JPH10247313A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な電磁変換特性を確保しつつ、耐久性の
向上及び高いクリーニング効果を得ることが可能な特に
テープ状の磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性支持体１上に磁性層２および保護
膜層３を形成し、保護膜層上に潤滑剤を塗布した磁気記
録媒体において、保護膜層３の厚みを４〜１５ｎｍと
し、上記非磁性支持体１上の突起として、９５ｎｍ±１
５ｎｍまたは１２５±１５ｎｍの第１の表面突起４と、
６５ｎｍ±１５ｎｍの第２の表面突起５と、１８ｎｍ±
６ｎｍの第３の表面突起６を有し、上記第１の表面突起
の密度を１．０×１０³〜６．０×１０³個／ｍｍ²また
は０．８×１０³〜４．０×１０³個／ｍｍ²とし、第２
の表面突起の密度を１．０×１０⁴〜３．０×１０⁴個／
ｍｍ²とし、上記第３の表面突起の密度を４００×１０⁴
〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に関
し、特に非磁性支持体上に磁性層として金属磁性薄膜を
有する所謂金属磁性薄膜型の磁気記録媒体に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】例えばビデオテープレコーダー（ＶＴ
Ｒ）等の分野においては、高画質化を図るために、高密
度記録化が一層強く要求されており、これに対応する磁
気記録媒体として、金属あるいはＣｏ−Ｎｉ等の合金か
らなる磁性材料を鍍金や真空薄膜形成技術（真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等）に
より直接非磁性支持体上に形成している。

【０００３】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保
磁力、角形比及び短波長領域における電磁変換特性に優
れるばかりでなく、磁性層の薄膜化が可能であるために
記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいことや、磁
性層中に非磁性材料である結合剤等を混入する必要がな
いために磁性材料の充填密度を高くできる等、数々の利
点を有している。

【０００４】このような磁気記録媒体においては、高記
録密度化に伴って磁気記録媒体のトラック密度や記録密
度の増加が図られているが、記録密度が高くなると、ス
ペーシングロスが大きくなるので、その悪影響を防止す
るため磁気記録媒体の表面は平滑化される傾向にある。
しかしながら、磁気記録媒体の表面が平滑すぎると、磁
気ヘッドと媒体が吸着を引き起こし、摩擦力が増大す
る。このため、媒体に生じる剪断力が大きくなり、磁気
記録媒体が大きな損傷を受けてしまう。

【０００５】そこで、良好なスティル特性を確保するた
めに、従来より例えば非磁性支持体上に表面突起を設
け、その突起の凹凸に従って該非磁性支持体上に積層さ
れる磁性層、保護膜等の表面に凹凸を形成して適当な粗
度を付与し、磁気記録媒体の表面性を制御しようとする
方法が行われている。

【０００６】また、特開平６−３３８０４９号公報に開
示されているように２種類の大きさの違う粒子を使用し
て、表面性を制御しようとしてきた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように磁気記録媒体の表面性を制御する場合、非磁性支
持体上に形成される表面保護膜層と表面突起の大きさの
制御が重要になる。即ち、この表面保護膜層が厚くな
る、あるいは表面突起が大きくなるにつれて、スペーシ
ングロスが問題となり、電磁変換特性の劣化が生じてし
まう。これに対して、上記表面保護膜の厚みを抑えるあ
るいは表面突起の高さを抑えると、スペーシングロスに
よる悪影響は免れるものの、十分な走行耐久性、スティ
ル耐久性を確保することができなくなる。

【０００８】また、２粒子を単に分散させただけでは、
適当な電磁変換特性を確保したまま、十分なクリーニン
グ効果を得ることは困難であった。

【０００９】従って、上記表面保護膜層の厚み及び表面
突起の大きさや密度を良好に制御して、高電磁変換特性
と良好な走行性及びクリーニング効果をバランス良く確
保する事は、非常に難しいとされている。そこで、本発
明は、上述の従来の実情に鑑みて提案されたものであ
り、良好な電磁変換特性を確保しつつ、耐久性の向上及
び高いクリーニング効果を得ることが可能な特にテープ
状の磁気記録媒体を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、表面保護膜の最適
厚みの検討を重ね、また、非磁性支持体上に大きさの異
なる３種類の表面突起をそれぞれある密度で形成するこ
とにより、良好な走行耐久性と高電磁変換特性の両方を
確保できることを見出し、本発明を完成するに至った。

【００１１】即ち、本発明は、非磁性支持体上に金属性
薄膜よりなる磁性層を有する磁気記録媒体において、磁
性膜表面上にカーボンで形成される保護膜層を４〜１５
ｎｍ形成しつつ上記非磁性支持体上に粒径９５ｎｍ±１
５ｎｍの第１の粒子によって形成される表面突起と、粒
径６５ｎｍ±１５ｎｍの第２の粒子によって形成される
表面突起と、粒径１８ｎｍ±６ｎｍの第３の粒子によっ
て形成される表面突起とを有し、上記第１の粒子の密度
が１．０×１０³〜６．０×１０³個／ｍｍ²、第２の粒
子の密度が１．０×１０⁴〜３．０×１０⁴個／ｍｍ²、
上記第３の粒子の密度が４００×１０⁴〜２０００×１
０⁴個／ｍｍ²であることを特徴とするものであり、その
表面形状への反映として、上記非磁性支持体上の突起と
して９５ｎｍ±１５ｎｍの第１の表面突起と、６５ｎｍ
±１５ｎｍの第２の表面突起と、１８ｎｍ±６ｎｍの第
３の表面突起とを有し、且つ上記第１の表面突起の密度
が１．０×１０³〜６．０×１０³個／ｍｍ²、第２の表
面突起の密度が１．０×１０⁴〜３．０×１０⁴個／ｍｍ
²、上記第３の表面突起の密度が４００×１０⁴〜２００
０×１０⁴個／ｍｍ²であることを特徴とする磁気記録媒
体を提供する。

【００１２】さらに本発明では、上記非磁性支持体上に
粒径１２５ｎｍ±１５ｎｍの第１の粒子によって形成さ
れる表面突起と、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの第２の粒子
によって形成される表面突起と、粒径１８ｎｍ±６ｎｍ
の第３の粒子によって形成される表面突起を有し、上記
第１の粒子の密度が０．８×１０³〜４．０×１０³個／
ｍｍ²、第２の粒子の密度が１．０×１０⁴〜３．０×１
０⁴個／ｍｍ²、上記第３の粒子の密度が４００×１０⁴
〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²であることを特徴とするも
のであり、その表面形状への反映として、上記非磁性支
持体上の突起として１２５ｎｍ±１５ｎｍの第１の表面
突起と、６５ｎｍ±１５ｎｍの第２の表面突起と、１８
ｎｍ±６ｎｍの第３の表面突起とを有し、且つ上記第１
の表面突起の密度が０．８×１０³〜４．０×１０³個／
ｍｍ²、第２の表面突起の密度が１．０×１０⁴〜３．０
×１０⁴個／ｍｍ²、上記第３の表面突起の密度が４００
×１０⁴〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²であることを特徴
とする磁気記録媒体を提供する。

【００１３】本発明は、磁性層としては、金属磁性薄膜
が使用される所謂金属磁性薄膜型の磁気記録媒体に適用
される。上記金属磁性薄膜の構成材料としては、特に限
定されるものではなく、例えばＣｏ、Ｃｏ−Ｏ、Ｃｏ−
Ｎｉ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の従来公
知の強磁性金属材料が何れも使用可能である。

【００１４】上記金属磁性薄膜の成膜方法としては、真
空薄膜形成技術があげられ、例えば真空蒸着法、スパッ
タリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等何れ
も使用可能である。また、保護膜の形成も同様にスパッ
タリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、Ｃ
ＶＤ法等何れも使用可能である。

【００１５】本発明の磁気記録媒体では、この金属磁性
薄膜を被着形成させる非磁性支持体上に３種類の大きさ
の異なる表面突起が設けられ、これらの表面突起を形成
する粒子の粒径及び密度がそれぞれ規定される。また、
保護膜層の厚みも規定される。これにより、上記非磁性
支持体上の突起形状に対応した凹凸がその上層側に形成
され、該非磁性支持体上に形成される磁性層の表面性を
適度に設定して良好な走行性を確保することができると
ともに、電磁変換特性の向上を図る事ができる。

【００１６】これら３種類の表面突起は、粒径９５ｎｍ
±１５ｎｍの第１の粒子によって形成される第１の表面
突起と、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの第２の粒子によって
形成される第２の表面突起と、粒径１８ｎｍ±６ｎｍの
第３の粒子によって形成される第３の表面突起であり、
上記第１の粒子の密度が１．０×１０³〜６．０×１０³
個／ｍｍ²、第２の粒子の密度が１．０×１０⁴〜３．０
×１０⁴個／ｍｍ²、上記第３の粒子の密度が４００×１
０⁴〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²であることを特徴とす
るものであり、その表面形状への反映として、上記非磁
性支持体上の突起として９５ｎｍ±１５ｎｍの第１の表
面突起と、６５ｎｍ±１５ｎｍの第２の表面突起と、１
８ｎｍ±６ｎｍの第３の表面突起を有し、且つ上記第１
の表面突起の密度が１．０×１０³〜６．０×１０³個／
ｍｍ²、第２の表面突起の密度が１．０×１０⁴〜３．０
×１０⁴個／ｍｍ²、上記第３の表面突起の密度が４００
×１０⁴〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²であることを特徴
とする磁気記録媒体が得られる。

【００１７】本発明ではさらに、非磁性支持体上に粒径
１２５ｎｍ±１５ｎｍの第１の粒子によって形成される
第１の表面突起と、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍの第２の粒
子によって形成される第２の表面突起と、粒径１８ｎｍ
±６ｎｍの第３の粒子によって形成される第３の表面突
起とを有し、上記第１の粒子の密度が０．８×１０³〜
４．０×１０³個／ｍｍ²、第２の粒子の密度が１．０×
１０⁴〜３．０×１０⁴個／ｍｍ²、上記第３の粒子の密
度が４００×１０⁴〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²である
ことを特徴とするものであり、その表面形状への反映と
して、上記非磁性支持体上の突起として１２５ｎｍ±１
５ｎｍの第１の表面突起と、６５ｎｍ±１５ｎｍの第２
の表面突起と、１８ｎｍ±６ｎｍの第３の表面突起を有
し、且つ上記第１の表面突起の密度が０．８×１０³〜
４．０×１０³個／ｍｍ²、第２の表面突起の密度が１．
０×１０⁴〜３．０×１０⁴個／ｍｍ²、上記第３の表面
突起の密度が４００×１０⁴〜２０００×１０⁴個／ｍｍ
²とされる。

【００１８】一方、表面保護膜層の厚みは４〜１５ｎｍ
とされる。これら第１の粒子、第２の粒子及び第３の粒
子の密度並びに保護膜層厚みが上記範囲を外れると、走
行耐久性と電磁変換特性のバランスを良好に保つことが
できない。

【００１９】上記第１の粒子および第２の粒子により非
磁性支持体上に表面突起を形成する方法としては、該第
１の粒子及び第２の粒子を非磁性支持体の原材料（チッ
プ）内に添加して分散させ、この第１の粒子及び第２の
粒子を前記非磁性支持体の表面に浮き出させ、その粒子
形状が上記非磁性支持体の表面に反映させるようにする
方法がある。また、上記第３の粒子により表面突起を形
成する方法としては、該第３の粒子を上記密度になるよ
うに上記非磁性支持体上に分散させ、これをバインダー
樹脂等により定着させる方法がある。また、上記非磁性
支持体としては、プラスティックフィルム等が使用可能
である。

【００２０】さらに本発明においては、必要に応じて、
上記非磁性支持体上に下塗り膜やバックコート層、トッ
プコート層、保護膜等或いは上記磁性層上に保護膜等を
適宜形成しても良い。この場合、下塗り膜、バックコー
ト層、トップコート層、保護膜等の成膜方法は、通常こ
の種の磁気記録媒体に適用される方法であれば良く、特
に限定されない。

【００２１】非磁性支持体上に粒径が異なる３種類の粒
子によって表面突起をそれぞれ形成し、これら各粒子の
密度を規定することによって、上記非磁性支持体上に積
層される磁性層の表面性が良好に制御される。この時、
上記磁性層は金属磁性薄膜及び薄い保護膜層からなるの
で、上記表面突起が確実に上記磁性層の表面に反映され
る。これにより、磁気ヘッドを摺接させた際に、磁気ヘ
ッドに対する当たりが良好となり走行性が向上し、また
走行耐久性が向上するとともに、スペーシングロスによ
る電磁変換特性の劣化が抑えられる。また、第１の粒子
により形成される突起により、電磁変換特性を損なうこ
となくクリーニング効果を確保することが可能となるも
のである。

【００２２】

【実施例】以下本発明を適用した具体的な実施例を図面
を参照しながら説明する。本実施例は、非磁性支持体上
に粒径の異なる３種類の粒子によって表面突起が形成さ
れている金属磁性薄膜型の磁気テープの最表層にカーボ
ン保護膜層が形成された例である。

【００２３】本実施例の磁気テープは、図１に示すよう
にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる非磁
性支持体１上に膜厚０．５μｍ以下とされる薄膜の磁性
層２を有している。さらにこの磁性層の上層に保護膜層
３が形成される。この磁性層２は、金属磁性薄膜からな
り、例えば真空蒸着法等により成膜される。保護膜層３
はダイヤモンドライクカーボンより成り、例えばスパッ
タリング法により形成される。

【００２４】上記非磁性支持体１上には比較的大きな第
１の表面突起４と、比較的小さな第２の表面突起５及び
小さな第３の表面突起６が形成されている。上記第１の
表面突起４は、粒径９５ｎｍ±１５ｎｍあるいは１２５
ｎｍ±１５ｎｍの第１の粒子７によって形成されるもの
であり、第２の表面突起５は、粒径６５ｎｍ±１５ｎｍ
の第２の粒子８によって形成されるものであり、上記非
磁性支持体１内に内添された上記第１の粒子７および第
２の粒子８の粒子形状が上記非磁性支持体１の表面に反
映された形で形成されているものである。この時、上記
第１の粒子７の密度は、表面突起が９５ｎｍ±１５４ｎ
ｍの場合、１．０×１０³〜４．０×１０³個／ｍｍ²で
あり、表面突起が１２５ｎｍ±１５ｎｍの場合、０．８
×１０³〜４．０×１０³個／ｍｍ²である。また、第２
の粒子８の密度は、１．０×１０⁴〜３．０×１０⁴個／
ｍｍ²とされる。

【００２５】このような第１の粒子７及び第２の粒子８
は、その密度が上記範囲内となるように上記非磁性支持
体１内で適当に分散されている。この第１の粒子７及び
第２の粒子８として、本実施例ではＳｉＯ₂ 粒子を使用
した。

【００２６】一方、上記第３の表面突起６は、粒径１８
ｎｍ±５ｎｍの第３の粒子９によって形成されるもので
あり、上記非磁性支持体１上に分散され、バインダー樹
脂等により定着されるものである。この時、上記第３の
粒子９の密度は、４００×１０⁴〜２０００×１０⁴個／
ｍｍ²とされる。ここでは、上記第３の粒子９としてＳ
ｉＯ₂ 粒子を使用した。

【００２７】なお、第１、第２および第３の粒子として
は、耐熱性にすぐれ、微粒子の形状を安定して保持でき
る材質の粒体を用いることができ、ＳｉＯ₂ の他に炭酸
カルシウム等の無機材料を用いることができる。また、
第３の粒子としてはアクリル酸エステルを主体として特
定の架橋性モノマを含むエマルジョンを代表とする適当
な有機材料を用いることができる。

