JP4354428B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4354428B2 JP4354428B2 JP2005141355A JP2005141355A JP4354428B2 JP 4354428 B2 JP4354428 B2 JP 4354428B2 JP 2005141355 A JP2005141355 A JP 2005141355A JP 2005141355 A JP2005141355 A JP 2005141355A JP 4354428 B2 JP4354428 B2 JP 4354428B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- flow rate
- chamber
- substrate
- introduction port
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
11 チャンバ
21 仕切り板
30 窒素ガス供給配管
40 酸素ガス供給配管
50 第1のガス導入口用供給配管
52 大流量用マスフロコントローラ
60 第2のガス導入口用供給配管
62 小流量用マスフロコントローラ
70 CPU
80 マスフロコントローラ
90 マスフロコントローラ
Claims (4)
- 基板に処理ガスを供給しつつ、光照射によって基板の加熱処理を行う基板処理装置であって、
光透過性の材料を用いて構成された上面を有し、前記処理ガスが導入される第1のガス導入口と、前記処理ガスと同一の処理ガスが導入される第2のガス導入口とが設けられ、基板に前記処理を行うための空間を形成するチャンバと、
前記チャンバの上方に加熱源として設けられたランプと、
前記処理ガスの流量を所定の大流量に制御して配管を通じて前記チャンバの第1のガス導入口に供給可能な第1の流量制御手段と、
前記処理ガスの流量を所定の小流量に制御して配管を通じて前記チャンバの第2のガス導入口に供給可能な第2の流量制御手段とを備え、
前記第1のガス導入口は、前記チャンバ内に水平に保持された基板の側方から基板へ向けて前記処理ガスを導入する導入口であり、前記第2のガス導入口は、前記チャンバ内における基板の上部空間を介して下方へ前記処理ガスを導入する導入口であり、
前記第2の流量制御手段は、前記第1の流量制御手段よりも小流量側において精度良く流量制御可能であることを特徴とする基板処理装置。 - 基板に処理ガスを供給しつつ、光照射によって基板の加熱処理を行う基板処理装置であって、
光透過性の材料を用いて構成された上面を有し、前記処理ガスが導入される第1のガス導入口と、第2のガス導入口とが設けられ、基板に前記処理を行うための空間を形成するチャンバと、
前記チャンバの上方に加熱源として設けられたランプと、
前記処理ガスの流量を所定の大流量に制御して配管を通じて前記チャンバの第1のガス導入口に供給可能な第1の流量制御手段と、
前記処理ガスの流量を所定の小流量に制御して配管を通じて前記チャンバの第2のガス導入口に供給可能な第2の流量制御手段とを備え、
前記第1のガス導入口は、前記チャンバ内に水平に保持された基板の側方から基板へ向けて前記処理ガスを導入する導入口であり、前記第2のガス導入口は、前記チャンバ内における基板の上部空間へ前記処理ガスを導入する導入口であり、
前記第2の流量制御手段は、前記第1の流量制御手段よりも小流量側において精度良く流量制御可能であり、
前記チャンバ内を、前記第2のガス導入口より前記処理ガスが導入される前記上部空間と、基板が配置され前記第1のガス導入口より前記処理ガスが導入される下部空間とに仕切る複数の貫通孔が形成された仕切り板をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置において、
第1ガスを供給する第1の供給配管と、
前記第1の供給配管に介在され、前記第1ガスの流量を所定の流量に制御して供給する第1ガス流量制御手段と、
前記第1ガスと異なる種類の第2ガスを供給する第2の供給配管と、
前記第2の供給配管に介在され、前記第2ガスの流量を所定の流量に制御して供給する第2ガス流量制御手段と、
前記第1の供給配管と前記第2の供給配管とからそれぞれ供給される第1ガスと第2ガスとを合流させて前記第1の流量制御手段に供給する第1のガス混合配管と、
前記第1の供給配管と前記第2の供給配管とからそれぞれ供給される第1ガスと第2ガスとを合流させて前記第2の流量制御手段に供給する第2のガス混合配管とを備え、前記チャンバ内に前記第1のガス導入口と前記第2のガス導入口とから前記第1ガスと前記第2ガスの混合された混合ガスを前記処理ガスとして導入することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記チャンバに供給する混合ガスの総流量のうち、所定の流量が前記チャンバに設けられた第2のガス導入口に供給されるように前記第2の流量制御手段を制御するとともに、前記混合ガスの総流量から前記所定の流量を減じた残りの流量の混合ガスが前記チャンバに設けられた第1のガス導入口に供給されるように前記第1の流量制御手段を制御する制御手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005141355A JP4354428B2 (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005141355A JP4354428B2 (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 基板処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11029699A Division JP3715824B2 (ja) | 1999-04-19 | 1999-04-19 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005328063A JP2005328063A (ja) | 2005-11-24 |
JP4354428B2 true JP4354428B2 (ja) | 2009-10-28 |
Family
ID=35474106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005141355A Expired - Fee Related JP4354428B2 (ja) | 2005-05-13 | 2005-05-13 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4354428B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6864552B2 (ja) | 2017-05-17 | 2021-04-28 | 株式会社Screenホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
CN110892182A (zh) * | 2017-07-31 | 2020-03-17 | 株式会社富士金 | 气体供给系统 |
-
2005
- 2005-05-13 JP JP2005141355A patent/JP4354428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005328063A (ja) | 2005-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7244335B2 (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
US20030038127A1 (en) | System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing | |
US20100319619A1 (en) | Oxidation method and apparatus for semiconductor process | |
CN112585730B (zh) | 基片处理方法和基片处理装置 | |
JP2008091805A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び基板処理装置 | |
JP4354428B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2012153591A1 (ja) | 成膜装置 | |
JP2008109091A (ja) | シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム | |
JP3715824B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2012142482A (ja) | 基板処理装置 | |
US20190385843A1 (en) | Method of forming metal film and film forming apparatus | |
WO2020246309A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US20230392258A1 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
JP2000286251A (ja) | 紫外線処理装置 | |
JP4278128B2 (ja) | 基板処理装置および基板の処理方法 | |
JP2003059997A (ja) | 処理装置および処理方法 | |
US20010018276A1 (en) | Lamp annealing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
JPH11126770A (ja) | 基板処理装置 | |
KR200264228Y1 (ko) | 급속 열처리장치의 공정 챔버 | |
JP3647278B2 (ja) | 基板熱処理装置および基板熱処理方法 | |
JP4052506B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20240191357A1 (en) | Shower head assembly and film forming apparatus | |
WO2023188465A1 (ja) | 基板処理装置、ガス供給システム、基板処理方法、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
KR20000023081A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
JP7529764B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081014 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081209 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090728 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120807 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130807 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |