KR102403801B1 - 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치 - Google Patents

리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102403801B1
KR102403801B1 KR1020190099557A KR20190099557A KR102403801B1 KR 102403801 B1 KR102403801 B1 KR 102403801B1 KR 1020190099557 A KR1020190099557 A KR 1020190099557A KR 20190099557 A KR20190099557 A KR 20190099557A KR 102403801 B1 KR102403801 B1 KR 102403801B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pin
lift pin
substrate
sealing member
lift
Prior art date
Application number
KR1020190099557A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210020369A (ko
Inventor
방제오
이승환
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020190099557A priority Critical patent/KR102403801B1/ko
Publication of KR20210020369A publication Critical patent/KR20210020369A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102403801B1 publication Critical patent/KR102403801B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명은 리프트핀 어셈블리.에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 리프트핀 어셈블리는 진공 챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판 지지대의 핀홀에 위치되는 리프트 핀부; 상기 진공 챔버의 외부에 설치되며, 상기 리프트 핀부와 결합되어 상기 리프트 핀들을 업 위치와 다운 위치로 승강시키는 핀 구동부; 상기 리프트 핀부가 상하로 이동 가능하도록 관통공이 형성되며, 상기 기판 지지대의 핀홀에 고정 결합되는 플랜지부; 및 상기 리프트 핀부가 상기 다운 위치로 이동된 상태에서만 상기 리프트 핀부와 밀착되도록 상기 플랜지부에 설치되는 실링 부재를 포함할 수 있다.

Description

리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치{lift pin assembly and vacuum treatment appartus with the assembly}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 진공(음압) 상태에서 기판을 처리하는 진공 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 사진, 식각, 증착, 이온주입, 그리고 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진공정은 패턴을 형성하기 위한 공정으로 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다.
사진공정은 크게 도포공정, 노광공정 그리고 현상공정으로 이루어지며, 노광공정이 진행되기 전후 단계에는 베이크 공정을 수행한다. 베이크 공정은 기판을 열처리하는 과정으로, 가열플레이트에 기판이 놓이며 가열 플레이트의 내부에 제공된 히터를 통해 기판을 열처리한다.
도 1은 일반적인 베이크 유닛을 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 베이크 유닛은 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 상부 챔버와 하부 챔버, 하부 챔버 내부에 설치되어 공정시 기판을 가열하는 가열플레이트, 그리고 내부공간을 진공상태로 만들기 위한 배기라인 등을 포함한다.
상술한 베이크 유닛에는 기판의 로딩 및 언로딩을 위한 리프트 핀들이 제공되며, 가열 플레이트의 리프트 핀홀에는 리프트 핀들의 승하강시 내부공간의 기밀을 유지하기 위한 오링(실링부재)이 설치된다.
그러나, 오링은 리프트 핀들의 잦은 업/다운 동작으로 리프트 핀과의 마찰로 인한 갈림현상으로 쉽게 손상되면서 완벽한 기밀 유지가 어렵게 되고, 챔버 내부와 챔버 외부의 압력 차이로 외부 파티클이 리프트 핀홀 사이를 통해 챔버 내부로 유입되는 문제점이 있다.
본 발명은 공정이 진행되는 동안에만 기밀 유지가 가능한 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명은 음압 환경에서 공정을 처리하는 챔버에 적합한 리프트 핀 어셈블리를 제공하고자 한다.
본 발명은 챔버의 외부 압력과 내부 압력 차이를 이용하여 실링할 수 있는 리프트 핀 어셈블리를 제공하고자 한다.
본 발명은 실링 부재와 리트프 핀의 마찰을 최소화할 수 있는 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치를 제공하고자 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 진공 챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판 지지대의 핀홀에 위치되는 리프트 핀부; 상기 진공 챔버의 외부에 설치되며, 상기 리프트 핀부와 결합되어 상기 리프트 핀들을 업 위치와 다운 위치로 승강시키는 핀 구동부; 상기 리프트 핀부가 상하로 이동 가능하도록 관통공이 형성되며, 상기 기판 지지대의 핀홀에 고정 결합되는 플랜지부; 및 상기 리프트 핀부가 상기 다운 위치로 이동된 상태에서만 상기 리프트 핀부와 밀착되도록 상기 플랜지부에 설치되는 실링 부재를 포함하는 리프트 핀 어셈블리가 제공될 수 있다.
또한, 상기 리프트 핀부는 기판과 접촉하는 핀 팁; 상기 핀 팁이 고정되는 핀 바디; 상기 관통공 보다 큰 직경을 갖도록 상기 핀 바디의 측면으로부터 돌출 형성되고, 상기 다운 위치로 상기 핀 바디가 이동되면 상기 실링 부재와 접촉되는 기밀 플랜지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기밀 플랜지는 상기 핀 바디가 상기 다운 위치로 이동되었을 때 상기 실링 부재와 접하는 평평한 밀착면을 가질 수 있다.
또한, 상기 실링 부재는 상기 핀 바디가 상기 다운 위치로 이동되었을 때, 상기 진공 챔버의 내부 압력과 상기 진공 챔버의 외부 압력차에 의해 상기 기밀 플랜지의 상기 밀착면에 밀착될 수 있다.
또한, 상기 실링 부재는 중앙에 상기 핀 바디가 통과하는 홀을 갖는 원판 형상으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 플랜지부는 상기 실링 부재 하부에 상기 진공 챔버의 외부 압력이 상기 실링 부재에 제공되도록 빈 버퍼공간이 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판에 대한 공정 처리가 진행되는 진공 처리공간을 제공하는 상부바디와 하부 바디를 갖는 진공 하우징; 상기 진공 처리 공간에 제공되고, 기판이 놓여지는 상면과 핀홀들을 갖는 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대로/로부터 기판을 로딩/언로딩시키기 위한 리프트 핀 어셈블리를 포함하되; 상기 리프트 핀 어셈블리는 상기 기판 지지대의 핀홀에 위치되는 리프트 핀부; 상기 진공 하우징의 외부에 설치되며, 상기 리프트 핀부와 결합되어 상기 리프트 핀들을 업 위치와 다운 위치로 승강시키는 핀 구동부; 상기 리프트 핀부가 상하로 이동 가능하도록 관통공이 형성되며, 상기 기판 지지대의 저면에 고정 결합되는 플랜지부; 및 상기 리프트 핀부가 상기 다운 위치로 이동된 상태에서만 상기 리프트 핀부와 밀착되어 상기 관통공을 밀폐하도록 상기 플랜지부에 설치되는 실링 부재를 포함하는 진공 처리 장치가 제공될 수 있다.
또한, 상기 핀홀은 음압에 노출되고 상기 관통공은 대기압에 노출되며, 상기 실링 부재는 상기 핀 바디가 상기 다운 위치로 이동되었을 때, 상기 핀홀의 음압과 상기 관통공의 대기압 간의 압력차에 의해 상기 리프트 핀부에 밀착 가압될 수 있다.
또한, 상기 리프트 핀부는 핀 바디; 및 상기 관통공 보다 큰 직경을 갖도록 상기 핀 바디의 측면으로부터 돌출 형성되고, 상기 다운 위치로 상기 핀 바디가 이동되면 상기 실링 부재와 접촉되는 기밀 플랜지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 기밀 플랜지는 상기 핀 바디가 상기 다운 위치로 이동되었을 때 상기 실링 부재와 접하는 평평한 밀착면을 가질 수 있다.
또한, 상기 실링 부재는 중앙에 상기 핀 바디가 통과하는 홀을 갖는 원판 형상으로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 플랜지부는 상기 실링 부재 저면이 상기 관통공을 통해 전해지는 대기압에 노출되도록 빈 버퍼공간이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 오링과 리프트 핀 사이의 마찰로 인한 갈림 현상을 최소화하여 유지보수 비용을 절감시킬 수 있고 기밀 유지성을 향상시킬 수 있는 각별한 효과를 갖는다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 외부 압력과 내부 압력 차이를 이용하여 실링할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 일반적인 베이크 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 설비에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 1의 기판 처리 설비에 제공된 베이크 유닛의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 베이크 유닛의 단면도이다.
도 6은 도 4의 가열 처리 공정을 수행하는 가열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 7은 리프트 핀부 및 핀 구동부를 보여주는 사시도이다.
도 8은 도 6에 표시된 A 부분의 확대도이다.
도 9는 업 위치로 이동된 리프트 핀부를 보여주는 도면이다.
도 10은 다운 위치로 이동된 리프트 핀부를 보여주는 도면이다.
도 11은 도 10에 표시된 B 부분의 확대도이다.
도 12는 가열 플레이트의 열변형에 의한 핀홀과 리프트 핀부의 위치 틀어짐 상태를 보여주는 도면이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1000)는 인덱스모듈(100)과 공정처리모듈(200)을 포함할 수 있다.
인덱스모듈(100)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 포함할 수 있다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다.
캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다.
캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정처리모듈(020)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 제1공정챔버(260), 그리고 제2공정챔버(280)를 포함할 수 있다.
이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측에는 제1공정챔버들(260)이 배치되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2공정챔버들(280)이 배치된다. 제1공정챔버들(260)과 제2공정챔버들(280)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 제1공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정챔버들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정챔버들(280)도 제1공정챔버들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)은 모두 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)은 각각 이송챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될수 있다. 선택적으로, 이송챔버(240)의 일측에 제1공정챔버들(260)이 적층되고, 타측에 제2공정챔버들(280)이 적층되도록 위치될 수 있다. 또한, 제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)는 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다.
버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(200)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송챔버(240)는 버퍼유닛(220), 제1공정챔버(260), 그리고 제2공정챔버(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다.
제1공정챔버(260)와 제2공정챔버(280)는 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 기판(W)은 제1공정챔버(260)에서 액막 형성 공정이 수행되고,제2공정챔버(260)에서 베이크 공정이 수행될 수 있다.
공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다.
도 3은 도 2의 기판 처리 설비(1000)에 제공된 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 제1공정챔버(260)는 처리 용기(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 그리고 분사부재(380)를 가진다.
처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
스핀헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 예컨대, 처리액은 기판 상에 액막을 형성하는 케미칼일 수 있다.
제2공정 챔버(280)은 기판(W)을 열 처리하는 베이크 유닛(400)으로 제공된다. 베이크 유닛(400)은 처리 액막을 기판(W) 상에 도포한 후에 처리 액막을 열처리한다. 베이크 유닛(400)은 상압 또는 이보다 낮은 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다.
도 4는 도 1의 기판 처리 설비(1000)에 제공된 베이크 유닛(420)의 일 예를 보여주는 평면도이고, 도 5는 베이크 유닛의 단면도이고, 도 6은 도 4의 가열 처리 공정을 수행하는 가열 처리 유닛을 보여주는 단면도이다.
베이크 유닛(420)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 베이크 유닛(420)은 공정 챔버(423), 냉각 플레이트(422), 그리고 가열 처리 유닛(800)을 포함할 수 있다.
공정 챔버(423)는 내부에 열처리 공간(421)을 제공한다. 공정 챔버(423)는 직육면체 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 공정 챔버(423)의 일측에는 기판 반입 및 반출을 위한 슬롯(424)이 제공되며, 슬롯(424)은 셔터(425)에 의해 개폐되고, 셔터(425)는 셔터 구동부(426)에 의해 구동된다.
냉각 플레이트(422)는 가열 처리 유닛(800)에 의해 가열 처리된 기판을 냉각 처리할 수 있다. 냉각 플레이트(422)는 열 처리 공간(421)에 위치될 수 있다. 냉각 플레이트(422)는 원형의 판 형상으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(422)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(422)는 가열된 기판을 상온으로 냉각시킬 수 있다.
가열 처리 유닛(800)은 기판을 가열 처리한다. 가열 처리 유닛(800)은 하우징(860), 가열 플레이트(810), 가열 부재(830), 리프트 핀 어셈블리(900) 그리고 배기부재(870)를 포함할 수 있다.
일 예로, 가열 처리 유닛(800)에는 기판 표면을 소수성으로 바꿔주기 위한 처리유체를 처리 공간으로 공급하는 공급부(809)를 포함할 수 있다. 일 예로, 가열 처리 유닛(800)에서는 기판 상에 포토레지스트의 접착성을 높이기 위해 접착 강화제로 헥사메틸다이사이레인(hexamethyldisilane, 이하 HDMS라 명명함)을 형성하는 HDMS 공정이 진행될 수 있다. HDMS 공정은 처리 공간이 감압된 상태에서 수행되며, 이를 위해 처리 공간의 기밀을 유지하는 것은 공정 품질 향상에 중요한 요소로 작용하게 된다.
하우징(860)은 기판(W)의 가열 처리 공정이 진행되는 처리 공간(802)을 제공한다. 하우징(860)은 하부 바디(862), 상부 바디(864), 구동기(868)를 포함한다.
하부 바디(862)는 상측이 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 바디(862)에는 가열 플레이트(810)와 가열부재(830)가 위치된다. 하부 바디(862)는 가열 플레이트(810)의 주변에 위치한 장치들이 열 변형되는 것을 방지하기 위해 단열 커버들을 포함할 수 있다.
상부 바디(864)는 하부가 개방된 통 형상을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)와 조합되어 내부에 처리공간(802)을 형성한다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)보다 큰 직경을 가진다. 상부 바디(864)는 하부 바디(862)의 상부에 위치된다.
상부 바디(864)는 승강부재(868)에 의해 상하 방향으로 이동 가능하다. 상부 바디(864)는 상하 방향으로 이동되어 승강(UP) 위치 및 하강(Down) 위치로 이동 가능하다. 여기서 승강 위치되는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)와 이격되는 위치이고, 하강 위치는 상부 바디(864)가 하부 바디(862)에 접촉되게 제공되는 위치이다. 승강부재(868)는 제어부(con)에 의해 제어된다.
가열 플레이트(810)는 처리 공간(802)에 위치된다. 가열 플레이트(810)는 냉각 플레이트(422)의 일측에 위치된다. 가열 플레이트(810)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 가열 플레이트(810)의 상면은 기판(W)이 놓이는 지지 영역으로 제공된다.
가열 부재(830)는 가열 플레이트(810)에 놓인 기판(W)을 기설정 온도로 가열한다. 가열 부재(830)는 복수 개의 발열체를 포함할 수 있. 가열 부재(830)는 가열 플레이트(810)의 내부에 위치될 수 있다. 각각의 발열체는 가열 플레이트(810)의 서로 상이한 영역을 가열할 수 있다. 가열 플레이트(810)의 서로 상이한 영역은 각 발열체에 의해 가열되는 히팅존으로 제공된다. 각 히텅존은 발열체들과 일대일 대응되도록 제공된다. 예컨대, 가열 부재(830)는 열전 소자 또는 열선 또는 면상 발열체일 수 있다.
배기 부재(870)는 가이드 부재(872)와 배기관(874)을 포함할 수 있다. 처리 공간(802)은 공정 진행시 배기 부재에 의해 감압(음압) 상태를 유지하게 된다.
가이드 부재(872)는 가열 플레이트(810)와 대향되게 배치되며 상부 바디(864)의 상면 내벽 및 측면 내벽과 이격되게 위치된다. 따라서, 하우징(860)의 처리 공간(802)에는 가이드 부재(872) 위쪽의 상부공간(804)과 가이드 부재(872) 아래쪽의 하부 공간(806)이 형성될 수 있다. 하부 공간(806)은 기판 상부로 유입되는 기체 및 기판으로부터 발생되는 흄이 배기되는 배기영역일 수 있다.
가이드 부재(872)는 중앙에 배기공(873)이 형성된 원형의 플레이트로 제공될 수 있으며, 배기관(874)은 상부바디(864)를 관통하여 배기공(873)과 연결된다. 또한, 가이드 부재(872)의 크기는 기판보다 크게 형성될 수 있다. 가이드 부재는 중앙에서 가장자리로 갈수록 하향경사지게 형성될 수 있다.
참고로, 처리 공간(802)은 배기 부재(870)에 의해 감압될 수 있다.
도 6을 참조하면, 가열 플레이트(810)에는 복수 개의 핀 홀들(812)이 형성된다.
예컨대, 핀 홀(812)들은 3개로 제공될 수 있다. 각각의 핀 홀(812)은 가열 플레이트(810)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀 홀(812)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치될 수 있다.
리프트 핀 어셈블리(900)는 리프트 핀부(910), 핀 구동부(920), 플랜지부(930) 그리고 실링 부재(940)를 포함할 수 있다.
도 7은 리프트 핀부 및 핀 구동부를 보여주는 사시도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 리프트 핀부(910)는 기판이 안착되는 기판 지지대에 해당되는 가열 플레이트(810)의 핀홀(812)에 위치된다. 리프트 핀부(910)는 상단부에 기판과 접촉하는 핀 팁(914)을 갖는 핀 바디(912)와, 핀 바디(912)에 제공되는 기밀 플랜지(916)를 포함할 수 있다. 도시하지 않았지만, 핀 팁(914)은 핀 바디(912)로부터 교체 가능하도록 제공될 수 있다.
기밀 플랜지(916)는 플랜지부(930)의 관통공(931) 보다 큰 직경을 갖도록 핀 바디(912)의 측면으로부터 돌출 형성될 수 있다. 기밀 플랜지(916)는 핀 바디(912)가 다운 위치로 이동되었을 때 실링 부재(940)와 접하는 평평한 밀착면을 갖는다. 기밀 플랜지(916)는 리프트 핀부(910)가 다운 위치로 이동된 상태에서만 플랜지부(930)에 설치된 실링 부재(940)와 접촉된 상태가 되면서 처리 공간(802)의 기밀이 유지될 수 있다.
핀 구동부(920)는 진공 챔버에 해당되는 하우징(860)의 외부에 설치된다. 핀 구동부(920)는 리프트 핀부(910)와 결합된다. 핀 구동부(920)는 리프트 핀부(910)를 업 위치(도 6 참조)와 다운 위치(도 9 참조)로 승강시킨다.
도 8은 도 6에 표시된 A부분의 확대도이다.
도 6 및 도 8을 참조하면, 플랜지부(930)는 가열 플레이트(810) 저면의 핀홀(812) 부분에 고정 결합된다. 플랜지부(930)는 리프트 핀부(910)가 상하로 이동 가능하도록 관통공(932)이 형성된다. 관통공(932)은 핀홀(812)과 일직선상에 위치된다. 플랜지부(930)는 관통공(932)과 실링부재(940) 사이에 버퍼 공간(934)을 갖는다. 플랜지부(930)의 버퍼 공간(934)은 실링 부재(940)의 저면이 관통공(932)을 통해 전해지는 대기압에 많이 노출되도록 제공된다.
실링 부재(940)는 플랜지부(930)의 관통공(932) 상부에 설치된다. 실링 부재(940)는 중앙에 핀 바디(912)가 통과하는 홀을 갖는 원판 형상으로 이루어진다. 실링 부재(940)는 리프트 핀부(910)가 다운 위치로 이동된 상태에서만 리프트 핀부(910)의 기밀 플랜지(916)와 밀착될 수 있다. 실링 부재(940)는 리프트 핀부(910)가 이동할때 비접촉 상태이며, 리프트 핀부(910)가 다운 위치에 위치되었을 때에만 접촉 상태가 된다. 실링 부재(940)는 리프트 핀부(910)가 다운 위치로 이동되었을 때, 하우징(860)의 내부(공정 진행시 음압 상태)과 하우징(860)의 외부(대기압 상태)의 압력차에 의해 기밀 플랜지(916)의 밀착면에 밀착된다. 실링 부재(940)는 평평한 상면을 갖으며, 이 상면은 기밀 플랜지의 저면(밀착면)과 접촉할 수 있다.
도 9는 업 위치로 이동된 리프트 핀부를 보여주는 도면이고, 도 10은 다운 위치로 이동된 리프트 핀부를 보여주는 도면이며, 도 11은 도 10에 표시된 B 부분의 확대도이다.
도 9 내지 도 11에서와 같이, 리프트 핀부(910)가 업 위치로 이동된 상태(기판 로딩 및 언로딩 공정 진행)에서는 기밀 플랜지(916)가 실링 부재(940)와 떨어져 있는 상태임으로 처리 공간(802)의 기밀이 해제된다. 리프트 핀부(910)가 업 위치로 이동된 상태는 기판이 로딩 및 언로딩되는 과정으로 하우징(860)이 개방된 상태이기 때문에 리프트 핀부(910)의 기밀이 해제되어도 된다.
리프트 핀부(910)가 다운 위치로 이동된 상태(기판 처리를 위한 공정 진행)에서는 기밀 플랜지(916)가 실링 부재(940)에 접촉된 상태임으로 처리 공간(802)의 기밀이 유지된다.
가열 처리 유닛(800)에서 리프트 핀부(910)가 다운 이동되면, 기판이 가열 플레이트(810)에 안착되고, 상부 바디(864)는 승강부재(868)에 의해 다운되어 하우징의 처리 공간(802)이 밀폐된다. 그리고 처리 공간(802)은 배기 부재(870)에 의해 감압된다. 즉, 관통공(932) 내부는 대기압 상태이고 핀홀(812)은 감압(음압)된 상태이기 때문에, 관통공(932) 내부 공기가 핀홀(812) 공간으로 이동하려는 힘(도 11에 화살표로 표시)이 작용하고, 그 힘이 실링 부재(940)에 가압력으로 작용하게 되면서 실링 부재(940)가 기밀 플랜지(916)의 밀착면(저면)에 견고하게 밀착되는 것이다.
또한, 본 발명에서는 리프트 핀부(910)가 업다운 하는 과정에서 실링부재(940)와 직접적인 접촉이 없기 때문에 실링 부재(940)의 마찰마모가 현저하게 감소하게 됨으로써 오링의 사용 수명이 연장되는 각별한 효과를 갖는다.
도 12는 가열 플레이트의 열변형에 의한 핀홀과 리프트 핀부의 위치 틀어짐 상태를 보여주는 도면이다.
도 12에서와 같이, 가열 플레이트(810)의 열변형으로 인해 핀홀(812)과 리프트 핀부(842)의 위치가 틀어지거나, 또는 리프트 핀부가 한쪽으로 기울어질 수 있다.
그럼에도 불구하고, 본 발명에서는 리프트 핀부가 다운 위치로 이동된 상태(기판 처리를 위한 공정 진행)에서는 관통공(932) 내부 공기가 핀홀(812) 공간으로 이동하려는 힘이 작용하고, 그 힘이 실링 부재(940)에 가압력으로 작용하게 되면서 실링 부재(940)가 기울어진 기밀 플랜지(916)의 밀착면(저면)에 안정적으로 접촉되어 처리 공간의 기밀을 유지할 수 있게 된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
800 : 가열 처리 유닛 810 : 가열 플레이트
830 : 가열 부재 860 : 하우징
900 : 리프트 핀 어셈블리 910 : 리프트 핀부
920 : 핀 구동부 930 : 플랜지부
940 : 실링 부재

Claims (12)

  1. 진공 챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판 지지대의 핀홀에 위치되는 리프트 핀부;
    상기 진공 챔버의 외부에 설치되며, 상기 리프트 핀부와 결합되어 상기 리프트 핀들을 업 위치와 다운 위치로 승강시키는 핀 구동부;
    상기 리프트 핀부가 상하로 이동 가능하도록 관통공이 형성되며, 상기 기판 지지대의 핀홀에 고정 결합되는 플랜지부; 및
    상기 리프트 핀부가 상기 다운 위치로 이동된 상태에서만 상기 리프트 핀부와 밀착되도록 상기 플랜지부에 설치되는 실링 부재를 포함하되;
    상기 리프트 핀부는
    기판과 접촉하는 핀 팁;
    상기 핀 팁이 고정되는 핀 바디;
    상기 관통공 보다 큰 직경을 갖도록 상기 핀 바디의 측면으로부터 돌출 형성되고, 상기 다운 위치로 상기 핀 바디가 이동되면 상기 실링 부재와 접촉되는 기밀 플랜지를 포함하고,
    상기 실링 부재는
    상기 핀 바디가 상기 다운 위치로 이동되었을 때, 상기 진공 챔버의 내부 압력과 상기 진공 챔버의 외부 압력차에 의해 상기 기밀 플랜지에 밀착되는 리프트핀 어셈블리.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 기밀 플랜지는
    상기 핀 바디가 상기 다운 위치로 이동되었을 때 상기 실링 부재와 접하는 평평한 밀착면을 갖는 리프트핀 어셈블리.
  4. 삭제
  5. 제3항에 있어서,
    상기 실링 부재는
    중앙에 상기 핀 바디가 통과하는 홀을 갖는 원판 형상으로 이루어지는 리프트핀 어셈블리.
  6. 진공 챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판 지지대의 핀홀에 위치되는 리프트 핀부;
    상기 진공 챔버의 외부에 설치되며, 상기 리프트 핀부와 결합되어 상기 리프트 핀들을 업 위치와 다운 위치로 승강시키는 핀 구동부;
    상기 리프트 핀부가 상하로 이동 가능하도록 관통공이 형성되며, 상기 기판 지지대의 핀홀에 고정 결합되는 플랜지부; 및
    상기 리프트 핀부가 상기 다운 위치로 이동된 상태에서만 상기 리프트 핀부와 밀착되도록 상기 플랜지부에 설치되는 실링 부재를 포함하되;
    상기 리프트 핀부는
    기판과 접촉하는 핀 팁;
    상기 핀 팁이 고정되는 핀 바디;
    상기 관통공 보다 큰 직경을 갖도록 상기 핀 바디의 측면으로부터 돌출 형성되고, 상기 다운 위치로 상기 핀 바디가 이동되면 상기 실링 부재와 접촉되는 기밀 플랜지를 포함하고,
    상기 플랜지부는
    상기 실링 부재 하부에 상기 진공 챔버의 외부 압력이 상기 실링 부재에 제공되도록 빈 버퍼공간이 제공되는 리프트핀 어셈블리.
