JPH06342920A - 配向性強誘電体薄膜素子 - Google Patents
配向性強誘電体薄膜素子Info
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- JPH06342920A JPH06342920A JP5149871A JP14987193A JPH06342920A JP H06342920 A JPH06342920 A JP H06342920A JP 5149871 A JP5149871 A JP 5149871A JP 14987193 A JP14987193 A JP 14987193A JP H06342920 A JPH06342920 A JP H06342920A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 3
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 HgSe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/05—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect with ferro-electric properties
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0553—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic specially adapted for gating or modulating in optical waveguides
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体単結晶（１００）基板上に、分極軸が
一方向に揃った（１１１）配向性または（０００１）配
向性強誘電体薄膜を有する配向性強誘電体薄膜素子を提
供する。本発明の配向性強誘電体薄膜素子を用いること
により、高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、ま
たは光変調素子等の素子を半導体基板上に作製すること
ができる。 【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、半導体単結晶
（１００）基板上に、面内方位がランダムであるが（１
１１）の結晶配向を持つバッファ層が形成され、さらに
その上に（１１１）または（０００１）の結晶配向を持
つ強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする。バ
ッファ層はＭｇＯよりなり、そして、室温〜８００℃の
成膜温度および０．１〜１００オングストローム／ｓｅ
ｃの成膜速度において成膜することができる。
一方向に揃った（１１１）配向性または（０００１）配
向性強誘電体薄膜を有する配向性強誘電体薄膜素子を提
供する。本発明の配向性強誘電体薄膜素子を用いること
により、高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、ま
たは光変調素子等の素子を半導体基板上に作製すること
ができる。 【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、半導体単結晶
（１００）基板上に、面内方位がランダムであるが（１
１１）の結晶配向を持つバッファ層が形成され、さらに
その上に（１１１）または（０００１）の結晶配向を持
つ強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする。バ
ッファ層はＭｇＯよりなり、そして、室温〜８００℃の
成膜温度および０．１〜１００オングストローム／ｓｅ
ｃの成膜速度において成膜することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体単結晶基板上に
特定の結晶配向を持つバッファ層を形成した強誘電体薄
膜素子に関し、半導体基板上に不揮発性メモリーやキャ
パシター、または光変調素子等の作製が可能な配向性強
誘電体薄膜素子に関する。
特定の結晶配向を持つバッファ層を形成した強誘電体薄
膜素子に関し、半導体基板上に不揮発性メモリーやキャ
パシター、または光変調素子等の作製が可能な配向性強
誘電体薄膜素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化物強誘電体薄膜は、強誘電体
のもつ強誘電性、圧電性、焦電性、電気光学効果等の多
くの性質により不揮発性メモリーを始めとして、表面弾
性波素子、赤外線焦電素子、音響光学素子、電気光学素
子等多くの応用が期待されている。これらの応用のう
ち、薄膜光導波路構造での低光損失化と単結晶並みの分
極特性や電気光学効果を得るために単結晶薄膜の作製が
不可欠である。そのため、酸化物単結晶基板に、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ1-x Ｌａx （Ｚｒ1-yＴｉ
y ）1-x/4 Ｏ3 （ＰＬＺＴ）、ＬｉＮｂＯ3 、ＫＮｂＯ
3 、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12等のエピタキシャル強誘電体薄膜
を、Ｒｆ−マグネトロン・スパッタリング、イオン・ビ
ーム・スパッタリング、レーザー・アブレーション、有
機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）等の方法によって形成す
ることが数多く試みられている。
のもつ強誘電性、圧電性、焦電性、電気光学効果等の多
くの性質により不揮発性メモリーを始めとして、表面弾
性波素子、赤外線焦電素子、音響光学素子、電気光学素
子等多くの応用が期待されている。これらの応用のう
ち、薄膜光導波路構造での低光損失化と単結晶並みの分
極特性や電気光学効果を得るために単結晶薄膜の作製が
不可欠である。そのため、酸化物単結晶基板に、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、Ｐｂ1-x Ｌａx （Ｚｒ1-yＴｉ
y ）1-x/4 Ｏ3 （ＰＬＺＴ）、ＬｉＮｂＯ3 、ＫＮｂＯ
3 、Ｂｉ4 Ｔｉ3 Ｏ12等のエピタキシャル強誘電体薄膜
を、Ｒｆ−マグネトロン・スパッタリング、イオン・ビ
ーム・スパッタリング、レーザー・アブレーション、有
機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）等の方法によって形成す
ることが数多く試みられている。
【０００３】しかしながら、半導体素子との集積化のた
めには、半導体基板上に強誘電体薄膜を作製することが
必要である。半導体基板上に強誘電体薄膜を作製する場
合、半導体基板上に低温でエピタキシャル成長するバッ
ファ層を設けることが提案されており、例えば、Ｓｉ
（１００）単結晶上に、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 （１００）また
はＭｇＯ（１００）をバッファ層としてエピタキシャル
成長した基板上に強誘電体化合物をエピタキシャル成長
することが特開昭６１−１８５８０８号公報に示されて
いる。ところがこの特許公報では、Ｓｉ（１００）とＭ
ｇＯ（１００）との結晶学的関係は明らかにはされてい
ない。その後の研究において、（１００）配向性のＭｇ
ＯがＳｉ（１００）単結晶上に作製された際には、Ｍｇ
Ｏは（１００）面がＳｉ（１００）面に平行であるだけ
で、面内方位はランダムな配向性多結晶ＭｇＯであるこ
とが明らかにされている（Ｐ．Ｔｉｗａｒｉ ｅｔ ａ
ｌ．；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６９，８３５８（１９
９１））。
めには、半導体基板上に強誘電体薄膜を作製することが
必要である。半導体基板上に強誘電体薄膜を作製する場
合、半導体基板上に低温でエピタキシャル成長するバッ
ファ層を設けることが提案されており、例えば、Ｓｉ
（１００）単結晶上に、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 （１００）また
はＭｇＯ（１００）をバッファ層としてエピタキシャル
成長した基板上に強誘電体化合物をエピタキシャル成長
することが特開昭６１−１８５８０８号公報に示されて
いる。ところがこの特許公報では、Ｓｉ（１００）とＭ
ｇＯ（１００）との結晶学的関係は明らかにはされてい
ない。その後の研究において、（１００）配向性のＭｇ
ＯがＳｉ（１００）単結晶上に作製された際には、Ｍｇ
Ｏは（１００）面がＳｉ（１００）面に平行であるだけ
で、面内方位はランダムな配向性多結晶ＭｇＯであるこ
とが明らかにされている（Ｐ．Ｔｉｗａｒｉ ｅｔ ａ
ｌ．；Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．６９，８３５８（１９
９１））。
【０００４】また、本発明者等は、ＧａＡｓ半導体（１
００）基板上に、ＭｇＯ（１００）バッファ層をエピタ
キシャル成長させ、その上にエピタキシャルまたは配向
性の強誘電体薄膜を作製することをすでに提案した（特
願平４−３１９２２９号）。この際の結晶学的関係は、
例えばＧａＡｓ上のＢａＴｉＯ3 については、ＢａＴｉ
Ｏ3 （００１）//ＭｇＯ（１００）//ＧａＡｓ（１０
０）、面内方位ＢａＴｉＯ3 ［０１０］//ＭｇＯ［００
１］//ＧａＡｓ［００１］である。
００）基板上に、ＭｇＯ（１００）バッファ層をエピタ
キシャル成長させ、その上にエピタキシャルまたは配向
性の強誘電体薄膜を作製することをすでに提案した（特
願平４−３１９２２９号）。この際の結晶学的関係は、
例えばＧａＡｓ上のＢａＴｉＯ3 については、ＢａＴｉ
Ｏ3 （００１）//ＭｇＯ（１００）//ＧａＡｓ（１０
０）、面内方位ＢａＴｉＯ3 ［０１０］//ＭｇＯ［００
１］//ＧａＡｓ［００１］である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
場合、格子定数および結晶格子の対称性が、ＭｇＯバッ
ファ層の（１００）面に近く、分極軸を［００１］方向
に持つ正方晶系強誘電体以外の強誘電体に付いては、半
導体（１００）基板上で、その分極軸を一方向に揃える
ことはできなかった。例えば、分極軸を［１１１］方向
に持つ斜方晶系強誘電体や、分極軸を［０００１］方向
に持つ六方晶系強誘電体は、格子定数および結晶格子の
対称性がＭｇＯ（１００）面と異なるために、半導体
（１００）基板上に（１１１）の結晶配向を持つ斜方晶
系強誘電体薄膜や（０００１）配向の六方晶系強誘電体
薄膜を作製することはできなかった。本発明は、従来提
案されている上記のような問題点に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、半導体単結晶（１００）基板上
に、分極軸が一方向に揃った（１１１）または（０００
１）の結晶配向を持つ配向性強誘電体薄膜を有する配向
性強誘電体薄膜素子を提供することにある。本発明の他
の目的は、高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、
または光変調素子等の素子を半導体基板上に作製するこ
とができる配向性強誘電体薄膜素子を提供することにあ
る。
場合、格子定数および結晶格子の対称性が、ＭｇＯバッ
ファ層の（１００）面に近く、分極軸を［００１］方向
に持つ正方晶系強誘電体以外の強誘電体に付いては、半
導体（１００）基板上で、その分極軸を一方向に揃える
ことはできなかった。例えば、分極軸を［１１１］方向
に持つ斜方晶系強誘電体や、分極軸を［０００１］方向
に持つ六方晶系強誘電体は、格子定数および結晶格子の
対称性がＭｇＯ（１００）面と異なるために、半導体
（１００）基板上に（１１１）の結晶配向を持つ斜方晶
系強誘電体薄膜や（０００１）配向の六方晶系強誘電体
薄膜を作製することはできなかった。本発明は、従来提
案されている上記のような問題点に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、半導体単結晶（１００）基板上
に、分極軸が一方向に揃った（１１１）または（０００
１）の結晶配向を持つ配向性強誘電体薄膜を有する配向
性強誘電体薄膜素子を提供することにある。本発明の他
の目的は、高機能の不揮発性メモリーやキャパシター、
または光変調素子等の素子を半導体基板上に作製するこ
とができる配向性強誘電体薄膜素子を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は研究を続け
た結果、半導体単結晶（１００）基板上に（１００）エ
ピタキシャルまたは配向性のＭｇＯバッファ層と、半導
体単結晶（１００）基板に対して面内方位がランダムで
あるが（１１１）の結晶配向を持つＭｇＯバッファ層と
を作り分ける方法を見出した。そして、さらに研究を重
ね多結果、面内方位がランダムであるが（１１１）の結
晶配向を持つＭｇＯバッファ層を形成した場合、その上
に、分極軸を［１１１］方向に持つ斜方晶系強誘電体薄
膜を（１１１）配向性成長させること、および分極軸を
［０００１］方向に持つ六方晶系強誘電体薄膜を（００
０１）配向成長させることができることを見出し、本発
明を完成した。本発明の配向性強誘電体薄膜素子は、半
導体単結晶（１００）基板上に、面内方位がランダムで
あるが（１１１）の結晶配向を持つバッファ層が形成さ
れ、さらにその上に（１１１）または（０００１）の結
晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成されていることを特徴
とする。
た結果、半導体単結晶（１００）基板上に（１００）エ
ピタキシャルまたは配向性のＭｇＯバッファ層と、半導
体単結晶（１００）基板に対して面内方位がランダムで
あるが（１１１）の結晶配向を持つＭｇＯバッファ層と
を作り分ける方法を見出した。そして、さらに研究を重
ね多結果、面内方位がランダムであるが（１１１）の結
晶配向を持つＭｇＯバッファ層を形成した場合、その上
に、分極軸を［１１１］方向に持つ斜方晶系強誘電体薄
膜を（１１１）配向性成長させること、および分極軸を
［０００１］方向に持つ六方晶系強誘電体薄膜を（００
０１）配向成長させることができることを見出し、本発
明を完成した。本発明の配向性強誘電体薄膜素子は、半
導体単結晶（１００）基板上に、面内方位がランダムで
あるが（１１１）の結晶配向を持つバッファ層が形成さ
れ、さらにその上に（１１１）または（０００１）の結
晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成されていることを特徴
とする。
【０００７】本発明において、半導体単結晶（１００）
基板としては、単体半導体であるＳｉ、Ｇｅ、ダイアモ
ンド、III −Ｖ系元素の化合物半導体であるＡｌＡｓ、
ＡｌＳｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、Ｉｎ
Ａｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、ＧａＩｎＡｓ、Ｇａ
ＩｎＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、II−VI系元素
の化合物半導体であるＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃ
ｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳより選
ばれるものが使用される。これらの半導体単結晶（１０
０）基板上に、面内方位がランダムであるが（１１１）
の結晶配向を持つバッファ層が形成される。上記のバッ
ファ層形成材料としては、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 、Ｙ
安定化ＺｒＯ2 等があげられる。これらの中でも、Ｍｇ
Ｏバッファ層が好ましい。一般に、強誘電体の屈折率は
半導体よりも小さいが、ＭｇＯバッファ層は強誘電体よ
りも小さい屈折率を持つので、ＭｇＯバッファ層を設け
ることによって半導体レーザー光を強誘電体薄膜光導波
路中に閉じ込めることが可能になり、光変調素子のＧａ
Ａｓ系半導体レーザー上への作製や光集積回路をＳｉ半
導体集積回路上に作製することが可能になる。本発明に
おいて、バッファ層の膜厚は、１０〜１０5 オングスト
ロームの範囲が適当である。
基板としては、単体半導体であるＳｉ、Ｇｅ、ダイアモ
ンド、III −Ｖ系元素の化合物半導体であるＡｌＡｓ、
ＡｌＳｂ、ＡｌＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、Ｉｎ
Ａｓ、ＩｎＳｂ、ＡｌＧａＰ、ＡｌＩｎＰ、ＡｌＧａＡ
ｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＡｓＳｂ、ＧａＩｎＡｓ、Ｇａ
ＩｎＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＩｎＡｓＳｂ、II−VI系元素
の化合物半導体であるＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｃ
ｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＣｄＳより選
ばれるものが使用される。これらの半導体単結晶（１０
０）基板上に、面内方位がランダムであるが（１１１）
の結晶配向を持つバッファ層が形成される。上記のバッ
ファ層形成材料としては、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 、Ｙ
安定化ＺｒＯ2 等があげられる。これらの中でも、Ｍｇ
Ｏバッファ層が好ましい。一般に、強誘電体の屈折率は
半導体よりも小さいが、ＭｇＯバッファ層は強誘電体よ
りも小さい屈折率を持つので、ＭｇＯバッファ層を設け
ることによって半導体レーザー光を強誘電体薄膜光導波
路中に閉じ込めることが可能になり、光変調素子のＧａ
Ａｓ系半導体レーザー上への作製や光集積回路をＳｉ半
導体集積回路上に作製することが可能になる。本発明に
おいて、バッファ層の膜厚は、１０〜１０5 オングスト
ロームの範囲が適当である。
【０００８】上記の面内方位がランダムであるが（１１
１）の結晶配向を持つバッファ層上には、（１１１）ま
たは（０００１）の結晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成
される。強誘電体としては、ＡＢＯ3 型酸化物強誘電体
が好ましく使用され、例えばＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ
3 、Ｐｂ1-x Ｌａx （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）1-x/4 Ｏ3 （Ｐ
ＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 、ＫＮｂＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等に代
表される強誘電体およびこれらの置換誘導体より選ばれ
るものをあげることができる。本発明において、（１１
１）または（０００１）の結晶配向を持つ強誘電体薄膜
の膜厚は、１０2 〜１０5 オングストロームの範囲が適
当である。本発明により、面内方位がランダムであるが
（１１１）の結晶配向を持つバッファ層上には、分極軸
を［１１１］方向に持つ斜方晶系ＡＢＯ3 型酸化物強誘
電体薄膜等を（１１１）配向性成長させること、または
分極軸を［０００１］方向に持つ六方晶系ＡＢＯ3 型酸
化物強誘電体薄膜等を（０００１）配向成長させること
により、これら強誘電体の分極軸を一方向に揃えること
ができる。
１）の結晶配向を持つバッファ層上には、（１１１）ま
たは（０００１）の結晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成
される。強誘電体としては、ＡＢＯ3 型酸化物強誘電体
が好ましく使用され、例えばＢａＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ
3 、Ｐｂ1-x Ｌａx （Ｚｒ1-y Ｔｉy ）1-x/4 Ｏ3 （Ｐ
ＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）
Ｏ3 、ＫＮｂＯ3 、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3 等に代
表される強誘電体およびこれらの置換誘導体より選ばれ
るものをあげることができる。本発明において、（１１
１）または（０００１）の結晶配向を持つ強誘電体薄膜
の膜厚は、１０2 〜１０5 オングストロームの範囲が適
当である。本発明により、面内方位がランダムであるが
（１１１）の結晶配向を持つバッファ層上には、分極軸
を［１１１］方向に持つ斜方晶系ＡＢＯ3 型酸化物強誘
電体薄膜等を（１１１）配向性成長させること、または
分極軸を［０００１］方向に持つ六方晶系ＡＢＯ3 型酸
化物強誘電体薄膜等を（０００１）配向成長させること
により、これら強誘電体の分極軸を一方向に揃えること
ができる。
【０００９】前記面内方位がランダムであるが（１１
１）の結晶配向を持つバッファ層は、電子ビーム蒸着、
フラッシュ蒸着、イオン・プレーティング、Ｒｆ−マグ
ネトロン・スパッタリング、イオン・ビーム・スパッタ
リング、レーザー・アブレーション、モレキュラー・ビ
ーム・エピタキシー（ＭＢＥ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、
プラズマＣＶＤ、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）など
より選ばれる気相成長法により作製される。
１）の結晶配向を持つバッファ層は、電子ビーム蒸着、
フラッシュ蒸着、イオン・プレーティング、Ｒｆ−マグ
ネトロン・スパッタリング、イオン・ビーム・スパッタ
リング、レーザー・アブレーション、モレキュラー・ビ
ーム・エピタキシー（ＭＢＥ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、
プラズマＣＶＤ、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）など
より選ばれる気相成長法により作製される。
【００１０】面内方位がランダムであるが（１１１）の
結晶配向を持つＭｇＯバッファ層の場合は、室温〜８０
０℃の成膜温度、かつ０．１〜１００オングストローム
／ｓｅｃの成膜速度の条件によって作成することが必要
である。ＭｇＯ層を形成する場合、半導体（１００）単
結晶基板上のＭｇＯの配向性が成膜速度の増加および成
膜温度の低下によって変化する。すなわち、半導体（１
００）単結晶基板上のＭｇＯの配向性が、成膜速度の増
加および成膜温度の低下によって（１００）面単一配向
のエピタキシャル膜から面内方位はランダムであるが
（１１１）面単一配向の膜へと変化する。その理由は明
らかではないが、次のように推定される。上記の範囲よ
りも低成膜速度または高成膜温度においては、基板表面
に到達したＭｇＯ分子のマイグレーションが活発なため
に、ＭｇＯ−ＧａＡｓ界面では安定なＭｇＯ：ＧａＡｓ
＝４：３の格子整合による二次元超格子を形成し、さら
に低エネルギー面である（１００）面を形成しやすい。
一方、蒸気の範囲内の高成膜速度または低成膜温度にお
いては、基板表面に到達したＭｇＯ分子のマイグレーシ
ョンが抑制されるために、ＭｇＯ分子はエネルギー的に
安定な状態を取り難くなり、そしてＧａＡｓ（１００）
表面ではＭｇＯ：ＧａＡｓ＝４：３の格子整合を形成で
きず、（１００）面よりも原子密度が低く、エネルギー
が高い（１１１）面を形成すると考えられる。
結晶配向を持つＭｇＯバッファ層の場合は、室温〜８０
０℃の成膜温度、かつ０．１〜１００オングストローム
／ｓｅｃの成膜速度の条件によって作成することが必要
である。ＭｇＯ層を形成する場合、半導体（１００）単
結晶基板上のＭｇＯの配向性が成膜速度の増加および成
膜温度の低下によって変化する。すなわち、半導体（１
００）単結晶基板上のＭｇＯの配向性が、成膜速度の増
加および成膜温度の低下によって（１００）面単一配向
のエピタキシャル膜から面内方位はランダムであるが
（１１１）面単一配向の膜へと変化する。その理由は明
らかではないが、次のように推定される。上記の範囲よ
りも低成膜速度または高成膜温度においては、基板表面
に到達したＭｇＯ分子のマイグレーションが活発なため
に、ＭｇＯ−ＧａＡｓ界面では安定なＭｇＯ：ＧａＡｓ
＝４：３の格子整合による二次元超格子を形成し、さら
に低エネルギー面である（１００）面を形成しやすい。
一方、蒸気の範囲内の高成膜速度または低成膜温度にお
いては、基板表面に到達したＭｇＯ分子のマイグレーシ
ョンが抑制されるために、ＭｇＯ分子はエネルギー的に
安定な状態を取り難くなり、そしてＧａＡｓ（１００）
表面ではＭｇＯ：ＧａＡｓ＝４：３の格子整合を形成で
きず、（１００）面よりも原子密度が低く、エネルギー
が高い（１１１）面を形成すると考えられる。
【００１１】前記（１１１）の結晶配向を持つ強誘電体
薄膜は、電子ビーム蒸着、フラッシュ蒸着、イオン・プ
レーティング、Ｒｆ−マグネトロン・スパッタリング、
イオン・ビーム・スパッタリング、レーザー・アブレー
ション、モレキュラー・ビーム・エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ、有機金属
化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）などより選ばれる気相成長法お
よびゾルゲル法などのウエット・プロセスにより作製す
ることができる。
薄膜は、電子ビーム蒸着、フラッシュ蒸着、イオン・プ
レーティング、Ｒｆ−マグネトロン・スパッタリング、
イオン・ビーム・スパッタリング、レーザー・アブレー
ション、モレキュラー・ビーム・エピタキシー（ＭＢ
Ｅ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ、有機金属
化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）などより選ばれる気相成長法お
よびゾルゲル法などのウエット・プロセスにより作製す
ることができる。
【００１２】
実施例１ Ｓｉ（１００）単結晶基板へのＭｇＯバッファ層の形成
を、電子ビーム蒸着法によって行った。ターゲットとし
てＭｇＯを用い、ターゲットと基板の距離は５０〜２０
０ｍｍ、電子ビーム電流は５〜２０ｍＡとした。Ｓｉ単
結晶基板はハロゲン・ランプによって加熱し、基板温度
は３００℃〜７００℃とした。Ｓｉ単結晶基板として、
ｎ型またはｐ型で（１００）面を持つ６×６ｍｍのウエ
ハーを用いた。これらのＳｉ単結晶基板を溶剤で洗浄し
た後、ＨＦ系溶液にてエッチングを行った。さらに、最
後に窒素流下でエタノールによるスピン乾燥を行った。
スピン乾燥後、Ｓｉ単結晶基板を直ちにデポジション・
チャンバーに導入し、バックグラウンド圧力に達した
後、Ｓｉ単結晶基板を加熱し、一定の基板温度に達した
時点でＭｇＯの成膜を行った。成膜速度が１０．０オン
グストローム／ｓｅｃで、成膜温度が３７０℃、４４０
℃または５００℃の条件、および成膜速度が３．０オン
グストローム／ｓｅｃで、成膜温度が４４０℃の条件で
成膜されたＭｇＯは、Ｘ線回折によって解析すると、い
ずれも（１１１）面単一配向の膜である事が確認され
た。
を、電子ビーム蒸着法によって行った。ターゲットとし
てＭｇＯを用い、ターゲットと基板の距離は５０〜２０
０ｍｍ、電子ビーム電流は５〜２０ｍＡとした。Ｓｉ単
結晶基板はハロゲン・ランプによって加熱し、基板温度
は３００℃〜７００℃とした。Ｓｉ単結晶基板として、
ｎ型またはｐ型で（１００）面を持つ６×６ｍｍのウエ
ハーを用いた。これらのＳｉ単結晶基板を溶剤で洗浄し
た後、ＨＦ系溶液にてエッチングを行った。さらに、最
後に窒素流下でエタノールによるスピン乾燥を行った。
スピン乾燥後、Ｓｉ単結晶基板を直ちにデポジション・
チャンバーに導入し、バックグラウンド圧力に達した
後、Ｓｉ単結晶基板を加熱し、一定の基板温度に達した
時点でＭｇＯの成膜を行った。成膜速度が１０．０オン
グストローム／ｓｅｃで、成膜温度が３７０℃、４４０
℃または５００℃の条件、および成膜速度が３．０オン
グストローム／ｓｅｃで、成膜温度が４４０℃の条件で
成膜されたＭｇＯは、Ｘ線回折によって解析すると、い
ずれも（１１１）面単一配向の膜である事が確認され
た。
【００１３】ＭｇＯバッファー層をＳｉ単結晶基板上に
作製した後、直ちにＰＺＴをＭｇＯ上にゾル・ゲル法に
て作製した。ＰＺＴの作製は、まず、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ
3 Ｈ7 ）4 とＺｒ（Ｏ−ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4 を所定のモル
比にて２−メトキシエタノール：ＣＨ3 ＯＣＨ2 ＣＨ2
ＯＨ（ＲＯＨと略記する。）に溶解し、続いてＰｂ（Ｃ
Ｈ3 ＣＯＯ）2 をＰｂ：（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．０：１．
０のモル組成比になるように配合して溶解した。その後
１２５℃にて一定時間蒸留することにより、金属錯体Ｐ
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ2 （ＯＲ）2 を形成するとともに副
生成物ＣＨ3 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 の除去を行っ
た。次に、この溶液に、Ｐｂ：Ｈ2 Ｏ：ＮＨ4 ＯＨ＝
１：１：０．１となるようにＨ2 Ｏ：ＮＨ4 ＯＨのＲＯ
Ｈ溶液を加え、数時間還流することにより金属アルコキ
シドを部分的に加水分解した。この後、溶液を減圧濃縮
して最終的にＰｂ濃度で０．６Ｍの安定な前駆体溶液を
得た。以上の操作はすべてＮ2 雰囲気中にて行った。こ
の前駆体溶液をＭｇＯ羽っふぁ層が形成されたＳｉ（１
００）基板に室温Ｎ2 雰囲気中にて２０００ｒｐｍでス
ピンコーティングを行った。スピンコーティングされた
基板は、Ｏ2 雰囲気中で３００℃にて加熱の後、６５０
℃に加熱し、結晶化させた。これにより、膜厚１０００
オングストロームの薄膜が得られた。（１１１）面単一
配向ＭｇＯ上に成膜した斜方晶組成のＰＺＴ（Ｚｒ：Ｔ
ｉ＝５０：５０）は（１１１）配向性を示し、分極軸
［１１１］が基板面に垂直に配向した斜方晶ＰＺＴであ
った。
作製した後、直ちにＰＺＴをＭｇＯ上にゾル・ゲル法に
て作製した。ＰＺＴの作製は、まず、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｃ
3 Ｈ7 ）4 とＺｒ（Ｏ−ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）4 を所定のモル
比にて２−メトキシエタノール：ＣＨ3 ＯＣＨ2 ＣＨ2
ＯＨ（ＲＯＨと略記する。）に溶解し、続いてＰｂ（Ｃ
Ｈ3 ＣＯＯ）2 をＰｂ：（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１．０：１．
０のモル組成比になるように配合して溶解した。その後
１２５℃にて一定時間蒸留することにより、金属錯体Ｐ
ｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ2 （ＯＲ）2 を形成するとともに副
生成物ＣＨ3 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ＯＣＨ3 の除去を行っ
た。次に、この溶液に、Ｐｂ：Ｈ2 Ｏ：ＮＨ4 ＯＨ＝
１：１：０．１となるようにＨ2 Ｏ：ＮＨ4 ＯＨのＲＯ
Ｈ溶液を加え、数時間還流することにより金属アルコキ
シドを部分的に加水分解した。この後、溶液を減圧濃縮
して最終的にＰｂ濃度で０．６Ｍの安定な前駆体溶液を
得た。以上の操作はすべてＮ2 雰囲気中にて行った。こ
の前駆体溶液をＭｇＯ羽っふぁ層が形成されたＳｉ（１
００）基板に室温Ｎ2 雰囲気中にて２０００ｒｐｍでス
ピンコーティングを行った。スピンコーティングされた
基板は、Ｏ2 雰囲気中で３００℃にて加熱の後、６５０
℃に加熱し、結晶化させた。これにより、膜厚１０００
オングストロームの薄膜が得られた。（１１１）面単一
配向ＭｇＯ上に成膜した斜方晶組成のＰＺＴ（Ｚｒ：Ｔ
ｉ＝５０：５０）は（１１１）配向性を示し、分極軸
［１１１］が基板面に垂直に配向した斜方晶ＰＺＴであ
った。
【００１４】実施例２ ＧａＡｓ基板へのＭｇＯバッファ層の形成を、実施例１
と同様に電子ビーム蒸着法によって行った。ターゲット
としてＭｇＯを用い、ターゲットとＧａＡｓ基板の距離
は５０〜２００ｍｍ、電子ビーム電流は５〜２０ｍＡと
した。ＧａＡｓ基板はハロゲン・ランプによって加熱
し、基板温度は２００℃〜６００℃とした。上記ＧａＡ
ｓ基板として、ｎ型、（１００）±０．２°、６×６
ｍｍのウエハーを用いた。これらのＧａＡｓ基板は、溶
剤洗浄の後、Ｈ2 ＳＯ4 系の溶液にてエッチングを行っ
た。さらにこのＧａＡｓ基板を脱イオン水とエタノール
でリンスし、最後に窒素流下でエタノールによるスピン
乾燥を行った。スピン乾燥後に基板を直ちにデポジショ
ン・チャンバーに導入し、バックグラウンド圧力に達し
た後、基板を加熱し、一定の基板温度に達した時点でＭ
ｇＯの成膜を行った。成膜速度が１０．０オングストロ
ーム／ｓｅｃで、成膜温度が室温または２００℃の条件
で成膜されたＭｇＯは、Ｘ線回折によって解析すると、
いずれも（１１１）面単一配向の膜であることが確認さ
れた。次に、（１１１）面単一配向面ＭｇＯ上に、Ｌｉ
ＮｂＯ3 をその場成長させた。５００〜８００℃の条件
にて成膜したＬｉＮｂＯ3 は、六方晶（０００１）単一
配向性を示し、分極軸［０００１］が表板面に垂直に配
向した薄膜が得られた。
と同様に電子ビーム蒸着法によって行った。ターゲット
としてＭｇＯを用い、ターゲットとＧａＡｓ基板の距離
は５０〜２００ｍｍ、電子ビーム電流は５〜２０ｍＡと
した。ＧａＡｓ基板はハロゲン・ランプによって加熱
し、基板温度は２００℃〜６００℃とした。上記ＧａＡ
ｓ基板として、ｎ型、（１００）±０．２°、６×６
ｍｍのウエハーを用いた。これらのＧａＡｓ基板は、溶
剤洗浄の後、Ｈ2 ＳＯ4 系の溶液にてエッチングを行っ
た。さらにこのＧａＡｓ基板を脱イオン水とエタノール
でリンスし、最後に窒素流下でエタノールによるスピン
乾燥を行った。スピン乾燥後に基板を直ちにデポジショ
ン・チャンバーに導入し、バックグラウンド圧力に達し
た後、基板を加熱し、一定の基板温度に達した時点でＭ
ｇＯの成膜を行った。成膜速度が１０．０オングストロ
ーム／ｓｅｃで、成膜温度が室温または２００℃の条件
で成膜されたＭｇＯは、Ｘ線回折によって解析すると、
いずれも（１１１）面単一配向の膜であることが確認さ
れた。次に、（１１１）面単一配向面ＭｇＯ上に、Ｌｉ
ＮｂＯ3 をその場成長させた。５００〜８００℃の条件
にて成膜したＬｉＮｂＯ3 は、六方晶（０００１）単一
配向性を示し、分極軸［０００１］が表板面に垂直に配
向した薄膜が得られた。
【００１５】上記実施例では、ＭｇＯバッファ草の形成
に電子ビーム蒸着法を用いたが、成膜プロセスはこれに
限定されるものではなく、Ｒｆ−マグネトロン・スパッ
タリング、イオン・ビーム・スパッタリング、レーザー
・デポジション、フラッシュ蒸着、イオン・プレーティ
ング、モレキュラー・ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）、
イオン化クラスター・ビーム・エピタキシ、化学気相成
長法（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ）、プラズマＣＶＤなどの気相成長法が、同様に有効
である。
に電子ビーム蒸着法を用いたが、成膜プロセスはこれに
限定されるものではなく、Ｒｆ−マグネトロン・スパッ
タリング、イオン・ビーム・スパッタリング、レーザー
・デポジション、フラッシュ蒸着、イオン・プレーティ
ング、モレキュラー・ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）、
イオン化クラスター・ビーム・エピタキシ、化学気相成
長法（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ）、プラズマＣＶＤなどの気相成長法が、同様に有効
である。
【００１６】
【発明の効果】本発明の強誘電体薄膜素子は、半導体単
結晶（１００）単結晶基板上に（１１１）配向性のＭｇ
Ｏバッファ層が形成されているから、その上に形成され
る（１１１）または（０００１）の結晶配向を持つ強誘
電体薄膜は、その分極軸が一方向に揃ったものとなる。
さらに、強誘電薄膜の配向が制御できるために、大きな
残留分極値や大きな電気光学定数等を得ることができ、
強誘電体と半導体との間に絶縁体を形成したＦＥＴ素子
においては強誘電体の分極時の半導体からの電荷注入を
防ぐことができ、強誘電体の分極状態を維持することが
容易となる。
結晶（１００）単結晶基板上に（１１１）配向性のＭｇ
Ｏバッファ層が形成されているから、その上に形成され
る（１１１）または（０００１）の結晶配向を持つ強誘
電体薄膜は、その分極軸が一方向に揃ったものとなる。
さらに、強誘電薄膜の配向が制御できるために、大きな
残留分極値や大きな電気光学定数等を得ることができ、
強誘電体と半導体との間に絶縁体を形成したＦＥＴ素子
においては強誘電体の分極時の半導体からの電荷注入を
防ぐことができ、強誘電体の分極状態を維持することが
容易となる。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体単結晶（１００）基板上に、面内
方位がランダムであるが（１１１）の結晶配向を持つバ
ッファ層が形成され、さらにその上に（１１１）または
（０００１）の結晶配向を持つ強誘電体薄膜が形成され
ていることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。 - 【請求項２】 前記半導体単結晶基板が単体半導体また
は化合物半導体である請求項１記載の配向性強誘電体薄
膜素子。 - 【請求項３】 前記バッファ層がＭｇＯである請求項１
記載の配向性強誘電体薄膜素子。 - 【請求項４】 前記強誘電体薄膜がＡＢＯ3 型酸化物で
ある請求項１記載の配向性強誘電体薄膜素子。 - 【請求項５】 バッファ層が、室温〜８００℃の成膜温
度および０．１〜１００オングストローム／ｓｅｃの成
膜速度において形成されたものである請求項１記載の配
向性強誘電体薄膜素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149871A JP2924574B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 配向性強誘電体薄膜素子 |
| US08/250,702 US5567979A (en) | 1993-05-31 | 1994-05-27 | Oriented ferroelectric thin-film element and manufacturing method therefor |
| US08/434,281 US5759265A (en) | 1993-05-31 | 1995-05-03 | Oriented ferroelectric thin-film element and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149871A JP2924574B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 配向性強誘電体薄膜素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342920A true JPH06342920A (ja) | 1994-12-13 |
| JP2924574B2 JP2924574B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=15484478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149871A Expired - Fee Related JP2924574B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 配向性強誘電体薄膜素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5567979A (ja) |
| JP (1) | JP2924574B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6781290B2 (en) | 2000-03-30 | 2004-08-24 | Fujitsu Limited | Piezoelectric actuator, method of manufacturing the same, ink-jet head using the same, and ink-jet printer |
| KR100467555B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2005-01-24 | 한국전자통신연구원 | 강유전체/상유전체 바륨-스트론듐-티타늄 산화물 박막을구비하는 초고주파 가변소자 |
| US7674634B2 (en) | 2002-11-12 | 2010-03-09 | Fujitsu Limited | Method of producing semiconductor device |
| KR20190049398A (ko) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6664115B2 (en) * | 1992-10-23 | 2003-12-16 | Symetrix Corporation | Metal insulator structure with polarization-compatible buffer layer |
| JP3989027B2 (ja) * | 1994-07-12 | 2007-10-10 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | キャパシタ及びその製造方法 |
| JP3047316B2 (ja) * | 1994-11-11 | 2000-05-29 | 富士ゼロックス株式会社 | エピタキシャル強誘電体薄膜素子およびその作製方法 |
| US5753300A (en) * | 1995-06-19 | 1998-05-19 | Northwestern University | Oriented niobate ferroelectric thin films for electrical and optical devices and method of making such films |
| US5640042A (en) * | 1995-12-14 | 1997-06-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thin film ferroelectric varactor |
| JP3258899B2 (ja) * | 1996-03-19 | 2002-02-18 | シャープ株式会社 | 強誘電体薄膜素子、それを用いた半導体装置、及び強誘電体薄膜素子の製造方法 |
| JP3193302B2 (ja) | 1996-06-26 | 2001-07-30 | ティーディーケイ株式会社 | 膜構造体、電子デバイス、記録媒体および強誘電体薄膜の製造方法 |
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| US6372306B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-04-16 | Board Of Regents Of The University Of Nebraska | Ferroelectric materials with chemical formula A(1-x)BxC(1-y)DyF3, and fabrication thereof |
