, 상기 챔버로 재투입된 상기 홀더는 저온의 상태에서 가열된다. 따라서, 상기 홀더를 고온의 상태로 가열하기 위해서는 에너지 및 시간이 많이 소요되므로, 기판 처리 공정의 생산성이 저하되는 단점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판이 탑재 지지되는 홀더를 챔버에 배치하여 남겨둔 상태에서 기판만을 챔버에 로딩하고 챔버로부터 언로딩함으로써, 기판 처리 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체; 상기 챔버에 설치되어 상기 기판을 처리하기 위한 열을 발생하는 히터; 상기 히터에 탑재 지지되고 상기 기판이 탑재 지지되는 홀더; 및 승강가능하게 설치되어 상기 기판을 상기 홀더에 탑재할 때는 상승하면서 상기 히터 및 상기 홀더를 관통하여 상기 홀더의 상측으로 돌출된 후 상기 기판을 지지한 다음 하강하면서 상기 기판을 상기 홀더에 탑재시키고, 상기 기판의 처리가 완료되면 상승하면서 상기 홀더의 상측으로 돌출되어 상기 기판을 상기 홀더로부터 이격시키는 복수의 지지핀을 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체; 상기 본체에 회전가능하게 지지되어 상기 챔버에 위치된 복수의 롤러; 상기 기판이 탑재 지지되며 상기 롤러에 지지되는 홀더; 상기 본체에 지지되어 상기 챔버에 위치되며, 상기 기판을 처리하기 위한 열을 발생하는 히터; 및 승강가능하게 설치되어 상기 기판을 상기 홀더에 탑재할 때는 상승하면서 상기 홀더를 관통하여 상기 홀더의 상측으로 돌출된 후 상기 기판을 지지한 다음 하강하면서 상기 기판을 상기 홀더에 탑재시키고, 상기 기판의 처리가 완료되면 상승하면서 상기 홀더의 상측으로 돌출되어 상기 기판을 상기 홀더로부터 이격시키는 복수의 지지핀을 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체; 상기 본체에 회전가능하게 지지되어 상기 챔버에 위치된 복수의 롤러; 상기 기판이 탑재 지지되며 상기 롤러에 지지되는 홀더; 상기 본체에 지지되어 상기 챔버에 위치되며, 상기 기판을 처리하기 위한 열을 발생하는 히터; 하부측은 상기 본체의 하측에 위치되고, 상부측은 상기 본체를 관통하여 상기 챔버에 위치됨과 동시에 상기 홀더를 관통하며, 상기 기판을 상기 홀더에 탑재할 때, 상기 홀더의 상측으로 돌출되어 상기 기판을 지지하여 하강하면서 상기 기판을 상기 홀더에 탑재시키고, 상기 홀더에 탑재된 상기 기판의 처리가 완료되면, 상승하면서 상기 홀더의 상측으로 돌출되어 상기 기판을 상기 홀더로부터 이격시키는 복수의 지지핀을 포함하며, 상기 롤러는 일측 및 타측이 상기 본체의 일측면 및 타측면에 각각 지지되어 상기 본체의 전면에서 후면으로 가면서 동일 수평면상에 위치되는 하나의 롤러그룹을 이루고, 상기 롤러그룹은 상하로 소정 간격을 가지면서 복수개 설치되며, 하나의 상기 롤러그룹에 하나의 상기 홀더가 지지되고, 복수의 상기 지지핀은 동일 높이로 형성되어 상사점까지 상승한 다음 하강하면서 최상측의 상기 홀더에서부터 최하측의 상기 홀더까지 순차적으로 상기 기판을 상기 홀더에 탑재 지지하고, 하사점에서 상승하면서 최하측의 상기 홀더에서부터 최상측의 상기 홀더까지 순차적으로 상기 기판을 상기 홀더로부터 이격시킨다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 홀더는 챔버에 배치되어 남아있고, 기판만이 챔버에 로딩되고 챔버로부터 언로딩된다. 따라서, 홀더를 재가열하기 위한 에너지 및 시간이 상대적으로 적게 소요되므로, 기판 처리 공정의 생산성이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도.
도 2는 도 1의 요부 사시도.
도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 지지핀의 동작을 보인 사시도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 요부 사시도.
도 6 내지 도 8은 도 5에 도시된 지지핀의 동작을 보인 정면도.
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도.
도 10은 도 9의 요부 사시도.
도 11 및 도 12는 도 10에 도시된 지지핀의 동작을 보인 사시도.
도 13은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판 처리 장치의 요부 사시도.
도 14 내지 도 16은 도 13에 도시된 지지핀의 동작을 보인 정면도.
도 17은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도.
도 18은 도 17의 요부 사시도.
도 19 내지 도 22는 도 18에 도시된 지지핀의 동작을 보인 정면도.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분하게 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다.
기판의 처리라 함은 기판을 가열 및 냉각하는 공정, 기판 상에 소정의 막을 증착하기 위한 모든 공정, 기판 상에 증착된 막을 어닐링, 결정화 또는 상변화하기 위한 모든 열처리 공정을 포함한다. 그리고, 기판의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼 또는 스테인레스 스틸 등과 같은 재질로 형성될 수 있다.
제 1 실시예
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 2는 도 1의 요부 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치는 외관을 이루는 대략 직육면체 형상의 본체(110)를 포함한다. 본체(110)의 내부에는 기판(50)이 처리되는 공간인 챔버(111)가 형성되고, 챔버(111)는 밀폐된 공간으로 마련된다. 본체(110)는 직육면체 형상뿐만 아니라 기판(50)의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
본체(110)의 전면에는 개방부가 형성되고, 상기 개방부는 본체(110)의 전면에 설치된 도어(113)에 의하여 개폐된다. 도어(113)를 열어 챔버(111)를 외부와 연통시킨 상태에서 로봇아암(미도시) 등으로 기판(50)을 지지하여 기판(50)을 챔버(111)에 로딩한다. 그리고, 도어(113)를 닫아 챔버(111)를 폐쇄한 상태에서, 기판(50)을 처리한다.
