CN107958861A - 用于制造半导体装置的设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种用于制造半导体装置的设备。提供有一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包括：加热台，用于支撑并加热晶片；多个升降杆，用于使所述晶片相对于所述加热台上下运动，所述多个升降杆中的每个升降杆都设置为穿过所述加热台并且具有加热元件；以及致动装置，设置为与所述多个升降杆耦接，以使得所述多个升降杆能够相对于所述加热台上下运动。

Description

用于制造半导体装置的设备

技术领域

本发明总体而言涉及半导体领域，具体而言，涉及用于制造半导体装置的设备。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，很多工艺步骤都需要在一定的温度条件下进行。因此，用于制造半导体装置的设备通常具备对晶片进行加热的功能。但如果晶片加热的不均匀，即在晶片的不同部位之间存在温度差异，就会导致晶片发生变色，影响加工效果和成品质量。因此，有必要对用于制造半导体装置的设备采取一定改进，以避免对晶片加热不均匀导致的质量问题。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新颖的用于制造半导体装置的设备。

根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造半导体装置的设备，所述设备包括：加热台，用于支撑并加热晶片；多个升降杆(lift pin)，用于使所述晶片相对于所述加热台上下运动，所述多个升降杆中的每个升降杆都设置为穿过所述加热台并且具有加热元件；以及致动装置，设置为与所述多个升降杆耦接，以使得所述多个升降杆能够相对于所述加热台上下运动。

在一个实施例中，所述设备还包括：真空腔，所述加热台和所述多个升降杆设置在所述真空腔内。

在一个实施例中，所述设备还包括：第一温度控制系统，配置为控制所述多个升降杆中的所述加热元件以使得所述多个升降杆保持在第一预定温度。

在一个实施例中，所述第一温度控制系统包括：第一温度传感器，设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度。

在一个实施例中，所述设备还包括：第二温度控制系统，配置为使得所述加热台保持在第二预定温度。

在一个实施例中，所述第二温度控制系统包括：第二温度传感器，设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度。

在一个实施例中，所述设备还包括：温度控制系统，所述温度控制系统包括：第一温度传感器，设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度；第二温度传感器，设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度；以及温度控制器，配置为基于所述第一温度传感器感测到的温度和所述第二温度传感器感测到的温度来控制所述多个升降杆中的所述加热元件，以使得所述多个升降杆与所述加热台保持在相同的温度。

在一个实施例中，所述致动装置包括：升降圈，与所述多个升降杆耦接以使得所述多个升降杆同步地运动。

在一个实施例中，所述致动装置还包括：驱动单元，设置在所述真空腔外部；气密伸缩单元，所述气密伸缩单元的上端密封连接在所述真空腔的底部，下端与所述驱动单元耦接；以及连接杆，所述连接杆的上端连接在所述升降圈的底部，下端穿过所述气密伸缩单元与所述驱动单元耦接；其中，所述气密伸缩单元用来在所述连接杆的运动过程中保持所述真空腔的气密性。

在一个实施例中，所述气密伸缩单元为弹性元件，并且在所述连接杆的运动过程中发生拉伸或压缩的形变。

在一个实施例中，所述驱动单元包括：驱动台，与所述连接杆的下端连接，并且与所述气密伸缩单元的下端密封连接；驱动杆，所述驱动杆的上端连接在所述驱动台的底部，下端与马达连接；以及马达，用于为所述驱动杆提供动力。

在一个实施例中，所述驱动单元还包括：支撑结构，所述支撑结构的上端连接在所述真空腔的底部并且包围所述气密伸缩单元和所述驱动台，其中所述驱动杆穿过所述支撑结构的底部。

在一个实施例中，所述加热台能够上下运动。

在一个实施例中，所述加热台和所述多个升降杆能够通过各自的上下运动与机械臂相互配合，实现对晶片的搬运操作。

在一个实施例中，所述机械臂是所述设备的一部分。

在一个实施例中，所述多个升降杆中的每个升降杆都包括顶部和杆体，其中，所述顶部的尺寸大于所述杆体的尺寸。

在一个实施例中，所述多个升降杆能够沉降得低于所述加热台的上表面。

在一个实施例中，所述多个升降杆沿着所述加热台的周向均匀布置。

在一个实施例中，所述多个升降杆包括呈正三角形布置的三根升降杆。

根据本公开的另一个方面，提供了一种半导体装置加工设备，所述半导体装置加工设备包括机械臂以及如前所述的用于制造半导体装置的设备。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1A例示了根据本发明的示例性实施例的用于制造半导体装置的设备100的剖面视图。

图1B例示了在升降杆120的上端超出加热台110的上表面的状态下的设备100的剖面视图。

图1C例示了图1A所例示的用于制造半导体装置的设备100的俯视图。

图2A例示了根据本发明的示例性实施例的用于制造半导体装置的设备200的剖面视图。

图2B例示了在升降杆220的上端超出加热台210的上表面的状态下的设备200的剖面视图。

图3A例示了根据本公开的示例性实施例的设备200中的温度控制系统250的一种可能的实现方式。

图3B例示了根据本发明的示例性实施例的设备200中的温度控制系统250的另一种可能的实现方式。

图3C例示了根据本发明的示例性实施例的如图3A所示的升降杆温度控制系统250A的一种可能的布置方式。

图4例示了根据本发明的示例性实施例的半导体装置加工设备300的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式

在半导体装置的制造过程中，通常需要对半导体装置进行加热。例如，半导体装置所需的薄膜结构中有很多都可以通过化学气相淀积(CVD)工艺来实现，而化学气相淀积工艺就需要对晶片进行均匀的加热。

另一方面，在半导体装置的制造过程中，晶片需要依次经历各种不同的加工步骤，从而需要依次经过不同的制造设备。因此，用于制造半导体装置的设备还需要具备用于搬运和传送晶片的部件。结合之前的描述，现有的用于制造半导体装置的设备不仅需要对晶片进行均匀的加热，还要能够完成对晶片的平稳、准确的搬运。再次以化学气相淀积为例，用于进行化学气相淀积的设备通常包括用于对晶片进行加热的加热装置以及用于对晶片进行搬运的部件。

本申请的发明人发现，用于对晶片进行搬运的部件通常会与晶片直接接触或者与晶片非常接近。在对晶片进行加热的过程中，这样的接触或者接近会造成晶片上的相应部位与晶片的其余部位温度不同，从而导致晶片加热不均匀，甚至会导致晶片出现变色，严重影响加工的效果。

对此，本申请的发明人希望通过改进用于制造半导体装置的设备，避免可能的加热不均匀，从而实现更好的加工效果。

现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。

图1A例示了根据本发明的示例性实施例的用于制造半导体装置的设备100的剖面视图。

具体而言，如图1A所示，用于制造半导体装置的设备100包括加热台110、多个升降杆120以及致动装置130。图1中还示意性地例示了晶片102。晶片102并非设备100的部件，示出晶片102只是为了更清楚地例示设备100与晶片102的相对位置及配合关系。本领域的技术人员均理解，晶片102仅仅用作例示，设备100所能处理的对象包括但不限于晶片102。

加热台110用于支撑并加热晶片102。在一些实施例中，加热台110可以为T型加热台，其包括直接接触晶片102并对晶片102进行加热的圆盘状上部和用于支撑圆盘状上部的圆柱状下部。本领域的技术人员将会理解，在本发明中，加热台的形状不限于此，而是可以包括任何适于在制造半导体装置的过程中支撑并加热晶片的加热台形状。

设备100的多个升降杆120用于使晶片102相对于加热台110上下运动。具体而言，多个升降杆120设置为穿过加热台110并耦接到致动装置130，并且可以在致动装置130的驱动下相对于加热台110上下运动。在需要搬运晶片102时，多个升降杆120可以上升至其上端超出加热台110的上表面，以便接触并支撑晶片。在不需要搬运晶片102时，需要多个升降杆120相对于加热台110处于沉降状态，此时多个升降杆120可以下降至其上端与加热台110的上表面平齐或者略低于加热台110的上表面。图1B即例示了在升降杆120的上端超出加热台110的上表面的状态下的设备100的剖面视图。

在一些实施例中，如图1A中所示，多个升降杆120中的每个升降杆都可以包括顶部和杆体，其中，顶部的尺寸大于杆体的尺寸，以确保升降杆120不会从加热台110中的为升降杆120设置的孔中滑落下来。本领域的技术人员均理解，升降杆120的形状不限于此，而是可以包括适合于通过加热台并且支撑晶片的任何结构。

多个升降杆120中的每个升降杆中都设置有加热元件122。在一些实施例中，加热元件122可以设置为在升降杆120的长度方向上贯穿升降杆120，但不超出升降杆120的两端，如图1中所例示的。在另一些实施例中，加热元件122可以仅布置在升降杆120的接近晶片102的一端。本领域的技术人员均知道，在本发明中，升降杆120中的加热元件122的布置方式不限于此，而是可以包括至少使得升降杆120的与晶片接触的一端可以被加热的任何布置方式。

在升降杆120中设置加热元件122是为了对升降杆120的与晶片102接触的一端进行加热，以使得晶片102的与升降杆120接触的部位和与加热台110接触的部位的温度能够保持一致，从而避免在晶片102上产生温差，实现对晶片102的均匀加热。通过这种设计，能够有效避免晶片的加热不均匀，特别地，能够防止由于晶片的与升降杆相接触的部位受热不足而产生的变色现象，从而提升用于制造半导体装置的设备100的加工性能。

设备100的致动装置130设置为与多个升降杆120耦接，以使得多个升降杆120能够相对于加热台110上下运动。致动装置130可以以适合本发明的设备100的任何合适的形式实现，如在稍后的实施例中更详细的例示的。

在一些实施例中，设备100可以是用于进行化学气相淀积的设备的一部分。本领域的技术人员均理解，根据本发明的示例性实施例的设备100可以应用于需要对半导体装置进行加热的任何工艺步骤中，也可以是需要对半导体装置进行加热的任何设备的一部分。

图1C例示了图1A中的用于制造半导体装置的设备100的俯视图。虚线示出的部件表示在俯视状态下并不能直接看到、但为了清楚的例示设备100的结构而以透视的视角示出的部件。

为了在升起的状态下平稳地支撑晶片102，多个升降杆120应该沿着加热台110的周向均匀布置。优选地，如图1C所示，设备100包括三根升降杆120，其沿着加热台110的周向呈正三角形对称布置。这种正三角形的布置既保证了升降杆120能够平稳地支撑晶片102，又尽可能地减少了所需的升降杆120的数量。

图2A例示了根据本发明的示例性实施例的用于制造半导体装置的设备200的剖面视图。图中以虚线示出的部件表示该部件本不应该出现在该剖面图中，或者该部件的实际形状并不一定如图中所示出的那样。以虚线示出这些部件仅仅是为了更清楚地例示出设备200的结构。

如图2A所示，用于制造半导体装置的设备200包括用于支撑并加热晶片的加热台210，以及设置为穿过加热台210并且具有加热元件222的多个升降杆220。其中，加热台210和多个升降杆220与图1A所示的设备100的相应部件类似，因此图1A中对相应部件的描述也适用于此。

在一些实施例中，如图2A中所示，用于制造半导体装置的设备200还包括真空腔204，加热台210和多个升降杆220都设置在真空腔204内。

在一些实施例中，如图2A中所示，用于制造半导体装置的设备200还包括升降圈232，其与多个升降杆220耦接以使得多个升降杆220能够同步地运动。升降圈232可以包括环绕在加热台210的圆柱状下部周围的圆环，该圆环平行于加热台210的圆盘状上部。升降圈232使得多个升降杆220在支撑晶片202相对于加热台210上下运动的过程中，保持晶片202平行于加热台210的上表面。

在一些实施例中，如图2A中所示，用于制造半导体装置的设备200还包括连接杆234。连接杆234的上端连接在升降圈232的底部，下端与驱动单元耦接。驱动单元通过驱动连接杆234来间接地驱动升降圈232，以使得升降圈232能够相对于加热台210上下运动，进而驱动多个升降杆220相对于加热台210上下运动。驱动单元可以设置在真空腔204的外部，此时连接杆234的上部在真空腔204内，下部则伸出到真空腔204外。

在一些实施例中，如图2A中所示，用于制造半导体装置的设备200还包括气密伸缩单元236。气密伸缩单元236的上端密封连接在真空腔204的腔体底部，下端与驱动单元耦接。连接杆234穿过气密伸缩单元236。其中，密封连接要求两个部件的连接能够保持气密性，即确保气体不能透过。气密伸缩单元236用来在连接杆234的运动过程中保持真空腔204的气密性。例如，气密伸缩单元236可以是弹性元件，其上端固定在真空腔204的腔体底部，下端随着连接杆234的运动而上下运动，并且通过在连接杆234的运动过程中发生拉伸或压缩的形变来保持真空腔204的气密性。

在一些实施例中，如图2A中所示，设备200的驱动单元可以包括驱动台238、驱动杆242和马达244。驱动台238作为驱动单元的部件，既与连接杆234的下端相连接，又与气密伸缩单元236的下端密封连接。驱动杆242的上端连接在驱动台238的底部，下端则连接到马达244。马达244为驱动杆242提供动力，从而为驱动台238、连接杆234、升降圈232以及多个升降杆220的运动提供动力。

在一些实施例中，如图2A中所示，设备200的驱动单元可以包括支撑结构240。支撑结构240的上端连接在真空腔204的底部并且包围气密伸缩单元236和驱动台238。驱动杆244穿过支撑结构240的底部。支撑结构240用于支撑和紧固驱动台238和驱动杆242，使得驱动台238和驱动杆242在相对于加热台210上下运动的过程中，不会发生摇晃，这能够确保连接杆234和气密伸缩单元236的平稳运动，从而确保连接杆234和升降圈232的平稳运动。支撑结构240还可以采取其它结构，例如，在支撑结构的240的内壁上开设凹槽，该凹槽在驱动台238的运动方向上延伸。相应地，在驱动台238的外侧的对应位置上设置突起，该突起能够光滑地卡合在支撑结构240的内壁的凹槽中并沿着凹槽滑动。这样的结构能够在避免驱动台238的晃动的同时，确保驱动台238不会发生扭转，从而实现相应部件的平稳运动。

如前所述，在设备200中，多个升降杆220可以相对于加热台210上下运动。图2B即例示了在升降杆220的上端超出加热台210的上表面的状态下的设备200的剖面视图。此时，晶片202与加热台210并不接触，而是由多个升降杆220支撑。

此外，在一些实施例中，不仅多个升降杆220可以上下运动，加热台210本身也可以上下运动。多个升降杆220和加热台210能够通过各自的上下运动与机械臂260相互配合，实现对晶片202的搬运操作。机械臂260可以是设备200的一部分，也可以是独立于设备200的其它设备。

在一些实施例中，例如，当要将晶片放置于加热台210上时，加热台210下降，以保证真空腔204内有足够的空间允许机械臂260进入并将晶片202搬运进来。接着多个升降杆220上升，直到其上端超出加热台210的上表面并接触到晶片。随后机械臂260将晶片放置在多个升降杆220上(此时的状态如图2B所示)。最后，多个升降杆220下降或者加热台210上升，使得晶片202落到加热台210上。再比如，当要将加热台210上的晶片202运送出真空腔204时，多个升降杆220上升并且加热台210下降，以使得多个升降杆220支撑晶片202离开加热台，之后机械臂260再次进入，接过晶片202(此时的状态也如图2B所示)。本领域的技术人员均理解，加热台、升降杆和机械臂的配合方式不限于此，而是可以包括适合于搬运晶片的任何配合方式。

在使用现有技术的设备的情况下，上述搬运晶片的过程中有两个状态容易造成晶片加热不均匀。一个状态是，当晶片202位于加热台210上时，在晶片202的与升降杆220接近或者接触的部位和晶片202的与加热台210接触的其它部位之间可能会存在温差。另一个状态是，当升降杆220支撑晶片202离开加热台210时，晶片的与升降杆220相接触的部位与其它部位之间可能会出现温差。不过，根据本发明的设备200通过在升降杆220中设置加热元件，有效解决了这样的问题。

在一些实施例中，如图2A中所示，设备200包括连接到多个升降杆220和/或加热台210的温度控制系统250，温度控制系统250用于控制多个升降杆220和/或加热台232的温度。图3A即例示了根据本发明的示例性实施例的设备200中的温度控制系统250的一种可能的实现方式。

具体而言，如图3A中所示，温度控制系统250包括两个独立的部分：用于控制多个升降杆220的温度的升降杆温度控制系统250A，以及用于控制加热台210的温度的加热台温度控制系统250B。

升降杆温度控制系统250A包括：升降杆温度控制器252，以及设置在多个升降杆220中的每个升降杆中的加热元件222和升降杆温度传感器224。加热元件222用于对升降杆220进行加热，尤其是对升降杆220的靠近晶片的端部进行加热。升降杆温度传感器224用于感测升降杆的温度，尤其是用于感测升降杆220的靠近晶片的端部处的温度。升降杆温度控制器252连接到设置在多个升降杆220中的每个升降杆中的加热元件222和温度传感器224，并且配置为控制加热元件222以使得多个升降杆220保持在预定温度。具体而言，升降杆温度控制器252从外界接收预定温度PT1，再从温度传感器224处接收检测到的升降杆温度TS1，然后基于预定温度PT1和升降杆温度TS1来控制加热元件222，以使得升降杆220保持在预定温度。

由于存在多个升降杆220，因此升降杆温度控制器252所能接收到的升降杆温度TS1也有多个。升降杆温度控制器252可以基于各个升降杆的温度单独控制各个升降杆中的加热元件，以实现对升降杆的精准加热。

加热台温度控制系统250B包括：加热台温度控制器254，以及设置在加热台210中的加热台温度传感器214。其中，加热台温度传感器214用于感测加热台210的温度，尤其是加热台210的靠近晶片的上表面处的温度。加热台温度控制器254连接到加热台210以及设置在加热台210中的温度传感器214，并且配置为使得加热台210保持在预定温度。具体而言，加热台温度控制器254从外界接收设定的预定温度PT2，再从温度传感器214处接收检测到的加热台温度TS2，然后基于预定温度PT1和加热台温度TS1来控制加热台210，以使得加热台210保持在预定的温度。

通过将升降杆温度控制系统250A的预定温度PT1设置得与加热台温度控制系统250B的预定温度PT2设置为相同，可以使得在加热晶片的过程中，晶片的所有部位接触到的加热温度都保持一致，从而避免加热不均匀所带来的不良影响，实现良好的加热效果。

图3B例示了根据本发明的示例性实施例的设备200中的温度控制系统250的另一种可能的实现方式。具体而言，如图3B中所示，温度控制系统250包括：温度控制器256，设置在多个升降杆220中的每个升降杆中的加热元件222和升降杆温度传感器224，以及设置在加热台210中的加热台温度传感器214。其中，加热元件222用于对升降杆220进行加热，尤其是对升降杆220的靠近晶片的端部进行加热；升降杆温度传感器224用于感测升降杆的温度，尤其是升降杆220的靠近晶片的端部处的温度；以及，加热台温度传感器214用于感测加热台的温度，尤其是加热台220的靠近晶片的上表面处的温度。

温度控制器256连接到设置在多个升降杆220中的每个升降杆中的加热元件222和温度传感器224，还连接到加热台210和设置在加热台210中的温度传感器214。温度控制器256配置为，基于温度传感器224感测到的升降杆220的温度以及温度传感器214感测到的加热台210的温度来控制多个升降杆220中的加热元件222，以使得多个升降杆220与加热台210保持在相同的温度。具体而言，温度控制器256从温度传感器224接收检测到的升降杆温度TS1，再从温度传感器214接收检测到的加热台温度TS2，然后基于加热台温度TS2和升降杆温度TS1来控制升降杆中的加热元件222，以使得多个升降杆220与加热台210保持在相同的温度。

通过将多个升降杆220与加热台210保持在相同的温度，可以使得在加热过程中，晶片的所有部位接触到的加热温度都保持一致，从而避免加热不均匀所带来的不良影响，实现良好的加热效果。

图3C例示了根据本发明的示例性实施例的如图3A中所例示的升降杆温度控制系统250A的一种可能的布置方式。具体而言，如图3C中所示，多个升降杆220中的每个升降杆中都设置有加热元件222和温度传感器224。加热元件222通过电源线PC连接到升降杆温度控制器252，以接收电力。温度传感器224通过信号线SC连接到升降杆温度控制器252，以将感测到的升降杆温度传输到升降杆温度控制器252。

在一些实施例中，加热元件222可以设置为在升降杆220的长度方向上贯穿升降杆220，但不超出升降杆220的两端，如图3C中所例示的。在另一些实施例中，加热元件222可以仅布置在升降杆220的接近晶片的一端。本领域的技术人员均知道，在本发明中，升降杆220中的加热元件222的布置方式不限于此，而是可以包括任何适合的布置方式。

在一些实施例中，温度传感器224可以设置为在升降杆220的长度方向上贯穿升降杆220，但不超出升降杆220的两端，如图3C中所例示的。在另一些实施例中，温度传感器224可以仅布置在升降杆220的接近晶片202的一端。本领域的技术人员均知道，在本发明中，升降杆220中温度传感器224的布置方式不限于此，而是可以包括使得温度传感器224能够感测升降杆220的与晶片接触的一端的温度的任何布置方式。

在一些实施例中，加热元件222可以为加热丝，温度传感器224可以为温度探测丝。

在一些实施例中，升降杆温度控制器252可以设置在真空腔外，此时电源线PC和信号线SC可以穿过升降圈232连接到设置在真空腔外的升降杆温度控制器252，如图3C中所示的那样。在一些实施例中，电源线PC和信号线SC也可以依次穿过升降圈232、连接杆234、驱动台238和驱动杆242引出到真空腔外，再连接到升降杆温度控制器252。本领域的技术人员均知道，在本发明中，升降杆温度控制系统250A的布置方式不限于此，而是可以包括任何适合的布置方式。

图4例示了根据本发明的示例性实施例的半导体装置加工设备300的示意图。如图4所示，半导体装置加工设备300包括机械臂310以及如图1A所示的用于制造半导体装置的设备100或如图2A所示的用于制造半导体装置的设备200。其中，机械臂310能够与设备100或设备200相互配合，完成对晶片的操作。在一些实施例中，机械臂310可以与设备100或设备200中的多个升降杆和/或加热台相互配合，实现对晶片的搬运操作。例如，机械臂310可以与多个升降杆和/或加热台的上下运动相互配合，完成对晶片的抬起、放置等操作。

根据本公开的一个方面，提供了一种用于制造半导体装置的设备，其特征在于，所述设备包括：加热台，用于支撑并加热晶片；多个升降杆，用于使所述晶片相对于所述加热台上下运动，所述多个升降杆中的每个升降杆都设置为穿过所述加热台并且具有加热元件；以及致动装置，设置为与所述多个升降杆耦接，以使得所述多个升降杆能够相对于所述加热台上下运动。

在一个实施例中，所述设备还包括：真空腔，所述加热台和所述多个升降杆设置在所述真空腔内。

在一个实施例中，所述设备还包括：第一温度控制系统，配置为控制所述多个升降杆中的所述加热元件以使得所述多个升降杆保持在第一预定温度。

在一个实施例中，所述第一温度控制系统包括：第一温度传感器，设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度。

在一个实施例中，所述设备还包括：第二温度控制系统，配置为使得所述加热台保持在第二预定温度。

在一个实施例中，所述第二温度控制系统包括：第二温度传感器，设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度。

在一个实施例中，所述设备还包括：温度控制系统，所述温度控制系统包括：第一温度传感器，设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度；第二温度传感器，设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度；以及温度控制器，配置为基于所述第一温度传感器感测到的温度和所述第二温度传感器感测到的温度来控制所述多个升降杆中的所述加热元件，以使得所述多个升降杆与所述加热台保持在相同的温度。

在一个实施例中，所述致动装置包括：升降圈，与所述多个升降杆耦接以使得所述多个升降杆同步地运动。

在一个实施例中，所述致动装置还包括：驱动单元，设置在所述真空腔外部；气密伸缩单元，所述气密伸缩单元的上端密封连接在所述真空腔的底部，下端与所述驱动单元耦接；以及连接杆，所述连接杆的上端连接在所述升降圈的底部，下端穿过所述气密伸缩单元与所述驱动单元耦接；其中，所述气密伸缩单元用来在所述连接杆的运动过程中保持所述真空腔的气密性。

在一个实施例中，所述气密伸缩单元为弹性元件，并且在所述连接杆的运动过程中发生拉伸或压缩的形变。

在一个实施例中，所述驱动单元包括：驱动台，与所述连接杆的下端连接，并且与所述气密伸缩单元的下端密封连接；驱动杆，所述驱动杆的上端连接在所述驱动台的底部，下端与马达连接；以及马达，用于为所述驱动杆提供动力。

在一个实施例中，所述驱动单元还包括：支撑结构，所述支撑结构的上端连接在所述真空腔的底部并且包围所述气密伸缩单元和所述驱动台，其中所述驱动杆穿过所述支撑结构的底部。

在一个实施例中，所述加热台能够上下运动。

在一个实施例中，所述加热台和所述多个升降杆能够通过各自的上下运动与机械臂相互配合，实现对晶片的搬运操作。

在一个实施例中，所述机械臂是所述设备的一部分。

在一个实施例中，所述多个升降杆中的每个升降杆都包括顶部和杆体，其中，所述顶部的尺寸大于所述杆体的尺寸。

在一个实施例中，所述多个升降杆能够沉降得低于所述加热台的上表面。

在一个实施例中，所述多个升降杆沿着所述加热台的周向均匀布置。

在一个实施例中，所述多个升降杆包括呈正三角形布置的三根升降杆。

根据本公开的另一个方面，提供了一种半导体装置加工设备，其特征在于，所述半导体装置加工设备包括机械臂以及如前所述的用于制造半导体装置的设备。

在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其它取向上操作。

如在此所使用的，词语“示例性的”或“例示性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。

上述描述可以指示被“连接”、“耦合”或“耦接”在一起的元件或节点或特征。如在此所使用的，除非另外明确说明，“连接”意指一个元件/节点/特征与另一种元件/节点/特征在电学上、机械上、逻辑上或以其它方式直接地连接(或者直接通信)。类似地，除非另外明确说明，“耦合”或“耦接”意指一个元件/节点/特征可以与另一元件/节点/特征以直接的或间接的方式在机械上、电学上、逻辑上或以其它方式连结以允许相互作用，即使这两个特征可能并没有直接连接也是如此。也就是说，“耦合”或“耦接”意图包含元件或其它特征的直接连结和间接连结，包括利用一个或多个中间元件的连接。

另外，仅仅为了参考的目的，还可以在下面描述中使用某种术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。

还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。

在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。

本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其它各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。

虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (10)

1.一种用于制造半导体装置的设备，其特征在于，所述设备包括：

加热台，用于支撑并加热晶片；

多个升降杆，用于使所述晶片相对于所述加热台上下运动，所述多个升降杆中的每个升降杆都设置为穿过所述加热台并且具有加热元件；以及

致动装置，设置为与所述多个升降杆耦接，以使得所述多个升降杆能够相对于所述加热台上下运动。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：

真空腔，所述加热台和所述多个升降杆设置在所述真空腔内。

3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：

第一温度控制系统，配置为控制所述多个升降杆中的所述加热元件以使得所述多个升降杆保持在第一预定温度。

4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第一温度控制系统包括：

第一温度传感器，设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度。

5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：

第二温度控制系统，配置为使得所述加热台保持在第二预定温度。

6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，所述第二温度控制系统包括：

第二温度传感器，设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度。

7.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述设备还包括：

温度控制系统，所述温度控制系统包括：

第一温度传感器，设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度；

第二温度传感器，设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度；以及

温度控制器，配置为基于所述第一温度传感器感测到的温度和所述第二温度传感器感测到的温度来控制所述多个升降杆中的所述加热元件，以使得所述多个升降杆与所述加热台保持在相同的温度。

8.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，所述致动装置包括：

升降圈，与所述多个升降杆耦接以使得所述多个升降杆同步地运动。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述致动装置还包括：

驱动单元，设置在所述真空腔外部；

气密伸缩单元，所述气密伸缩单元的上端密封连接在所述真空腔的底部，下端与所述驱动单元耦接；以及

连接杆，所述连接杆的上端连接在所述升降圈的底部，下端穿过所述气密伸缩单元与所述驱动单元耦接；

其中，所述气密伸缩单元用来在所述连接杆的运动过程中保持所述真空腔的气密性。

10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，所述气密伸缩单元为弹性元件，并且在所述连接杆的运动过程中发生拉伸或压缩的形变。