【００２８】これらの突起を有する磁気記録媒体の表面
性を計測する測定機として、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）
Digital Instruments 社製（米国）Nanoscope II を使
用した。また、磁気記録媒体の評価を行うための記録再
生装置は、ソニー製ＤＣＲ−ＶＸ１０００を使用した。
このＶＸ−１０００については、走行系に関しては、出
荷状態のままで測定しており、信号取り出し及びスティ
ルモードの解除時間等の電気系の一部を変更したにすぎ
ず、テープとの対応は市販品となんら変りはない。

【００２９】電磁変換特性及び出力の確認は、ヘッドか
ら信号を取り出し、１段目のアンプで増幅した後に取り
出している。出力のレベル確認は、ヒューレットパッカ
ード社（ＨＰ）製Ｐ−３５８５を使用した。またダイヤ
モンドライクカーボンより成る表面保護膜層は４〜１５
ｎｍに設定してある。この状態でクリーニング効果を調
べたものが図２である。尚この時のカーボン保護膜厚み
は、４ｎｍである。この試験は、バインダーを添加せず
に塗布した塗布型メタルテープを５秒走行させ、磁性粉
をヘッドに付着させ、出力が出ない状態にしたあと、予
め記録してある試験テープを走行させ、何秒で出力が回
復するか時間を計測するものであり、この回復時間が短
い方がクリーニング効果が大きいことになる。実際のテ
ープ走行とクリーニング効果の経験的対応から、一般に
クリーニング時間が１０秒以下であれば、通常走行では
問題ないことが分っており、今回の評価でも１０秒以下
を目安にしている。

【００３０】この１０秒の許容ラインを図中ａで示し、
その上側を不良範囲（ＮＧ）領域として斜線で示す。以
下の図３〜図１１についても同様に、各特性での許容ラ
インをａで示し、ＮＧ領域を斜線で示している。

【００３１】クリーニング効果は第１の粒子の粒径によ
り挙動が異なり、同じ数の粒子を使用するのであれば第
２の粒子との粒径差が大きい程クリーニング効果が高め
られている。また、クリーリング効果が発揮される粒子
密度についても適当な範囲が存在し、第１の粒子の粒径
が１２５ｎｍ±１５ｎｍであれば３万個／ｍｍ²をピー
クに５００〜５００００個／ｍｍ²の範囲である。また
第１の粒子の粒径が９５ｎｍ±１５ｎｍであればその密
度は１０００〜４００００個／ｍｍ²の範囲が適当であ
る。

【００３２】またカーボン保護膜の厚みとクリーニング
効果に関連が見られ、カーボン保護膜厚みが薄いほどク
リーニング効果が大きい事が分る。この様子を図３に示
す。ここで、第１の粒子は１２５ｎｍ±１５ｎｍ、密度
は６０００個／ｍｍ²であり、実際に使用する場合に実
用的な上限となる表面性を有するテープについて調べて
いる。

【００３３】保護膜層は厚くなる程スティル耐久性は良
くなるが、保護膜は非磁性体なのでスペーシングロスに
よる電磁変換特性の劣化が起きる。従って、表面保護膜
層の厚みとテープの表面性により最適な条件を見つけだ
さなければならない。蒸着テープの場合−７０×ｄ／λ
（ｄＢ）の割合でスペーシングロスが発生することから
１５ｎｍの表面保護膜層の存在により約２．１ｂＢ出力
が劣化する。

【００３４】そこで、上述のような構成を有する磁気テ
ープにおいて表面保護膜層の厚みを４ｎｍに固定し、第
３の粒子９の密度を１０００万個／ｍｍ²、及び第２の
粒子８を１０，０００万個／ｍｍ²に固定し、上記第１
の粒子７を変化させた時の電磁変換特性及び耐久性を調
べた。この結果を図４〜図６に示す。

【００３５】図４は、上記第１の粒子７の密度とＲＦ特
性の関係を示す。図４に示すように、いずれの粒径の場
合においても上記第１の粒子７の密度が高くなるほど、
ＲＦ特性は低下する傾向にあり、０ｄＢ以上の出力を得
るためには、粒径が１２５ｎｍ±１５ｎｍの粒子では、
その密度を４０００個／ｍｍ²以下とし、粒径が９５ｎ
ｍ±１５ｎｍの粒子では、その密度を６０００個／ｍｍ
^２以下としなければならないことが分った。また、粒径
が１５５ｎｍ±１５ｎｍの粒子を使用した場合、密度は
２０００個／ｍｍ^２以下としなければならない。

【００３６】また、上述と同様に３種類の粒径の場合に
おいて、上記第１の粒子７の密度とクロッグまでのパス
回数の関係を調べ、これを図５に示した。上記クロッグ
までのパス回数は５台のデッキのうち最初の１台がクロ
ッグを起こすまでのパス回数とした。上記第１の粒子７
の粒径を１２５ｎｍ±１５ｎｍ及び９５ｎｍ±１５ｎｍ
とした場合、何れにおいても上記第１の粒子７の密度が
高くなる程、クロッグまでのパス回数が増加する傾向に
あった。また、パス回数の下限を１００回とすると、粒
径が９５ｎｍ±１５ｎｍ及び１２５ｎｍ±１５ｎｍの場
合には、密度をそれぞれ１０００個／ｍｍ²以上および
８００個／ｍｍ²以上 としなければならないことが分っ
た。

【００３７】図６に上記第１の粒子の大きさと走行１０
０回時点における初期出力からの減衰の関係を調査した
結果を示す。一般には、走行による出力の低下が無い方
がよいのは当然のことではあるが、許容できる限度とし
て、１００回走行した時点で３ｄＢの低下を限度として
いる。これによると、第１の粒子が大きく、数が少ない
試料程出力低下が大きいことが分る。一方、第１の粒子
が小さく、少ない程走行回数が増えた時の出力の変動度
合いが大きくなることが分る。従って、実用的に使用で
きる限界を１００回走行時に３ｄＢの出力低下とする
と、これを満足できる第１の粒子サイズは１２５ｎｍあ
るいは９５ｎｍにしなければならない。

【００３８】また、出力変動についても図７に示すよう
に、最悪変動値を±２ｄＢと規定すると、粒子サイズが
９５ｎｍの場合、密度は１０００個／ｍｍ²以上、粒子
サイズが１２５ｎｍの場合、密度は８００個／ｍｍ²以
上にしなければならない。従って良好な電磁変換特性と
耐久性の両者を実現可能とするためには、上記第１の粒
子７の粒径１２５±１５ｎｍの場合、密度は８００〜４
０００個／ｍｍ²、粒径９５ｎｍ±１５ｎｍの場合、密
度は１０００個／ｍｍ²〜６０００個／ｍｍ²とする必要
があることが分った。

【００３９】さらに、この結果を、図５に示す上記第１
の粒子の密度と１００時間走行後の初期状態からの出力
低下の関係を併せて検討したところ、粒径１５５ｎｍ±
１５ｎｍとした場合には上記範囲においてもレベルダウ
ンが大きく使用不可能であった。

【００４０】図８より、ＲＦ特性の観点から出力を０ｄ
Ｂ以上とするためには第２の粒子８の密度を３×１０⁴
個／ｍｍ²以下としなければならないことが分った。ま
た、第２の粒子と出力減衰の関係を図９に示す。この図
から分るように、出力減衰を３ｄＢ以下に保つために
は、第２の粒子密度を１×１０⁴個／ｍｍ²以上としなけ
ればならないことが分った。従って、耐久性と電磁変換
特性を保つためには、第２の粒子密度を１．０〜３．０
×１０⁴個／ｍｍ²以上としなければならないことが分っ
た。

【００４１】次に上記第３の粒子９の密度とスティル特
性及びＲＦ特性の関係を調べた。なお、スティル特性は
４台のセットに搭載している８個のヘッドに関してクロ
ッグを起こすまでの平均時間（分）とした。この結果図
１０に示すように、実用的なスティル特性を得るために
は、上記第３の粒子の密度４００×１０⁴個／ｍｍ²以上
としなければならないことが分った。

【００４２】また、図１１に示すように、ＲＦ特性の観
点から出力を０ｄＢ以上とするためには２０００×１０
⁴個／ｍｍ²以下としなければならないことが分った。従
って、良好な電磁変換特性と耐久性の両者を実現可能と
するためには、上記第３の粒子９の密度を４００×１０
⁴〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²とする必要があることが
分った。

【００４３】以上の結果から、磁性層表面に４〜１５ｎ
ｍの非磁性体より成る表面保護膜を形成した場合、上記
非磁性支持体上に大きさの異なる３種類の表面突起を形
成し、これらの表面突起を形成している粒子の密度を上
述の範囲内に規定すれば、電磁変換特性と走行性のバラ
ンスに優れた磁気テープが得られることが分った。

【００４４】また、本実施例に示した方法以外に、第１
の粒子あるいは第２の粒子あるいは第１の粒子と第２の
粒子をベース表面に形成することも可能である。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明では、粒径
の異なる３種類の粒子により形成される表面突起を組み
合わせて用いることにより、非磁性支持体の表面粗さを
適当に制御しているので、表面平滑性に関し相反する特
性となる走行耐久性およびスペーシングロスについて、
走行耐久性の向上を図りつつ、スペーシングロスによる
電磁変換特性の劣化を抑えることができ、かつクリーニ
ング効果の大きい磁気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気記録媒体の説明図。

【図２】 第１の粒子密度とクリーニング効果を示す
図。

【図３】 カーボン保護膜厚みとクリーニング効果を示
す図。

【図４】 第１の粒子密度とＲＦ特性の関係を示す特性
図。

【図５】 非磁性支持体内に内添される第１の粒子の密
度とクロッグまでのパス回数の関係を示す特性図。

【図６】 第１の粒子とレベルダウンの関係を示す特性
図。

【図７】 非磁性支持体上に分散される第２の粒子の密
度とスティル特性の関係を示す特性図。

【図８】 第２の粒子密度とＲＦ特性の関係を示す特性
図。

【図９】 第２の粒子とレベルダウンの関係を示す特性
図。

【図１０】 第３の粒子とスティル耐久性を示す図。

【図１１】 第３の粒子密度とＲＦの関係を示す特性
図。

【符号の説明】

１：非磁性支持体、２：磁性層、３：表面保護膜、４：
第１の表面突起、５：第２の表面突起、６：第３の表面
突起、７：第１の粒子、８：第２の粒子、９：第３の粒
子。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】非磁性支持体上に金属薄膜よりなる磁性層
   を有し金属薄膜上にカーボン保護膜層を形成しカーボン
   保護膜層上に潤滑剤を塗布した磁気記録媒体において、 該保護膜層の厚みが４〜１５ｎｍであり、 上記非磁性支持体上の突起として、９５ｎｍ±１５ｎｍ
   の第１の表面突起と、６５ｎｍ±１５ｎｍの第２の表面
   突起と、１８ｎｍ±６ｎｍの第３の表面突起とを有し、 上記第１の表面突起の密度が１．０×１０³〜６．０×
   １０³個／ｍｍ²、第２の表面突起の密度が１．０×１０
   ⁴〜３．０×１０⁴個／ｍｍ²、上記第３の表面突起の密
   度が４００×１０⁴〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²である
   ことを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】非磁性支持体上に金属薄膜よりなる磁性層
   を有し金属薄膜上にカーボン保護膜層を形成しカーボン
   保護膜層上に潤滑剤を塗布した磁気記録媒体において、 該保護膜層の厚みが４〜１５ｎｍであり、 上記非磁性支持体上に、粒径１２５ｎｍ±１５ｎｍの第
   １の粒子によって形成された表面突起と、粒径６５ｎｍ
   ±１５ｎｍの第２の粒子によって形成された表面突起
   と、粒径１８ｎｍ±６ｎｍの第３の粒子によって形成さ
   れた表面突起とを有し、 上記第１の粒子の密度が０．８×１０³〜４．０×１０³
   個／ｍｍ²、第２の粒子の密度が１．０×１０⁴〜３．０
   ×１０⁴個／ｍｍ²、上記第３の粒子の密度が４００×１
   ０⁴〜２０００×１０⁴個／ｍｍ²であることを特徴とす
   る磁気記録媒体。