본체(110)의 상면에도 개방부가 형성될 수 있으며, 상기 개방부는 커버(115)에 의하여 개폐된다. 챔버(111)에는 기판(50)의 처리에 필요한 히터(120), 서포터(130) 홀더(140) 및 냉각관(미도시) 등과 같은 부품들이 설치되며, 상기 부품들의 수리 또는 교체시, 커버(115)를 열어 챔버(111)를 외부와 연통시킨다.
히터(120), 서포터(130) 및 홀더(140)에 대해서는 후술한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 생산성을 향상시키기 위하여, 홀더(140)는 챔버(111)에 남겨두고, 기판(50)만을 챔버(111)에 로딩하고 챔버(111)로부터 언로딩한다.
이를 위하여, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치에는, 승강가능하게 설치되어 기판(50)을 홀더(140)에 탑재할 때는 상승하면서 히터(130) 및 홀더(140)를 관통하여 홀더(140)의 상측으로 돌출된 후, 기판(50)을 지지한 다음 하강하면서 기판(50)을 홀더(140)에 탑재시키고, 기판(50)의 처리가 완료되면 상승하면서 홀더(140)의 상측으로 돌출되어 기판(50)을 홀더(140)로부터 이격시키는 수단이 마련된다.
상기 수단에 대하여 설명한다.
챔버(111)에는 복수의 서포터(130)가 설치되고, 서포터(130)에는 기판(50)의 처리에 필요한 열을 발생하는 판 형상의 히터(120)의 테두리부측이 지지된다. 그리고, 히터(120)에는 홀더(140)가 탑재 지지되고, 홀더(140)에 기판(50)이 탑재 지지된다. 즉, 기판(50)은 홀더(140)에 탑재되어 처리된다.
상기 수단은 승강가능하게 설치된 복수의 지지핀(151)으로 마련된다.
이때, 지지핀(151)의 하측 부위는 본체(110)의 하측에 위치되고, 상측 부위는 본체(110)를 관통하여 챔버(111)에 위치된다. 그리고, 지지핀(151)의 하단부는 본체(110)의 하부 외측에 설치된 실린더(155)의 피스톤(155a)의 상단부측에 연결되고, 상단부측은 히터(120) 및 홀더(140)를 관통한다.
지지핀(151)이 히터(120) 및 홀더(140)를 관통할 수 있도록, 히터(120) 및 홀더(140)에는 대응되게 관통공(121)(141)이 각각 형성되고, 관통공(121, 141)은 지지핀(151)과 대응되게 형성된다.
복수의 지지핀(151)이 동일하게 승강할 수 있도록 지지핀(151)의 하단부는 본체(110)의 하측에 설치된 사각형상의 연결프레임(153)에 일체로 결합되고, 연결프레임(153)의 중앙부측 하면에는 실린더(155)의 피스톤(155a)의 상단부가 결합된다. 따라서, 피스톤(155a)의 승강운동이 연결프레임(153)을 통하여 지지핀(151)에 전달된다.
그리하여, 기판(50)을 챔버(111)에 로딩하기 위하여, 상기 로봇아암으로 기판(50)을 챔버(111)로 이송해오면, 기판(50)을 홀더(140)에 탑재하기 위하여 지지핀(151)이 상승하면서 히터(130) 및 홀더(140)를 관통하여 홀더(140)의 상측으로 돌출된다. 지지핀(151)이 홀더(140)의 상측으로 돌출되면 상기 로봇아암이 하강하여 기판(50)을 지지핀(151)에 탑재하고, 지지핀(151)에 기판(50)이 탑재되면 지지핀(151)이 하강하면서 기판(50)을 홀더(140)에 탑재시킨다.
그리고, 홀더(140)에 기판(50)이 탑재 지지되어 처리가 완료되면, 지지핀(151)이 상승하면서 홀더(140)의 상측으로 돌출되어 기판(50)을 홀더(140)로부터 이격시킨다. 기판(50)이 홀더(140)로부터 이격되면, 상기 로봇아암으로 기판(50)을 지지하여 챔버(111)로부터 언로딩시킨다.
지지핀(151)이 관통하는 본체(110)의 하면에는 지지핀(151)과 본체(110) 사이의 틈으로 열 또는 가스가 누설되는 것을 방지하는 실링부재가 설치될 수 있다.
도 1의 미설명 부호 160은 본체(110)를 지지하는 지지프레임이다.
지지핀(151)의 동작에 대하여 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 지지핀의 동작을 보인 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 홀더(140)에 기판(50)이 탑재되어 있지 않은 상태를 최초의 상태라 가정한다. 도 2에 도시된 상태에서, 기판(50)(도 1 및 도 4 참조)이 상기 로봇아암에 지지되어 홀더(140)의 상측으로 이송되면, 실린더(155)의 구동에 의하여, 도 3에 도시된 바와 같이, 피스톤(155a)이 상승한다. 그러면, 연결프레임(153)에 의하여 지지핀(151)이 상승하고, 이로 인해 지지핀(151)의 상단부측이 히터(120)의 관통공(121) 및 홀더(140)의 관통공(141)을 관통하여 홀더(140)의 상측으로 돌출된다.
그러면, 상기 로봇아암이 하강하여 기판(50)을, 도 4에 도시된 바와 같이, 지지핀(151)의 상단부에 지지시킨다. 기판(50)이 지지핀(151)에 지지되면, 상기 로봇아암은 챔버(111)의 외부로 이동되고 지지핀(151)은 하강한다. 지지핀(151)의 하강에 의하여, 지지핀(151)의 상단부가 홀더(140)의 관통공(141)의 내측으로 삽입되면, 기판(50)이 홀더(140)에 탑재 지지된다.
그리고, 홀더(140)에 기판(50)이 탑재된 후, 기판(50)의 처리가 완료되면, 지지핀(151)이 상승하여, 도 4에 도시된 상태와 같이, 기판(50)을 홀더(140)의 상측으로 이격시킨다. 그러면, 상기 로봇아암이 챔버(111)로 유입되어 기판(50)의 하면을 받쳐서 지지한 다음, 기판(50)을 챔버(111)의 외부로 언로딩한다.
본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치는 홀더(140)는 챔버(111)에 배치되어 남아있고, 기판(50)만이 챔버(111)에 로딩되고 챔버(111)로부터 언로딩된다. 따라서, 홀더(140)를 재가열하기 위한 에너지 및 시간이 상대적으로 적게 소요되므로, 기판 처리 공정의 생산성이 향상된다.
제 2 실시예
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치의 요부 사시도로서, 제 1 실시예와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 히터(220)는 적층된 형태로 복수개가 서포터(230)에 지지되고, 각각의 히터(220)에 홀더(240)가 탑재 지지된다. 연결프레임(253)은 홀더(240)의 개수만큼 마련되어 상호 적층된 형태를 이루고, 각각의 연결프레임(253)에 지지핀(251)의 하단부가 각각 복수개 결합된다. 그리고, 각각의 연결프레임(253)에는 각각의 실린더(255)의 피스톤(255a)이 결합된다.
도 5에는 3개의 히터(220a, 220b, 220c)가 3층으로 적층되고, 각각의 히터(220a, 220b, 220c)에 홀더(240a, 240b, 240c)가 각각 탑재 지지되며, 3개의 연결프레임(253a, 253b, 253c)이 3층으로 적층된 것을 보인다. 이때, 적층된 형태로 배치된 연결프레임(253)은 동심을 이루는 것이 바람직하다. 그리고, 도면의 간략화를 위하여, 실린더(255)와 피스톤(255a)은 1개만 도시한다.
그리하여, 1층의 연결프레임(253a)에 결합된 지지핀(251a)은 1층의 히터(220a) 및 1층의 홀더(240a)를 관통하면서 1층의 홀더(240a)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시키고, 2층의 연결프레임(253b)에 결합된 지지핀(251b)은 1층과 2층의 히터(220a, 220b) 및 1층과 2층의 홀더(240a, 240b)를 관통하면서 2층의 홀더(240b)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시키며, 3층의 연결프레임(253c)에 결합된 지지핀(251c)은 1층과 2층과 3층의 히터(220a, 220b, 220c) 및 1층과 2층과 3층의 홀더(240a, 240b, 240c)를 관통하면서 3층의 홀더(240c)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킨다.
도 6 내지 도 8을 참조하여 지지핀(251)의 동작을 설명한다. 도 6 내지 도 8은 도 5에 도시된 지지핀의 동작을 보인 정면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 먼저 3층의 홀더(240c)에 기판(50)을 탑재 지지하거나, 3층의 홀더(240c)에 탑재된 기판(50)을 홀더(240c)로부터 이격시키려면, 3층의 연결프레임(253c)에 결합된 지지핀(251c)이 승강하고, 도 7에 도시된 바와 같이, 2층의 홀더(240b)에 기판(50)을 탑재 지지하거나, 2층의 홀더(240b)에 탑재된 기판(50)을 홀더(240b)로부터 이격시키려면, 2층의 연결프레임(253b)에 결합된 지지핀(251b)이 승강하며, 도 8에 도시된 바와 같이, 1층의 홀더(240a)에 기판(50)을 탑재 지지하거나, 1층의 홀더(240a)에 탑재된 기판(50)을 홀더(240a)로부터 이격시키려면, 1층의 연결프레임(253a)에 결합된 지지핀(251a)이 승강한다.
즉, 홀더(240)의 층수와 대응되는 층의 연결프레임(253)에 결합된 지지핀(251)이 연결프레임(253)의 층수와 대응되는 층의 홀더(240)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킨다. 이때, 2층의 연결프레임(253b)이 상승하기 위해서는 3층의 연결프레임(253c)이 상승되어 있어야 하고, 1층의 연결프레임(253a)이 상승하기 위해서는 2층 및 3층의 연결프레임(253b, 253c)이 상승되어 있어야 함은 당연하다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치는 연결프레임(253)에 결합된 지지핀(251)의 길이를 적절하게 조절하여, 1층의 연결프레임(253a)에 결합된 지지핀(251a)이 1층과 2층과 3층의 히터(220a, 220b, 220c) 및 1층과 2층과 3층의 홀더(240a, 240b, 240c)를 관통하면서 3층의 홀더(240c)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킬 수 있고, 2층의 연결프레임(253b)에 결합된 지지핀(251b)이 1층과 2층의 히터(220a, 220b) 및 1층과 2층의 홀더(240a, 240b)를 관통하면서 2층의 홀더(240b)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킬 수 있으며, 3층의 연결프레임(253c)에 결합된 지지핀(251c)이 1층의 히터(220a) 및 1층의 홀더(240a)를 관통하면서 1층의 홀더(240a)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킬 수 있다.
즉, 홀더(240)의 층수와 역으로 대응되는 층의 연결프레임(253)에 결합된 지지핀(251)이 연결프레임(253)의 층수와 역으로 대응되는 층의 홀더(240)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킬 수 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 처리 장치도 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 처리 장치와 동일한 효과가 있다.
제 3 실시예
도 9는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 10은 도 9의 요부 사시도로서, 제 1 실시예와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치는 외관을 이루는 대략 직육면체 형상의 본체(310)를 포함한다. 본체(310)의 전면에는 개방부가 형성되고, 상기 개방부는 본체(310)의 전면에 설치된 도어(313)에 의하여 개폐된다. 도어(313)를 열어 챔버(311)를 외부와 연통시킨 상태에서 로봇아암(미도시) 등으로 기판(50)을 지지하여 기판(50)을 챔버(311)의 내부로 로딩한다. 그리고, 도어(313)를 닫아 챔버(311)를 폐쇄한 상태에서, 기판(50)을 처리한다.
본체(310)의 상면에도 개방부가 형성될 수 있다. 본체(310)의 상면의 상기 개방부는 커버(315)에 의하여 개폐되며, 본체(310)의 내부를 수리할 때, 커버(315)를 열어 챔버(311)를 외부와 연통시킨다.
본체(310)에는 복수의 롤러(320)가 설치된다. 롤러(320)는 일측 및 타측이 본체(310)의 일측면 및 타측면에 각각 지지되어 회전가능하게 설치되며, 챔버(311)에 위치된다. 이때, 롤러(320)는 본체(310)의 전면에서 후면으로 가면서 소정 간격을 가짐과 동시에, 동일 수평면상에 위치된다. 롤러(320)에는 기판(50)이 탑재 지지되는 홀더(330)가 지지된다.
본체(310)에는 기판(50)의 처리에 필요한 열을 발생하는 히터(340)가 설치된다. 히터(340)는 튜브 형상으로 형성되어 상호 인접하는 롤러(320)와 롤러(320) 사이에 배치된다.
히터(340)는 롤러(320)의 내부에 설치될 수도 있다. 이때, 롤러(320)의 내부에 설치된 히터(340)는 롤러(320)의 회전에 대하여 독립적인 것이 바람직하다. 즉, 롤러(320)의 내부에 설치된 히터(340)는 회전하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 생산성을 향상시키기 위하여, 홀더(330)를 챔버(311)에 둔 상태에서 기판(50)만을 챔버(311)에 로딩하거나, 챔버(311)로부터 언로딩한다.
이를 위하여, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치에는, 승강가능하게 설치되어 기판(50)을 홀더(330)에 탑재할 때는 상승하면서 홀더(330)를 관통하여 홀더(330)의 상측으로 돌출된 후, 기판(50)을 지지한 다음 하강하면서 기판(50)을 홀더(330)에 탑재시키고, 기판(50)의 처리가 완료되면 상승하면서 홀더(330)의 상측으로 돌출되어 기판(50)을 홀더(330)로부터 이격시키는 수단이 마련된다.
상기 수단은 승강가능하게 설치된 복수의 지지핀(351)으로 마련된다. 이때, 지지핀(351)의 하부측은 본체(310)의 하측에 위치되고, 상부측은 본체(310)를 관통하여 챔버(311)에 위치된다. 그리고, 지지핀(351)의 하단부는 본체(310)의 하부 외측에 설치된 실린더(355)의 피스톤(355a)의 상단부측에 연결되고, 상단부측은 홀더(330)를 관통한다.
지지핀(351)이 홀더(330)를 관통할 수 있도록, 홀더(330)에는 지지핀(351)과 대응되게 관통공(331)이 형성된다. 그리고, 복수의 지지핀(351)이 동일하게 승강할 수 있도록 지지핀(351)의 하단부는 사각형상의 연결프레임(353)에 일체로 결합되고, 연결프레임(353)의 중앙부측 하면에는 피스톤(355a)의 상단부가 결합된다. 따라서, 피스톤(355a)의 승강운동이 연결프레임(353)을 통하여 지지핀(351)에 전달된다.
그리하여, 기판(50)을 챔버(311)에 로딩하기 위하여, 상기 로봇아암으로 기판(50)을 챔버(311)로 이송해오면, 기판(50)을 홀더(330)에 탑재하기 위하여 지지핀(351)이 상승하면서 홀더(330)를 관통하여 홀더(330)의 상측으로 돌출된다. 지지핀(351)이 홀더(330)의 상측으로 돌출되면 상기 로봇아암이 하강하여 기판(50)을 지지핀(351)에 탑재하고, 지지핀(351)에 기판(50)이 탑재되면 지지핀(351)이 하강하면서 기판(50)을 홀더(330)에 탑재시킨다.
그리고, 홀더(330)에 기판(50)이 탑재 지지되어 처리가 완료되면, 지지핀(351)이 상승하면서 홀더(330)의 상측으로 돌출되어 기판(50)을 홀더(330)로부터 이격시킨다. 기판(50)이 홀더(330)로부터 이격되면, 상기 로봇아암으로 기판(50)을 지지하여 챔버(311)로부터 언로딩시킨다.
지지핀(351)이 관통하는 본체(310)의 하면에는 지지핀(351)과 본체(310) 사이의 틈으로 열 또는 가스가 누설되는 것을 방지하는 실링부재가 설치될 수 있다.
도 9의 미설명부호 360은 본체(310)를 지지하는 지지프레임이다.
지지핀(351)의 동작에 대하여 도 10 내지 도 12를 참조하여 설명한다. 도 11 및 도 12는 도 10에 도시된 지지핀의 동작을 보인 사시도이다.
도 10에 도시된 바와 같이, 홀더(330)에 기판(50)이 탑재되어 있지 않은 상태를 최초의 상태라 가정한다. 도 10에 도시된 상태에서, 상기 로봇아암에 기판(50)(도 9 및 도 12 참조)이 지지되어 챔버(311)로 로딩되면, 실린더(355)의 구동에 의하여, 도 11에 도시된 바와 같이, 피스톤(355a)이 상승한다. 그러면, 연결프레임(353)에 의하여 지지핀(351)이 상승하고, 이로 인해 지지핀(351)의 상단부측이 관통공(331)을 관통하여 홀더(330)의 상측으로 돌출된다.
그러면, 상기 로봇아암이 하강하여 기판(50)을, 도 12에 도시된 바와 같이, 지지핀(351)의 상단부에 지지시킨다. 기판(50)이 지지핀(351)에 지지되면, 상기 로봇아암은 챔버(311)의 외부로 이동되고 지지핀(351)은 하강한다. 지지핀(351)이 하강에 의하여, 지지핀(351)의 상단부가 관통공(331)의 내측으로 삽입되면, 기판(50)이 홀더(330)에 탑재 지지된다.
그리고, 홀더(330)에 기판(50)이 탑재된 후, 기판(50)의 처리가 완료되면, 지지핀(351)이 상승하여, 도 12에 도시된 상태와 같이, 기판(50)을 홀더(330)의 상측으로 이격시킨다. 그러면, 상기 로봇아암이 챔버(311)로 유입되어 기판(50)의 하면을 받쳐서 지지한 다음, 기판(50)을 챔버(311)의 외부로 언로딩한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 홀더(330)는 챔버(311)에 배치되어 남아있고, 기판(50)만이 챔버(311)에 로딩되고 챔버(311)로부터 언로딩되므로, 홀더(330)를 가열하기 위한 에너지 및 시간이 상대적으로 적게 소요된다. 따라서, 기판 처리 공정의 생산성이 향상된다.
제 4 실시예
도 13은 본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판 처리 장치의 요부 사시도로서, 제 3 실시예와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 롤러(420)는 본체(310)(도 9 참조)의 전면에서 후면으로 가면서 동일 수평면상에 위치되는 하나의 롤러그룹(420a)을 이루고, 롤러그룹(420a)은 상하로 소정 간격을 가지면서 복수개 설치된다. 이때, 히터(440)는 하나의 롤러그룹(420a)을 이루는 상호 인접하는 롤러(420)와 롤러(420) 사이에 위치되는 것이 바람직하다.
하나의 롤러그룹(420a)에 하나의 홀더(430)가 탑재되므로, 롤러그룹(420a)의 수만큼 홀더(430)가 챔버(311)(도 9 참조)로 투입된다. 따라서, 한번에 처리되는 기판(50)의 수는 롤러그룹(420a)의 수와 대응된다.
연결프레임(453)은 홀더(430)의 개수만큼 마련되어 상호 적층된 형태를 이루고, 각각의 연결프레임(453)에 지지핀(451)의 하단부가 각각 복수개 결합된다. 그리고, 각각의 연결프레임(453)에는 각각의 실린더(455)의 피스톤(455a)이 결합된다.
도 13에는 3개의 롤러그룹(420a)에 홀더(430)가 각각 탑재 지지되어 홀더(430a, 430b, 430c)가 3층으로 적층된 것을 보이고, 3개의 연결프레임(453a, 453b, 453c)이 3층으로 적층된 것을 보인다. 이때, 적층된 형태로 배치된 연결프레임(453)은 동심을 이루는 것이 바람직하다. 그리고, 도면의 간략화를 위하여, 실린더(455)와 피스톤(455a)은 1개만 도시한다.
지지핀(451)의 동작에 대하여 도 13 내지 도 16을 참조하여 설명한다. 도 14 내지 도 16은 도 13에 도시된 지지핀의 동작을 보인 정면도이다.
도 14에 도시된 바와 같이, 먼저 3층의 홀더(430c)에 기판(50)을 탑재 지지하거나, 3층의 홀더(430c)에 탑재된 기판(50)을 홀더(430c)로부터 이격시키려면, 3층의 연결프레임(453c)에 결합된 지지핀(451c)이 승강하고, 도 15에 도시된 바와 같이, 2층의 홀더(430b)에 기판(50)을 탑재 지지하거나, 2층의 홀더(430b)에 탑재된 기판(50)을 홀더(430b)로부터 이격시키려면, 2층의 연결프레임(453b)에 결합된 지지핀(451b)이 승강하며, 도 16에 도시된 바와 같이, 1층의 홀더(430a)에 기판(50)을 탑재 지지하거나, 1층의 홀더(430a)에 탑재된 기판(50)을 홀더(430a)로부터 이격시키려면, 1층의 연결프레임(453a)에 결합된 지지핀(451a)이 승강한다.
즉, 홀더(430)의 층수와 대응되는 층의 연결프레임(453)에 결합된 지지핀(451)이 연결프레임(453)의 층수와 대응되는 층의 홀더(430)에 탑재 지지되는 기판(50)을 지지하여 승강시킨다. 이때, 2층의 연결프레임(453b)이 상승하기 위해서는 3층의 연결프레임(453c)이 상승되어 있어야 하고, 1층의 연결프레임(453a)이 상승하기 위해서는 2층 및 3층의 연결프레임(453b, 453c)이 상승되어 있어야 함은 당연하다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판 처리 장치는 연결프레임(453)에 결합된 지지핀(451)의 길이를 적절하게 조절하여, 1층의 연결프레임(453a)에 결합된 지지핀(451a)이 1층과 2층과 3층의 홀더(430a, 430b, 430c)를 관통하면서 3층의 홀더(430c)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킬 수 있고, 2층의 연결프레임(453b)에 결합된 지지핀(451b)이 1층과 2층의 홀더(430a, 430b)를 관통하면서 2층의 홀더(430b)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킬 수 있으며, 3층의 연결프레임(453c)에 결합된 지지핀(451c)이 1층의 홀더(430a)를 관통하면서 1층의 홀더(430a)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킬 수 있다.
즉, 홀더(430)의 층수와 역으로 대응되는 층의 연결프레임(453)에 결합된 지지핀(451)이 연결프레임(453)의 층수와 역으로 대응되는 층의 홀더(430)에 탑재 지지되는 기판(50)을 승강시킬 수 있다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 기판 처리 장치도 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치와 동일한 효과가 있다.
제 5 실시예
도 17은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이고, 도 18은 도 17의 요부 사시도로서, 제 3 실시예와의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 기판 처리 장치는 외관을 이루는 대략 직육면체 형상의 본체(510)를 포함한다. 본체(510)의 전면에는 개방부가 형성되고, 상기 개방부는 본체(510)의 전면에 설치된 도어(513)에 의하여 개폐된다. 도어(513)를 열어 챔버(511)를 외부와 연통시킨 상태에서 로봇아암(미도시) 등으로 기판(50)을 지지하여 기판(50)을 챔버(511)의 내부로 로딩한다. 그리고, 도어(513)를 닫아 챔버(511)를 폐쇄한 상태에서, 기판(50)을 처리한다.
본체(510)의 상면에도 개방부가 형성될 수 있다. 본체(510)의 상면의 상기 개방부는 커버(515)에 의하여 개폐되며, 본체(510)의 내부를 수리할 때, 커버(515)를 열어 챔버(511)를 외부와 연통시킨다.
본체(510)에는 복수의 롤러(520)가 설치된다. 롤러(520)는 일측 및 타측이 본체(510)의 일측면 및 타측면에 각각 지지되어 회전가능하게 설치되며, 챔버(511)에 위치된다. 롤러(520)는 본체(510)의 전면에서 후면으로 가면서 소정간격을 가짐과 동시에 동일 수평면상에 위치되는 하나의 롤러그룹(520a)을 이루고, 롤러그룹(520a)은 상하로 소정 간격을 가지면서 복수개 설치된다.
하나의 롤러그룹(520a)에는 기판(50)이 탑재 지지되는 홀더(530)가 지지된다. 따라서, 챔버(511)에 로딩되어 한번에 처리되는 기판(50)의 수는 롤러그룹(520a)의 수와 대응된다.
도 17 및 도 18에는 3개의 롤러그룹(520a)에 홀더(530)가 각각 탑재 지지되어 홀더(530a, 530b, 530c)가 3층으로 적층된 것을 보인다.
본체(510)에는 기판(50)의 처리에 필요한 열을 발생하는 히터(540)가 설치된다. 히터(540)는 튜브 형상으로 마련되어 하나의 롤러그룹(520a)을 이루는 상호 인접하는 롤러(520)와 롤러(520) 사이에 배치된다.
그리고, 히터(540)는 롤러(520)의 내부에 설치될 수도 있다. 이때, 롤러(520)의 내부에 설치된 히터(540)는 롤러(520)의 회전에 대하여 독립적인 것이 바람직하다. 즉, 롤러(520)의 내부에 설치된 히터(540)는 회전하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 기판 처리 장치는 홀더(530)를 챔버(511)에 배치하여 남겨둔 상태에서 기판(50)만을 챔버(511)에 로딩하거나, 챔버(511)로부터 언로딩한다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 기판 처리 장치에는, 기판(50)을 홀더(530)에 탑재할 때, 홀더(530)의 상측으로 돌출되어 기판(50)을 지지한 다음 하강하면서 기판(50)을 홀더(530)에 탑재시킴과 동시에, 홀더(530)에 탑재된 기판(50)의 처리가 완료되면, 상승하면서 홀더(530)의 상측으로 돌출되어 기판(50)을 홀더(530)로부터 이격시키는 동일 높이로 형성된 복수의 지지핀(551)이 마련된다.
지지핀(551)의 하부측은 본체(510)의 하측에 위치되고, 상부측은 본체(510)를 관통하여 챔버(511)에 위치된다. 그리고, 지지핀(551)의 하단부는 본체(510)의 하부 외측에 설치된 연결프레임(553)을 매개로 실린더(555)의 피스톤(555a)의 상단부측에 연결되고, 상단부측은 홀더(530)를 관통한다. 지지핀(551)이 홀더(530)를 관통할 수 있도록, 홀더(530)에는 지지핀(551)과 대응되게 관통공(531)이 형성된다.
연결프레임(553)에는 지지핀(551)의 하단부가 결합되고, 피스톤(555a)의 상단부가 결합된다. 따라서, 피스톤(555a)의 승강운동은 연결프레임(553)을 통하여 지지핀(551)에 전달되며, 연결프레임(553)에 의하여 복수의 지지핀(551)이 동일하게 운동한다.
도 17의 미설명부호 560은 본체(510)를 지지하는 프레임이다.
지지핀(551)의 동작을 도 18 내지 도 22을 참조하여 설명한다. 도 19 내지 도 22는 도 18에 도시된 지지핀의 동작을 보인 정면도이다.
도 19에 도시된 바와 같이, 지지핀(551)이 하사점 위치에 위치되고, 롤러(520)에 지지된 홀더(530)에 기판(50)(도 20 내지 도 22 참조)이 탑재되어 있지 않은 상태를 최초의 상태라 가정한다.
도 19에 도시된 최초의 상태에서, 상기 로봇아암에 기판(50)이 지지되어 3층의 홀더(530c) 상측으로 로딩되면, 실린더(555)의 구동에 의하여, 도 20에 도시된 바와 같이, 피스톤(555a)이 상사점의 위치로 상승한다. 그러면, 연결프레임(553)에 의하여 지지핀(551)이 상승하고, 이로 인해 지지핀(551)의 상단부측이 최상층인 3층의 홀더(530c)의 상측으로 돌출된다.
이후, 상기 로봇아암에 지지되어 챔버(511)(도 17 참조)로 투입되는 기판(50)이 지지핀(551)의 상단부에 지지되면, 상기 로봇아암은 챔버(511)의 외부로 이동되고, 지지핀(551)은, 도 21에 도시된 바와 같이, 3층의 홀더(530c)와 2층의 홀더(530b) 사이의 위치까지 하강한다. 지지핀(551)이 3층의 홀더(530c)와 2층의 홀더(530b) 사이의 위치까지 하강하면, 기판(50)은 3층의 홀더(530c)에 탑재 지지된다.
그리고, 기판(50)을 지지한 상기 로봇아암이 3층의 홀더(530c)와 2층의 홀더(530b) 사이로 투입되어, 기판(50)을 지지핀(551)의 상단부에 탑재시킨다. 3층의 홀더(530c)와 2층의 홀더(530b) 사이에 위치된 지지핀(551)의 상단부에 기판(50)이 지지되면, 상기 로봇아암은 챔버(511)의 외부로 이동되고, 지지핀(551)은, 도 22에 도시된 바와 같이, 2층의 홀더(530b)와 1층의 홀더(530a) 사이의 위치까지 하강한다. 지지핀(551)이 2층의 홀더(530b)와 1층의 홀더(530a) 사이의 위치까지 하강하면, 기판(50)은 2층의 홀더(530b)에 탑재 지지된다.
그리고, 기판(50)을 지지한 상기 로봇아암이 2층의 홀더(530b)와 1층의 홀더(530a) 사이로 투입되어, 기판(50)을 지지핀(551)의 상단부에 탑재시킨다. 2층의 홀더(530b)와 1층의 홀더(530a) 사이에 위치된 지지핀(551)의 상단부에 기판(50)이 지지되면, 상기 로봇아암은 챔버(511)의 외부로 이동되고, 지지핀(551)은 하사점 위치까지 하강하여, 도 19에 도시된 상태가 된다. 그러면, 1층의 홀더(530a)에 기판(50)이 탑재 지지된다.
즉, 지지핀(551)은, 기판(50)의 로딩시에는, 상사점 위치까지 상승한 다음 순차적으로 하강하면서 하사점 위치까지 하강한다. 그러면, 기판(50)은 3층의 홀더(530c) → 2층의 홀더(530b) → 1층의 홀더(530a)에 순차적으로 탑재 지지된다.
처리가 완료된 기판(50)을 언로딩하고자 할 경우에는 지지핀(551)이 하사점의 위치에서 순차적으로 상승하여 상사점의 위치까지 상승한다. 즉, 지지핀(551)은 1층의 홀더(530a)에 탑재 지지된 기판(50)을 가장 먼저 이격시키고, 1층의 홀더(530a)에 탑재 지지된 기판(50)이 언로딩되면, 2층의 홀더(530b)에 탑재 지지된 기판(50)을 이격시킨다. 그리고, 2층의 홀더(530b)에 탑재 지지된 기판(50)이 언로딩되면, 3층의 홀더(530c)에 탑재 지지된 기판(50)을 이격시킨다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 기판 처리 장치도 본 발명의 제 3 실시예에 따른 기판 처리 장치와 동일한 효과가 있다.
상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽 라인을 생략하여, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.

Claims (15)

  1. 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체;
    상기 챔버에 설치되어 상기 기판을 처리하기 위한 열을 발생하는 히터;
    상기 히터에 탑재 지지되고 상기 기판이 탑재 지지되는 홀더; 및
    승강가능하게 설치되어 상기 기판을 상기 홀더에 탑재할 때는 상승하면서 상기 히터 및 상기 홀더를 관통하여 상기 홀더의 상측으로 돌출된 후 상기 기판을 지지한 다음 하강하면서 상기 기판을 상기 홀더에 탑재시키고, 상기 기판의 처리가 완료되면 상승하면서 상기 홀더의 상측으로 돌출되어 상기 기판을 상기 홀더로부터 이격시키는 복수의 지지핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지핀의 하측 부위는 상기 본체의 하측에 위치되고, 상측 부위는 상기 본체를 관통하여 상기 챔버에 위치됨과 동시에 상기 히터 및 상기 홀더를 관통하며,
    상기 히터 및 상기 홀더에는 상기 지지핀의 상측 부위가 관통하는 관통공이 상호 대응되게 각각 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    복수의 상기 지지핀의 하단부는 연결프레임에 결합되고,
    상기 연결프레임은 상기 본체의 외측에 설치된 실린더의 피스톤에 연결되어 승강하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 히터는 상기 챔버에 설치된 복수의 서포터에 지지되어 적층된 형태로 복수개가 설치되고,
    상기 홀더는 각각의 상기 히터에 탑재 지지되며,
    상기 연결프레임은 적층된 상기 홀더의 개수만큼 마련되어, 상호 적층된 형태를 이루고,
    각각의 상기 연결프레임에 상기 지지핀의 하단부가 각각 복수개 결합되며,
    각각의 상기 연결프레임에는 각각의 상기 실린더의 피스톤이 결합되고,
    상기 홀더의 층수와 대응되는 층의 상기 연결프레임에 결합된 상기 지지핀이 상기 연결프레임의 층수와 대응되는 층의 상기 홀더에 탑재 지지되는 상기 기판을 지지하여 승강시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 히터는 상기 챔버에 설치된 복수의 서포터에 지지되어 적층된 형태로 복수개가 설치되고,
    상기 홀더는 각각의 상기 히터에 탑재 지지되며,
    상기 연결프레임은 적층된 상기 홀더의 개수만큼 마련되어, 상호 적층된 형태를 이루고,
    각각의 상기 연결프레임에 상기 지지핀의 하단부가 각각 복수개 결합되며,
    각각의 상기 연결프레임에는 각각의 상기 실린더의 피스톤이 결합되고,
    상기 홀더의 층수와 역으로 대응되는 층의 상기 연결프레임에 결합된 상기 지지핀이 상기 연결프레임의 층수와 역으로 대응되는 층의 상기 홀더에 탑재 지지되는 상기 기판을 지지하여 승강시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체;
    상기 본체에 회전가능하게 지지되어 상기 챔버에 위치된 복수의 롤러;
    상기 기판이 탑재 지지되며 상기 롤러에 지지되는 홀더;
    상기 본체에 지지되어 상기 챔버에 위치되며, 상기 기판을 처리하기 위한 열을 발생하는 히터; 및
    승강가능하게 설치되어 상기 기판을 상기 홀더에 탑재할 때는 상승하면서 상기 홀더를 관통하여 상기 홀더의 상측으로 돌출된 후 상기 기판을 지지한 다음 하강하면서 상기 기판을 상기 홀더에 탑재시키고, 상기 기판의 처리가 완료되면 상승하면서 상기 홀더의 상측으로 돌출되어 상기 기판을 상기 홀더로부터 이격시키는 복수의 지지핀을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 지지핀의 하부측은 상기 본체의 하측에 위치되고, 상부측은 상기 본체를 관통하여 상기 챔버에 위치됨과 동시에 상기 홀더를 관통하며,
    상기 홀더에는 상기 지지핀의 상부측이 관통하는 관통공이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    복수의 상기 지지핀의 하단부는 연결프레임에 결합되고,
    상기 연결프레임은 실린더의 피스톤에 연결되어 승강하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 롤러는 일측 및 타측이 상기 본체의 일측면 및 타측면에 각각 지지되어 상기 본체의 전면에서 후면으로 가면서 동일 수평면상에 위치되는 하나의 롤러그룹을 이루고,
    상기 롤러그룹은 상하로 소정 간격을 가지면서 복수개 설치되며,
    상기 히터는 튜브 형태로 마련되어 하나의 상기 롤러그룹을 이루는 상호 인접하는 상기 롤러와 상기 롤러 사이에 위치되고,
    하나의 상기 롤러그룹에 하나의 상기 홀더가 지지되며,
    상기 연결프레임은 상기 홀더의 적층된 개수만큼 마련되어, 상호 적층된 형태를 이루고,
    각각의 상기 연결프레임에 상기 지지핀의 하단부가 각각 복수개 결합되며,
    각각의 상기 연결프레임에는 각각의 상기 실린더의 피스톤이 결합되고,
    상기 홀더의 층수와 대응되는 층의 상기 연결프레임에 결합된 상기 지지핀이 상기 연결프레임의 층수와 대응되는 층의 상기 홀더에 탑재 지지되는 상기 기판을 지지하여 승강시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 롤러는 일측 및 타측이 상기 본체의 일측면 및 타측면에 각각 지지되어 상기 본체의 전면에서 후면으로 가면서 동일 수평면상에 위치되는 하나의 롤러그룹을 이루고,
    상기 롤러그룹은 상하로 소정 간격을 가지면서 복수개 설치되며,
    상기 히터는 튜브 형태로 마련되어 하나의 상기 롤러그룹을 이루는 상호 인접하는 상기 롤러와 상기 롤러 사이에 위치되고,
    하나의 상기 롤러그룹에 하나의 상기 홀더가 지지되며,
    상기 연결프레임은 상기 홀더의 적층된 개수만큼 마련되어, 상호 적층된 형태를 이루고,
    각각의 상기 연결프레임에 상기 지지핀의 하단부가 각각 복수개 결합되며,
    각각의 상기 연결프레임에는 각각의 상기 실린더의 피스톤이 결합되고,
    상기 홀더의 층수와 역으로 대응되는 층의 상기 연결프레임에 결합된 상기 지지핀이 상기 연결프레임의 층수와 역으로 대응되는 층의 상기 홀더에 탑재 지지되는 상기 기판을 지지하여 승강시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제9항 또는 10항에 있어서,
    상기 히터는 상기 롤러의 내부에 더 설치되고,
    상기 롤러의 내부에 설치된 상기 히터는 상기 롤러의 회전에 대하여 독립적인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 내부에 기판이 처리되는 공간인 챔버가 형성된 본체;
    상기 본체에 회전가능하게 지지되어 상기 챔버에 위치된 복수의 롤러;
    상기 기판이 탑재 지지되며 상기 롤러에 지지되는 홀더;
    상기 본체에 지지되어 상기 챔버에 위치되며, 상기 기판을 처리하기 위한 열을 발생하는 히터;
    하부측은 상기 본체의 하측에 위치되고, 상부측은 상기 본체를 관통하여 상기 챔버에 위치됨과 동시에 상기 홀더를 관통하며, 상기 기판을 상기 홀더에 탑재할 때, 상기 홀더의 상측으로 돌출되어 상기 기판을 지지하여 하강하면서 상기 기판을 상기 홀더에 탑재시키고, 상기 홀더에 탑재된 상기 기판의 처리가 완료되면, 상승하면서 상기 홀더의 상측으로 돌출되어 상기 기판을 상기 홀더로부터 이격시키는 복수의 지지핀을 포함하며,
    상기 롤러는 일측 및 타측이 상기 본체의 일측면 및 타측면에 각각 지지되어 상기 본체의 전면에서 후면으로 가면서 동일 수평면상에 위치되는 하나의 롤러그룹을 이루고,
    상기 롤러그룹은 상하로 소정 간격을 가지면서 복수개 설치되며,
    하나의 상기 롤러그룹에 하나의 상기 홀더가 지지되고,
    복수의 상기 지지핀은 동일 높이로 형성되어 상사점까지 상승한 다음 하강하면서 최상측의 상기 홀더에서부터 최하측의 상기 홀더까지 순차적으로 상기 기판을 상기 홀더에 탑재 지지하고, 하사점에서 상승하면서 최하측의 상기 홀더에서부터 최상측의 상기 홀더까지 순차적으로 상기 기판을 상기 홀더로부터 이격시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 홀더에는 상기 지지핀의 상부측이 관통하는 출입공이 형성되고,
    복수의 상기 지지핀의 하단부는 연결프레임에 결합되며,
    상기 연결프레임은 실린더의 피스톤에 연결되어 승강하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 히터는 튜브 형태로 마련되어 하나의 상기 롤러그룹을 이루는 상호 인접하는 상기 롤러와 상기 롤러 사이에 위치된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 히터는 상기 롤러의 내부에 더 설치되고,
    상기 롤러의 내부에 설치된 상기 히터는 상기 롤러의 회전에 대하여 독립적인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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