JPH0633266B2 - トリエチレンジアミン類の製造方法 - Google Patents
トリエチレンジアミン類の製造方法Info
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- JPH0633266B2 JPH0633266B2 JP61267228A JP26722886A JPH0633266B2 JP H0633266 B2 JPH0633266 B2 JP H0633266B2 JP 61267228 A JP61267228 A JP 61267228A JP 26722886 A JP26722886 A JP 26722886A JP H0633266 B2 JPH0633266 B2 JP H0633266B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はトリエチレンジアミン類の製造方法に関し、詳
しくは特定の結晶性金属シリケートを触媒として用いる
とともに3kg/cm2(絶対圧)以上の圧力下で反応を行
なうことにより、分子内に 一般式: [式中、R1,R2,R3およびR4はそれぞれ水素原子あるい
は炭素数1〜4のアルキル基を示す。] で表わされる基を有するアミン化合物から効率よくトリ
エチレンジアミン類を製造する方法に関する。
しくは特定の結晶性金属シリケートを触媒として用いる
とともに3kg/cm2(絶対圧)以上の圧力下で反応を行
なうことにより、分子内に 一般式: [式中、R1,R2,R3およびR4はそれぞれ水素原子あるい
は炭素数1〜4のアルキル基を示す。] で表わされる基を有するアミン化合物から効率よくトリ
エチレンジアミン類を製造する方法に関する。
[従来の技術および発明が解決しようとする問題点] 従来、ある種のアミノ化合物を、シリカ(SiO2)とアル
ミナ(Al2O3)のモル比SiO2/Al2O3比が20以上の高シリ
カゼオライトに、反応温度250〜550℃,空間速度200hr
-1〜2500hr-1,反応圧力0.5〜2kg/cm2(絶対圧)で接
触させてトリエチレンジアミン類を製造する方法が開発
されている(特開昭60-260574号公報)。
ミナ(Al2O3)のモル比SiO2/Al2O3比が20以上の高シリ
カゼオライトに、反応温度250〜550℃,空間速度200hr
-1〜2500hr-1,反応圧力0.5〜2kg/cm2(絶対圧)で接
触させてトリエチレンジアミン類を製造する方法が開発
されている(特開昭60-260574号公報)。
しかし、上記方法では原料であるアミノ化合物の転化率
が低く、実用には適さないものであった。
が低く、実用には適さないものであった。
本発明者らは、上記従来技術の欠点を克服して、高収率
でトリエチレンジアミン類を製造しうる方法を開発すべ
く鋭意研究を重ねた。
でトリエチレンジアミン類を製造しうる方法を開発すべ
く鋭意研究を重ねた。
[問題点を解決するための手段] その結果、原料化合物として分子内に 一般式: [式中、R1,R2,R3およびR4はそれぞれ水素原子あるい
は炭素数1〜4のアルキル基を示す。] で表わされる基を有するアミン化合物を用いるととも
に、特定の結晶性金属シリケートを触媒として用い、さ
らに反応圧力を3kg/cm2(絶対圧)以上、好ましくは4
kg/cm2(絶対圧)とすることにより、目的を達成しうる
ことを見出した。本発明はかかる知見により完成したも
のである。
は炭素数1〜4のアルキル基を示す。] で表わされる基を有するアミン化合物を用いるととも
に、特定の結晶性金属シリケートを触媒として用い、さ
らに反応圧力を3kg/cm2(絶対圧)以上、好ましくは4
kg/cm2(絶対圧)とすることにより、目的を達成しうる
ことを見出した。本発明はかかる知見により完成したも
のである。
すなわち本発明は、分子内に 一般式: [式中、R1,R2,R3およびR4は前記と同じ。] で表わされる基を有するアミン化合物を、有機結晶化剤
を用いて水熱合成して得られるZSM型の結晶性金属シ
リケートであって、シリカ(SiO2)と金属酸化物(M
2O3)のモル比SiO2/M2O3が12以上の結晶性金属シリケ
ートを含む触媒の存在下、圧力3kg/cm2(絶対圧)以上
の条件にて反応させることを特徴とするトリエチレンジ
アミン類の製造方法を提供するものである。
を用いて水熱合成して得られるZSM型の結晶性金属シ
リケートであって、シリカ(SiO2)と金属酸化物(M
2O3)のモル比SiO2/M2O3が12以上の結晶性金属シリケ
ートを含む触媒の存在下、圧力3kg/cm2(絶対圧)以上