  7. 기판에 대한 공정 처리가 진행되는 진공 처리공간을 제공하는 상부바디와 하부 바디를 갖는 진공 하우징;
    상기 진공 처리 공간에 제공되고, 기판이 놓여지는 상면과 핀홀들을 갖는 기판 지지대; 및
    상기 기판 지지대로/로부터 기판을 로딩/언로딩시키기 위한 리프트 핀 어셈블리를 포함하되;
    상기 리프트 핀 어셈블리는
    상기 기판 지지대의 핀홀에 위치되는 리프트 핀부;
    상기 진공 하우징의 외부에 설치되며, 상기 리프트 핀부와 결합되어 상기 리프트 핀들을 업 위치와 다운 위치로 승강시키는 핀 구동부;
    상기 리프트 핀부가 상하로 이동 가능하도록 관통공이 형성되며, 상기 기판 지지대의 저면에 고정 결합되는 플랜지부; 및
    상기 리프트 핀부가 상기 다운 위치로 이동된 상태에서만 상기 리프트 핀부와 밀착되어 상기 관통공을 밀폐하도록 상기 플랜지부에 설치되는 실링 부재를 포함하며;
    상기 핀홀은 음압에 노출되고 상기 관통공은 대기압에 노출되며,
    상기 실링 부재는
    상기 리프트 핀부가 상기 다운 위치로 이동되었을 때, 상기 핀홀의 음압과 상기 관통공의 대기압 간의 압력차에 의해 상기 리프트 핀부에 밀착 가압되는 진공 처리 장치.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    상기 리프트 핀부는
    핀 바디; 및
    상기 관통공 보다 큰 직경을 갖도록 상기 핀 바디의 측면으로부터 돌출 형성되고, 상기 다운 위치로 상기 핀 바디가 이동되면 상기 실링 부재와 접촉되는 기밀 플랜지를 포함하는 진공 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기밀 플랜지는
    상기 핀 바디가 상기 다운 위치로 이동되었을 때 상기 실링 부재와 접하는 평평한 밀착면을 갖는 진공 처리 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 실링 부재는
    중앙에 상기 핀 바디가 통과하는 홀을 갖는 원판 형상으로 이루어지는 진공 처리 장치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 플랜지부는
    상기 실링 부재 저면이 상기 관통공을 통해 전해지는 대기압에 노출되도록 빈 버퍼공간이 제공되는 진공 처리 장치.
KR1020190099557A 2019-08-14 2019-08-14 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치 KR102403801B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190099557A KR102403801B1 (ko) 2019-08-14 2019-08-14 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190099557A KR102403801B1 (ko) 2019-08-14 2019-08-14 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210020369A KR20210020369A (ko) 2021-02-24
KR102403801B1 true KR102403801B1 (ko) 2022-05-30

Family

ID=74688961

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190099557A KR102403801B1 (ko) 2019-08-14 2019-08-14 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102403801B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646318B1 (ko) * 2005-08-19 2006-11-23 동부일렉트로닉스 주식회사 플라즈마 식각 장치
JP2008187102A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101287831B1 (ko) * 2010-10-26 2013-07-18 주성엔지니어링(주) 기판 승강 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100646318B1 (ko) * 2005-08-19 2006-11-23 동부일렉트로닉스 주식회사 플라즈마 식각 장치
JP2008187102A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210020369A (ko) 2021-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108022860B (zh) 用于处理基板的装置和方法
US10763152B2 (en) Substrate support unit, heat treatment unit, and substrate treating apparatus including the same
KR101878992B1 (ko) 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
KR20170048787A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102098031B1 (ko) 기판 처리 장치 및 히터 유닛의 제조 방법
KR102303593B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102403801B1 (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치
KR20190042861A (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR102188354B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20210202296A1 (en) Method for lifting substrate and apparatus for treating substrate
CN111048444B (zh) 加热板冷却方法和基板处理装置及方法
KR20210055362A (ko) 반송 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102296280B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20210054105A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20170024216A (ko) 베이크 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102363730B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102081704B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20220056664A (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 베이크 장치
KR102387934B1 (ko) 가열 플레이트 냉각 방법과 기판 처리 장치 및 방법
KR102607809B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 베이크 장치 및 기판 처리 장치
KR102277545B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102385266B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102119681B1 (ko) 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 베이크 장치
CN111048445B (zh) 加热板冷却方法及基板处理装置
KR101884853B1 (ko) 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant