JPH06338049A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH06338049A JPH06338049A JP5127518A JP12751893A JPH06338049A JP H06338049 A JPH06338049 A JP H06338049A JP 5127518 A JP5127518 A JP 5127518A JP 12751893 A JP12751893 A JP 12751893A JP H06338049 A JPH06338049 A JP H06338049A
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- particle
- protective film
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
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- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 非磁性支持体１上に金属磁性薄膜よりなる磁
性層２、カーボン保護膜３が形成され、このカーボン保
護膜３の表面には第１の粒子６によって形成される第１
の表面突起４と、第２の粒子７によって形成される第２
の表面突起５とが設けられている。そして、カーボン保
護膜３の厚さ、第１の表面突起４の高さ及び突起密度、
第２の表面突起５の高さ及び突起密度の組合せが適正に
なされることによって表面性が規制されている。 【効果】 良好な電磁変換特性を確保しつつ、耐久性の
向上を図ることが可能な磁気記録媒体を提供することが
できる。
性層２、カーボン保護膜３が形成され、このカーボン保
護膜３の表面には第１の粒子６によって形成される第１
の表面突起４と、第２の粒子７によって形成される第２
の表面突起５とが設けられている。そして、カーボン保
護膜３の厚さ、第１の表面突起４の高さ及び突起密度、
第２の表面突起５の高さ及び突起密度の組合せが適正に
なされることによって表面性が規制されている。 【効果】 良好な電磁変換特性を確保しつつ、耐久性の
向上を図ることが可能な磁気記録媒体を提供することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非磁性支持体上に磁性
層として金属磁性薄膜を有するいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に関する。
層として金属磁性薄膜を有するいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）
等の分野においては、高画質化を図るために、高密度記
録化が一層強く要求されており、これに対応する磁気記
録媒体として、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により
直接非磁性支持体上に被着せしめて磁性層を形成する、
所謂金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されている。
等の分野においては、高画質化を図るために、高密度記
録化が一層強く要求されており、これに対応する磁気記
録媒体として、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金からな
る磁性材料をメッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法等）により
直接非磁性支持体上に被着せしめて磁性層を形成する、
所謂金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力、角形比及び短波長域における電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために記
録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいことや、磁性
層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必要がない
ために磁性材料の充填密度を高くできること等、数々の
利点を有している。
磁力、角形比及び短波長域における電磁変換特性に優れ
るばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために記
録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいことや、磁性
層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必要がない
ために磁性材料の充填密度を高くできること等、数々の
利点を有している。
【０００４】このような磁気記録媒体においては、高記
録密度化に伴って磁気記録媒体のトラック密度や記録密
度の増加が図られているが、記録密度が高くなると、ス
ペーシングロスが大きくなるので、その悪影響を防止す
るために磁気記録媒体の表面は平滑化される傾向にあ
る。しかしながら、磁気記録媒体の表面が平滑すぎる
と、磁気ヘッドと媒体が吸着を引起し、摩擦力が増大す
る。このため、媒体に生じる剪断力が大きくなり、磁気
記録媒体が大きな損傷を受けてしまう。
録密度化に伴って磁気記録媒体のトラック密度や記録密
度の増加が図られているが、記録密度が高くなると、ス
ペーシングロスが大きくなるので、その悪影響を防止す
るために磁気記録媒体の表面は平滑化される傾向にあ
る。しかしながら、磁気記録媒体の表面が平滑すぎる
と、磁気ヘッドと媒体が吸着を引起し、摩擦力が増大す
る。このため、媒体に生じる剪断力が大きくなり、磁気
記録媒体が大きな損傷を受けてしまう。
【０００５】そこで、良好なスチル特性を確保するため
に、従来より例えば非磁性支持体上に表面突起を設け、
該非磁性支持体上に積層形成される磁性層、保護層等の
表面に適当な粗度を付与し、磁気記録媒体の表面性を制
御しようとする方法が行われている。
に、従来より例えば非磁性支持体上に表面突起を設け、
該非磁性支持体上に積層形成される磁性層、保護層等の
表面に適当な粗度を付与し、磁気記録媒体の表面性を制
御しようとする方法が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
に磁気記録媒体の表面性を制御する場合、非磁性支持体
上に形成される表面突起の大きさの制御が非常に重要と
なる。即ち、この表面突起が大きくなるにつれて、スペ
ーシングロスが問題となり、電磁変換特性の劣化が生じ
てしまう。これに対して、上記表面突起の高さを抑える
と、スペーシングロスによる悪影響から免れるものの、
十分な走行耐久性を確保することができなくなる。
に磁気記録媒体の表面性を制御する場合、非磁性支持体
上に形成される表面突起の大きさの制御が非常に重要と
なる。即ち、この表面突起が大きくなるにつれて、スペ
ーシングロスが問題となり、電磁変換特性の劣化が生じ
てしまう。これに対して、上記表面突起の高さを抑える
と、スペーシングロスによる悪影響から免れるものの、
十分な走行耐久性を確保することができなくなる。
【０００７】従って、上記表面突起の大きさや密度を良
好に制御して、高電磁変換特性と良好な走行性の両者を
バランス良く確保することは、非常に難しいとされてい
る。
好に制御して、高電磁変換特性と良好な走行性の両者を
バランス良く確保することは、非常に難しいとされてい
る。
【０００８】そこで本発明は、上述の従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、良好な電磁変換特性を確保し
つつ、耐久性の向上を図ることが可能な磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
て提案されたものであり、良好な電磁変換特性を確保し
つつ、耐久性の向上を図ることが可能な磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、金属磁性薄膜表面
にカーボン保護膜を形成するとともに、カーボン保護膜
表面に大きさの異なる２種類の表面突起をそれぞれ所定
の密度で形成することにより、良好な走行耐久性と高電
磁変換特性の両方を確保することが可能となることを見
出し、本発明を完成するに至った。
的を達成せんものと鋭意研究の結果、金属磁性薄膜表面
にカーボン保護膜を形成するとともに、カーボン保護膜
表面に大きさの異なる２種類の表面突起をそれぞれ所定
の密度で形成することにより、良好な走行耐久性と高電
磁変換特性の両方を確保することが可能となることを見
出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】即ち、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支
持体上に、少なくとも金属磁性薄膜よりなる磁性層とカ
ーボン保護膜とが形成されてなる磁気記録媒体におい
て、上記カーボン保護膜の厚さが３〜３０ｎｍであり、
上記カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎｍ〜９
５±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起と、１８ｎｍ±
５ｎｍ〜２８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の突起とを有
していることを特徴とするものである。
持体上に、少なくとも金属磁性薄膜よりなる磁性層とカ
ーボン保護膜とが形成されてなる磁気記録媒体におい
て、上記カーボン保護膜の厚さが３〜３０ｎｍであり、
上記カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎｍ〜９
５±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起と、１８ｎｍ±
５ｎｍ〜２８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の突起とを有
していることを特徴とするものである。
【００１１】さらに具体的には、カーボン保護膜の厚さ
が３〜７ｎｍであり、カーボン保護膜の表面に、６５ｎ
ｍ±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．５×１０
4 〜６．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１
８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が５００×１
０4 〜４５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され
ていることを特徴とするものである。
が３〜７ｎｍであり、カーボン保護膜の表面に、６５ｎ
ｍ±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．５×１０
4 〜６．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１
８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が５００×１
０4 〜４５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され
ていることを特徴とするものである。
【００１２】または、カーボン保護膜の厚さが３〜７ｎ
ｍであり、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎ
ｍなる高さの第１の表面突起が１．１×１０4 〜５．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±５
ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4 〜４０
００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていること
を特徴とするものである。
ｍであり、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎ
ｍなる高さの第１の表面突起が１．１×１０4 〜５．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±５
ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4 〜４０
００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていること
を特徴とするものである。
【００１３】または、カーボン保護膜の厚さが３〜７ｎ
ｍであり、カーボン保護膜の表面に、９５ｎｍ±１５ｎ
ｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０4 〜４．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±５
ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4 〜３５
００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていること
を特徴とするものである。
ｍであり、カーボン保護膜の表面に、９５ｎｍ±１５ｎ
ｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０4 〜４．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±５
ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4 〜３５
００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていること
を特徴とするものである。
【００１４】または、カーボン保護膜の厚さが７〜１５
ｎｍであり、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５
ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０4 〜４．
０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８ｎｍ±
５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4 〜２
５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されているこ
とを特徴とするものである。
ｎｍであり、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５
ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０4 〜４．
０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８ｎｍ±
５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4 〜２
５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されているこ
とを特徴とするものである。
【００１５】または、カーボン保護膜の厚さが７〜１５
ｎｍであり、カーボン保護膜の表面に、９５ｎｍ±１５
ｎｍなる高さの第１の表面突起が０．７×１０4 〜２．
８×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±
５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4 〜２
０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されているこ
とを特徴とするものである。
ｎｍであり、カーボン保護膜の表面に、９５ｎｍ±１５
ｎｍなる高さの第１の表面突起が０．７×１０4 〜２．
８×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±
５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4 〜２
０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されているこ
とを特徴とするものである。
【００１６】または、カーボン保護膜の厚さが１５〜３
０ｎｍであり、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１
５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０4 〜
３．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８ｎ
ｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4
〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されてい
ることを特徴とするものである。
０ｎｍであり、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１
５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０4 〜
３．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８ｎ
ｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０4
〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されてい
ることを特徴とするものである。
【００１７】本発明は、非磁性支持体上に磁性層として
金属磁性薄膜が形成されてなるいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に適用される。上記非磁性支持体として
は、プラスチックフィルム等が使用可能である。また、
上記金属磁性薄膜の構成材料としては、特に限定される
ものではなく、例えばＣｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の従来公知の強
磁性金属材料が何れも使用可能である。上記金属磁性薄
膜の成膜方法としては、真空薄膜形成技術が挙げられ、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法等が何れも使用可能である。
金属磁性薄膜が形成されてなるいわゆる金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体に適用される。上記非磁性支持体として
は、プラスチックフィルム等が使用可能である。また、
上記金属磁性薄膜の構成材料としては、特に限定される
ものではなく、例えばＣｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ、
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の従来公知の強
磁性金属材料が何れも使用可能である。上記金属磁性薄
膜の成膜方法としては、真空薄膜形成技術が挙げられ、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーテ
ィング法等が何れも使用可能である。
【００１８】このような金属磁性薄膜型の磁気記録媒体
では、磁気記録媒体表面に表面突起を形成することによ
り、表面性が制御されて走行性が改善されるが、表面突
起を形成する場合、その高さ分だけスペーシングロスが
大きくなり電磁変換特性の劣化を招くことが問題となっ
ていた。
では、磁気記録媒体表面に表面突起を形成することによ
り、表面性が制御されて走行性が改善されるが、表面突
起を形成する場合、その高さ分だけスペーシングロスが
大きくなり電磁変換特性の劣化を招くことが問題となっ
ていた。
【００１９】そこで、本発明では、金属磁性薄膜上にカ
ーボン保護膜を形成するとともに、カーボン保護膜の表
面に高さの異なる２種類の突起を所定の密度で形成して
表面性を制御した。これにより、電磁変換特性をほとん
ど劣化させることなく走行耐久性を向上させることがで
きる。
ーボン保護膜を形成するとともに、カーボン保護膜の表
面に高さの異なる２種類の突起を所定の密度で形成して
表面性を制御した。これにより、電磁変換特性をほとん
ど劣化させることなく走行耐久性を向上させることがで
きる。
【００２０】なお、カーボン保護膜の厚さは３ｎｍ未満
であると、耐久性を向上させる効果が小さく、逆に３０
ｎｍを超えると、スペーシングロスが大きく電磁変換特
性を劣化させてしまうため、上述の範囲内とすることが
好ましい。具体的には、保護膜の厚さをｄとすると、−
７４×ｄ／λ（ｄＢ）なるスペーシングロスが発生し、
カーボン保護膜の厚さが３０ｎｍであるとき、上記スペ
ーシングロスは、約４．５ｄＢに達してしまうため、こ
れ以上カーボン保護膜を厚くすることは実用的ではな
い。
であると、耐久性を向上させる効果が小さく、逆に３０
ｎｍを超えると、スペーシングロスが大きく電磁変換特
性を劣化させてしまうため、上述の範囲内とすることが
好ましい。具体的には、保護膜の厚さをｄとすると、−
７４×ｄ／λ（ｄＢ）なるスペーシングロスが発生し、
カーボン保護膜の厚さが３０ｎｍであるとき、上記スペ
ーシングロスは、約４．５ｄＢに達してしまうため、こ
れ以上カーボン保護膜を厚くすることは実用的ではな
い。
【００２１】また、カーボン保護膜の厚さ、第１の表面
突起の高さ及び密度、第２の表面突起の高さと密度の組
合せが上述した範囲からはずれると走行耐久性，電磁変
換特性のいずれかが劣化してしまうので、２種類の表面
突起の高さ及び密度は上述した範囲に規制させる。
突起の高さ及び密度、第２の表面突起の高さと密度の組
合せが上述した範囲からはずれると走行耐久性，電磁変
換特性のいずれかが劣化してしまうので、２種類の表面
突起の高さ及び密度は上述した範囲に規制させる。
【００２２】上記第１の表面突起，第２の表面突起を有
する磁気記録媒体は、各表面突起の高さに対応する粒径
の粒子を用いることによって作製できる。
する磁気記録媒体は、各表面突起の高さに対応する粒径
の粒子を用いることによって作製できる。
【００２３】たとえば、非磁性支持体原材料（チップ）
に粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの第１の粒子を添加して分
散させて非磁性支持体を作製すると、第１の粒子の突出
分とこの上を覆う樹脂被膜の厚さを合わせ、ちょうど粒
径に相当する高さの表面突起が形成される。なお、この
とき第１の粒子の原材料への添加量は非磁性支持体表面
に突出する表面突起の密度が上記範囲となるように調整
する。
に粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの第１の粒子を添加して分
散させて非磁性支持体を作製すると、第１の粒子の突出
分とこの上を覆う樹脂被膜の厚さを合わせ、ちょうど粒
径に相当する高さの表面突起が形成される。なお、この
とき第１の粒子の原材料への添加量は非磁性支持体表面
に突出する表面突起の密度が上記範囲となるように調整
する。
【００２４】さらにこの非磁性支持体上に粒径が１８ｎ
ｍ±５ｎｍの第２の粒子を上記範囲の密度となるように
配置して、バインダー樹脂等により定着させる。これに
より高さが６５ｎｍ±１５ｎｍ，１８ｎｍ±５ｎｍの２
種類の表面突起を有する非磁性支持体が得られる。
ｍ±５ｎｍの第２の粒子を上記範囲の密度となるように
配置して、バインダー樹脂等により定着させる。これに
より高さが６５ｎｍ±１５ｎｍ，１８ｎｍ±５ｎｍの２
種類の表面突起を有する非磁性支持体が得られる。
【００２５】そして、この非磁性支持体上に金属磁性薄
膜を成膜すると、非磁性支持体上の突起形状が該金属磁
性薄膜の表面に反映される。同様にこの上にカーボン保
護膜を成膜すると、金属磁性薄膜上の突起形状が該カー
ボン保護膜表面に反映される。したがって、高さが６５
ｎｍ±１５ｎｍの第１の表面突起，高さが１８ｎｍ±５
ｎｍの第２の表面突起をカーボン保護膜表面に有する上
記磁気記録媒体が得られることとなる。
膜を成膜すると、非磁性支持体上の突起形状が該金属磁
性薄膜の表面に反映される。同様にこの上にカーボン保
護膜を成膜すると、金属磁性薄膜上の突起形状が該カー
ボン保護膜表面に反映される。したがって、高さが６５
ｎｍ±１５ｎｍの第１の表面突起，高さが１８ｎｍ±５
ｎｍの第２の表面突起をカーボン保護膜表面に有する上
記磁気記録媒体が得られることとなる。
【００２６】なお、非磁性支持体の突起形状がカーボン
保護膜表面へ反映される精度は、金属磁性薄膜の膜厚と
カーボン保護膜の膜厚に依存する。両者の膜厚が薄い場
合には、比較的精度良く表面に非磁性支持体の突起形状
が反映されるため、金属磁性薄膜の膜厚及びカーボン保
護膜の膜厚は、このような突起形状の反映性を考慮して
設定されることが好ましい。
保護膜表面へ反映される精度は、金属磁性薄膜の膜厚と
カーボン保護膜の膜厚に依存する。両者の膜厚が薄い場
合には、比較的精度良く表面に非磁性支持体の突起形状
が反映されるため、金属磁性薄膜の膜厚及びカーボン保
護膜の膜厚は、このような突起形状の反映性を考慮して
設定されることが好ましい。
【００２７】また、上記方法は、表面突起を予め非磁性
支持体上に形成しておくものであるが、非磁性支持体と
しては表面平坦なものを用い、金属磁性薄膜表面に上記
第１の粒子，第２の粒子をそれぞれ所定の密度で配置
し、この上をカーボン保護層で覆うことにより突起を保
持するようにすることも可能である。
支持体上に形成しておくものであるが、非磁性支持体と
しては表面平坦なものを用い、金属磁性薄膜表面に上記
第１の粒子，第２の粒子をそれぞれ所定の密度で配置
し、この上をカーボン保護層で覆うことにより突起を保
持するようにすることも可能である。
【００２８】なお、上記表面突起を形成するための粒子
としては、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ
3 等の粒子やエマルジョン等が使用可能である。エマル
ジョンとしては、水性エマルジョンであっても非水エマ
ルジョンであってもよく、さらにはラテックス等も使用
可能である。また、エマルジョンに含まれる合成樹脂の
種類としても、酢酸ビニル，アクリル酸エステル，メタ
クリル酸エステル，塩化ビニリデン，塩化ビニル，エチ
レン，スチレン等のホモポリマー，コポリマーからなる
熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂，ブタ
ジエン−スチレン共重合体，ブタジエン−アクリロニト
リル共重合体等の合成ゴム等、特に限定されるものでは
ない。
としては、ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＣａＣＯ
3 等の粒子やエマルジョン等が使用可能である。エマル
ジョンとしては、水性エマルジョンであっても非水エマ
ルジョンであってもよく、さらにはラテックス等も使用
可能である。また、エマルジョンに含まれる合成樹脂の
種類としても、酢酸ビニル，アクリル酸エステル，メタ
クリル酸エステル，塩化ビニリデン，塩化ビニル，エチ
レン，スチレン等のホモポリマー，コポリマーからなる
熱可塑性樹脂や、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂，ブタ
ジエン−スチレン共重合体，ブタジエン−アクリロニト
リル共重合体等の合成ゴム等、特に限定されるものでは
ない。
【００２９】また、上記カーボン保護層としては、金属
磁性薄膜型の磁気記録媒体において通常使用されている
ものがいずれも使用可能である。また、カーボンの他
に、ＣｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＢＮ，Ｃｏ酸化物，Ｍｇ
Ｏ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｏ4 ，ＳｉＮx ，ＳｉＣ，ＳｉＮ
x −ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ＴｉＯ2 ，ＴｉＣ等を用いるこ
とも可能であり、これらは真空薄膜成膜手段によって単
層膜，多層膜あるいは複合膜等として成膜される。
磁性薄膜型の磁気記録媒体において通常使用されている
ものがいずれも使用可能である。また、カーボンの他
に、ＣｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＢＮ，Ｃｏ酸化物，Ｍｇ
Ｏ，ＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｏ4 ，ＳｉＮx ，ＳｉＣ，ＳｉＮ
x −ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ＴｉＯ2 ，ＴｉＣ等を用いるこ
とも可能であり、これらは真空薄膜成膜手段によって単
層膜，多層膜あるいは複合膜等として成膜される。
【００３０】なお、以上が本発明の基本的な構成である
が、本発明においては、必要に応じて、上記非磁性支持
体上に下地膜やバックコート層、トップコート層等を適
宜形成しても良い。この場合、下塗り膜、バックコート
層、トップコート層等の成膜方法は、通常この種の磁気
記録媒体に適用される方法であればいすれでも良く、特
に限定されない。本発明の磁気記録媒体においては、上
記カーボン保護膜の上に潤滑剤が塗布されることが好ま
しい。
が、本発明においては、必要に応じて、上記非磁性支持
体上に下地膜やバックコート層、トップコート層等を適
宜形成しても良い。この場合、下塗り膜、バックコート
層、トップコート層等の成膜方法は、通常この種の磁気
記録媒体に適用される方法であればいすれでも良く、特
に限定されない。本発明の磁気記録媒体においては、上
記カーボン保護膜の上に潤滑剤が塗布されることが好ま
しい。
【００３１】
【作用】非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層
とカーボン保護膜とを有する磁気記録媒体において、上
記カーボン保護膜表面に高さが異なる２種類の表面突起
をそれぞれ所定の密度で形成すると、磁気記録媒体の表
面性が良好に制御される。これにより磁気ヘッドとの摺
動時当りが良好となり走行性が向上する。また、スペー
シングロスによる電磁変換特性の劣化も抑えられる。
とカーボン保護膜とを有する磁気記録媒体において、上
記カーボン保護膜表面に高さが異なる２種類の表面突起
をそれぞれ所定の密度で形成すると、磁気記録媒体の表
面性が良好に制御される。これにより磁気ヘッドとの摺
動時当りが良好となり走行性が向上する。また、スペー
シングロスによる電磁変換特性の劣化も抑えられる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例を図
面を参照しながら説明する。本実施例においては、カー
ボン保護膜表面に２種類の突起を形成するために、非磁
性支持体上に粒径の異なる２種類の粒子による表面突起
を作成した後、金属磁性薄膜とカーボン保護膜を成膜し
た。
面を参照しながら説明する。本実施例においては、カー
ボン保護膜表面に２種類の突起を形成するために、非磁
性支持体上に粒径の異なる２種類の粒子による表面突起
を作成した後、金属磁性薄膜とカーボン保護膜を成膜し
た。
【００３３】本実施例の磁気記録媒体（磁気テープ）
は、図１に示すように、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）からなる非磁性支持体１上に膜厚０．５μｍ
以下とされる薄膜の磁性層２を有し、さらにこの上にカ
ーボン保護膜３を有してなる。上記非磁性支持体１上に
は、比較的大きな第１の表面突起４と、比較的小さな第
２の表面突起５が形成されている。
は、図１に示すように、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）からなる非磁性支持体１上に膜厚０．５μｍ
以下とされる薄膜の磁性層２を有し、さらにこの上にカ
ーボン保護膜３を有してなる。上記非磁性支持体１上に
は、比較的大きな第１の表面突起４と、比較的小さな第
２の表面突起５が形成されている。
【００３４】上述のような構成の磁気テープを作成する
に際し、上記第１の表面突起４は、ＳｉＯ2 粒子よりな
る比較的粒径の大きな第１の粒子６を非磁性支持体１内
に内添させることにより、上記第１の粒子６の粒子形状
を非磁性支持体１の表面に反映させて形成した。なお、
上記第１の粒子６は、所望の突起密度となるように上記
非磁性支持体１内に適当に分散させるが、その一部はあ
る程度凝集したかたちで存在している。
に際し、上記第１の表面突起４は、ＳｉＯ2 粒子よりな
る比較的粒径の大きな第１の粒子６を非磁性支持体１内
に内添させることにより、上記第１の粒子６の粒子形状
を非磁性支持体１の表面に反映させて形成した。なお、
上記第１の粒子６は、所望の突起密度となるように上記
非磁性支持体１内に適当に分散させるが、その一部はあ
る程度凝集したかたちで存在している。
【００３５】一方、上記第２の表面突起５は、ＳｉＯ2
粒子よりなる比較的粒径の小さな第２の粒子７を非磁性
支持体１上に分散し、バインダー樹脂等により定着させ
て形成した。なお、上記第１の粒子７は、所望の突起密
度が形成されるように非磁性支持体１上に適当に分散さ
せた。
粒子よりなる比較的粒径の小さな第２の粒子７を非磁性
支持体１上に分散し、バインダー樹脂等により定着させ
て形成した。なお、上記第１の粒子７は、所望の突起密
度が形成されるように非磁性支持体１上に適当に分散さ
せた。
【００３６】そして、上述のようにして２種類の表面突
起が形成された非磁性支持体１に対して、金属磁性薄膜
を例えば真空蒸着法等により成膜して磁性層２を形成し
た。さらに、この磁性層２上に、例えばスパッタリング
法等によりダイヤモンドライクカーボンよりなるカーボ
ン保護膜３を膜厚３ｎｍ〜３０ｎｍに成膜し、このカー
ボン保護膜３表面に潤滑剤を塗布して磁気テープを作成
した。
起が形成された非磁性支持体１に対して、金属磁性薄膜
を例えば真空蒸着法等により成膜して磁性層２を形成し
た。さらに、この磁性層２上に、例えばスパッタリング
法等によりダイヤモンドライクカーボンよりなるカーボ
ン保護膜３を膜厚３ｎｍ〜３０ｎｍに成膜し、このカー
ボン保護膜３表面に潤滑剤を塗布して磁気テープを作成
した。
【００３７】具体的には、カーボン保護膜３を３〜７ｎ
ｍ，７〜１５ｎｍ，１５〜３０ｎｍなる厚さに形成した
とき、第１の粒子６として３５ｎｍ±１５ｎｍ，６５ｎ
ｍ±１５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる粒径を有するも
のを用い、第２の粒子７として１８ｎｍ±５ｎｍ，２８
ｎｍ±５ｎｍなる粒径を有するものを用い、両粒子の密
度を種々に変化させた磁気テープを作成した。
ｍ，７〜１５ｎｍ，１５〜３０ｎｍなる厚さに形成した
とき、第１の粒子６として３５ｎｍ±１５ｎｍ，６５ｎ
ｍ±１５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる粒径を有するも
のを用い、第２の粒子７として１８ｎｍ±５ｎｍ，２８
ｎｍ±５ｎｍなる粒径を有するものを用い、両粒子の密
度を種々に変化させた磁気テープを作成した。
【００３８】そして、カーボン保護膜３の厚さ、第１の
粒子６及び第２の粒子７の粒径や粒子密度の最適な組合
せを検討するため、種々の磁気テープについて磁気特性
等を調べた。
粒子６及び第２の粒子７の粒径や粒子密度の最適な組合
せを検討するため、種々の磁気テープについて磁気特性
等を調べた。
【００３９】実験１ 本実験では、カーボン保護膜３の厚さを３〜７ｎｍに設
定し、さらに第２の粒子７の粒径を１８ｎｍ±５ｎｍに
設定した場合の、第１の粒子６の粒径及び粒子密度の最
適な組合せを調べた。
定し、さらに第２の粒子７の粒径を１８ｎｍ±５ｎｍに
設定した場合の、第１の粒子６の粒径及び粒子密度の最
適な組合せを調べた。
【００４０】先ず、３５ｎｍ±１５ｎｍ，６５ｎｍ±１
５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する第
１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テープ
について、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図２に示す。なお、カーボン保護膜３の
厚さは７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を劣化
させる厚さである。）に設定した。
５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する第
１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テープ
について、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図２に示す。なお、カーボン保護膜３の
厚さは７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を劣化
させる厚さである。）に設定した。
【００４１】図２より、第１の粒子６としていずれの粒
径のものを用いた場合でも、第１の粒子６の粒子密度が
高くなるほどＲＦ特性は低下する傾向にあることがわか
る。また、第１の粒子６として大きな粒径のものを用い
るほどＲＦ特性が低くなることがわかる。
径のものを用いた場合でも、第１の粒子６の粒子密度が
高くなるほどＲＦ特性は低下する傾向にあることがわか
る。また、第１の粒子６として大きな粒径のものを用い
るほどＲＦ特性が低くなることがわかる。
【００４２】そして、０ｄＢ以上の出力を得るために
は、第１の粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で
は粒子密度を７．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒
子６の粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を
６．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径が
９５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を４．８×１０
4 個／ｍｍ2 以下としなければならないことがわかる。
は、第１の粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で
は粒子密度を７．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒
子６の粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を
６．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径が
９５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を４．８×１０
4 個／ｍｍ2 以下としなければならないことがわかる。
【００４３】また、第１の粒子６として上述した３種類
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図３に示した。なお、上記クロッグまでのパ
ス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグを
起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さは
３ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起こし
やすい厚さである。）に設定した。
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図３に示した。なお、上記クロッグまでのパ
ス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグを
起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さは
３ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起こし
やすい厚さである。）に設定した。
【００４４】図３より、第１の粒子６として何れの粒径
の粒子を用いたものにおいても、粒子密度が高くなるほ
ど、クロッグまでのパス回数が増加する傾向にあること
がわかる。また、パス回数の下限を９０回とすると、第
１の粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子
密度を３．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６の
粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．５
×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６の粒径が９５ｎ
ｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．２×１０4 個／
ｍｍ2 以上としなければならない。
の粒子を用いたものにおいても、粒子密度が高くなるほ
ど、クロッグまでのパス回数が増加する傾向にあること
がわかる。また、パス回数の下限を９０回とすると、第
１の粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子
密度を３．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６の
粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．５
×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６の粒径が９５ｎ
ｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．２×１０4 個／
ｍｍ2 以上としなければならない。
【００４５】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で３．０〜７．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．５〜６．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で１．２〜４．
８×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で３．０〜７．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．５〜６．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で１．２〜４．
８×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
【００４６】さらに、この結果を、図４に示される上記
第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態か
らのレベルダウンとの関係と併せて検討したところ、粒
径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合及び
粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合に
は、上記粒子密度範囲内においてもレベルダウンが大き
く、レベルダウンの下限を−２．２５ｄＢとすると使用
不可能であることがわかる。これに対して、粒径６５ｎ
ｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合には、上記粒
子密度範囲内で十分な特性を得られることがわかる。な
お、上記レベルダウンの値は、カーボン保護膜３の厚さ
には依存しない。
第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態か
らのレベルダウンとの関係と併せて検討したところ、粒
径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合及び
粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合に
は、上記粒子密度範囲内においてもレベルダウンが大き
く、レベルダウンの下限を−２．２５ｄＢとすると使用
不可能であることがわかる。これに対して、粒径６５ｎ
ｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合には、上記粒
子密度範囲内で十分な特性を得られることがわかる。な
お、上記レベルダウンの値は、カーボン保護膜３の厚さ
には依存しない。
【００４７】以上より、第２の粒子７として１８ｎｍ±
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．５〜６．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好まし
いことがわかった。
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．５〜６．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好まし
いことがわかった。
【００４８】そこで、第１の粒子６を上述のように定め
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは３ｎｍ（本実験の条件範
囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定し
た。
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは３ｎｍ（本実験の条件範
囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定し
た。
【００４９】図５に第２の粒子７の粒子密度とスチル特
性との関係を示す。なお、この結果は、後述する実験２
にて第２の粒子７の粒径２８ｎｍに設定したサンプルに
ついて測定した結果とともに示されており、本実験にお
けるデータは図中１８ｎｍと示された方である。
性との関係を示す。なお、この結果は、後述する実験２
にて第２の粒子７の粒径２８ｎｍに設定したサンプルに
ついて測定した結果とともに示されており、本実験にお
けるデータは図中１８ｎｍと示された方である。
【００５０】図５より、実用的なスチル特性（１００分
以上）を得るためには、上記第２の粒子７の密度を５０
０×１０4 個／ｍｍ2 以上としなければならないことが
わかる。
以上）を得るためには、上記第２の粒子７の密度を５０
０×１０4 個／ｍｍ2 以上としなければならないことが
わかる。
【００５１】また、図６に曲線ａとして、第２の粒子７
の粒子密度とＲＦ特性との関係を示す。なお、カーボン
保護膜３の厚さは７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も
出力を劣化させる厚さである。）に設定した。なお、曲
線ｂ，ｃについては後述する実験２に関するものであ
る。
の粒子密度とＲＦ特性との関係を示す。なお、カーボン
保護膜３の厚さは７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も
出力を劣化させる厚さである。）に設定した。なお、曲
線ｂ，ｃについては後述する実験２に関するものであ
る。
【００５２】図６より、ＲＦ特性の出力を０ｄＢ以上と
するためには、上記第２の粒子７の密度を４５００×１
０4 個／ｍｍ2 以下としなければならないことがわか
る。
するためには、上記第２の粒子７の密度を４５００×１
０4 個／ｍｍ2 以下としなければならないことがわか
る。
【００５３】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第２の粒子７の
密度を５００〜４５００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要
がある。
の両者を実現可能とするためには、上記第２の粒子７の
密度を５００〜４５００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要
がある。
【００５４】以上の結果より、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍ
の第１の粒子６と粒径１８ｎｍ±５ｎｍの第２の粒子７
をそれぞれ１．５×１０4 〜６．０×１０4 個／ｍ
ｍ2 ，５００×１０4 〜４５００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を３ｎｍ〜７ｎｍなる厚
さに形成することにより、電磁変換特性と走行性のバラ
ンスに優れた磁気テープを得ることができることがわか
った。
の第１の粒子６と粒径１８ｎｍ±５ｎｍの第２の粒子７
をそれぞれ１．５×１０4 〜６．０×１０4 個／ｍ
ｍ2 ，５００×１０4 〜４５００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を３ｎｍ〜７ｎｍなる厚
さに形成することにより、電磁変換特性と走行性のバラ
ンスに優れた磁気テープを得ることができることがわか
った。
【００５５】実験２ 次に、カーボン保護膜３の厚さは上述の実験１同様３〜
７ｎｍに設定され、第２の粒子７の粒径が２８ｎｍ±５
ｎｍに設定された磁気テープについて、第１の粒子の好
ましい粒径と粒子密度を調べることとする。
７ｎｍに設定され、第２の粒子７の粒径が２８ｎｍ±５
ｎｍに設定された磁気テープについて、第１の粒子の好
ましい粒径と粒子密度を調べることとする。
【００５６】そこで、３５ｎｍ±１５ｎｍ，６５ｎｍ±
１５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する
第１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テー
プについて、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図７に示す。なお、カーボン保護膜３の
厚さは７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を劣化
させる厚さである。）に設定した。
１５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する
第１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テー
プについて、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図７に示す。なお、カーボン保護膜３の
厚さは７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を劣化
させる厚さである。）に設定した。
【００５７】図７より、第１の粒子６としてどの粒径の
ものを用いても、第１の粒子６の粒子密度が高くなるほ
どＲＦ特性は低下する傾向にあり、また、第１の粒子６
として大きな粒径のものを用いるほどＲＦ特性が低くな
ることがわかる。
ものを用いても、第１の粒子６の粒子密度が高くなるほ
どＲＦ特性は低下する傾向にあり、また、第１の粒子６
として大きな粒径のものを用いるほどＲＦ特性が低くな
ることがわかる。
【００５８】０ｄＢ以上の出力を得るためには、第１の
粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度
を６．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径
が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を５．０×１
０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径が９５ｎｍ±
１５ｎｍの場合では粒子密度を４．０×１０4 個／ｍｍ
2 以下としなければならないことがわかる。
粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度
を６．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径
が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を５．０×１
０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径が９５ｎｍ±
１５ｎｍの場合では粒子密度を４．０×１０4 個／ｍｍ
2 以下としなければならないことがわかる。
【００５９】また、第１の粒子６として上述した３種類
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図８に示した。なお、上記クロッグまでのパ
ス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグを
起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さは
３ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起こし
やすい厚さである。）に設定した。
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図８に示した。なお、上記クロッグまでのパ
ス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグを
起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さは
３ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起こし
やすい厚さである。）に設定した。
【００６０】図８より、第１の粒子６として何れの粒径
の粒子を用いたものにおいても、粒子密度が高くなるほ
ど、クロッグまでのパス回数が増加する傾向にあること
がわかる。また、パス回数の下限を９０回とすると、第
１の粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子
密度を２．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６の
粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．１
×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６の粒径が９５ｎ
ｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．０×１０4 個／
ｍｍ2 以上としなければならない。
の粒子を用いたものにおいても、粒子密度が高くなるほ
ど、クロッグまでのパス回数が増加する傾向にあること
がわかる。また、パス回数の下限を９０回とすると、第
１の粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子
密度を２．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６の
粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．１
×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６の粒径が９５ｎ
ｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．０×１０4 個／
ｍｍ2 以上としなければならない。
【００６１】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で２．０〜６．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．１〜５．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で１．０〜４．
０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で２．０〜６．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．１〜５．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で１．０〜４．
０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
【００６２】さらに、この結果を、図９に示される上記
第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態か
らのレベルダウンとの関係と併せて検討した。
第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態か
らのレベルダウンとの関係と併せて検討した。
【００６３】これより、第１の粒子６として粒径３５ｎ
ｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合には、上記粒
子密度範囲内においてもレベルダウンが大きく、レベル
ダウンの下限を−２．２５ｄＢとすると使用不可能であ
ることがわかる。これに対して、第１の粒子６として粒
径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子及び粒径９５ｎｍ±１５ｎ
ｍの粒子が用いられている場合には、上記粒子密度範囲
内で十分な特性を得られることがわかる。なお、上記レ
ベルダウンの値は、カーボン保護膜３の厚さには依存し
ない。
ｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合には、上記粒
子密度範囲内においてもレベルダウンが大きく、レベル
ダウンの下限を−２．２５ｄＢとすると使用不可能であ
ることがわかる。これに対して、第１の粒子６として粒
径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子及び粒径９５ｎｍ±１５ｎ
ｍの粒子が用いられている場合には、上記粒子密度範囲
内で十分な特性を得られることがわかる。なお、上記レ
ベルダウンの値は、カーボン保護膜３の厚さには依存し
ない。
【００６４】以上より、第２の粒子７として２８ｎｍ±
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．１〜５．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いる、又は、粒径
９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．０〜４．０×１０4 個
／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好ましいことがわ
かった。
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．１〜５．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いる、又は、粒径
９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．０〜４．０×１０4 個
／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好ましいことがわ
かった。
【００６５】そこで、第１の粒子６を上述のように定め
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは３ｎｍ（本実験の条件範
囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定し
た。
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは３ｎｍ（本実験の条件範
囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定し
た。
【００６６】図５に第２の粒子７の粒子密度とスチル特
性との関係を示す。なお、この結果は、実験１にて第２
の粒子７の粒径１８ｎｍに設定したサンプルについて測
定した結果とともに示されており、本実験におけるデー
タは図中２８ｎｍと示された方である。
性との関係を示す。なお、この結果は、実験１にて第２
の粒子７の粒径１８ｎｍに設定したサンプルについて測
定した結果とともに示されており、本実験におけるデー
タは図中２８ｎｍと示された方である。
【００６７】図５より、実用的なスチル特性（１００分
以上）を得るためには、上記第２の粒子７の密度を４０
０×１０4 個／ｍｍ2 以上としなければならないことが
わかる。また、第２の粒子７の粒径１８ｎｍに設定した
サンプルよりスチル特性に優れることもわかった。
以上）を得るためには、上記第２の粒子７の密度を４０
０×１０4 個／ｍｍ2 以上としなければならないことが
わかる。また、第２の粒子７の粒径１８ｎｍに設定した
サンプルよりスチル特性に優れることもわかった。
【００６８】また、図６に第２の粒子７の粒子密度とＲ
Ｆ特性との関係を示す。なお、カーボン保護膜３の厚さ
は７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力が劣化する
厚さである。）に設定されており、６５ｎｍ±１５ｎｍ
なる粒径のものを第１の粒子６として用いた場合を曲線
ｂに示し、９５ｎｍ±１５ｎｍなる粒径のものを第１の
粒子６として用いた場合を曲線ｃに示す。
Ｆ特性との関係を示す。なお、カーボン保護膜３の厚さ
は７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力が劣化する
厚さである。）に設定されており、６５ｎｍ±１５ｎｍ
なる粒径のものを第１の粒子６として用いた場合を曲線
ｂに示し、９５ｎｍ±１５ｎｍなる粒径のものを第１の
粒子６として用いた場合を曲線ｃに示す。
【００６９】図６より、ＲＦ特性の出力を０ｄＢ以上と
するためには、第１の粒子６の粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍである場合、第２の粒子７の密度を４０００×１０4
個／ｍｍ2 以下とし、第１の粒子６の粒径が９５ｎｍ±
１５ｎｍである場合、第２の粒子７の密度を３５００×
１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならないことがわか
った。
するためには、第１の粒子６の粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍである場合、第２の粒子７の密度を４０００×１０4
個／ｍｍ2 以下とし、第１の粒子６の粒径が９５ｎｍ±
１５ｎｍである場合、第２の粒子７の密度を３５００×
１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならないことがわか
った。
【００７０】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、第１の粒子６の粒径
が６５ｎｍ±１５ｎｍである場合、上記第２の粒子７の
密度を４００〜４０００×１０4 個／ｍｍ2 とし、第１
の粒子６の粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍである場合、上記
第２の粒子７の密度を４００〜３５００×１０4 個／ｍ
ｍ2 とする必要があることがわかる。
の両者を実現可能とするためには、第１の粒子６の粒径
が６５ｎｍ±１５ｎｍである場合、上記第２の粒子７の
密度を４００〜４０００×１０4 個／ｍｍ2 とし、第１
の粒子６の粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍである場合、上記
第２の粒子７の密度を４００〜３５００×１０4 個／ｍ
ｍ2 とする必要があることがわかる。
【００７１】なお、図６中には、前述した実験１におい
て第２の粒子７の粒径を１８ｎｍ±５ｎｍに設定したも
の（曲線ａ）のデータが併せて示されており、本実験で
検討されている第２の粒子７の粒径を２８ｎｍ±５ｎｍ
に設定したもの（曲線ｂ，ｃ）より多少ＲＦ特性に優れ
ていることがわかる。
て第２の粒子７の粒径を１８ｎｍ±５ｎｍに設定したも
の（曲線ａ）のデータが併せて示されており、本実験で
検討されている第２の粒子７の粒径を２８ｎｍ±５ｎｍ
に設定したもの（曲線ｂ，ｃ）より多少ＲＦ特性に優れ
ていることがわかる。
【００７２】以上の結果より、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍ
なる第１の粒子６と粒径２８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ１．１×１０4 〜５．０×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜４０００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成する、又
は、粒径９５ｎｍ±１５ｎｍなる第１の粒子６と粒径２
８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒子７をそれぞれ１．０×１
０4 〜４．０×１０4個／ｍｍ2 ，４００×１０4 〜３
５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で定着させて非磁性
支持体に突起を形成し、さらに、磁性層上にカーボン保
護膜を３ｎｍ〜７ｎｍなる厚さに形成することにより、
電磁変換特性と走行性のバランスに優れた磁気テープを
得ることができることがわかった。
なる第１の粒子６と粒径２８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ１．１×１０4 〜５．０×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜４０００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成する、又
は、粒径９５ｎｍ±１５ｎｍなる第１の粒子６と粒径２
８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒子７をそれぞれ１．０×１
０4 〜４．０×１０4個／ｍｍ2 ，４００×１０4 〜３
５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で定着させて非磁性
支持体に突起を形成し、さらに、磁性層上にカーボン保
護膜を３ｎｍ〜７ｎｍなる厚さに形成することにより、
電磁変換特性と走行性のバランスに優れた磁気テープを
得ることができることがわかった。
【００７３】実験３ さらに、カーボン保護膜３の厚さが７〜１５ｎｍに設定
され、且つ、第２の粒子７の粒径が１８ｎｍ±５ｎｍに
設定された磁気テープについて、第１の粒子の好ましい
粒径と粒子密度を調べる。
され、且つ、第２の粒子７の粒径が１８ｎｍ±５ｎｍに
設定された磁気テープについて、第１の粒子の好ましい
粒径と粒子密度を調べる。
【００７４】先ず、３５ｎｍ±１５ｎｍ，６５ｎｍ±１
５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する第
１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テープ
について、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図１０に示す。なお、カーボン保護膜３
の厚さは１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を
劣化させる厚さである。）に設定した。
５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する第
１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テープ
について、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図１０に示す。なお、カーボン保護膜３
の厚さは１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を
劣化させる厚さである。）に設定した。
【００７５】図１０より、第１の粒子６としてどの粒径
のものを用いても、第１の粒子６の粒子密度が高くなる
ほどＲＦ特性は低下する傾向にあり、また、第１の粒子
６として大きな粒径のものを用いるほどＲＦ特性が低く
なることがわかる。
のものを用いても、第１の粒子６の粒子密度が高くなる
ほどＲＦ特性は低下する傾向にあり、また、第１の粒子
６として大きな粒径のものを用いるほどＲＦ特性が低く
なることがわかる。
【００７６】０ｄＢ以上の出力を得るためには、第１の
粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度
を５．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径
が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を４．０×１
０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径が９５ｎｍ±
１５ｎｍの場合では粒子密度を２．８×１０4 個／ｍｍ
2 以下としなければならない。
粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度
を５．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径
が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を４．０×１
０4 個／ｍｍ2 以下、第１の粒子６の粒径が９５ｎｍ±
１５ｎｍの場合では粒子密度を２．８×１０4 個／ｍｍ
2 以下としなければならない。
【００７７】また、第１の粒子６として上述した３種類
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図１１に示した。なお、上記クロッグまでの
パス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグ
を起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さ
は７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起こ
しやすい厚さである。）に設定した。
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図１１に示した。なお、上記クロッグまでの
パス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグ
を起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さ
は７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起こ
しやすい厚さである。）に設定した。
【００７８】図１１より、第１の粒子６として何れの粒
径の粒子を用いたものにおいても、粒子密度が高くなる
ほど、クロッグまでのパス回数が増加する傾向にあるこ
とがわかる。また、パス回数の下限を７０回とすると、
第１の粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒
子密度を２．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６
の粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．
０×１０4 個／ｍｍ2以上、第１の粒子６の粒径が９５
ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を０．７×１０4 個
／ｍｍ2 以上としなければならない。
径の粒子を用いたものにおいても、粒子密度が高くなる
ほど、クロッグまでのパス回数が増加する傾向にあるこ
とがわかる。また、パス回数の下限を７０回とすると、
第１の粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒
子密度を２．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、第１の粒子６
の粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を１．
０×１０4 個／ｍｍ2以上、第１の粒子６の粒径が９５
ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を０．７×１０4 個
／ｍｍ2 以上としなければならない。
【００７９】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で２．０〜５．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．０〜４．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で０．７〜２．
８×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で２．０〜５．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．０〜４．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で０．７〜２．
８×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
【００８０】さらに、この結果を、図１２に示される上
記第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態
からのレベルダウンとの関係と併せて検討した。
記第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態
からのレベルダウンとの関係と併せて検討した。
【００８１】これより、粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの粒子
及び粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場
合には、上記粒子密度範囲内においてもレベルダウンが
大きく、レベルダウンの下限を−２．２５ｄＢとすると
使用不可能であることがわかる。これに対して、粒径６
５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合には、上
記粒子密度範囲内で十分な特性を得られることがわか
る。なお、上記レベルダウンの値は、カーボン保護膜３
の厚さには依存しない。
及び粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場
合には、上記粒子密度範囲内においてもレベルダウンが
大きく、レベルダウンの下限を−２．２５ｄＢとすると
使用不可能であることがわかる。これに対して、粒径６
５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合には、上
記粒子密度範囲内で十分な特性を得られることがわか
る。なお、上記レベルダウンの値は、カーボン保護膜３
の厚さには依存しない。
【００８２】以上より、第２の粒子７として１８ｎｍ±
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．０〜４．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好まし
いことがわかった。
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．０〜４．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好まし
いことがわかった。
【００８３】そこで、第１の粒子６を上述のように定め
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは７ｎｍ（本実験の条件範
囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定し
た。
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは７ｎｍ（本実験の条件範
囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定し
た。
【００８４】図１３にこの結果を示す。実用的なスチル
特性（１００分以上）を得るためには、上記第２の粒子
７の密度を４００×１０4 個／ｍｍ2 以上としなければ
ならないことがわかる。
特性（１００分以上）を得るためには、上記第２の粒子
７の密度を４００×１０4 個／ｍｍ2 以上としなければ
ならないことがわかる。
【００８５】また、図１４に第２の粒子７の粒子密度と
ＲＦ特性との関係を示す。なお、カーボン保護膜３の厚
さは１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力が劣化
する厚さである。）に設定した。これより、ＲＦ特性の
出力を０ｄＢ以上とするためには、第２の粒子７の密度
を２５００×１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならな
いことがわかった。
ＲＦ特性との関係を示す。なお、カーボン保護膜３の厚
さは１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力が劣化
する厚さである。）に設定した。これより、ＲＦ特性の
出力を０ｄＢ以上とするためには、第２の粒子７の密度
を２５００×１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならな
いことがわかった。
【００８６】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第２の粒子７の
密度を４００〜２５００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要
があることがわかる。
の両者を実現可能とするためには、上記第２の粒子７の
密度を４００〜２５００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要
があることがわかる。
【００８７】以上の結果より、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍ
なる第１の粒子６と粒径１８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ１．０×１０4 〜４．０×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜２５００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を７ｎｍ〜１５ｎｍなる
厚さに形成することにより、電磁変換特性と走行性のバ
ランスに優れた磁気テープを得ることができることがわ
かった。
なる第１の粒子６と粒径１８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ１．０×１０4 〜４．０×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜２５００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を７ｎｍ〜１５ｎｍなる
厚さに形成することにより、電磁変換特性と走行性のバ
ランスに優れた磁気テープを得ることができることがわ
かった。
【００８８】実験４ 次に カーボン保護膜３の厚さを上述の実験３同様７〜
１５ｎｍに設定し、第２の粒子７の粒径を２８ｎｍ±５
ｎｍに設定された磁気テープについて、第１の粒子の好
ましい粒径と粒子密度を調べることとする。
１５ｎｍに設定し、第２の粒子７の粒径を２８ｎｍ±５
ｎｍに設定された磁気テープについて、第１の粒子の好
ましい粒径と粒子密度を調べることとする。
【００８９】先ず、３５ｎｍ±１５ｎｍ，６５ｎｍ±１
５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する第
１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テープ
について、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図１５に示す。なお、カーボン保護膜３
の厚さは１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を
劣化させる厚さである。）に設定した。
５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する第
１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テープ
について、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図１５に示す。なお、カーボン保護膜３
の厚さは１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を
劣化させる厚さである。）に設定した。
【００９０】図１５より、第１の粒子６としてどの粒径
のものを用いても、第１の粒子６の粒子密度が高くなる
ほどＲＦ特性は低下する傾向にあり、また、大きな粒径
のものを用いるほどＲＦ特性が低くなることがわかる。
０ｄＢ以上の出力を得るためには、第１の粒子６の粒径
が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を５．０×１
０4 個／ｍｍ2 以下、粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合
では粒子密度を４．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、粒径が
９５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を２．８×１０
4 個／ｍｍ2 以下としなければならない。
のものを用いても、第１の粒子６の粒子密度が高くなる
ほどＲＦ特性は低下する傾向にあり、また、大きな粒径
のものを用いるほどＲＦ特性が低くなることがわかる。
０ｄＢ以上の出力を得るためには、第１の粒子６の粒径
が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を５．０×１
０4 個／ｍｍ2 以下、粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合
では粒子密度を４．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、粒径が
９５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を２．８×１０
4 個／ｍｍ2 以下としなければならない。
【００９１】また、第１の粒子６として上述した３種類
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図１６に示した。なお、上記クロッグまでの
パス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグ
を起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さ
は７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起こ
しやすい厚さである。）に設定した。
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図１６に示した。なお、上記クロッグまでの
パス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグ
を起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さ
は７ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起こ
しやすい厚さである。）に設定した。
【００９２】図１６より、何れの粒径の粒子を用いたも
のにおいても、粒子密度が高くなるほど、クロッグまで
のパス回数が増加する傾向にあることがわかる。また、
パス回数の下限を７０回とすると、粒径が３５ｎｍ±１
５ｎｍの場合では粒子密度を２．０×１０4 個／ｍｍ2
以上、粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を
１．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、粒径が９５ｎｍ±１５
ｎｍの場合では粒子密度を０．７×１０4 個／ｍｍ2 以
上としなければならない。
のにおいても、粒子密度が高くなるほど、クロッグまで
のパス回数が増加する傾向にあることがわかる。また、
パス回数の下限を７０回とすると、粒径が３５ｎｍ±１
５ｎｍの場合では粒子密度を２．０×１０4 個／ｍｍ2
以上、粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を
１．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、粒径が９５ｎｍ±１５
ｎｍの場合では粒子密度を０．７×１０4 個／ｍｍ2 以
上としなければならない。
【００９３】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で２．０〜５．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．０〜４．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で０．７〜２．
８×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で２．０〜５．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．０〜４．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で０．７〜２．
８×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
【００９４】さらに、この結果を、図１７に示される上
記第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態
からのレベルダウンとの関係と併せて検討したところ、
粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの粒子及び粒径６５ｎｍ±１５
ｎｍの粒子が用いられている場合には、上記粒子密度範
囲内においてもレベルダウンが大きく、レベルダウンの
下限を−２．２５ｄＢとすると使用不可能であることが
わかる。これに対して、粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子
が用いられている場合には、上記粒子密度範囲内で十分
な特性を得られることがわかる。なお、上記レベルダウ
ンの値は、カーボン保護膜３の厚さには依存しない。
記第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態
からのレベルダウンとの関係と併せて検討したところ、
粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの粒子及び粒径６５ｎｍ±１５
ｎｍの粒子が用いられている場合には、上記粒子密度範
囲内においてもレベルダウンが大きく、レベルダウンの
下限を−２．２５ｄＢとすると使用不可能であることが
わかる。これに対して、粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子
が用いられている場合には、上記粒子密度範囲内で十分
な特性を得られることがわかる。なお、上記レベルダウ
ンの値は、カーボン保護膜３の厚さには依存しない。
【００９５】以上より、第２の粒子７として２８ｎｍ±
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を０．７〜２．８
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好まし
いことがわかった。
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を０．７〜２．８
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好まし
いことがわかった。
【００９６】そこで、第１の粒子６を上述のように定め
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは７ｎｍ（本実験の条件範
囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定し
た。
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは７ｎｍ（本実験の条件範
囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定し
た。
【００９７】図１８にこの結果を示すが、実用的なスチ
ル特性（１００分以上）を得るためには、上記第２の粒
子７の密度を４００×１０4 個／ｍｍ2 以上としなけれ
ばならないことがわかる。
ル特性（１００分以上）を得るためには、上記第２の粒
子７の密度を４００×１０4 個／ｍｍ2 以上としなけれ
ばならないことがわかる。
【００９８】また、図１９に第２の粒子７の粒子密度と
ＲＦ特性との関係を示す。なお、カーボン保護膜３の厚
さは１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力が劣化
する厚さである。）に設定した。これより、ＲＦ特性の
出力を０ｄＢ以上とするためには、第２の粒子７の密度
を２０００×１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならな
いことがわかった。
ＲＦ特性との関係を示す。なお、カーボン保護膜３の厚
さは１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力が劣化
する厚さである。）に設定した。これより、ＲＦ特性の
出力を０ｄＢ以上とするためには、第２の粒子７の密度
を２０００×１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならな
いことがわかった。
【００９９】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第２の粒子７の
密度を４００〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要
があることがわかる。
の両者を実現可能とするためには、上記第２の粒子７の
密度を４００〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要
があることがわかる。
【０１００】以上の結果より、粒径９５ｎｍ±１５ｎｍ
なる第１の粒子６と粒径２８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ０．７×１０4 〜２．８×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を７ｎｍ〜１５ｎｍなる
厚さに形成することにより、電磁変換特性と走行性のバ
ランスに優れた磁気テープを得ることができることがわ
かった。
なる第１の粒子６と粒径２８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ０．７×１０4 〜２．８×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を７ｎｍ〜１５ｎｍなる
厚さに形成することにより、電磁変換特性と走行性のバ
ランスに優れた磁気テープを得ることができることがわ
かった。
【０１０１】実験５ カーボン保護膜３の厚さが１５〜３０ｎｍに設定され、
且つ、第２の粒子７の粒径が１８ｎｍ±５ｎｍに設定さ
れた磁気テープについて、第１の粒子の好ましい粒径と
粒子密度を調べることとする。
且つ、第２の粒子７の粒径が１８ｎｍ±５ｎｍに設定さ
れた磁気テープについて、第１の粒子の好ましい粒径と
粒子密度を調べることとする。
【０１０２】先ず、３５ｎｍ±１５ｎｍ，６５ｎｍ±１
５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する第
１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テープ
について、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図２０に示す。なお、カーボン保護膜３
の厚さは３０ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を
劣化させる厚さである。）に設定した。
５ｎｍ，９５ｎｍ±１５ｎｍなる３種の粒径を有する第
１の粒子６の粒子密度を変化させて作成した磁気テープ
について、この粒子密度とＲＦ特性との関係を測定し
た。この結果を図２０に示す。なお、カーボン保護膜３
の厚さは３０ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力を
劣化させる厚さである。）に設定した。
【０１０３】図２０より、第１の粒子６としてどの粒径
のものを用いても、第１の粒子６の粒子密度が高くなる
ほどＲＦ特性は低下する傾向にあり、また、大きな粒径
のものを用いるほどＲＦ特性が低くなることがわかる。
のものを用いても、第１の粒子６の粒子密度が高くなる
ほどＲＦ特性は低下する傾向にあり、また、大きな粒径
のものを用いるほどＲＦ特性が低くなることがわかる。
【０１０４】０ｄＢ以上の出力を得るためには、第１の
粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度
を４．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、粒径が６５ｎｍ±１
５ｎｍの場合では粒子密度を３．０×１０4 個／ｍｍ2
以下、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を
２．０×１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならない。
粒子６の粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度
を４．０×１０4 個／ｍｍ2 以下、粒径が６５ｎｍ±１
５ｎｍの場合では粒子密度を３．０×１０4 個／ｍｍ2
以下、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を
２．０×１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならない。
【０１０５】また、第１の粒子６として上述した３種類
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図２１に示した。なお、上記クロッグまでの
パス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグ
を起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さ
は１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起
こしやすい厚さである。）に設定した。
の粒径の粒子を用いた磁気テープについて、第１の粒子
６の粒子密度とクロッグまでのパス回数の関係を調べ、
この結果を図２１に示した。なお、上記クロッグまでの
パス回数は、５台のデッキのうち最初の１台がクロッグ
を起こすまでのパス回数とし、カーボン保護膜３の厚さ
は１５ｎｍ（本実験の条件範囲内では最もクロッグを起
こしやすい厚さである。）に設定した。
【０１０６】図２１より、何れの粒径の粒子を用いたも
のにおいても、粒子密度が高くなるほど、クロッグまで
のパス回数が増加する傾向にあることがわかる。また、
パス回数の下限を７０回とすると、粒径が３５ｎｍ±１
５ｎｍの場合では粒子密度を２．０×１０4 個／ｍｍ2
以上、粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を
１．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、粒径が９５ｎｍ±１５
ｎｍの場合では粒子密度を０．７×１０4 個／ｍｍ2 以
上としなければならない。
のにおいても、粒子密度が高くなるほど、クロッグまで
のパス回数が増加する傾向にあることがわかる。また、
パス回数の下限を７０回とすると、粒径が３５ｎｍ±１
５ｎｍの場合では粒子密度を２．０×１０4 個／ｍｍ2
以上、粒径が６５ｎｍ±１５ｎｍの場合では粒子密度を
１．０×１０4 個／ｍｍ2 以上、粒径が９５ｎｍ±１５
ｎｍの場合では粒子密度を０．７×１０4 個／ｍｍ2 以
上としなければならない。
【０１０７】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で２．０〜４．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．０〜３．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で０．７〜２．
０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒子６の
粒径が３５ｎｍ±１５ｎｍの場合で２．０〜４．０×１
０4個／ｍｍ2 なる粒子密度、粒径が６５ｎｍ±１５ｎ
ｍの場合で１．０〜３．０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子
密度、粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍの場合で０．７〜２．
０×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度とする必要があるこ
とがわかった。
【０１０８】さらに、この結果を、図２２に示される上
記第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態
からのレベルダウンとの関係と併せて検討した。
記第１の粒子６の粒子密度と４時間走行後での理想状態
からのレベルダウンとの関係と併せて検討した。
【０１０９】これより、粒径３５ｎｍ±１５ｎｍの粒子
及び粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場
合には、上記粒子密度範囲内においてもレベルダウンが
大きく、レベルダウンの下限を−２．２５ｄＢとすると
使用不可能であることがわかる。これに対して、粒径６
５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合には、上
記粒子密度範囲内で十分な特性を得られることがわか
る。なお、上記レベルダウンの値は、カーボン保護膜３
の厚さには依存しない。
及び粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場
合には、上記粒子密度範囲内においてもレベルダウンが
大きく、レベルダウンの下限を−２．２５ｄＢとすると
使用不可能であることがわかる。これに対して、粒径６
５ｎｍ±１５ｎｍの粒子が用いられている場合には、上
記粒子密度範囲内で十分な特性を得られることがわか
る。なお、上記レベルダウンの値は、カーボン保護膜３
の厚さには依存しない。
【０１１０】以上より、第２の粒子７として１８ｎｍ±
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．０〜３．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好まし
いことがわかった。
５ｎｍなる粒径のものを用いた場合には、第１の粒子６
として粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を１．０〜３．０
×１０4 個／ｍｍ2 なる粒子密度で用いることが好まし
いことがわかった。
【０１１１】そこで、第１の粒子６を上述のように定め
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは１５ｎｍ（本実験の条件
範囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定
した。
た磁気テープについて、第２の粒子７の粒子密度とスチ
ル特性との関係を調べた。なお、スチル特性は８個のヘ
ッドに関しクロッグを起こすまでの平均時間（分）と
し、カーボン保護膜３の厚さは１５ｎｍ（本実験の条件
範囲内では最もスチル特性に劣る厚さである。）に設定
した。
【０１１２】図２３にこの結果を示す。これより、実用
的なスチル特性（１００分以上）を得るためには、上記
第２の粒子７の密度を４００×１０4 個／ｍｍ2 以上と
しなければならないことがわかる。
的なスチル特性（１００分以上）を得るためには、上記
第２の粒子７の密度を４００×１０4 個／ｍｍ2 以上と
しなければならないことがわかる。
【０１１３】また、図２４に第２の粒子７の粒子密度と
ＲＦ特性との関係を示す。なお、カーボン保護膜３の厚
さは３０ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力が劣化
する厚さである。）に設定した。これより、ＲＦ特性の
出力を０ｄＢ以上とするためには、第２の粒子７の密度
を２０００×１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならな
いことがわかった。
ＲＦ特性との関係を示す。なお、カーボン保護膜３の厚
さは３０ｎｍ（本実験の条件範囲内では最も出力が劣化
する厚さである。）に設定した。これより、ＲＦ特性の
出力を０ｄＢ以上とするためには、第２の粒子７の密度
を２０００×１０4 個／ｍｍ2 以下としなければならな
いことがわかった。
【０１１４】したがって、良好な電磁変換特性と耐久性
の両者を実現可能とするためには、上記第２の粒子７の
密度を４００〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要
があることがわかる。
の両者を実現可能とするためには、上記第２の粒子７の
密度を４００〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 とする必要
があることがわかる。
【０１１５】以上の結果より、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍ
なる第１の粒子６と粒径１８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ１．０×１０4 〜３．０×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を１５ｍ〜３０ｎｍなる
厚さに形成することにより、電磁変換特性と走行性のバ
ランスに優れた磁気テープを得ることができることがわ
かった。
なる第１の粒子６と粒径１８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ１．０×１０4 〜３．０×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を１５ｍ〜３０ｎｍなる
厚さに形成することにより、電磁変換特性と走行性のバ
ランスに優れた磁気テープを得ることができることがわ
かった。
【０１１６】以上の実験１，２，３，４，５より、以下
のような条件を満たす磁気テープにおいて、電磁変換特
性と走行性のバランスに優れたものが得られることがわ
かった。
のような条件を満たす磁気テープにおいて、電磁変換特
性と走行性のバランスに優れたものが得られることがわ
かった。
【０１１７】１つ目は、カーボン保護膜の厚さが３〜７
ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ
±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．５×１０4
〜６．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８
ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が５００×１０
4 〜４５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されて
いる磁気テープ。
ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ
±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．５×１０4
〜６．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８
ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が５００×１０
4 〜４５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されて
いる磁気テープ。
【０１１８】２つ目は、カーボン保護膜の厚さが３〜７
ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ
±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．１×１０4
〜５．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８
ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０
4 〜４０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されて
いる磁気テープ。
ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ
±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．１×１０4
〜５．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８
ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０
4 〜４０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されて
いる磁気テープ。
【０１１９】３つ目は、カーボン保護膜の厚さが３〜７
ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、９５ｎｍ
±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０4
〜４．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８
ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０
4 〜３５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されて
いる磁気テープ。
ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、９５ｎｍ
±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０4
〜４．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８
ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１０
4 〜３５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されて
いる磁気テープ。
【０１２０】４つ目は、カーボン保護膜の厚さが７〜１
５ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、６５ｎ
ｍ±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０
4 〜４．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１
８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１
０4 〜２５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され
ている磁気テープ。
５ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、６５ｎ
ｍ±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１０
4 〜４．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、１
８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１
０4 〜２５００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され
ている磁気テープ。
【０１２１】５つ目は、カーボン保護膜の厚さが７〜１
５ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、９５ｎ
ｍ±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が０．７×１０
4 〜２．８×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２
８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１
０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され
ている磁気テープ。
５ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、９５ｎ
ｍ±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が０．７×１０
4 〜２．８×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、２
８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×１
０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され
ている磁気テープ。
【０１２２】６つ目は、カーボン保護膜の厚さが１５〜
３０ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、６５
ｎｍ±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１
０4〜３．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、
１８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×
１０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成さ
れている磁気テープ。
３０ｎｍであり、且つ、カーボン保護膜の表面に、６５
ｎｍ±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起が１．０×１
０4〜３．０×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成され、
１８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の表面突起が４００×
１０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 なる密度で形成さ
れている磁気テープ。
【０１２３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、非磁性支持体上に金属磁性薄膜とカーボン保護
膜とが形成されてなる磁気記録媒体において、カーボン
保護膜表面に高さの異なる２種類の突起を所定の密度に
形成することにより表面性を制御するので、スペーシン
グロスによる電磁変換特性の劣化を抑えて走行耐久性の
向上を図ることができる。
明では、非磁性支持体上に金属磁性薄膜とカーボン保護
膜とが形成されてなる磁気記録媒体において、カーボン
保護膜表面に高さの異なる２種類の突起を所定の密度に
形成することにより表面性を制御するので、スペーシン
グロスによる電磁変換特性の劣化を抑えて走行耐久性の
向上を図ることができる。
【図１】本発明を適用した磁気記録媒体の一構成例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】実験１において、非磁性支持体内に内添される
第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
【図３】第１の粒子の密度とクロッグまでのパス回数の
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図４】第１の粒子の密度とレベルダウンの関係を示す
特性図である。
特性図である。
【図５】非磁性支持体上に分散される第２の粒子の密度
とスチル特性の関係を示す特性図である。
とスチル特性の関係を示す特性図である。
【図６】第２の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性
図である。
図である。
【図７】実験２において、非磁性支持体内に内添される
第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
【図８】第１の粒子の密度とクロッグまでのパス回数の
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図９】第１の粒子の密度とレベルダウンの関係を示す
特性図である。
特性図である。
【図１０】実験３において、非磁性支持体内に内添され
る第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
る第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
【図１１】第１の粒子の密度とクロッグまでのパス回数
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図１２】第１の粒子の密度とレベルダウンの関係を示
す特性図である。
す特性図である。
【図１３】非磁性支持体上に分散される第２の粒子の密
度とスチル特性の関係を示す特性図である。
度とスチル特性の関係を示す特性図である。
【図１４】第２の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特
性図である。
性図である。
【図１５】実験４において、非磁性支持体内に内添され
る第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
る第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
【図１６】第１の粒子の密度とクロッグまでのパス回数
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図１７】第１の粒子の密度とレベルダウンの関係を示
す特性図である。
す特性図である。
【図１８】非磁性支持体上に分散される第２の粒子の密
度とスチル特性の関係を示す特性図である。
度とスチル特性の関係を示す特性図である。
【図１９】第２の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特
性図である。
性図である。
【図２０】実験５において、非磁性支持体内に内添され
る第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
る第１の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特性図であ
る。
【図２１】第１の粒子の密度とクロッグまでのパス回数
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図２２】第１の粒子の密度とレベルダウンの関係を示
す特性図である。
す特性図である。
【図２３】非磁性支持体上に分散される第２の粒子の密
度とスチル特性の関係を示す特性図である。
度とスチル特性の関係を示す特性図である。
【図２４】第２の粒子の密度とＲＦ特性の関係を示す特
性図である。
性図である。
１・・・非磁性支持体 ２・・・磁性層 ３・・・カーボン保護膜 ４・・・第１の表面突起 ５・・・第２の表面突起 ６・・・第１の粒子 ７・・・第２の粒子
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１５】以上の結果より、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍ
なる第１の粒子６と粒径１８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ１．０×１０4 〜３．０×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を１５ｎｍ〜３０ｎｍな
る厚さに形成することにより、電磁変換特性と走行性の
バランスに優れた磁気テープを得ることができることが
わかった。
なる第１の粒子６と粒径１８ｎｍ±５ｎｍなる第２の粒
子７をそれぞれ１．０×１０4 〜３．０×１０4 個／ｍ
ｍ2，４００×１０4 〜２０００×１０4 個／ｍｍ2 な
る密度で定着させて非磁性支持体に突起を形成し、さら
に、磁性層上にカーボン保護膜を１５ｎｍ〜３０ｎｍな
る厚さに形成することにより、電磁変換特性と走行性の
バランスに優れた磁気テープを得ることができることが
わかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 条太 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 海老根 義人 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 佐々木 利一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に、少なくとも金属磁性
薄膜よりなる磁性層とカーボン保護膜とが形成されてな
る磁気記録媒体において、 上記カーボン保護膜の厚さが３〜３０ｎｍであり、 上記カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎｍ〜９
５±１５ｎｍなる高さの第１の表面突起と、１８ｎｍ±
５ｎｍ〜２８ｎｍ±５ｎｍなる高さの第２の突起とを有
していることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 カーボン保護膜の厚さが３〜７ｎｍであ
り、 カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎｍなる高さ
の第１の表面突起が１．５×１０4 〜６．０×１０4 個
／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８ｎｍ±５ｎｍなる高
さの第２の表面突起が５００×１０4 〜４５００×１０
4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 カーボン保護膜の厚さが３〜７ｎｍであ
り、 カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎｍなる高さ
の第１の表面突起が１．１×１０4 〜５．０×１０4 個
／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±５ｎｍなる高
さの第２の表面突起が４００×１０4 〜４０００×１０
4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 カーボン保護膜の厚さが３〜７ｎｍであ
り、 カーボン保護膜の表面に、９５ｎｍ±１５ｎｍなる高さ
の第１の表面突起が１．０×１０4 〜４．０×１０4 個
／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±５ｎｍなる高
さの第２の表面突起が４００×１０4 〜３５００×１０
4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 カーボン保護膜の厚さが７〜１５ｎｍで
あり、 カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎｍなる高さ
の第１の表面突起が１．０×１０4 〜４．０×１０4 個
／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８ｎｍ±５ｎｍなる高
さの第２の表面突起が４００×１０4 〜２５００×１０
4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 カーボン保護膜の厚さが７〜１５ｎｍで
あり、 カーボン保護膜の表面に、９５ｎｍ±１５ｎｍなる高さ
の第１の表面突起が０．７×１０4 〜２．８×１０4 個
／ｍｍ2 なる密度で形成され、２８ｎｍ±５ｎｍなる高
さの第２の表面突起が４００×１０4 〜２０００×１０
4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 カーボン保護膜の厚さが１５〜３０ｎｍ
であり、 カーボン保護膜の表面に、６５ｎｍ±１５ｎｍなる高さ
の第１の表面突起が１．０×１０4 〜３．０×１０4 個
／ｍｍ2 なる密度で形成され、１８ｎｍ±５ｎｍなる高
さの第２の表面突起が４００×１０4 〜２０００×１０
4 個／ｍｍ2 なる密度で形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP5127518A JPH06338049A (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 磁気記録媒体 |
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