JPH06333834A - 半導体製造装置のメンテナンス制御システム - Google Patents
半導体製造装置のメンテナンス制御システムInfo
- Publication number
- JPH06333834A JPH06333834A JP12028493A JP12028493A JPH06333834A JP H06333834 A JPH06333834 A JP H06333834A JP 12028493 A JP12028493 A JP 12028493A JP 12028493 A JP12028493 A JP 12028493A JP H06333834 A JPH06333834 A JP H06333834A
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- Japan
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- semiconductor manufacturing
- maintenance
- control system
- manufacturing apparatus
- reaction chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】メンテナンスに際して装置を開放状態にするま
での一連の操作を、シーケンサと上位パソコンを利用し
て自動的に行えるようにした半導体製造装置のメンテナ
ンス制御システムを提供する。 【構成】半導体製造装置を運転制御するシーケンサに対
し、「ガス配管内の活性ガス除去」，「ヒータ冷却停
止」，および「反応室の大気圧開放」の各工程に対応す
る手順の制御プログラムを組み込み、メンテナンス実施
の際に上位のパソコンよりシーケンサに指令を与え、前
記一連の制御プログラムを順に実行して自動的に半導体
製造装置をメンテナンス開放状態にする。
での一連の操作を、シーケンサと上位パソコンを利用し
て自動的に行えるようにした半導体製造装置のメンテナ
ンス制御システムを提供する。 【構成】半導体製造装置を運転制御するシーケンサに対
し、「ガス配管内の活性ガス除去」，「ヒータ冷却停
止」，および「反応室の大気圧開放」の各工程に対応す
る手順の制御プログラムを組み込み、メンテナンス実施
の際に上位のパソコンよりシーケンサに指令を与え、前
記一連の制御プログラムを順に実行して自動的に半導体
製造装置をメンテナンス開放状態にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、熱化学反応によりＣＶ
Ｄ，エッチングなどのウェハプロセス処理を行う半導体
製造装置に対するメンテナンス制御システムに関する。
Ｄ，エッチングなどのウェハプロセス処理を行う半導体
製造装置に対するメンテナンス制御システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、本発明の実施対象となる半導体製
造装置の構成を図５に示す。図において、１はウェハの
プロセス処理を行う反応室、２は反応室１に内蔵したヒ
ータ、３は真空計、４は反応室１の排気側に接続した真
空ポンプ、５は反応室１とガス供給装置との間に配管し
た活性ガス配管路に接続したマスフローコントローラ、
６〜１１はガス配管路の各要所に配したバルブである。
造装置の構成を図５に示す。図において、１はウェハの
プロセス処理を行う反応室、２は反応室１に内蔵したヒ
ータ、３は真空計、４は反応室１の排気側に接続した真
空ポンプ、５は反応室１とガス供給装置との間に配管し
た活性ガス配管路に接続したマスフローコントローラ、
６〜１１はガス配管路の各要所に配したバルブである。
【０００３】また、かかる半導体製造装置でウェハのプ
ロセス処理を行う場合には、図６で示すように作業者が
上位のパソコンのキーボードを介して必要な成膜デー
タ，エッチングデータを与える。これにより、シーケン
サが前記データを基にシーケンサ内にあらかじめ組み込
まれた運転制御プログラムを実行し、ウェハ搬送，原料
ガスの供給，停止などを制御してウェハを枚葉処理す
る。
ロセス処理を行う場合には、図６で示すように作業者が
上位のパソコンのキーボードを介して必要な成膜デー
タ，エッチングデータを与える。これにより、シーケン
サが前記データを基にシーケンサ内にあらかじめ組み込
まれた運転制御プログラムを実行し、ウェハ搬送，原料
ガスの供給，停止などを制御してウェハを枚葉処理す
る。
【０００４】一方、半導体製造装置の定期点検，異常復
旧時などにメンテナンスを実施する場合には、メンテナ
ンス作業の安全性を図るために、その前段作業として半
導体製造装置のガス配管内に残留している活性ガスの排
除，ヒータの冷却，反応室の大気圧復帰など行って製造
装置をメンテナンス開放状態にする必要があり、この場
合に従来では作業者が上位パソコンのマニュアル操作機
能を使い、次記のような手順でキーボードから順次指令
を与えて一連の操作を行うようにしている。 （Ｉ）ガス配管内の活性ガス除去手順： １）バルブ９を開いてガス配管に不活性ガスを供給開始
する。
旧時などにメンテナンスを実施する場合には、メンテナ
ンス作業の安全性を図るために、その前段作業として半
導体製造装置のガス配管内に残留している活性ガスの排
除，ヒータの冷却，反応室の大気圧復帰など行って製造
装置をメンテナンス開放状態にする必要があり、この場
合に従来では作業者が上位パソコンのマニュアル操作機
能を使い、次記のような手順でキーボードから順次指令
を与えて一連の操作を行うようにしている。 （Ｉ）ガス配管内の活性ガス除去手順： １）バルブ９を開いてガス配管に不活性ガスを供給開始
する。
【０００５】２）バイパス管路のバルブ１０を開いてガ
ス配管に不活性ガスを流す。 ３）マスフローコントローラの実測流量が最大値に安定
するのをパソコンのモニタ画面で確認する。（作業者の
判断） ４）所定の時間が経過するまで放置する。（作業者の判
断） ５）バルブ９を閉じる。
ス配管に不活性ガスを流す。 ３）マスフローコントローラの実測流量が最大値に安定
するのをパソコンのモニタ画面で確認する。（作業者の
判断） ４）所定の時間が経過するまで放置する。（作業者の判
断） ５）バルブ９を閉じる。
【０００６】６）マスフローコントローラの実測流量が
最小値に安定するのをパソコンのモニタ画面で確認す
る。（作業者の判断） ７）所定の時間が経過するまで放置する。（作業者の判
断） ８）バルブ１０を閉じる。 ９）上記一連の操作を、安全性が確立するまで繰り返し
行う。 （II）ヒータ冷却停止手順： １）ヒータの電源を止めて通電ＯＦＦにする。
最小値に安定するのをパソコンのモニタ画面で確認す
る。（作業者の判断） ７）所定の時間が経過するまで放置する。（作業者の判
断） ８）バルブ１０を閉じる。 ９）上記一連の操作を、安全性が確立するまで繰り返し
行う。 （II）ヒータ冷却停止手順： １）ヒータの電源を止めて通電ＯＦＦにする。
【０００７】２）バルブ９を開いて不活性ガスを供給開
始する。 ３）バルブ７を開き、反応室内に不活性ガスを流す。 ４）パソコンのモニタ画面上で、ヒータの実測温度値が
メンテナンスの作業上安全な温度（例えば４０℃前後）
に冷却されのが確認されるまでこの状態を放置する。
（作業者の判断） ５）バルブ９を閉じる。
始する。 ３）バルブ７を開き、反応室内に不活性ガスを流す。 ４）パソコンのモニタ画面上で、ヒータの実測温度値が
メンテナンスの作業上安全な温度（例えば４０℃前後）
に冷却されのが確認されるまでこの状態を放置する。
（作業者の判断） ５）バルブ９を閉じる。
【０００８】６）バルブ７を閉じる。 （III)反応室の大気開放手順： １）バルブ８を閉じる。 ２）真空ポンプの運転を停止する。 ３）バルブ１１を開いて不活性ガスを反応室内に導入す
る。
る。
【０００９】４）パソコンのモニタ画面上で、真空計の
実測圧力値が大気圧に戻るのが確認されるまでこの状態
を放置する。（作業者の判断） ５）バルブ１１を閉じる。
実測圧力値が大気圧に戻るのが確認されるまでこの状態
を放置する。（作業者の判断） ５）バルブ１１を閉じる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記のよう
にメンテナンス開放作業を作業者によるパソコンのマニ
ュアル操作で行う方式では、次記のような問題点があ
る。 （１）操作手順が複雑なために作業者は特別な知識と訓
練を要する。 （２）操作を進める上での判断基準が作業者によって異
なるため、機能保全，安全管理面で問題を残す。
にメンテナンス開放作業を作業者によるパソコンのマニ
ュアル操作で行う方式では、次記のような問題点があ
る。 （１）操作手順が複雑なために作業者は特別な知識と訓
練を要する。 （２）操作を進める上での判断基準が作業者によって異
なるため、機能保全，安全管理面で問題を残す。
【００１１】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解消し、メンテナンスに
際して装置を開放状態にするまでの一連の操作を、作業
者のマニュアル操作に頼ることなくシーケンサと上位パ
ソコンを利用して自動的に行えるようにした半導体製造
装置のメンテナンス制御システムを提供することにあ
る。
であり、その目的は前記課題を解消し、メンテナンスに
際して装置を開放状態にするまでの一連の操作を、作業
者のマニュアル操作に頼ることなくシーケンサと上位パ
ソコンを利用して自動的に行えるようにした半導体製造
装置のメンテナンス制御システムを提供することにあ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、半導体製造装置を運転制御するシ
ーケンサに対して「ガス配管内の活性ガス除去」，「ヒ
ータ冷却停止」，および「反応室の大気圧開放」の各工
程に対応する手順の制御プログラムを組み込み、メンテ
ナンス実施の際に上位のパソコンよりシーケンサに指令
を与え、前記一連の制御プログラムを順に実行して半導
体製造装置をメンテナンス開放状態にするものとする。
に、本発明によれば、半導体製造装置を運転制御するシ
ーケンサに対して「ガス配管内の活性ガス除去」，「ヒ
ータ冷却停止」，および「反応室の大気圧開放」の各工
程に対応する手順の制御プログラムを組み込み、メンテ
ナンス実施の際に上位のパソコンよりシーケンサに指令
を与え、前記一連の制御プログラムを順に実行して半導
体製造装置をメンテナンス開放状態にするものとする。
【００１３】また、前記のメンテナンス制御システムに
おいて、「ガス配管内の活性ガス除去」，「ヒータ冷却
停止」，および「反応室の大気圧開放」の各工程は具体
的に次記のように実行するものとする。 （１）「ガス配管内の活性ガス除去」工程の制御プログ
ラムでは、半導体製造装置のガス配管内に外部より不活
性ガスを導入する希釈工程と、真空ポンプによる真空引
き工程を交互に繰り返し実行する。
おいて、「ガス配管内の活性ガス除去」，「ヒータ冷却
停止」，および「反応室の大気圧開放」の各工程は具体
的に次記のように実行するものとする。 （１）「ガス配管内の活性ガス除去」工程の制御プログ
ラムでは、半導体製造装置のガス配管内に外部より不活
性ガスを導入する希釈工程と、真空ポンプによる真空引
き工程を交互に繰り返し実行する。
【００１４】（２）「ヒータ冷却停止」工程の制御プロ
グラムでは、反応室に装備したヒータの電源を停止した
後、ガス配管内に不活性ガスを導入してヒータが所定温
度に低下するまで不活性ガスを流し続ける冷却工程を実
行する。 （３）「反応室の大気圧開放」工程の制御プログラムで
は、真空ポンプを停止した後、反応室内に不活性ガスを
導入して大気圧に戻す工程を実行する。
グラムでは、反応室に装備したヒータの電源を停止した
後、ガス配管内に不活性ガスを導入してヒータが所定温
度に低下するまで不活性ガスを流し続ける冷却工程を実
行する。 （３）「反応室の大気圧開放」工程の制御プログラムで
は、真空ポンプを停止した後、反応室内に不活性ガスを
導入して大気圧に戻す工程を実行する。
【００１５】
【作用】上記の制御システムによれば、メンテナンスを
実施する際には、作業者が上位パソコンのキーボードに
制御プログラムの開始指令を与えるだけで、以降は全て
あらかじめシーケンサに組み込まれた制御プログラムを
順に実行し、自動的に半導体製造装置をメンテナンス開
放状態に移行させる。したがって、製造装置のメンテナ
ンスに関する操作手順，安全管理について熟知してない
作業者でも容易に操作できる。しかも、一連の操作を進
める過程で作業者の判断基準に頼ることがないので、安
全管理についての不安も解消される。
実施する際には、作業者が上位パソコンのキーボードに
制御プログラムの開始指令を与えるだけで、以降は全て
あらかじめシーケンサに組み込まれた制御プログラムを
順に実行し、自動的に半導体製造装置をメンテナンス開
放状態に移行させる。したがって、製造装置のメンテナ
ンスに関する操作手順，安全管理について熟知してない
作業者でも容易に操作できる。しかも、一連の操作を進
める過程で作業者の判断基準に頼ることがないので、安
全管理についての不安も解消される。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１はメンテナンス制御システムを模式的に表し
た図であり、半導体製造装置を運転制御するシーケンサ
には、ウェハプロセス処理の運転制御プログラムと別
に、メンテナンス開放に関する制御プログラムが組み込
まれている。この制御プログラムは大別して「ガス配管
内の活性ガス除去」，「ヒータ冷却停止」，および「反
応室の大気圧開放」の各工程に対応する手順の制御プロ
グラムからなり、作業者が上位パソコンのキーボードよ
りプログラムの実行開始指令を与えると、一連の制御プ
ログラムが順に実行されて半導体製造装置がメンテナン
ス開放の状態になる。そして一連のプログラム制御が完
了すると、その旨をパソコンのモニタ画面上に表示して
作業者に知らせる。また、作業の実行中に装置の異常を
検知した場合には、制御プログラムの実行を中断して作
業者にモニタで知らせる。
する。図１はメンテナンス制御システムを模式的に表し
た図であり、半導体製造装置を運転制御するシーケンサ
には、ウェハプロセス処理の運転制御プログラムと別
に、メンテナンス開放に関する制御プログラムが組み込
まれている。この制御プログラムは大別して「ガス配管
内の活性ガス除去」，「ヒータ冷却停止」，および「反
応室の大気圧開放」の各工程に対応する手順の制御プロ
グラムからなり、作業者が上位パソコンのキーボードよ
りプログラムの実行開始指令を与えると、一連の制御プ
ログラムが順に実行されて半導体製造装置がメンテナン
ス開放の状態になる。そして一連のプログラム制御が完
了すると、その旨をパソコンのモニタ画面上に表示して
作業者に知らせる。また、作業の実行中に装置の異常を
検知した場合には、制御プログラムの実行を中断して作
業者にモニタで知らせる。
【００１７】ここで、前記した「ガス配管内の活性ガス
除去」，「ヒータ冷却停止」，および「反応室の大気圧
開放」の各工程に対応する制御プログラムの内容をフロ
ーチャートで表すと図２，図３，図４のごとくでるあ
る。なお、図２において、放置時間ｎは、真空ポンプの
排気容量，系内でのガス配管長に応じて決定するように
定数管理する。また、希釈工程，真空引き工程の繰り返
し回数Ｙは、活性ガスを系内から完全にパージするのに
必要な回数を決めて定数管理する。
除去」，「ヒータ冷却停止」，および「反応室の大気圧
開放」の各工程に対応する制御プログラムの内容をフロ
ーチャートで表すと図２，図３，図４のごとくでるあ
る。なお、図２において、放置時間ｎは、真空ポンプの
排気容量，系内でのガス配管長に応じて決定するように
定数管理する。また、希釈工程，真空引き工程の繰り返
し回数Ｙは、活性ガスを系内から完全にパージするのに
必要な回数を決めて定数管理する。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、メ
ンテナンスの実施に際して上位パソコンのキーボードに
メンテナンス開放の制御プログラム開始指令を与えるだ
けで、メンテナンス開放に必要な一連の操作を全て自動
的に実行して装置をメンテナンス開放状態にすることが
でき、特別に訓練されてない作業者でも容易に操作する
ことが可能であるほか、その作業を進める過程では作業
者の判断基準に頼るような不安定さがなく、高レベルで
の安全管理が確保できるなど半導体製造装置に対する信
頼性の向上化が図れる。
ンテナンスの実施に際して上位パソコンのキーボードに
メンテナンス開放の制御プログラム開始指令を与えるだ
けで、メンテナンス開放に必要な一連の操作を全て自動
的に実行して装置をメンテナンス開放状態にすることが
でき、特別に訓練されてない作業者でも容易に操作する
ことが可能であるほか、その作業を進める過程では作業
者の判断基準に頼るような不安定さがなく、高レベルで
の安全管理が確保できるなど半導体製造装置に対する信
頼性の向上化が図れる。
【図１】本発明の実施例によるメンテナンス制御システ
ムの模式図
ムの模式図
【図２】図１における「ガス配管内の活性ガス除去」工
程に対応する制御プログラムのフローチャートを表す図
程に対応する制御プログラムのフローチャートを表す図
【図３】図１における「ヒータ冷却停止」工程に対応す
る制御プログラムのフローチャートを表す図
る制御プログラムのフローチャートを表す図
【図４】図１における「反応室大気開放」工程に対応す
る制御プログラムのフローチャートを表す図
る制御プログラムのフローチャートを表す図
【図５】本発明の実施対象となる半導体製造装置の構成
図
図
【図６】従来における半導体製造装置の制御システムの
模式図
模式図
１ 反応室 ２ ヒータ ４ 真空ポンプ ５ マスフローコントローラ ６〜１１ バルブ
Claims (4)
- 【請求項１】反応室内でＣＶＤ，エッチングなどのウェ
ハプロセスを行う半導体製造装置のメンテナンス制御シ
ステムであって、半導体製造装置を運転制御するシーケ
ンサに対して「ガス配管内の活性ガス除去」，「ヒータ
冷却停止」，および「反応室の大気圧開放」の各工程に
対応する手順の制御プログラムを組み込み、メンテナン
ス実施の際に上位のパソコンよりシーケンサに指令を与
え、前記一連の制御プログラムを順に実行して半導体製
造装置をメンテナンス開放状態にすることを特徴とする
半導体製造装置のメンテナンス制御システム。 - 【請求項２】請求項１記載のメンテナンス制御システム
において、「ガス配管内の活性ガス除去」工程の制御プ
ログラムでは、半導体製造装置のガス配管内に外部より
不活性ガスを導入する希釈工程と、真空ポンプによる真
空引き工程を交互に繰り返し実行することを特徴とする
半導体製造装置のメンテナンス制御システム。 - 【請求項３】請求項１記載のメンテナンス制御システム
において、「ヒータ冷却停止」工程の制御プログラムで
は、反応室に装備したヒータの電源を停止した後、ガス
配管内に不活性ガスを導入してヒータが所定温度に低下
するまで不活性ガスを流し続ける冷却工程を実行するこ
とを特徴とする半導体製造装置のメンテナンス制御シス
テム。 - 【請求項４】請求項１記載のメンテナンス制御システム
において、「反応室の大気圧開放」工程の制御プログラ
ムでは、真空ポンプを停止した後、反応室内に不活性ガ
スを導入して大気圧に戻す工程を実行することを特徴と
する半導体製造装置のメンテナンス制御システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05120284A JP3116658B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 半導体製造装置のメンテナンス制御システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05120284A JP3116658B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 半導体製造装置のメンテナンス制御システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333834A true JPH06333834A (ja) | 1994-12-02 |
| JP3116658B2 JP3116658B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=14782440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05120284A Expired - Fee Related JP3116658B2 (ja) | 1993-05-24 | 1993-05-24 | 半導体製造装置のメンテナンス制御システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3116658B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258169B1 (en) | 1997-05-06 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Control apparatus and control method |
| CN104821286A (zh) * | 2014-01-31 | 2015-08-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法、编辑装置以及编辑方法 |
-
1993
- 1993-05-24 JP JP05120284A patent/JP3116658B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6258169B1 (en) | 1997-05-06 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Limited | Control apparatus and control method |
| CN104821286A (zh) * | 2014-01-31 | 2015-08-05 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置、基板处理方法、编辑装置以及编辑方法 |
| KR20150091251A (ko) * | 2014-01-31 | 2015-08-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치, 편집 방법 및 기억 매체 |
| JP2015146340A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、編集方法及び記憶媒体 |
| US10254816B2 (en) | 2014-01-31 | 2019-04-09 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, editing apparatus and method and non-transitory storage medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3116658B2 (ja) | 2000-12-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
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