の条件にて反応させることを特徴とするトリエチレンジ
アミン類の製造方法を提供するものである。
ここで本発明のトリエチレンジアミン類とは、 一般式 [式中、R1,R2,R3およびR4は前記と同じ。] で表わされる化合物をいう。
本発明の方法に用いる原料化合物は、分子内に 一般式: [式中、R1,R2,R3およびR4は前記と同じ。] で表わされる基を有するアミン化合物であればよく、様
々なものがあげられるが、例えばエタノールアミン,イ
ソプロパノールアミン,N−ヒドロキシエチルピペラジ
ン,N−アミノエチルピペラジン,ジエタノールアミ
ン,ジイソプロパノールアミン,トリエタノールアミ
ン,ピペラジン,モルホリン,エチレンジアミン,ジエ
チレントリアミンあるいはトリエチレンテトラミンなど
である。
々なものがあげられるが、例えばエタノールアミン,イ
ソプロパノールアミン,N−ヒドロキシエチルピペラジ
ン,N−アミノエチルピペラジン,ジエタノールアミ
ン,ジイソプロパノールアミン,トリエタノールアミ
ン,ピペラジン,モルホリン,エチレンジアミン,ジエ
チレントリアミンあるいはトリエチレンテトラミンなど
である。
本発明の方法において触媒として用いる結晶性金属シリ
ケートは、主として二酸化ケイ素(SiO2)と金属の酸化
物(M2O3)から結晶骨格が構成されており、両者の割
合、すなわちSiO2/M2O3(モル比)は12以上、好ましく
は40〜3000のものである。ここで、SiO2/M2O3(モル
比)が12未満のものであると、トリエチレンジアミン類
の収率が低下し、好ましくない。
ケートは、主として二酸化ケイ素(SiO2)と金属の酸化
物(M2O3)から結晶骨格が構成されており、両者の割
合、すなわちSiO2/M2O3(モル比)は12以上、好ましく
は40〜3000のものである。ここで、SiO2/M2O3(モル
比)が12未満のものであると、トリエチレンジアミン類
の収率が低下し、好ましくない。
本発明の方法における結晶性金属シリケートは、有機結
晶化剤を用いて水熱合成して得られるZSM型の結晶性
金属シリケートであって、上述のSiO2/M2O3(モル比)
を有するものであればよく、他の条件は特に制限はない
が、酸素10員環の主空洞を有するもの、特にペンタシル
型構造の金属シリケートに属する結晶性金属シリケート
が好ましい。また、この結晶性金属シリケートを構成す
る金属(M)は、好ましくは3価金属(M)であり、具
体的には、アルミニウム(Al),ガリウム(Ga),ホウ
素(B),鉄(Fe),インジウム(In),ランタン(L
a),スカンジウム(Sc),イットリウム(Y),クロ
ム(Cr)およびチタン(Ti)などがあり、これらのうち
一種もしくは二種以上の金属元素があげられる。
晶化剤を用いて水熱合成して得られるZSM型の結晶性
金属シリケートであって、上述のSiO2/M2O3(モル比)
を有するものであればよく、他の条件は特に制限はない
が、酸素10員環の主空洞を有するもの、特にペンタシル
型構造の金属シリケートに属する結晶性金属シリケート
が好ましい。また、この結晶性金属シリケートを構成す
る金属(M)は、好ましくは3価金属(M)であり、具
体的には、アルミニウム(Al),ガリウム(Ga),ホウ
素(B),鉄(Fe),インジウム(In),ランタン(L
a),スカンジウム(Sc),イットリウム(Y),クロ
ム(Cr)およびチタン(Ti)などがあり、これらのうち
一種もしくは二種以上の金属元素があげられる。
上述のような結晶性金属シリケートの具体例としては、
米国特許第3,790,471号などの公報に記載されているZSM
-5、特開昭47-25097号公報に記載されているZSM-8、特
公昭53-23280号公報に記載されているZSM-11がある。そ
の他、特開昭52-139029号公報に記載されているZSM-3
5、米国特許第4,001,346号などの公報に記載されている
ZSM-21などの結晶性アルミノシリケートであって、SiO2
/M2O3が12以上のものも使用することができる。
米国特許第3,790,471号などの公報に記載されているZSM
-5、特開昭47-25097号公報に記載されているZSM-8、特
公昭53-23280号公報に記載されているZSM-11がある。そ
の他、特開昭52-139029号公報に記載されているZSM-3
5、米国特許第4,001,346号などの公報に記載されている
ZSM-21などの結晶性アルミノシリケートであって、SiO2
/M2O3が12以上のものも使用することができる。
また、MがBの例として、特開昭53-55500号あるいは特
