TWI723489B - 滌氣節能控制裝置 - Google Patents

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一種滌氣節能控制裝置適用於安裝在一包括一反應源單元、一氣體控制單元、一反應器單元、一滌氣單元及一製程控制單元的化學氣相沉積設備。該反應器單元具有一第一反應器,該滌氣單元具有一第一尾氣處理裝置。該滌氣節能控制裝置包含一電連接該第一反應器與該第一尾氣處理裝置的滌氣控制器。該滌氣控制器根據該第一反應器的狀態來控制該第一尾氣處理裝置是否進行加熱。當該第一反應器處於運作狀態時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置對氣體進行加熱。當該第一反應器處於非運作狀態時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置不進行加熱。

Description

滌氣節能控制裝置
本發明是有關於一種控制裝置,特別是指一種安裝於化學氣相沉積設備的滌氣節能控制裝置。
現今半導體與微製程多採用化學氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)在一基底(substrate)上長成薄膜(thin film)以形成積體電路所需的介電層或導電層。
一般來說,一化學氣相沉積設備包括一反應源(precusor)單元、一氣體控制單元、一反應器(reactor)單元、一滌氣單元,及一製程控制單元。該反應源單元具有至少一能供應氫化物氣體(例如:甲矽烷)的儲氣裝置。該氣體控制單元具有一連通該反應源單元且受該製程控制單元控制的流量控制器(mass flow controller, MFC)。該反應器單元具有一連通該流量控制器且受該製程控制單元控制的反應器,該反應器具有一用來讓該基底設置的反應室(reaction chamber)。該滌氣單元具有一連通該反應器的氣泵,及一連通該氣泵且用來初步降低反應後氣體的毒性的尾氣處理裝置(local scrubber)。該尾氣處理裝置會再連通一中央廢氣處理設備(central scrubber)以對有毒廢氣進行後續處理,如此才能符合廢氣排放法規的標準。
然而,由於該尾氣處理裝置多以燃燒(combustion)加熱的方式迫使氣相沉積反應後所產生的有毒氣體分子進行熱分解(thermal decomposition),並利用不間斷的高溫大火持續在該尾氣處理裝置的燃燒室中破壞有毒氣體的分子,以減輕最末端的中央廢氣處理設備的負擔,因此,製程廠用於滌氣的燃料(例如:天然氣)支出相當可觀。
因此,本發明的目的,即在提供一種能配合製程設備的運作情形自動調整尾氣處理裝置的火力的滌氣節能控制裝置。
於是,本發明滌氣節能控制裝置適用於安裝在一化學氣相沉積(CVD)設備。
該化學氣相沉積設備包括一反應源單元、一氣體控制單元、一反應器單元、一滌氣單元,及一製程控制單元。該氣體控制單元具有一連通該反應源單元且電連接該製程控制單元的第一流量控制器(MFC)。該反應器單元具有一連通該第一流量控制器且電連接該製程控制單元的第一反應器,及一連通該第一反應器的第一壓力感測器。該滌氣單元具有一連通該第一反應器的第一泵浦,及一連通該第一泵浦的第一尾氣處理裝置。
該滌氣節能控制裝置包含一滌氣控制器。
該滌氣控制器電連接該第一反應器與該第一尾氣處理裝置。該滌氣控制器根據該第一反應器的狀態來控制該第一尾氣處理裝置是否進行加熱。當該第一反應器處於運作狀態時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置對氣體進行加熱。當該第一反應器處於非運作狀態時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置不進行加熱。
本發明的功效在於:利用該滌氣控制器電連接該第一反應器與該第一尾氣處理裝置,使該滌氣控制器能根據該第一反應器是否處於運作狀態來決定該第一尾氣處理裝置是否要執行加熱作業,而不是讓該第一尾氣處理裝置不間斷地以大火持續加熱,故能大幅減少不必要的燃料支出,也能避免造成能源的浪費。
在本發明被詳細描述前,應當注意在以下的說明內容中,類似的元件是以相同的編號來表示。
參閱圖1,為本發明滌氣節能控制裝置的一第一實施例,該滌氣節能控制裝置包含一滌氣控制器1,及一監控伺服器2,並適用於安裝在一化學氣相沉積設備7。該化學氣相沉積設備7包括一反應源單元71、一氣體控制單元72、一反應器單元73、一滌氣單元74,及一製程控制單元75。
在本第一實施例中,該氣體控制單元72具有一連通該反應源單元71且電連接該製程控制單元75的第一流量控制器721,及一連通該反應源單元71且電連接該製程控制單元75的第二流量控制器722。
在本第一實施例中,該反應器單元73具有一連通該第一流量控制器721且電連接該製程控制單元75的第一反應器731、一連通該第二流量控制器722且電連接該製程控制單元75的第二反應器732、一連通該第一反應器731的第一壓力感測器733(pressure sensor),及一連通該第二反應器732的第二壓力感測器734。
在本第一實施例中,該滌氣單元74具有一連通該第一反應器731的第一泵浦741、一連通該第二反應器732的第二泵浦742、一連通該第一泵浦741的第一尾氣處理裝置743,及一連通該第二泵浦742的第二尾氣處理裝置744。該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744互相連通。該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744還連通至一中央廢氣處理設備8。
在本第一實施例中,該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744採用以天然氣作為燃料的燃燒式熱分解法對有毒氣體進行處理,但並不限於此,在本第一實施例的其他變化例中,該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744也可以是採用電熱式熱分解法對有毒氣體進行處理。
在本第一實施例中,該滌氣控制器1電連接該第一反應器731、該第二反應器732、該第一壓力感測器733、該第二壓力感測器734、該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744。該滌氣控制器1包括一用來讓使用者開啟或關閉該滌氣控制器1的開關模組11、一顯示出該第一反應器731、該第二反應器732、該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744的運作情形的顯示模組12,及一用來讓使用者進行控制設定的輸入模組13。在本第一實施例中,該滌氣控制器1是一種可程式邏輯控制器(programmable logic controller, PLC),但並不限於此。
該監控伺服器2信號連接該滌氣控制器1。在本第一實施例中,該監控伺服器2是透過一網路傳輸線(networking cable)與該滌氣控制器1電連接,但並不限於此,該監控伺服器2也可以是透過無線傳輸技術(例如:Wi-Fi)與該滌氣控制器1信號連接。該滌氣控制器1輸出一相關於該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744的運作情形的記錄資料,該監控伺服器2接收該記錄資料並能將該記錄資料傳送至一電子裝置9(例如:一個人電腦或一智慧型手機)。
要說明的是,該記錄資料可被利用來進行各種數據分析,例如:該節能控制器1累計開啟的時間長度、該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744累計使用的天然氣流量、累計節省的燃料費等。
本發明滌氣節能控制裝置的各項控制功能詳述於後。
首先,該滌氣控制器1根據該第一反應器731的狀態來控制該第一尾氣處理裝置743是否進行加熱:當該第一反應器731處於運作狀態時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743對氣體進行加熱;當該第一反應器731處於非運作狀態時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743不進行加熱。
類似地,該滌氣控制器1也根據該第二反應器732的狀態來控制該第二尾氣處理裝置744是否進行加熱:當該第二反應器732處於運作狀態時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744對氣體進行加熱;當該第二反應器732處於非運作狀態時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744不進行加熱。
重要的是,該滌氣控制器1還根據該第一壓力感測器733的狀態來控制該第一尾氣處理裝置743對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度:當該第一反應器731處於運作狀態且該第一壓力感測器733所偵測到的氣體壓力不大於一壓力設定值(例如:3 Torr)時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743提高對氣體加熱的溫度(大火模式);當該第一反應器731處於運作狀態且該第一壓力感測器733所偵測到的氣體壓力大於該壓力設定值時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743降低對氣體加熱的溫度(小火模式)。可以理解的是,該壓力設定值可透過該滌氣控制器1的輸入模組13進行變更。
類似地,該滌氣控制器1也根據該第二壓力感測器734的狀態來控制該第二尾氣處理裝置744對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度:當該第二反應器732處於運作狀態且該第二壓力感測器734所偵測到的氣體壓力不大於該壓力設定值時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744提高對氣體加熱的溫度(大火模式);當該第二反應器732處於運作狀態且該第二壓力感測器734所偵測到的氣體壓力大於該壓力設定值時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744降低對氣體加熱的溫度(小火模式)。
此外,該滌氣控制器1還根據該第一尾氣處理裝置743的狀態來控制該第二尾氣處理裝置744對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度,且根據該第二尾氣處理裝置744的狀態來控制該第一尾氣處理裝置743對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度,也就是說,該滌氣控制器1能讓相互連通的該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744互相支援。
因此,當該第一反應器731處於運作狀態,但該第一尾氣處理裝置743卻發生異常時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744提高對氣體加熱的溫度(大火模式)以支援該第一尾氣處理裝置743去處理來自該第一反應器731的氣體;當該第二反應器732處於運作狀態,但該第二尾氣處理裝置744卻發生異常時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743提高對氣體加熱的溫度(大火模式)以支援該第二尾氣處理裝置744去處理來自該第二反應器732的氣體。
要說明的是,當該滌氣控制器1經由該開關模組11而被關閉時,該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744便不受該滌氣控制器1控制而回復至恆對氣體進行加熱的運作方式。
經由以上的說明,再將本發明的優點歸納如下:
一、本發明利用該滌氣控制器1電連接該第一反應器731、該第二反應器732、該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744,使該滌氣控制器1能分別根據該第一反應器731與該第二反應器732是否處於運作狀態來決定該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744是否要執行加熱作業,相較於未安裝該滌氣控制器1的化學氣相沉積設備7,本發明不會讓該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744不間斷地以大火持續加熱,故能減少不必要的燃料支出,也能避免能源的浪費。
二、本發明利用該滌氣控制器1還電連接該第一壓力感測器733與該第二壓力感測器734,使該滌氣控制器1還能分別根據該第一壓力感測器733與該第二壓力感測器734的狀態進一步決定該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744對氣體加熱的溫度(大、小火模式的切換)及對氣體加熱的時間長度(大、小火模式持續的時間長度),相較於未安裝該滌氣控制器1的化學氣相沉積設備7,本發明能精確地根據該第一反應器731與該第二反應器732的內部情形分別調整該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744執行燃燒式熱分解的火力大小,故能讓燃料的使用更為精省、有效。
三、本發明利用該滌氣控制器1電連接該第一反應器731、該第二反應器732、該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744,且該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744互相連通,使該滌氣控制器1能讓該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744彼此互相支援,相較於未安裝該滌氣控制器1的化學氣相沉積設備7,本發明能在其中一台尾氣處理裝置出現異常時立即調用另一台尾氣處理裝置進行緊急處置,而不會發生因無法處理有毒氣體而導致反應器停擺的情形。
四、本發明利用該滌氣控制器1是完全獨立於該化學氣相沉積設備7,除了安裝時完全不需要對該化學氣相沉積設備7作任何修改以外,當該滌氣控制器1被關閉或有損壞的情形發生時,該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744只會回復至原本恆對氣體加熱的運作方式,並不會因為該滌氣控制1失效而導致整個化學氣相沉積設備7在無法處理有毒氣體的情形下緊急停止的重大損失。
參閱圖2,為本發明的一第二實施例,該第二實施例是類似於該第一實施例。該第二實施例與該第一實施例的差異在於:
在本第二實施例中,該滌氣控制器1電連接該第一反應器731、該第二反應器732、該製程控制單元75、該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744。
因此,該滌氣控制器1還根據該製程控制單元75的狀態來控制該第一尾氣處理裝置743對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度:當該第一反應器731處於運作狀態且該製程控制單元75命令該第一反應器731執行一第一指定步驟(例如:開始導入特殊氣體)時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743提高對氣體加熱的溫度(大火模式);當該第一反應器731處於運作狀態且該製程控制單元75命令該第一反應器731執行一第二指定步驟(例如:停止導入特殊氣體)時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743降低對氣體加熱的溫度(小火模式)。可以理解的是,該第一指定步驟與該第二指定步驟可透過該滌氣控制器1的輸入模組13進行變更。
類似地,該滌氣控制器1也根據該製程控制單元75的狀態來控制該第二尾氣處理裝置744對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度:當該第二反應器732處於運作狀態且該製程控制單元75命令該第二反應器732執行該第一指定步驟時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744提高對氣體加熱的溫度(大火模式);當該第二反應器732處於運作狀態且該製程控制單元75命令該第二反應器732執行該第二指定步驟時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744降低對氣體加熱的溫度(小火模式)。
如此,該第二實施例除了能達到與上述該第一實施例相同的目的與功效之外,該第二實施例能根據該製程控制單元75分別對該第一反應器731與該第二反應器732所下達的命令提早調整該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744執行燃燒式熱分解的火力大小,故能更快速地將特殊的有毒氣體處理完畢。
參閱圖3,為本發明的一第三實施例,該第三實施例是類似於該第一實施例。該第三實施例與該第一實施例的差異在於:
在本第三實施例中,該滌氣控制器1電連接該第一流量控制器721、該第二流量控制器722、該第一反應器731、該第二反應器732、該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744。
因此,該滌氣控制器1還根據該第一流量控制器721的狀態來控制該第一尾氣處理裝置743對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度:當該第一反應器731處於運作狀態且該第一流量控制器721所偵測到的氣體流量大於一流量設定值(例如:30 LPM)時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743提高對氣體加熱的溫度(大火模式);當該第一反應器731處於運作狀態且該第一流量控制器721所偵測到的氣體流量不大於該流量設定值時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743降低對氣體加熱的溫度(小火模式)。可以理解的是,該流量設定值可透過該滌氣控制器1的輸入模組13進行變更。
類似地,該滌氣控制器1也根據該第二流量控制器722的狀態來控制該第二尾氣處理裝置744對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度:當該第二反應器732處於運作狀態且該第二流量控制器722所偵測到的氣體流量大於該流量設定值時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744提高對氣體加熱的溫度(大火模式);當該第二反應器732處於運作狀態且該第二流量控制器722所偵測到的氣體流量不大於該流量設定值時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744降低對氣體加熱的溫度(小火模式)。
如此,該第三實施例除了能達到與上述該第一實施例相同的目的與功效之外,該第三實施例能精確地根據來自該反應源單元71且通過該第一流量控制器721與該第二流量控制器722的氣體流量分別調整該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744執行燃燒式熱分解的火力大小,故除了能提早對即將進行的製程步驟作出反應以外,也能節省燃料的用量。
參閱圖4,為本發明的一第四實施例,該第四實施例是類似於該第一實施例。該第四實施例與該第一實施例的差異在於:
在本第四實施例中,該滌氣單元74還具有一連通該第一泵浦741與該第一尾氣處理裝置743且電連接該製程控制單元75與該滌氣控制器1的第一稀釋(dilution)裝置745,及一連通該第二泵浦742與該第二尾氣處理裝置744且電連接該製程控制單元75與該滌氣控制器1的第二稀釋裝置746。
因此,該滌氣控制器1還根據該第一稀釋裝置745的狀態來控制該第一尾氣處理裝置743對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度:當該第一反應器731處於運作狀態且該第一稀釋裝置745受該製程控制單元75控制而開始釋出一稀釋氣體(例如:氮氣)時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743提高對氣體加熱的溫度(大火模式);當該第一反應器731處於運作狀態且該第一稀釋裝置745受該製程控制單元75控制而停止釋出該稀釋氣體時,該滌氣控制器1控制該第一尾氣處理裝置743降低對氣體加熱的溫度(小火模式)。
類似地,該滌氣控制器1也根據該第二稀釋裝置746的狀態來控制該第二尾氣處理裝置744對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度:當該第二反應器732處於運作狀態且該第二稀釋裝置746受該製程控制單元75控制而開始釋出該稀釋氣體時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744提高對氣體加熱的溫度(大火模式);當該第二反應器732處於運作狀態且該第二稀釋裝置746受該製程控制單元75控制而停止釋出該稀釋氣體時,該滌氣控制器1控制該第二尾氣處理裝置744降低對氣體加熱的溫度(小火模式)。
如此,該第四實施例除了能達到與上述該第一實施例相同的目的與功效之外,該第四實施例能分別根據該第一稀釋裝置745與該第二稀釋裝置746的運作提早調整該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744執行燃燒式熱分解的火力大小,故能更快速地將需要以氮氣稀釋的特殊氣體處理完畢。
綜上所述,本發明滌氣節能控制裝置不僅能配合該化學氣相沉積設備7的運作情形自動調整該第一尾氣處理裝置743與該第二尾氣處理裝置744的火力大小,還能完全獨立於該化學氣相沉積設備7而執行控制滌氣的功能,故確實能達成本發明的目的。
惟以上所述者,僅為本發明的實施例而已,當不能以此限定本發明實施的範圍,凡是依本發明申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾,皆仍屬本發明專利涵蓋的範圍內。
1                            滌氣控制器 11······· 開關模組 12······· 顯示模組 13······· 輸入模組 2                            監控伺服器 7                            化學氣相沉積設備 71······· 反應源單元 72······· 氣體控制單元 721····· 第一流量控制器 722····· 第二流量控制器 73······· 反應器單元 731····· 第一反應器 732····· 第二反應器 733····· 第一壓力感測器 734····· 第二壓力感測器 74······· 滌氣單元 741····· 第一泵浦 742····· 第二泵浦 743····· 第一尾氣處理裝置 744····· 第二尾氣處理裝置 745····· 第一稀釋裝置 746····· 第二稀釋裝置 75······· 製程控制單元 8                            中央廢氣處理設備 9                            電子裝置  
本發明的其他的特徵及功效,將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現,其中: 圖1是一方塊示意圖,說明本發明滌氣節能控制裝置的一第一實施例安裝於一化學氣相沉積設備; 圖2是一方塊示意圖,說明本發明滌氣節能控制裝置的一第二實施例安裝於該化學氣相沉積設備; 圖3是一方塊示意圖,說明本發明滌氣節能控制裝置的一第三實施例安裝於該化學氣相沉積設備;及 圖4是一方塊示意圖,說明本發明滌氣節能控制裝置的一第四實施例安裝於該化學氣相沉積設備。
1                            滌氣控制器 11······· 開關模組 12······· 顯示模組 13······· 輸入模組 2                            監控伺服器 7                            化學氣相沉積設備 71······· 反應源單元 72······· 氣體控制單元 721····· 第一流量控制器 722····· 第二流量控制器 73······· 反應器單元 731····· 第一反應器 732····· 第二反應器 733····· 第一壓力感測器 734····· 第二壓力感測器 74······· 滌氣單元 741····· 第一泵浦 742····· 第二泵浦 743····· 第一尾氣處理裝置 744····· 第二尾氣處理裝置 75······· 製程控制單元 8                            中央廢氣處理設備 9                            電子裝置  

Claims (10)

  1. 一種滌氣節能控制裝置,適用於安裝在一化學氣相沉積設備,該化學氣相沉積設備包括一反應源單元、一氣體控制單元、一反應器單元、一滌氣單元,及一製程控制單元,該氣體控制單元具有一連通該反應源單元且電連接該製程控制單元的第一流量控制器,該反應器單元具有一連通該第一流量控制器且電連接該製程控制單元的第一反應器,及一連通該第一反應器的第一壓力感測器,該滌氣單元具有一連通該第一反應器的第一泵浦,及一連通該第一泵浦的第一尾氣處理裝置,該滌氣節能控制裝置包含: 一滌氣控制器,電連接該第一反應器與該第一尾氣處理裝置,該滌氣控制器根據該第一反應器的狀態來控制該第一尾氣處理裝置是否進行加熱,當該第一反應器處於運作狀態時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置對氣體進行加熱,當該第一反應器處於非運作狀態時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置不進行加熱。
  2. 如請求項1所述的滌氣節能控制裝置,其中,該滌氣控制器還電連接該第一壓力感測器,該滌氣控制器還根據該第一壓力感測器的狀態來控制該第一尾氣處理裝置對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度,當該第一反應器處於運作狀態且該第一壓力感測器所偵測到的氣體壓力不大於一壓力設定值時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置提高對氣體加熱的溫度,當該第一反應器處於運作狀態且該第一壓力感測器所偵測到的氣體壓力大於該壓力設定值時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置降低對氣體加熱的溫度。
  3. 如請求項1所述的滌氣節能控制裝置,其中,該滌氣控制器還電連接該製程控制單元,該滌氣控制器還根據該製程控制單元的狀態來控制該第一尾氣處理裝置對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度,當該第一反應器處於運作狀態且該製程控制單元命令該第一反應器執行一第一指定步驟時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置提高對氣體加熱的溫度,當該第一反應器處於運作狀態且該製程控制單元命令該第一反應器執行一第二指定步驟時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置降低對氣體加熱的溫度。
  4. 如請求項1所述的滌氣節能控制裝置,其中,該滌氣控制器還電連接該第一流量控制器,該滌氣控制器還根據該第一流量控制器的狀態來控制該第一尾氣處理裝置對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度,當該第一反應器處於運作狀態且該第一流量控制器所偵測到的氣體流量大於一流量設定值時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置提高對氣體加熱的溫度,當該第一反應器處於運作狀態且該第一流量控制器所偵測到的氣體流量不大於該流量設定值時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置降低對氣體加熱的溫度。
  5. 如請求項1所述的滌氣節能控制裝置,其中,該滌氣單元還具有一連通該第一泵浦與該第一尾氣處理裝置且電連接該製程控制單元與該滌氣控制器的第一稀釋裝置,該滌氣控制器還根據該第一稀釋裝置的狀態來控制該第一尾氣處理裝置對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度,當該第一反應器處於運作狀態且該第一稀釋裝置受該製程控制單元控制而開始釋出一稀釋氣體時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置提高對氣體加熱的溫度,當該第一反應器處於運作狀態且該第一稀釋裝置受該製程控制單元控制而停止釋出該稀釋氣體時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置降低對氣體加熱的溫度。
  6. 如請求項1所述的滌氣節能控制裝置,其中,該氣體控制單元還具有一連通該反應源單元且電連接該製程控制單元的第二流量控制器,該反應器單元還具有一連通該第二流量控制器且電連接該製程控制單元與該滌氣控制器的第二反應器,及一連通該第二反應器的第二壓力感測器,該滌氣單元還具有一連通該第二反應器的第二泵浦,及一連通該第二泵浦且電連接該滌氣控制器的第二尾氣處理裝置,該滌氣控制器還根據該第二反應器的狀態來控制該第二尾氣處理裝置是否進行加熱,當該第二反應器處於運作狀態時,該滌氣控制器控制該第二尾氣處理裝置對氣體進行加熱,當該第二反應器處於非運作狀態時,該滌氣控制器控制該第二尾氣處理裝置不進行加熱。
  7. 如請求項6所述的滌氣節能控制裝置,其中,該第一尾氣處理裝置與該第二尾氣處理裝置互相連通,該滌氣控制器還根據該第一尾氣處理裝置的狀態來控制該第二尾氣處理裝置對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度,且根據該第二尾氣處理裝置的狀態來控制該第一尾氣處理裝置對氣體加熱的溫度及對氣體加熱的時間長度,當該第一反應器處於運作狀態且該第一尾氣處理裝置發生異常時,該滌氣控制器控制該第二尾氣處理裝置提高對氣體加熱的溫度以支援該第一尾氣處理裝置,當該第二反應器處於運作狀態且該第二尾氣處理裝置發生異常時,該滌氣控制器控制該第一尾氣處理裝置提高對氣體加熱的溫度以支援該第二尾氣處理裝置。
  8. 如請求項6所述的滌氣節能控制裝置,其中,該滌氣控制器包括一用來讓使用者開啟或關閉該滌氣控制器的開關模組,當該滌氣控制器被關閉時,該第一尾氣處理裝置與該第二尾氣處理裝置恆對氣體進行加熱。
  9. 如請求項6所述的滌氣節能控制裝置,還包含一信號連接該滌氣控制器的監控伺服器,該滌氣控制器輸出一相關於該第一尾氣處理裝置與該第二尾氣處理裝置的運作情形的記錄資料,該監控伺服器接收該記錄資料並能將該記錄資料傳送至一電子裝置進行分析。
  10. 如請求項6所述的滌氣節能控制裝置,其中,該滌氣控制器包括一顯示出該第一反應器、該第二反應器、該第一尾氣處理裝置與該第二尾氣處理裝置的運作情形的顯示模組,及一用來讓使用者進行控制設定的輸入模組。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101072970A (zh) * 2005-11-01 2007-11-14 李善荣 废气引导装置
CN100385359C (zh) * 2000-09-20 2008-04-30 富加西提公司 流体质量流量控制器和流体流量计及测量和控制方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100385359C (zh) * 2000-09-20 2008-04-30 富加西提公司 流体质量流量控制器和流体流量计及测量和控制方法
CN101072970A (zh) * 2005-11-01 2007-11-14 李善荣 废气引导装置

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