| US7568445B2 (en) | 2000-11-17 | 2009-08-04 | Lockheed Martin Corporation | System and method for the holographic deposition of material |
| JP4282245B2 (ja) | 2001-01-31 | 2009-06-17 | 富士通株式会社 | 容量素子及びその製造方法並びに半導体装置 |
| JP3947443B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2007-07-18 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子デバイス用基板および電子デバイス |
| US6734057B2 (en) * | 2002-09-27 | 2004-05-11 | Infineon Technologies Ag | Method of patterning capacitors and capacitors made thereby |
| WO2005088745A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | 磁気抵抗素子及びその製造方法 |
| US7541105B2 (en) * | 2006-09-25 | 2009-06-02 | Seagate Technology Llc | Epitaxial ferroelectric and magnetic recording structures including graded lattice matching layers |
| DE102018105953B4 (de) | 2017-10-30 | 2023-09-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Halbleiter-bauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| KR20210047592A (ko) * | 2019-10-22 | 2021-04-30 | 삼성전자주식회사 | 전자 소자 및 그 제조방법 |
| CN111785440B (zh) * | 2020-05-25 | 2022-01-18 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | Ito薄膜及ito透明导电玻璃的制备方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61185808A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-19 | 日本電気株式会社 | 強誘電体化合物の配向薄膜の作製法 |
| JP2532381B2 (ja) * | 1986-03-04 | 1996-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 強誘電体薄膜素子及びその製造方法 |
| JPH045874A (ja) * | 1990-04-21 | 1992-01-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜およびその製造方法 |
| JPH05235416A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-10 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電体薄膜素子 |
| JP3251625B2 (ja) * | 1992-02-24 | 2002-01-28 | ローム株式会社 | 電界効果トランジスタ |
| JPH05283756A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電体薄膜素子 |
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-
1993
- 1993-05-31 JP JP5149871A patent/JP2924574B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-27 US US08/250,702 patent/US5567979A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-03 US US08/434,281 patent/US5759265A/en not_active Expired - Fee Related
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| KR20190049398A (ko) * | 2017-10-30 | 2019-05-09 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
| US10784362B2 (en) | 2017-10-30 | 2020-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US11563102B2 (en) | 2017-10-30 | 2023-01-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5759265A (en) | 1998-06-02 |
| JP2924574B2 (ja) | 1999-07-26 |
| US5567979A (en) | 1996-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080507 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090507 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090507 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090507 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |