KR100680769B1 - 열처리장치 - Google Patents

Abstract

가열재치대를 LCD기판에 열을 공급하는 재치대본체와, LCD기판을 재치하는 표면부재로 구성시킨다. 표면부재는 화강암 및 유리 등으로 구성되어 있고 재치대본체보다 얇게 구성되어 있다. 표면부재의 표면을 거칠게 형성시키고, LCD기판을 이 거칠은 면에 재치시킨다. LCD기판과 표면부재의 접촉면적이 작아지기 때문에, LCD기판과 표면부재의 마찰로 인해 발생하는 정전기를 방지할 수 있다. 표면부재의 거친정도를 3S∼100S로 형성시키기 때문에 LCD기판이 휘어지지 않아서 균일한 가열처리가 가능하게 된다.

Description

열처리장치{HEAT PROCESSING APPARATUS}

도 1은 본 발명의 실시형태에 관련된 가열처리장치를 갖춘 도포현상처리장치의 외관을 나타내는 사시도이다.

도 2는 도 1에 나타낸 도포현상처리장치의 평면도이다.

도 3은 본 발명의 실시형태에 관련된 가열처리장치의 단면도이다.

도 4는 도 3의 가열처리장치에 구비된 가열재치대의 구성을 나타내는 사시도이다.

도 5는 도 3의 가열처리장치에 LCD기판이 반입되는 모습을 나타내는 설명도이다.

도 6은 도 5의 상태로부터 LCD기판이 표면부재 위에 재치되는 모습을 나타내는 설명도이다.

도 7은 도 6의 표면부재 위에 LCD기판이 재치된 모습을 나타내는 설명도이다.

도 8은 타 실시형태에 관련된 가열처리장치에 장비된 가열재치대의 구성을 나타내는 사시도이다.

도 9는 도 8에 나타낸 가열재치대의 A-A 단면도이다.

도 10은 도 8에 나타낸 가열재치대의 B-B 단면도이다.

도 11은 도 8에 나타낸 가열재치대에 있어서의 동작을 나타내는 설명도이다.

도 12는 도 8에 나타낸 가열재치대의 변경예를 나타내는 도이다.

도 13은 타 실시형태에 관련된 가열처리장치에 장비된 가열재치대의 구성을 나타내는 사시도이다.

도 14는 도 13에 나타낸 가열재치대의 변경예를 나타내는 단면도이다.

도 15는 도 13의 나타낸 가열재치대의 변경예를 나타내는 단면도이다.

도 16은 종래의 가열처리장치에 장비된 가열재치대 위에 LCD기판이 재치된 모습을 나타내는 설명도이다.

도 17은 종래의 가열처리장치에 장비된 프록시미티핀(proximity pin)위에 LCD기판이 지지되어 있는 모습을 나타내는 설명도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 도포현상처리장치 2 : 로우더(loader)부

3 : 제 1의 처리부 4, 7 : 인터페이스부

5 : 제 2의 처리부 10 : 카세트재치대

11, 12, 31 : 카세트 13, 33 : 부반송장치

13a, 16, 26 : 반송레일 14, 23, 32 : 주고받음대

15, 25 : 주반송장치 15a, 25a : 반송아암

17 : 스크러버(scrubber)세정장치 18 : 현상처리장치

19 : 자외선오존세정장치 20, 21, 29 : 냉각처리장치

22, 30 : 가열처리장치

27 : 도포·주연부(周緣部)제거장치 28 : 소수화처리장치

40 : 처리실 42, 56, 62 : 가열재치대

43 : 셔터(shutter) 44 : 실린더

45 : 배기구 46 : 커버

47 : 스토퍼(stopper) 48, 101 : 승강핀

49 : 모터 50 : 발열체

51, 63 : 재치대본체 52, 64 : 표면부재

55 : 망 57 : 금속면(金屬棉)

60 : 면상부재 61 : 포상부재

65 : 표면부재의 표면 66 : 배큐엄(vacuum)부

67 : 리프트핀 68 : 출몰홀

69 : 연결구 70 : 분출공

100 : 재치대 102 : 프록시미티핀

103 : 가열처리장치 G : LCD기판

본 발명은 LCD기판 등의 기판을 재치대에서 열처리하는 열처리장치에 관한 것이다.

일반적으로 액정표시장치(LCD)의 제조공정에 있어서는, LCD기판의 표면에 예 를들어 ITO(Indium Tin Oxide)의 박막 및 전극패턴을 형성하기 위해 반도체 제조공정의 경우와 같이 포토리소그라피(photo lithography) 기술이 사용되고 있다. 이 포토리소그라피 기술에서는 LCD기판의 표면에 레지스트액을 도포하는 레지스트 도포공정 및 형성된 레지스트막에 회로패턴을 노광(exposure)하는 노광처리공정 등의 각종 처리공정이 포함되어 있고, 레지스트 도포공정과 노광처리공정과의 사이에는 레지스트막 내의 잔류용제를 증발시켜 LCD기판과 레지스트막과의 밀착성을 향상시키기 위한 가열처리공정이 이루어지고 있다.

이 가열처리공정에서 사용되는 가열처리장치에는 도 16에 나타낸 바와 같이, LCD기판(G)을 재치하는 재치대(100)와, 이 재치대(100)의 표면으로부터 돌출이 자유로운 승강핀(101)이 구비되어 있다. 이와 같은 구성에 의하여 이 가열처리장치에 반입된 LCD기판(G)은 승강핀(101)에 의해 지지된 후 이 승강핀(101)과 함께 하강하여 재치대(100) 위에 재치된다. 그리고 LCD기판(G)의 전면과 재치대(100)가 접촉된 상태에서 가열처리된다. 이로 인해 LCD기판(G)에는 재치대(100)로부터의 열이 균일하게 전달되어, LCD기판(G)에 대한 균일한 가열처리가 가능하게 된다.

그러나, 재치대(100)에 재치된 LCD기판(G)을 승강핀(101)으로 상승시킬 때, 즉 LCD기판(G)을 재치대(100)로부터 떨어뜨릴 때에 생기는 박리대전에 의해 LCD기판(G)이 대전될 우려가 있다. 또, LCD기판(G)을 재치대(100)에 재치시킬 경우 및 가열처리로 LCD기판(G)이 열팽창할 경우에, LCD기판(G)과 재치대(100) 사이에서 발생하는 마찰에 의해 정전기가 발생하여 LCD기판(G)이 대전될 우려가 있었다.

따라서, 종래에는 도 17에 나타낸 바와 같이 재치대(100)의 표면에 프록시미 티핀(102)을 설치하여 LCD기판(G)을 프록시미티핀(102)에 의해 지지된 상태에서 가열처리하는 가열처리장치(103)를 사용하는 경우가 많았다. 이 가열장치(103)에 의하면 LCD기판(G)과 프록시미티핀(102)의 접촉면적이 작아지기 때문에 상기 정전기의 발생을 방지할 수 있다.

그러나, 프록시미티핀(102)을 사용하는 가열처리장치(103)에서는 재치대(100)와 LCD기판(G)의 사이에 틈이 형성되기 때문에 LCD기판(G)이 그 자체의 무게로 인하여 휘어지게 될 우려가 있다. 그리고 이 경우에는, LCD기판(G)과 재치대(100) 사이의 간격이 등간격으로 유지되지 않기 때문에, 이 LCD기판(G)에 대하여 재치대(100)로부터의 복사열이 균일하게 전달되지 않게 된다. 그 결과 균일한 가열처리를 할 수 없게 된다는 문제가 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제를 감안한 것으로서, 기판에 정전기가 대전되지 않으면서 기판에 대한 균일한 열처리가 가능한 새로운 열처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기의 문제를 해결하기 위해 청구항 1에 기재된 열처리장치는 재치대에 재치시킨 기판을 당해 재치대의 표면으로부터 전달되는 열로 열처리하는 열처리장치에 있어서, 상기 재치대의 표면을 거칠게 형성시킨 것을 특징으로 한다. 이 경우의 거칠은 표면은 청구항 2에 나타낸 바와 같이 3S ∼ 100S의 거친정도로 형성시키면 좋다.

청구항 1, 2에 기재된 열처리장치에 있어서는 거칠은 면에 기판을 재치하기 위하여 기판과 재치대의 접촉면적을 종래보다 작게한다. 따라서, 기판과 재치대의 마찰에 의한 정전기의 발생을 방지할 수 있다. 또, 거칠은 면에 재치된 기판이 휘어지지 않기 때문에 기판과 재치대와의 간격이 등간격으로 유지된다. 그 결과 기판에 대한 균일한 가열처리가 가능하게 된다.

청구항 3에 기재된 열처리장치는, 청구항 1 또는 2에 기재된 열처리장치에 있어서, 상기 재치대의 표면이 요면상으로 되어 있고 또 당해 표면에는 기판을 진공흡입하기 위한 흡인공이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

기판이 재치대에 재치된 직후에는 기판과 재치대의 온도차가 크기 때문에 기판이 열팽창하여 기판과 재치대의 사이에서 마찰에 의한 정전기가 발생되지만, 청구항 3에 기재된 열처리장치에 의하면, 재치대의 표면이 요면상으로 되어 있기 때문에 기판이 재치대에 재치된 직후에는 기판이 재치대에 근접되어 가열되지만 기판과 재치대가 직접 접촉되지는 않기 때문에 마찰에 의한 정전기가 발생되지 않는다. 그리고, 예를들어 그 후에 기판을 진공흡인하면 기판이 재치대의 표면에 접촉되기 때문에 기판에 대한 가열처리가 가능하게 된다. 이 때, 상술한 바와 같이 거칠은 면에 기판을 재치하기 때문에 기판과 재치대 사이의 접촉면적은 종래보다 작아지게 되며, 따라서 기판과 재치대의 마찰에 의한 정전기의 발생을 방지하는 것이 가능하다.

청구항 4에 기재된 열처리장치는, 청구항 1, 2 또는 3에 기재된 열처리장치에 있어서, 상기 재치대의 표면에는 이오나이저(ionizer)로부터 공급된 기체를 분출시키기 위한 분출공이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성에 의하여 분출공으로부터 분출된 이오나이저로부터의 기체는 재치대의 표면이 거칠은 면으로 되어 있기 때문에 기판의 뒷면과 재치대 표면 사이의 미세한 공간을 통하여 기판 뒷면의 전면에 도달되어 상기 기체에 의해 정전기가 제전된다.

청구항 5에 기재된 열처리장치는 청구항 4에 기재된 열처리장치에 있어서, 상기 분출공으로부터 분출되는 기체의 양은 상기 흡인공으로부터 흡인되는 기체의 양보다 적은 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성에 의하여 기판을 재치대 상의 소정 위치에 확실히 고정시킬 수 있어 균일한 열처리를 정확하게 실시할 수 있다.

청구항 6에 기재된 열처리장치는 청구항 5에 기재된 열처리장치에 있어서, 상기 재치대의 표면에 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성에 의하여 이오나이저로부터의 기체가 기판 뒷면의 전면에 도달하기 쉬어지고 제전효과를 더 한층 높일 수 있다.

청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 1, 2, 3, 4, 5 또는 6에 기재된 열처리장치에 있어서 상기 거칠은 면은 샌드블래스트(sand blast)공법에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성에 의하면, 면의 높이가 적당하게 분포된 거칠은 면을 간단하고 저렴하게 형성시킬 수 있다.

청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 1, 2, 3, 4, 5, 6또는 7에 기재된 열처리장치에 있어서, 상기 재치대는 기판에 대하여 열을 공급할 수 있는 재치대본체와 당해 재치대의 표면에 배치된 표면부재로 구성되는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성에 의하면 기판을 재치하는 표면부재를 적절한 재질로 형성시킬 수 있다. 따라서 표면부재에 거칠은 면을 형성시키는 것이 보다 용이해진다. 또 재치대를 재치대본체와 표면부재로 구성함으로써 표면부재를 용이하게 교환할 수 있다.

상기 표면부재는 청구항 9와 같이 화강암, 대리석 등의 광물로 형성시켜도 좋고, 또 청구항 10과 같이 유리로 형성시켜도 좋다.

특히 화강암과 유리는 산화규소를 주성분으로 하기 때문에, 기판이 유리기판일 경우에는 기판과 표면부재의 마찰에 의한 정전기의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

청구항 11에 기재된 발명은, 청구항 8, 9 또는 10에 기재된 열처리장치에 있어서, 상기 표면부재는 상기 재치대본체에 대하여 탈착이 가능한 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성에 의해 기판의 재질 등에 따라서 정전기가 발생하기 어려운 거칠음을 가지는 표면부재를 선택적으로 사용하는 것이 가능하다.

청구항 12에 기재된 열처리장치는, 재치대에 재치된 기판을 당해 재치대의 표면으로부터 전달되는 열로 열처리하는 열처리장치에 있어서, 상기 재치대는 기판에 대하여 열을 공급할 수 있는 재치대본체와 당해 재치대본체의 표면에 배치된 망(網)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.

청구항 13에 기재된 열처리장치에 있어서, 망에 형성된 간격으로 인해 기판 과 망의 접촉면적이 작아진다. 따라서, 기판과 망 사이의 마찰이 감소되고 또 이와 같은 마찰로 인해 발생하는 정전기를 보다 확실하게 방지할 수 있게 된다. 또 망에 의해 균일하면서도 규칙적으로 요철을 형성시킬 수 있기 때문에 기판에 대한 균일한 열전도가 가능하다.

그리고, 청구항 13에 기재된 발명은 재치대에 재치된 기판을 당해 재치대의 표면으로부터 전달되는 열로 열처리하는 열처리장치에 있어서, 상기 재치대는 기판에 대하여 열을 공급할 수 있는 재치대본체와, 당해 재치대본체의 표면에 배치된 면상부재 또는 포상부재로 구성되는 것을 특징으로 한다.

이와 같은 구성에 의하면 면상부재나 포상부재가 분산된 상태에서 기판과 접촉하기 때문에 기판에 대한 접촉면적이 작아진다. 따라서, 마찰이 감소되기 때문에 청구항 12의 경우와 마찬가지로 정전기의 발생을 방지할 수 있다.

또, 면상부재 또는 포상부재를 재치대의 표면에 고정시키지 않을 경우에는, 이들 면상부재 또는 포상부재가 기판과 마찬가지로 열팽창, 열수축한다. 따라서 기판과 면상부재 또는 포상부재와의 사이에서 발생하는 마찰을 한층 더 억제할 수 있어 정전기의 발생을 더욱 확실하게 방지할 수 있다. 또 면상부재 또는 포상부재가 마모등에 의해 적절히 기능하지 못하게 될 경우에 이들을 간단히 교환하는 것도 가능하다.

이하, 첨부 도면을 참조하면서 본발명의 적절한 실시형태를 설명한다. 이 실시형태는, 도포현상처리장치 내에 갖추어진 가열처리장치로서 구체화되어 있다. 또, 도 1은 도포현상처리장치의 사시도를 나타내며, 도 2는 도포현상처리장치의 평면도를 나타내고 있다.

도포현상처리장치(1)는 도 1, 2에 나타낸 바와 같이, 예를들어 장방형의 LCD 기판(G)을 반입 반출하는 로우더(loader)부(2)와 LCD기판(G)을 처리하는 제 1처리부(3)와 이 제 1처리부(3)와 인터페이스부(4)를 매개로 연결되어 설치된 제 2처리부(5)와 이 제 2처리부(5)와 예를들어 노광장치(도시 않됨)와의 사이에서 LCD기판(G)을 주고받는 인터페이스부(7)로 구성되어 있다.

로우더부(2)에는 카세트재치대(10)가 설치되어 있고, 이 카세트재치대(10)에는 예를들어 미처리된 LCD기판(G)을 수납하는 카세트(11, 11)와 처리가 종료된 LCD기판(G)이 수납되는 카세트(12, 12)가 LCD기판(G)의 출입구를 제 1처리부(3)측을 향하여 일렬로 자유롭게 재치될 수 있다. 또, 로우더부(2)에는 LCD기판(G)을 자유롭게 반송하는 부반송장치(13)가 갖추어져 있다.

부반송장치(13)는, 반송레일(13a)을 따른 방향(Y방향)과 각 카세트(11, 12) 내 LCD기판(G)의 수납방향(Z방향)으로 이동이 자유롭고, 동시에 θ 방향으로도 회전이 자유롭도록 구성되어 있다. 또, 부반송장치(13)는 LCD기판(G)을 자유롭게 재치할 수 있는 주고받음대(14)에 대하여도 접근이 가능하도록 구성되어 있다.

제 1처리부(3)에는 LCD기판(G)에 대하여 소정의 처리를 행하는 각종처리장치가 주반송장치(15)의 반송레일(16)을 사이에 두고 양측으로 배치되어 있다. 즉, 반송레일(16)의 한측에는 각 카세트(11, 11)로부터 꺼내어진 LCD기판(G)을 세정하는 스크로버(scrubber)세정장치(17)와 LCD기판(G)에 대하여 현상처리를 실시하는 현상처리장치(18)가 나란히 배치되고, 반송레일(16)의 다른측에는 자외선오존세정장치(19)와 LCD기판(G)을 냉각처리하는 냉각처리장치(20, 21)와 LCD기판(G)을 가열처리하는 가열처리장치(22)가 적절히 다단으로 배치되어 있다. 이들 각종 처리장치에 대한 LCD기판(G)의 반입 반출은 주반송장치(15)에 장비된 반송암(15a)에 의해 수행된다. 또, 이와 같은 제 1처리부(3)와 후술하는 제 2처리부(5)의 사이에 형성된 상기 인터페이스부(4)에는 LCD기판(G)을 자유롭게 재치할 수 있는 주고받음대(23)가 설치되어 있다.

제 2처리부(5)에는 주반송장치(25)의 반송레일(26)을 사이에 두고 한측에는 도포·주연부제거장치(27)가 배치되고 다른측에는 LCD 기판(G)의 소수화처리를 행하는 소수화처리장치(28)와 LCD기판(G)을 냉각시키는 냉각처리장치(29)와 본 실시형태와 관련된 가열처리장치(30, 30)가 다단으로 배치되어 있다. 또, 상기 주반송장치(25)에는 제 2처리부(5)에 속하는 각종 처리장치에 LCD기판(G)을 반입 반출하는 반송암(25a)이 장비되어 있다.

인터페이스부(7)에는 도포현상처리장치(1)와 노광장치(도시 않됨)의 처리시간을 조정하기 위해 LCD기판(G)을 일시적으로 수납하여 대기시키는 카세트(31, 31)와 LCD기판(G)을 자유롭게 재치시키는 주고받음대(32)와 각 카세트(31, 31)와 주고받음대(32)와 노광장치(도시 않됨)에 대하여 LCD기판(G)을 자유롭게 반송하는 부반송장치(33)가 장비되어 있다.

도포현상장치(1)는 이상과 같이 구성되어 있다. 다음, 도포현상처리장치(1)에 갖추어진 가열처리장치(30)에 관하여 설명한다.

가열처리장치(30)는 도 3에 나타낸 바와 같이, LCD 기판(G)을 가열처리하는 처리실(40)이 형성되어 있고, 이 처리실(40)에는 후술하는 가열재치대(42)와 이 가열재치대(42)를 둘러싼 셔터(shutter)(43)가 갖추어져 있다.

셔터(43)는 승강 실린더(44)에 의해 상하로 자유롭게 이동할 수 있도록 구성되어 있고, 셔터(43)가 상승하였을 때에는 셔터(43)와 상부 중앙에 배기구(45)를 갖는 커버(46)로부터 늘어뜨려진 스토퍼(stopper)(47)가 접촉하여 상기 처리실(40)이 형성 되도록 되어 있다. 스토퍼(47)에는 급기구(도시 않됨)가 설치되어 있고, 이 급기구로부터 처리실(40) 내로 유입된 공기는 배기구(45)로부터 배기되도록 구성되어 있다. 또, 처리실(40) 내에는 LCD기판(G)을 지지할 수 있는 승강핀(48)이 갖추어져 있고, 이 승강핀(48)은 모터(49)의 구동에 의해 상하로 자유롭게 움직일 수 있도록 형성되어 있다.

그리고, 상술한 가열재치대(42)는 도 4에 나타낸 바와 같이 발열체(50)를 내장한 알루미늄 등의 재질로 이루어진 장방형의 재치대본체(51)와, 이 재치대본체(51)의 상부에 배치된 표면부재(52)로 구성되어 있다. 표면부재(52)는 예를들어 화강암, 대리석 등의 광물 및 유리 등의 재료로 구성되어 있고, 재치대본체(51)로부터의 열이 LCD기판(G)에 대하여 잘 전달되도록 재치대본체(51)보다 얇게 형성되어 있다. 또, 표면부재(52)는 재치대본체(51)에 대하여 자유롭게 탈착이 가능하도록 형성되어 있다.

또 표면부재(52)의 표면은 예를들어 샌드블래스트공법(sand blast)에 의해 3S ∼ 100S의 거친정도를 가지도록 형성되어 있다. LCD기판(G)이 표면부재(52)에 재치될 때에는 LCD기판(G)의 뒷면이 표면부재(52)의 전체에 걸쳐 이 거칠은 면과 접촉한다.

본 발명의 실시형태와 관련된 가열처리장치(30)는 이상과 같이 구성되어 있다. 다음, 가열처리장치(30)의 작용 및 효과에 관하여 설명한다.

카세트 재치대(10) 상에 미처리된 LCD기판(G)을 수납한 카세트(11)가 재치되면 부반송장치(13)가 카세트(11)에 접근하여 LCD기판(G) 1장을 꺼낸다. 다음, 부반송장치(13)가 로우더부(2)에 장비된 주고받음대(14)로 이 LCD기판(G)을 반송하여 이 LCD기판(G)을 주고받음대(14) 위로 전달한다.

다음, 이 LCD기판(G)은 주반송장치(15)의 반송암(15a)에 의해 지지된 상태로 자외선 오존세정장치(19)로 반송되어, LCD기판(G)에 부착된 유기오염물이 제거된다. 그 후, 오존세정이 종료된 LCD기판(G)은 주반송장치(15)에 의해 스크러버(scrubber)세정장치(17)로 반송되어 스크러버세정처리가 실시된 후, 다시 반송암(15a)에 지지된 상태에서 주고받음대(23)로 반송된다.

주고받음대(23)에 전달된 LCD기판(G)은 주반송장치(25)의 반송암(25a)에 지지된 상태로 소수화처리장치(28)에 반송된다. 그리고 소수화처리가 종료된 LCD기판(G)은 다시 반송암(25a)에 지지된 상태로 도포·주연부제거장치(27)에 반송된다. 이 도포·주연부제거장치(27)에서 레지스트액이 도포되고 주연부의 불필요한 레지스트막이 제거된 LCD기판(G)은 반송암(25a)에 의해 가열처리장치(30)로 반송된다.

이 때, LCD기판(G)은 도 5에 나타낸 것처럼 하강된 셔터(43)의 상방으로부터 반송암(25a)과 함께 처리실(40) 내에 진입하여, 1점쇄선으로 나타내어진 상승한 승 강핀(48) 상에 지지된다. 그리고 반송암(25a)이 처리실 (40)로부터 퇴출된 후, 셔터(43)를 상승시켜 처리실(40) 내를 기밀하게 유지시킨다. 그 후, LCD기판(G)을 승강핀(48)과 함께 도 6의 1점쇄선으로 나타낸 위치로부터 실선위치까지 하강시켜, 이 LCD기판(G)을 가열재치대(42)의 표면부재(52) 상에 재치시킨 후에 가열처리를 실시한다.

이와 같은 가열처리가 종료된 후에는 승강핀(48)이 상승하여 셔터(43)가 하강한다. 다음, 반송암(25a)이 처리실(40) 내에 진입하여 승강핀(48)으로부터 LCD기판(G)을 건네받은 후, LCD 기판(G)을 지지한 상태로 처리실(40) 내에서 퇴출된다. 가열처리장치(30)로부터 반출된 LCD기판(G)은 그 후 주고받음대로 건네어져, 여기서부터는 부반송장치(33)에 의해 노광장치(도시 않됨)로 반송된다.

본 발명의 실시형태와 관련된 가열처리장치(30)는 LCD기판(G)을 재치시키는 표면부재(52)의 표면이 거칠은 면이 되도록 형성되어 있다. 따라서 도 7에 나타낸 바와 같이, LCD 기판(G)과 표면부재(52)의 접촉면적이 종래보다 작아진다. 그 결과, LCD기판(G)이 승강핀(48)에 의해 표면부재로부터 떨어진 경우에도 LCD기판(G)과 표면부재(52) 간의 마찰이 감소하고, 이 마찰에 의한 정전기의 발생을 방지하는 것이 가능하다.

또, 상기 거칠은 면은 3S ∼ 100S의 거친정도로 형성되어 있고, 또 LCD기판(G)이 표면부재(52)에 재치될 때에는 LCD기판(G)의 뒷면이 전면에 걸쳐 거칠은 면과 접촉된 상태로 되어 있다. 따라서, 거칠은 면에 재치된 LCD기판(G)은 자체의 무게로 인하여 휘어지는 일이 없고, 이 LCD기판(G)과 표면부재(52) 사이의 간격은 LCD기판(G)의 전면에 걸쳐 등간격으로 유지된다. 그 결과, 이 LCD기판(G)에는 재치대본체(51)로부터의 열이 균일하게 공급되어 균일한 가열처리가 가능하게 된다.

또, 표면부재(52)는 재치대본체(51)에 대하여 탈착이 자유롭기 때문에 표면부재(52)의 교환이 용이하다. 그리고, 가열재치대(42)를 구성하는 알루미늄 등보다도 표면처리가 쉬운 화강암 및 유리 등의 재료로 표면부재(52)를 구성함으로써, 표면부재(52)에 있어서의 거칠은 면을 보다 용이하게 형성시키는 것이 가능하다.

그리고, 상기 화강암 및 유리는 LCD기판(G)의 주성분과 동일한 산화규소로 구성되어 있기 때문에, 표면부재(52)와 LCD기판(G) 사이의 마찰에 의해 발생하는 정전기를 확실하게 방지시킬 수 있다.

다음, 본 발명의 타 실시형태에 관하여 설명한다.

도 8 ∼ 도 10에 나타낸 바와 같이, 이 실시형태에 관련된 가열재치대(62)는 발열체를 내장한 알루미늄 등의 재질로 이루어진 장방형의 재치대본체(63)와, 이 재치대본체(63)의 상부에 배치된 표면부재(64)로 구성되어 있다. 이 표면부재(64)는 재치대본체(63)에 대하여 탈착이 가능하도록 되어 있다.

표면부재(64)의 표면(65)는 요면상으로 형성되어 있다. 요면상의 표면은 3S ∼ 100S의 거친정도를 가지는 거칠은 면으로 되어 있다. 여기서 「요면상」이란,주변이 융기되어 중앙부분이 움푹 패인 형상을 말하며, 이와 같은 형상이라면 도에 나타낸 바와 같이 대략적인 반구상{단면이 대략 원호모양}의 곡면이어도 좋고, 요철이 없는 경사면을 끌어모은 모양, 예를 들어 삼각형의 경사면을 꼭지점을 중앙부 로 배치하여 서로 인접시켜 복수로 배치한 형상 등이어도 좋다.

배큐엄(vacuum)부(66)는 상술한 표면(65)에 개구가 형성된 구멍으로 구성된다. 또, 이 배큐엄부(66)는 예를들어 표면(65)의 가장 낮은 부위, 즉 본 실시형태에서는 대략 중앙부에 설치되어 있다. 상술한 바와 같이 표면부재(64)의 표면(65)이 요면상으로 형성되어 있기 때문에, 당해 표면(65)상에 LCD기판(G)을 재치한 경우, 당해 LCD기판(G)과 당해 표면(65)사이에 발생되는 공간은 양측의 접촉부위에서 거의 폐쇄되어진다. 따라서 거의 중앙부에 설치된 베큐엄부(66)로부터 단지 흡인함으로써, LCD기판(G)을 표면부재(64)의 표면(65)에 흡착시켜 보유 및 유지하는 것이 가능하다.

또, 배큐엄부(66)는 배큐엄원(源)(도시 않됨)에 배관을 매개로 하여 접속되어 있고, 당해 배큐엄원의 구동에 의하여 재치되는 LCD기판(G)을 표면부재(64)의 표면(65)으로 끌어당기듯이 흡인한다.

또, 이 가열재치대(62)에는 LCD기판(G)을 반송암(25a)으로 전달 및 표면부재(64)의 표면(65)상에 재치하기 위해 승강동작을 하는 리프트핀(67)의 출몰홀(出沒穴)(68)이 설치되어 있다. 그리고 이 출몰홀(68) 내에 리프트핀(67)이 배치되어 있다. 또 리프트핀(76)은 연결부(69)에 의해 상호로 연결되고 구동원(도시 않됨)에 의해 모든 리프트핀(67)이 동시에 승강동작을 행한다.

또, 표면부재(64)에는 이오나이저(도시 생략)로부터 공급되는 기체, 예를 들어 가열되어 이온이 상당량 포함된 질소가스를 분출하는 분출공(70)이 설치되어 있다. 여기서 분출공(70)으로부터 공급되는 질소가스의 양은 배큐엄부(66)로부터 흡 인되는 기체의 양보다도 적다. 따라서, 상기와 같이 질소가스를 공급함으로써 LCD기판(G)이 가열재치대(62)상으로부터 뜨게 되는 일이 없어져, LCD기판(G)을 확실하게 고정시키는 것이 가능하게 된다.

그리고, LCD기판(G)의 반입시에는 도 11(a)에 나타낸 바와 같이 리프트핀(67)이 상승하도록 제어되어 있고, 반송암(25a)으로부터 이 상승하고 있는 리프트핀 위에 LCD기판(G)이 얹혀진 후 당해 리프트핀(67)이 하강하여 그 리프트핀의 정점이 표면부재(64)의 표면(65)이하로 까지 내려가 출몰홀(67)내에 위치하게 되는 과정에서 당해 표면부재(64)의 표면(65)상에 LCD기판(G)이 재치된다. 이때, 본 실시형태에 의하면 도 11(b)에 나타낸 바와 같이, 표면(65)이 요면상으로 형성되어 있기 때문에 LCD기판(G)은 그 둘레만이 표면부재(64)의 표면에 접촉하게 되어 이 접촉부분을 경계로 하여 그 안쪽에는 거의 폐쇄된 공간이 형성된다.

그리고 이 상태로부터 예를 들어 소정시간 경과 후, 제어부(도시 않됨)로부터의 명령에 의거하여 배큐엄원이 가동하여 배큐엄부(66)를 통하여 LCD기판(G)을 흡인하면, 도 11(c)에 나타낸 바와 같이 배큐엄부(66)가 표면부재(64) 표면(65)의 거의 중앙부 외에는 설치되어 있지 않음에도 불구하고 유리기판(G)을 흡착하여 위치를 보호 및 유지하는 것이 가능하다.

다음, 가열처리가 종료되면 배큐엄원의 구동을 정지시키고 리프트핀(67)을 출몰홀(68)로부터 돌출되는 방향으로 상승시켜, LCD기판(G)을 표면부재(64)의 표면상으로부터 이간(離間)시켜 들어올린다.(도 11(a)의 상태와 같음) 그리고, 암(25a)이 리프트핀(67)상의 LCD기판(G)을 반출하여 다음 공정의 처리장치로 반송한다.

이와 같이 본 실시형태에서는 표면부재(64)의 표면(65)이 요면상으로 되어 있어서, LCD기판(G)이 도 11(b)에 나타낸 바와 같이 표면부재(64)의 표면(65)에 재치된 직후의 LCD기판(G)은 표면부재(64)의 표면(65)에 근접되어 가열되지만, LCD기판(G)과 표면부재(64)의 표면(65)이 직접적으로 접촉하지 않기 때문에 마찰에 의한 정전기가 발생되지 않는다. 그 후 도 11(c)에 나타낸 바와 같이 LCD기판(G)을 진공흡인함으로써 LCD기판(G)이 표면부재(64)의 표면(65)에 접촉되지만, 표면부재 (64)의 표면(65)이 거칠은 면이기 때문에 LCD기판(G)과 표면부재(64) 표면(65)의 접촉면적이 종래보다 작아진다. 따라서 LCD기판(G)과 표면부재(64) 표면(65)의 마찰에 의한 정전기의 발생을 억제할 수 있고, 또 LCD기판(G)에 대한 균일한 가열처리가 가능하다.

또, 본 실시형태에서는 표면부재(64) 표면(65)의 분출공(70)으로부터 이오나이저에서부터 공급된 기체를 분출하도록 구성되어 있기 때문에, LCD기판(G)과 표면부재(64) 표면(65)의 마찰에 의한 정전기가 발생하여도 상기의 기체에 의해 정전기의 제전(除電)이 가능하다. 본 실시형태에서는 특히 표면부재(64)의 표면(65)이 거칠은 면으로 되어 있기 때문에 이오나이저로부터 공급된 기체가 LCD기판(G)과 표면부재(64) 표면(65) 사이의 미소한 공간을 통하여 LCD기판(G)의 뒷면 전체에 전달됨으로써 제전효과를 높이는 것이 가능하다. 또, 이와 같은 제전효과를 더욱 높이기 위해 도 12에 나타낸 바와 같이 표면부재(64) 표면(65)에 상기 기체를 LCD기판(G)의 뒷면 전체에 전달시키기 위한 다수의 홈(71)을 형성시켜도 좋다.

또, 상기 실시형태에서는 가열재치대(42)를 재치대본체(51)와 표면부재(52) 로 구성시킴과 동시에 표면부재(52)의 표면에 거칠은 면을 형성시킨 예를 들어 설명하였는데, 본 발명은 재치대본체(51)와 표면부재(52)가 일체로 되어 있는 가열재치대, 즉 종래의 가열재치대의 표면에 거칠은 면을 형성시키고, 또 이 거칠은 면을 3S ∼ 100S의 거친정도로 형성시켜도 좋다. 또 표면부재(52)는 화강암 또는 유리이외에도 예를 들어 금속 등으로 형성시켜도 좋다.

또, 본 발명에서는 상기 표면부재(52) 대신에 망(55)을 갖춘 가열재치대(56)를 제안할 수도 있다. 이 가열재치대(56)는 도 13에 나타낸 바와 같이 재치대본체(51)의 상면이 망으로 덮어져 있고, LCD기판(G)은 망(55)에 재치된 상태에서 가열처리되도록 구성되어 있다.

이와 같은 구성에 의하면, 망(55)의 간격으로 인해 LCD기판(G)과 망(55)의 접촉면적은 작아진다. 따라서 LCD기판(G)과 망(55)의 마찰이 감소하기 때문에 정전기의 발생을 보다 확실하게 방지하는 것이 가능하다.

그리고 이 경우에도 망(55)에 재치된 LCD기판(G)이 휘어지지 않기 때문에 LCD기판(G)과 망(55) 사이의 간격은 등간격으로 유지된다. 따라서 LCD기판(G)에 대한 균일한 가열처리가 가능하게 된다.

그리고 LCD기판(G)과 망(55)의 접촉면적은 망(55)에 형성된 간격으로 인해 작아지지 때문에 샌드블래스트 공법 등의 특별한 표면처리가 불필요하게 된다. 또 망(55)은 재치대본체(51)의 상면을 반드시 덮을 필요는 없고, 적어도 LCD기판(G) 전면과 망의 접촉부분에 망(55)이 배치되어 있으면 된다.

또, 표면부재(52) 및 망(55)을 대신하여 도 14에 나타낸 바와 같이 예를 들 어 스테인레스로 만들어진 치밀한 금속면(57)으로 LCD기판(G)을 지지하도록 하여도 좋다. 이와 같은 구성에 의하면 금속면(57)과 LCD기판(G)의 접촉부분이 분산되기 때문에 LCD기판(G)과 금속면(57)의 접촉면적이 작아진다. 따라서, 정전기의 발생을 보다 확실하게 방지하는 것이 가능하다. 도 15에 나타낸 바와 같이 금속면(57)을 대신하여 면상부재(60) 및 포상부재(61)로 LCD기판(G)을 지지하도록 하여도 좋다.

이 경우 면상부재(60) 및 포상부재(61)를 재치대본체(51)에 고정시키지 않으면 면상부재(60) 및 포상부재(61)가 LCD기판(G)과 같이 열팽창 또는 열수축하게 된다. 따라서 LCD기판(G)과 면상부재(60)와의 사이 도는 LCD기판(G)과 포상부재(61)와의 사이에서 발생하는 마찰을 보다 더 억제할 수 있어 보다 확실하게 정전기의 발생을 방지하는 것이 가능하게 된다. 또 마모등으로 인해 적절히 기능하지 못하게 된 면상부재(60) 및 포상부재(61)를 교환하는 것도 용이하다.

또, 상기 실시형태에서는 샌드블래스트 공법에 의한 표면처리를 예로 들어 설명하였는데, 표면부재(52) 또는 가열재치대(42)의 표면을 3S ∼ 100S의 거친정도로 형성할 수 있으면 본 발명은 상기의 예에 한정되지 않는다.

또, 상기 실시형태에서는 레지스트 도포 후의 LCD기판(G)을 가열처리하는 가열처리장치(30)를 예로 들어 설명하였는데, 본 발명은 이와 같은 예에 한정되지 않고, 현상처리 후의 가열처리장치(22)는 물론, 예를 들어 냉각처리장치(29)에 대하여도 적용이 가능하다.

그리고 본 발명에 있어서 사용가능한 기판은 상기 실시형태와 같이 LCD기판(G)에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 CD기판이나 반도체 웨이퍼 등에도 응용이 가능하다.

청구항 1 ∼ 12에 기재된 발명에서는 기판의 접촉면적이 종래보다 작아지기 때문에 정전기의 발생을 방지하는 것이 가능하다. 또 기판이 휘어지지 않기 때문에 균일한 처리가 가능하다.

특히, 청구항 4, 6에 의하면 기판 뒷면의 전면에 걸쳐 정전기를 제전하는 것이 가능하게 된다.

특히, 청구항 5에 의하면 기판을 재치대 상의 소정위치에 확실하게 고정하는 것이 가능하여 열처리를 균일하고 정확하게 행할 수 있다.

특히, 청구항 7에 기재된 발명에서는 거칠은 면의 형성이 용이하고 그 제조비용도 절감된다.

특히, 청구항 8에 기재된 발명에서는 표면부재를 적절한 재질로 형성시키기 때문에 거칠은 면을 형성시키기 쉽다. 또 재치대를 재치대본체와 표면부재로 구성시키기 때문에 표면부재의 교환이 용이하게 된다.

특히, 청구항 9, 10에 기재된 발명에서는 표면부재가 유리기판에 포함되는 주성분으로 구성되기 때문에 유리기판을 기판으로서 사용할 경우에는 정전기의 발생을 보다 확실하게 방지하는 것이 가능하게 된다.

청구항 11에 기재된 발명에서는 기판의 재질 등에 따라서 정전기가 발생하기 어려운 조건을 가지는 표면부재를 선택적으로 사용하는 것이 가능하게 된다.

청구항 12, 13에 기재된 발명에서는 샌드블래스트 공법 등의 특별한 표면처리가 불필요하게 된다.

Claims (18)

1. 재치대에 재치된 기판을 당해 재치대의 표면에서 전달되는 열로 열처리하는 열처리장치에 있어서,

   상기 재치대의 표면을 거칠은 면으로 형성하고, 상기 표면은 이오나이저에 접속되고, 상기 이오나이저로부터 공급된 이온을 포함하는 기체를 분출하기 위한 분출공이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
2. 청구항 1에 있어서,

   상기 거칠은 면은 3S ∼ 100S의 거친정도를 갖는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

   상기 재치대의 표면은 요면상(凹面狀)으로 되어 있고, 동시에 당해 표면에는 기판을 진공흡인하기 위한 흡인공이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
4. 삭제
5. 청구항 3에 있어서,

   상기 분출공으로부터 분출되는 기체의 양은 상기 흡인공에서 흡인되는 기체의 양보다 적은 것을 특징으로 하는 열처리장치.
6. 청구항 3에 있어서,

   상기 재치대의 표면에는 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

   상기 거칠은 면은 샌드블래스트 공법으로 형성된 것을 특징으로 하는 열처리장치.
8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,

   상기 재치대는 기판에 대하여 열을 공급할 수 있는 재치대본체와,

   당해 재치대본체의 표면에 배치된 표면부재에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리장치.
9. 청구항 8에 있어서,

   상기 표면부재는 화강암, 대리석 등의 광물(鑛物)로 형성된 것을 특징으로 하는 열처리장치.
10. 청구항 8에 있어서,

    상기 표면부재는 유리로 형성된 것을 특징으로 하는 열처리장치.
11. 청구항 8에 있어서,

    상기 표면부재는 상기 재치대본체에 대하여 탈착(脫着)이 가능한 것을 특징으로 하는 열처리장치.
12. 삭제
13. 삭제
14. 삭제
15. 삭제
16. 삭제
17. 삭제
18. 삭제

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