KR102671711B1 - 기판 가열 건조 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판에 약액을 도포한 후 건조하는 과정에서 기판에 얼룩의 발생을 원천적으로 제거함으로써 공정 불량을 방지할 수 있도록 하는 기판 가열 건조 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명은, 진공 분위기에서 약액이 코팅된 기판의 건조가 이루어지는 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되고 내부에는 상기 기판의 건조를 위한 열원을 제공하는 가열수단이 구비된 히팅 플레이트를 포함하되, 상기 기판의 건조는 상기 기판이 상기 히팅 플레이트에 접촉된 상태에서 수행되고, 상기 히팅 플레이트의 표면에는 상기 기판과의 접촉시 정전기의 발생을 방지하기 위한 정전기방지 코팅층이 형성된 것을 특징으로 한다.

Description

기판 가열 건조 장치{Device for heating and dry substrate}
본 발명은 약액이 코팅된 기판을 진공 분위기에서 가열하여 건조시키는 기판 가열 건조 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 기판에 약액을 도포한 후 건조하는 과정에서 기판에 얼룩의 발생을 원천적으로 제거함으로써 공정 불량을 방지할 수 있도록 하는 기판 가열 건조 장치에 관한 것이다.
일반적으로 평판표시장치에 사용되는 기판은 여러 단계의 가공공정과 이들 가공공정 사이에 세정 및 건조 공정을 거치게 된다.
이와 같이 기판의 가공 단계를 거친 후 세정을 한 다음에는 기판 건조 공정을 수행하게 되는데, 이러한 기판 가열 공정은 히팅 플레이트가 구비된 챔버 내에 기판을 투입하여 가열 건조시키는 기판 가열 건조 장치에서 수행된다.
종래 기판 가열 건조 장치에서 약액이 코팅된 기판을 히팅 플레이트의 표면에 안착시킨 상태에서 건조 공정을 수행한 경우에는, 히팅 플레이트와 기판 간에 정전기가 발생하여 기판이 히팅 플레이트에서 미끄러지거나, 접촉면에서의 표면장력에 의해 기판이 히팅 플레이트에 밀착되어 기판이 파손되는 문제점이 있었다.
이러한 문제점을 개선하기 위한 수단으로, 근래에는 히팅 플레이트로부터 소정 간격을 두고 기판이 안착되도록 근접핀(Proximity pin)을 히팅 플레이트 상에 다수개를 구비한 기판 가열 건조 장치가 사용되고 있다.
그러나, 이와 같이 근접핀에 의해 기판을 지지한 상태에서 기판 가열 건조 공정을 수행할 경우에는 근접핀과 기판의 접촉부는 온도 차이에 의해 얼룩이 발생되어 공정 불량이 초래되는 문제점이 있었다.
종래 기판 가열 건조 장치 및 근접핀과 관련된 선행기술은, 공개특허 제10-2013-0019931호, 공개특허 제10-2009-0072361호, 등록특허 제10-0592940호 등에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판에 약액을 도포한 후 건조하는 과정에서 기판에 얼룩의 발생을 원천적으로 제거함으로써 공정 불량을 방지할 수 있도록 하는 기판 가열 건조 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 기판 가열 건조 장치는, 진공 분위기에서 약액이 코팅된 기판의 건조가 이루어지는 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되고 내부에는 상기 기판의 건조를 위한 열원을 제공하는 가열수단이 구비된 히팅 플레이트를 포함하되, 상기 기판의 건조는 상기 기판이 상기 히팅 플레이트에 접촉된 상태에서 수행되고, 상기 히팅 플레이트의 표면에는 상기 기판과의 접촉시 정전기의 발생을 방지하기 위한 정전기방지 코팅층이 형성된 것을 특징으로 한다.
상기 정전기방지 코팅층은 불소 코팅층일 수 있다.
상기 히팅 플레이트의 표면에는, 상기 기판과의 접촉시 표면장력을 감소시키기 위한 거칠기 부여면이 형성될 수 있다.
상기 거칠기 부여면은 표면거칠기가 4㎛ 이상으로 형성될 수 있다.
상기 가열수단과 상기 기판이 접촉되는 히팅 플레이트 표면 사이는, 상기 히팅 플레이트 표면의 국부적인 온도 집중을 방지하기 위해 설정된 간격으로 이격되도록 구성될 수 있다.
상기 가열수단과 상기 기판이 접촉되는 히팅 플레이트 표면 사이의 간격은, 15mm 이상 이격되도록 형성될 수 있다.
상기 가열수단과 상기 기판이 접촉되는 히팅 플레이트 표면 사이에는, 상기 가열수단에서 발생된 열이 상기 히팅 플레이트 표면에 균등하게 전달되도록 하기 위한 열확산수단이 구비될 수 있다.
상기 열확산수단은 상기 가열수단과 상기 기판이 접촉되는 히팅 플레이트 표면 사이에 구비되는 열확산판 또는 공기층으로 구성될 수 있다.
상기 가열수단은 열선으로 이루어지고, 상기 열확산수단은 상기 열선의 외측면을 둘러싸며 구비된 열확산부재일 수 있다.
상기 기판은 이송로봇에 의해 상기 챔버에 로딩 및 언로딩되고, 상기 히팅 플레이트를 관통하여 상기 기판을 지지하며 승강되도록 구비되어 상기 이송로봇과 사이에 상기 기판을 인수 또는 인계하는 복수의 리프트핀을 구비하되, 일실시예로, 상기 리프트핀은 상기 기판의 영역 중 약액이 코팅되지 않는 영역에 접촉하도록 구비될 수 있다.
다른 실시예로, 상기 리프트핀은, 상기 기판의 영역 중 약액이 코팅되지 않는 영역에 접촉되는 제1리프트핀과, 상기 기판의 영역 중 약액이 코팅되는 영역에 접촉되는 제2리프트핀을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 히팅 플레이트에는, 상기 제1리프트핀이 관통하는 제1리프트핀홀과, 상기 제2리프트핀이 관통하는 제2리프트핀홀이 형성되고, 상기 제2리프트핀홀에는 상기 제2리프트핀의 미사용시 상기 제2리프트핀홀을 막는 플러그 캡이 장착될 수 있다.
상기 제2리프트핀홀에 장착된 플러그 캡의 끝단은 상기 히팅 플레이트의 표면을 기준으로 상기 제2리프트핀홀의 내측으로 소정 간격으로 함몰되어 위치될 수 있다.
상기 챔버의 상부에는 상기 챔버의 내부에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인이 연결될 수 있다.
상기 퍼지가스 공급라인에는 상기 퍼지가스를 상기 챔버 내부의 건조공정 온도와 대응되는 온도로 가열하기 위한 라인 히터가 구비될 수 있다.
상기 챔버에는 상기 퍼지가스 공급라인에서 배출되는 퍼지가스가 상기 챔버의 상부를 향하여 분사되도록 유도하는 가이드부재가 구비될 수 있다.
상기 챔버의 상부에는 기판의 가열 건조를 위해 열원을 제공하는 상부 히터가 추가로 구비될 수 있다.
본 발명에 따른 기판 가열 건조 장치에 의하면, 건조 대상 기판이 히팅 플레이트의 표면에 접촉된 상태에서 기판의 건조가 수행되도록 하고, 건조 대상 기판이 접촉되는 히팅 플레이트의 표면에 정전기방지 코팅층을 형성함으로써 기판에 얼룩의 발생을 원천적으로 제거할 수 있어 얼룩의 발생에 의해 초래되는 공정 불량을 예방할 수 있다.
또한 히팅 플레이트의 표면에 거칠기 부여면을 형성함으로써 기판과의 접촉면적을 감소시켜 표면장력을 최소화 함으로써 얼룩의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한 히팅 플레이트에 구비된 가열수단과 기판이 접촉되는 히팅 플레이트의 표면 사이가 설정된 간격으로 이격되도록 배치함과 아울러 가열수단에서 발생된 열이 히팅 플레이트의 표면에 균등하게 전달되도록 하는 열확산수단을 구비함으로써 기판의 온도 균일도를 향상시켜 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
또한 이송로봇과 사이에 기판을 인수 또는 인계하기 위해 승강되는 리프트핀을 기판의 영역 중 약액이 코팅되지 않은 영역에 접촉되도록 구비함으로써, 약액이 코팅된 영역에서의 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
또한 리프트핀을 기판의 영역 중 약액이 코팅된 영역에 접촉되도록 추가로 구비함으로써 기판의 인수 인계시 기판의 처짐 현상을 방지할 수 있다.
또한 퍼지가스 공급라인을 챔버의 상부에 연결하고, 퍼지가스가 챔버의 상부를 향하여 분사되도록 유도하는 가이드부재를 구비함으로써, 퍼지가스가 기판의 표면을 향하여 분사되는 경우에 기류의 급격한 변화에 의해 초래될 수 있는 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
또한 퍼지가스 공급라인에 라인 히터를 구비함으로써, 퍼지가스 공급라인을 통해 챔버 내부로 공급되는 퍼지가스의 온도를 공정 온도와 대응되도록 가열함으로써, 챔버 내부의 공정온도를 유지할 수 있게 되어 온도 변동에 의해 초래될 수 있는 기판 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
또한 하부 챔버에 장착되는 히팅 플레이트에 가열수단을 구비함과 아울러 상부 챔버에는 상부 히터를 구비함으로써 기판의 양면이 균일하게 가열될 수 있어 기판의 건조 효율을 향상시킬 수 있고, 기판의 상면과 하면의 온도 편차를 줄여 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 가열 건조 장치에 기판이 로딩되는 모습을 보여주는 개략도,
도 2는 본 발명에 따른 기판 가열 건조 장치에서 히팅 플레이트 상에 기판이 안착된 모습을 보여주는 개략도,
도 3은 본 발명에 따른 기판 가열 건조 장치에 구비되는 히팅 플레이트의 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 기판 가열 건조 장치의 하부 챔버와 히팅 플레이트의 평면도,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 리프트핀의 배치구조를 보여주는 평면도,
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 리프트핀의 배치구조를 보여주는 평면도,
도 7은 처짐 방지용 리프트핀의 미사용시 리프트핀홀에 플러그 캡이 장착된 모습을 보여주는 단면도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 가열 건조 장치(1)는, 진공 분위기에서 약액이 코팅된 기판(S)의 건조가 이루어지는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내에 구비되고 내부에는 기판(S)의 건조를 위한 열원을 제공하는 가열수단(210)이 구비된 히팅 플레이트(200)를 포함하고, 상기 기판(S)의 건조는 기판(S)이 히팅 플레이트(200)의 표면에 접촉된 상태에서 수행된다.
상기 챔버(100)는, 상부 챔버(100a)와 그 하부에 결합되는 하부 챔버(100b)로 구성될 수 있으며, 상부 챔버(100a)와 하부 챔버(100b)가 결합된 챔버(100)의 내부에는 기판(S)의 건조를 위한 밀폐된 공간이 마련된다.
상기 상부 챔버(100a)의 일측에는 기판(S)의 출납을 위한 통로를 제공하는 게이트(110)와, 상기 게이트(110)를 개폐하기 위해 승강되는 셔터(120)와, 상기 셔터(120)를 승강 구동하는 셔터 승강부(130)가 구비된다.
상기 셔터 승강부(130)의 일방향 구동에 의해 셔터(120)가 하강하면, 도 1에 도시된 바와 같이 게이트(110)가 개방되어 기판(S)을 지지하는 이동로봇(500)이 게이트(110)를 통하여 챔버(100)의 내부로 이동 가능한 상태가 된다.
상기 셔터 승강부(130)의 역방향 구동에 의해 셔터(120)가 상승하면, 도 2에 도시된 바와 같이 게이트(110)는 셔터(120)에 의해 막히게 되어 챔버(100)의 내부는 밀폐된 상태가 된다.
상기 게이트(110)가 개방된 상태에서 이송로봇(500)과 이에 지지된 기판(S)은 함께 챔버(100)의 내부로 반입되고, 기판(S)이 히팅 플레이트(200) 상측에 위치하게 되면, 이송로봇(500)에 의해 지지된 기판(S)은 리프트핀(300)에 인계된다.
상기 리프트핀(300)은 리프트핀 구동부(310)에 의해 승강 구동된다. 상기 리프트핀(300)은 하부 챔버(100b)에 형성된 관통구(101)와 히팅 플레이트(200)에 형성된 리프트핀홀(201)을 관통하여 승강 이동될 수 있다.
상기 로딩로봇(500)은 도 4에 도시된 바와 같이 몸체(510)와, 몸체(510)로부터 연장되어 기판(S)을 지지하기 위한 복수개의 로봇암(520)으로 구성될 수 있다.
상기 기판(S)이 히팅 플레이트(200)의 상면에 안착되는 로딩 과정의 일실시예를 설명하면, 로딩로봇(500)에 의해 지지되는 기판(S)이 챔버(100)의 내부로 반입되어 히팅 플레이트(200) 상측에 위치한 상태에서, 리프트핀(300)이 로딩로봇(500)의 위치보다 상측으로 더욱 상승하게 되면, 기판(S)은 리프트핀(300)의 상단에 접촉되면서 상측으로 들어올려지게 되고, 기판(S)이 리프트핀(300)에 인계되면 이송로봇(500)은 게이트(110)를 통과하여 챔버(100)의 외부로 이동하게 되며, 그 후 리프트핀(300)의 하강 이동에 의해 기판(S)은 히팅 플레이트(200)의 상면에 안착된다.
로딩 과정의 다른 실시예로, 상기 리프트핀(300)이 히팅 플레이트(200)의 상면보다 상측으로 돌출되어 정지된 상태에서 이송로봇(500)이 하강하여 리프트핀(300) 상에 기판(S)을 인계하도록 구성될 수도 있다.
한편, 도 1, 도 2 및 도 4를 함께 참조하면, 상기 하부 챔버(100b)의 바닥면에는 복수의 진공홀(202)이 형성되고, 상기 진공홀(202)에는 챔버(100)의 내부공간에 진공을 인가하기 위한 진공배관(400)이 연결된다.
도 3을 참조하면, 상기 기판(S)이 접촉되는 히팅 플레이트(200)의 표면에는, 기판(S)과의 접촉시 정전기의 발생을 방지하기 위한 정전기방지 코팅층(220)이 형성된다. 일실시예로서, 상기 정전기방지 코팅층(220)은 대전 방지 기능이 뛰어난 불소 코팅층으로 형성될 수 있다. 따라서, 기판(S)이 히팅 플레이트(200) 상의 정전기방지 코팅층(220)에 접촉된 상태로 지지되더라도 정전기의 발생이 억제되므로, 정전기의 발생에 의해 초래되는 기판(S)의 얼룩 발생의 요인을 제거할 수 있다.
또한 상기 히팅 플레이트(200)의 표면에는, 기판(S)과의 접촉시 표면장력을 감소시키기 위한 거칠기 부여면(200a)이 형성되어 있다. 이와 같이 히팅 플레이트(200)의 표면에 거칠기 부여면(200a)을 형성할 경우, 기판(S)과 거칠기 부여면(200a) 간의 접촉면적을 감소시켜 표면장력을 최소화 함으로써 얼룩의 발생을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 일실시예로, 상기 거칠기 부여면(200a)의 표면거칠기는 4㎛ 이상으로 형성될 수 있다.
한편, 히팅 플레이트(200)에 구비되는 가열수단(210)에서 발생된 열에 의해 히팅 플레이트(200)의 표면이 가열되고, 그 열에 의해 기판(S)의 건조가 수행됨에 있어서, 히팅 플레이트(200) 표면에 국부적으로 온도가 집중될 경우에는 기판(S)에 온도차에 의한 얼룩이 발생할 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 위한 구성으로, 도 3에 도시된 바와 같이 가열수단(210)과 기판(S)이 접촉되는 히팅 플레이트(200)의 표면 사이는, 설정된 간격(d)으로 이격되도록 형성된다. 일실시예로, 상기 가열수단(210)은 히팅 플레이트(200)의 표면으로부터 15mm 이상의 간격을 두고 배치됨이 바람직하다.
또한, 열확산을 더욱 촉진하기 위한 구성으로, 가열수단(210)과 히팅 플레이트(200)의 표면 사이에는, 가열수단(210)에 의해 발생된 열이 히팅 플레이트(200)의 표면에 균등하게 전달되도록 하기 위한 열확산수단(230)이 구비될 수 있다.
일실시예로, 상기 열확산수단(230)은 가열수단(210)과 히팅 플레이트(200)의 표면 사이에 구비되는 열확산판(230) 또는 공기층(미도시됨)으로 구성될 수 있다.
다른 실시예로, 상기 가열수단(210)은 열선으로 이루어지고, 열확산수단은 열선의 외측면을 둘러싸며 구비된 열확산부재(미도시됨)로 구성될 수도 있다.
도 3에서 미설명부호 240은 가열수단(210)에서 발생된 열이 하방향으로 전달되는 것을 차단하기 위한 단열 커버(240)를 나타낸 것이다.
한편, 도 1과 도 2를 참조하면, 상기 챔버(100)의 상부에는 건조 공정의 전후에 챔버(100) 내부를 세정하기 위한 퍼지가스를 공급하기 위한 퍼지가스 공급라인(600)이 연결된다. 상기 퍼지가스는 불활성 가스인 질소가 사용될 수 있다.
그리고, 상기 퍼지가스 공급라인(600)에는 퍼지가스를 챔버(100) 내부의 건조공정 온도와 대응되는 온도로 가열하기 위한 라인 히터(610)가 구비될 수 있다.
이와 같이 퍼지가스 공급라인(600)에 라인 히터(610)를 구비함에 따라 퍼지가스 공급라인(600)을 통해 챔버(100)의 내부로 공급되는 퍼지가스의 온도를 공정 온도와 대응되도록 가열함으로써, 챔버(100) 내부의 공정온도가 설정된 온도로 유지하도록 관리할 수 있어 기판 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
또한 상기 챔버(100)에는 상기 퍼지가스 공급라인(600)에 연결된 노즐(620)에서 배출되는 퍼지가스가 챔버(100)의 상부를 향하여 분사되도록 유도하기 위한 가이드부재(630)가 구비될 수 있다.
이와 같이 퍼지가스 공급라인(600)을 챔버(100)의 상부에 연결하고, 퍼지가스가 챔버(100)의 상부를 향하여 분사되도록 유도하는 가이드부재(630)를 구비함으로써, 퍼지가스가 기판(S)의 표면을 향하여 분사되는 것을 차단시켜 기판(S)의 표면에서 기류의 급격한 변동을 방지함으로써 얼룩의 발생 요인을 제거할 수 있다.
한편, 상기 상부 챔버(100a)에는 기판(S)의 가열 건조를 위해 열원을 제공하는 상부 히터(140)가 추가로 구비될 수 있다. 이와 같이 하부 챔버(100b)에 장착되는 히팅 플레이트(200)에 가열수단(210)을 구비함과 아울러 상부 챔버(100a)에는 상부 히터(140)를 구비함으로써, 기판(S)의 양면이 동시에 가열될 수 있어 기판 건조 효율을 향상시킬 수 있고, 기판(S)의 상면과 하면의 가열시 온도 편차를 줄여 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
이하, 도 5와 도 6을 참조하여, 리프트핀(300)의 배치구조를 설명한다. 상기 리프트핀(300)의 배치구조는 리프트핀홀(201)의 배치구조와 대응된다.
먼저, 도 5를 참조하면, 히팅 플레이트(200)에는, 기판(S)의 전체 영역 중 약액이 코팅되는 영역이 안착되는 코팅영역(200A)과, 약액이 코팅되지 않는 영역이 안착되는 비코팅영역(200B)으로 구분된다. 도 5에서 코팅영역(200A)은 굵은 실선으포 표시된 내부 영역이고, 비코팅영역(200B)은 굵은 파선으로 표시된 내부 영역이다. 상기 비코팅영역(200B)은 기판 처리 공정이 완료된 후에는 제거되는 영역으로서 리프트핀(201)과의 접촉에 의해 얼룩이 발생하더라도 공정 불량을 초래하지 않는 영역이다.
이와 같이 리프트핀(300)을 비코팅영역(200B)에 소정 간격을 두고 배치하는 구성에 의하면, 리프트핀(300)은 기판(S)의 비코팅영역(200B)에만 접촉하며 승강 이동하게 되므로, 기판(S)의 코팅영역(200A)에 얼룩의 발생을 방지할 수 있다.
다른 실시예로, 도 6을 참조하면, 상기 비코팅영역(200B)에 대응되는 히팅 플레이트(200)의 영역에는 소정 간격을 두고 복수의 제1리프트핀홀(201a)이 형성되어 상기 제1리프트핀홀(201a)에 제1리프트핀(미도시됨)이 배치된다.
그리고, 상기 코팅영역(200A)에 대응되는 히팅 플레이트(200)의 영역에는 추가적으로 제2리프트핀홀(201b)이 형성되어 상기 제2리프트핀홀(201b)에 제2리프트핀(미도시됨)이 배치된다.
이와 같이 비코팅영역(200B)에 배치되는 제1리프트핀에 더하여 코팅영역(200A)에 제2리프트핀을 배치할 경우, 기판(S)의 승강 이동중 제1리프트핀에 의해서만 지지되는 경우에 발생할 수 있는 기판(S)의 휨 현상을 방지할 수 있다.
따라서, 도 6에 도시된 바와 같이 코팅영역(200A)에 제2리프트핀을 필요 최소한의 개수로 배치하여 사용할 경우에는 기판 얼룩의 발생을 최소화하면서 기판의 휨 현상을 방지할 수 있으며, 상기 제2리프트핀의 사용 또는 미사용은 기판의 크기와 공정 조건을 고려하여 선택할 수 있다.
상기 제2리프트핀을 사용하지 않는 경우에는, 도 7에 도시된 바와 같이 제2리프트핀홀(201b)에 플러그 캡(700)을 장착하여 밀폐시킨다.
이를 위한 구성으로, 상기 제2리프트핀홀(201b)의 단부에는 플러그 캡 삽입홈(201c)이 형성되고, 상기 플러그 캡 삽입홈(201c)의 내주면에는 암나사부(201d)가 형성되고, 상기 플러그 캡(700)에는 렌치 등의 공구를 삽입하기 위한 홈(710)과, 상기 나사부(201d)에 나사결합되는 수나사부(720)가 형성될 수 있다.
상기 플러그 캡(700)의 장착시, 플러그 캡(700)과 기판(S) 간의 간섭을 방지하기 위한 구성으로, 상기 제2리프트핀홀(201b)에 장착된 플러그 캡(700)의 상단은 히팅 플레이트(200)의 상면을 기준으로 제2리프트핀홀(201b)의 내측 하방향으로 소정 간격(g) 함몰되어 위치됨이 바람직하다.
상기와 같이 본 발명에 의하면, 히팅 플레이트(200)의 표면에 정전기방지 코팅층을 형성함과 아울러 표면 거칠기를 부여하여 기판과의 접촉면적 및 표면장력을 감소시킴으로써, 기판(S)이 히팅 플레이트(200)의 표면에 접촉된 상태에서 가열 건조를 수행하더라도 얼룩의 발생을 원천적으로 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
1 : 기판 가열 건조 장치 100 : 챔버
100a : 상부 챔버 100b : 하부 챔버
101 : 관통구 102 : 진공홀
110 : 게이트 120 : 셔터
130 : 셔터 승강부 140 : 상부 히터
200 : 히팅 플레이트 200a : 거칠기 부여면
201 : 리프트핀홀 201a : 제1리프트핀홀
201b : 제2리프트핀홀 201c : 플러그 캡 삽입홈
210 : 가열수단 220 : 정전기방지 코팅층
230 : 열확산수단 240 : 커버
300 : 리프트핀 310 : 리프트핀 구동부
400 : 진공배관 500 : 이송로봇
510 : 몸체 520 : 로봇암
600 : 퍼지가스 공급라인 610 : 라인 히터
620 : 노즐 630 : 가이드부재
700 : 플러그 캡 S : 기판

Claims (17)

  1. 진공 분위기에서 약액이 코팅된 기판의 건조가 이루어지는 챔버;
    상기 챔버 내에 구비되고 내부에는 상기 기판의 건조를 위한 열원을 제공하는 가열수단이 구비된 히팅 플레이트;를 포함하되,
    상기 기판의 건조는 상기 기판이 상기 히팅 플레이트에 접촉된 상태에서 수행되고,
    상기 히팅 플레이트의 표면에는 상기 기판과의 접촉시 정전기의 발생을 방지하기 위한 정전기방지 코팅층이 형성되고,
    상기 기판은 이송로봇에 의해 상기 챔버에 로딩 및 언로딩되고,
    상기 히팅 플레이트를 관통하여 상기 기판을 지지하며 승강되도록 구비되어 상기 이송로봇과 사이에 상기 기판을 인수 또는 인계하는 복수의 리프트핀을 구비하되,
    상기 복수의 리프트핀은, 상기 기판의 영역 중 약액이 코팅되지 않는 영역에 접촉되는 제1리프트핀과, 상기 기판의 영역 중 약액이 코팅되는 영역에 접촉되는 제2리프트핀을 포함하는 기판 가열 건조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정전기방지 코팅층은 불소 코팅층인 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 히팅 플레이트의 표면에는, 상기 기판과의 접촉시 표면장력을 감소시키기 위한 거칠기 부여면이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 거칠기 부여면은 표면거칠기가 4㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 가열수단과 상기 기판이 접촉되는 히팅 플레이트 표면 사이는, 상기 히팅 플레이트 표면의 국부적인 온도 집중을 방지하기 위해 설정된 간격으로 이격된 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 가열수단과 상기 기판이 접촉되는 히팅 플레이트 표면 사이의 간격은, 15mm 이상 이격된 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가열수단과 상기 기판이 접촉되는 히팅 플레이트 표면 사이에는, 상기 가열수단에서 발생된 열이 상기 히팅 플레이트 표면에 균등하게 전달되도록 하기 위한 열확산수단이 구비된 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 열확산수단은 상기 가열수단과 상기 기판이 접촉되는 히팅 플레이트 표면 사이에 구비되는 열확산판 또는 공기층인 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 가열수단은 열선으로 이루어지고,
    상기 열확산수단은 상기 열선의 외측면을 둘러싸며 구비된 열확산부재인 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제1항에 있어서,
    상기 히팅 플레이트에는, 상기 제1리프트핀이 관통하는 제1리프트핀홀과, 상기 제2리프트핀이 관통하는 제2리프트핀홀이 형성되고,
    상기 제2리프트핀홀에는 상기 제2리프트핀의 미사용시 상기 제2리프트핀홀을 막는 플러그 캡이 장착되는 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2리프트핀홀에 장착된 플러그 캡의 끝단은 상기 히팅 플레이트의 표면을 기준으로 상기 제2리프트핀홀의 내측으로 소정 간격으로 함몰되어 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는 상기 챔버의 내부에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스 공급라인이 연결된 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 퍼지가스 공급라인에는 상기 퍼지가스를 상기 챔버 내부의 건조공정 온도와 대응되는 온도로 가열하기 위한 라인 히터가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 챔버에는 상기 퍼지가스 공급라인에서 배출되는 퍼지가스가 상기 챔버의 상부를 향하여 분사되도록 유도하는 가이드부재가 구비된 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 상부에는 기판의 가열 건조를 위해 열원을 제공하는 상부 히터가 추가로 구비된 것을 특징으로 하는 기판 가열 건조 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107958861A (zh) * 2017-12-07 2018-04-24 德淮半导体有限公司 用于制造半导体装置的设备
KR20200021818A (ko) * 2018-08-21 2020-03-02 세메스 주식회사 가열 플레이트, 이를 구비하는 기판 열처리 장치 및 가열 플레이트의 제조 방법
KR102260324B1 (ko) * 2019-06-17 2021-06-03 세메스 주식회사 진공 건조 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077318A (ja) * 1998-08-26 2000-03-14 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2011099956A (ja) * 2009-11-05 2011-05-19 Toppan Printing Co Ltd レジストのベーク方法及びベーク装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010028027A (ko) * 1999-09-17 2001-04-06 윤종용 반도체 제조용 서셉터 구조
KR20050070772A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 베이킹 장치
KR100875347B1 (ko) * 2005-09-08 2008-12-22 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 감압 건조 장치 및 기판 건조 방법
KR20130104738A (ko) * 2012-03-15 2013-09-25 코리아세미텍 주식회사 정전척 및 그 제조방법
KR102157573B1 (ko) * 2014-12-01 2020-09-18 주식회사 제우스 기판 열처리용 히터 및 이를 이용한 기판 열처리 장치
JP2017189573A (ja) * 2016-04-12 2017-10-19 株式会社三洋物産 遊技機

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000077318A (ja) * 1998-08-26 2000-03-14 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置
JP2011099956A (ja) * 2009-11-05 2011-05-19 Toppan Printing Co Ltd レジストのベーク方法及びベーク装置

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