開昭55-7598号に記載されているZSM-5型構造もしくはZS
M-11型構造を有する結晶性ボロシリケートがある。Mが
Feの例として、ジャーナル・オブ・キャタリシス(Journ
al of Catalysis)第35巻256頁〜272頁(1974年)、特開
昭50-127898号あるいは特開昭55-85415号などに記載さ
れているフェリエライトなどの結晶性鉄シリケートがあ
る。MがGaの例としては、後記参考例3などに記載のZS
M-5型構造を有するガロシリケートなどの結晶性ガロシ
リケートがある。Mが、In,La,Sc,Y,Cr,Ti,Be,
Mnである例としては、前記結晶性アルミノシリケート中
の骨格に組込まれたAlのカチオンがそれぞれIn,La,S
c,Y,Cr,Ti,Be,Mnのカチオンで置き換わった構造
を有する結晶性金属シリケートがある。
開昭55-7598号に記載されているZSM-5型構造もしくはZS
M-11型構造を有する結晶性ボロシリケートがある。Mが
Feの例として、ジャーナル・オブ・キャタリシス(Journ
al of Catalysis)第35巻256頁〜272頁(1974年)、特開
昭50-127898号あるいは特開昭55-85415号などに記載さ
れているフェリエライトなどの結晶性鉄シリケートがあ
る。MがGaの例としては、後記参考例3などに記載のZS
M-5型構造を有するガロシリケートなどの結晶性ガロシ
リケートがある。Mが、In,La,Sc,Y,Cr,Ti,Be,
Mnである例としては、前記結晶性アルミノシリケート中
の骨格に組込まれたAlのカチオンがそれぞれIn,La,S
c,Y,Cr,Ti,Be,Mnのカチオンで置き換わった構造
を有する結晶性金属シリケートがある。
有機結晶化剤を用いて水熱合成して得られるZSM型の
結晶性金属シリケートの中でも、特にZSM−5が好ま
しい。
結晶性金属シリケートの中でも、特にZSM−5が好ま
しい。
本発明の方法において用いられる前記結晶性金属シリケ
ートは、公知の方法によって調製することができる。
ートは、公知の方法によって調製することができる。
たとえば、前記ZSM-5型ゼオライトを代表するペンタシ
ル型の結晶性金属シリケートを合成する方法としては、
C2からC5のテトラアルキルアンモニウムハライド、その
他のアミン類等の有機結晶化剤の存在下において、シリ
カ源としてコロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ
酸またはその縮合物、あるいはケイ酸塩、金属酸化物
(M2O3)源として、たとえば、硫酸アルミニウム、硝酸
ガリウム、ホウ酸、硫酸第2鉄、硫酸クロム、アルミン
酸ナトリウムなどの金属元素Mの硫酸塩、硝酸塩などの
塩あるいは酸素酸塩などを主成分とする混合物を用いて
水熱合成によって調製できることが知られている。
ル型の結晶性金属シリケートを合成する方法としては、
C2からC5のテトラアルキルアンモニウムハライド、その
他のアミン類等の有機結晶化剤の存在下において、シリ
カ源としてコロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ
酸またはその縮合物、あるいはケイ酸塩、金属酸化物
(M2O3)源として、たとえば、硫酸アルミニウム、硝酸
ガリウム、ホウ酸、硫酸第2鉄、硫酸クロム、アルミン
酸ナトリウムなどの金属元素Mの硫酸塩、硝酸塩などの
塩あるいは酸素酸塩などを主成分とする混合物を用いて
水熱合成によって調製できることが知られている。
また、前記の水熱合成の際に、ナトリウムなどのアルカ
リ金属水酸化物、ハライドなどのアルカリ金属化合物を
共存させて調製する方法も知られている。
リ金属水酸化物、ハライドなどのアルカリ金属化合物を
共存させて調製する方法も知られている。
これらの方法によって得られる結晶性金属シリケートは
一般にH+型ではなく、H+の代わりに4級アンモニウムイ
オンおよび/またはNa+などのアルカリ金属イオンが置
換されているので、これを、H+型に変えるのが好まし
い。この交換は公知の方法によって容易に達成できる。
一般にH+型ではなく、H+の代わりに4級アンモニウムイ
オンおよび/またはNa+などのアルカリ金属イオンが置
換されているので、これを、H+型に変えるのが好まし
い。この交換は公知の方法によって容易に達成できる。
たとえば、4級アンモニウムイオンをH+に変えるには、
空気中約500〜600℃の温度で焼成することによって達成
できることが知られており、一方、Na+などのアルカリ
金属イオンをH+に変えるには、たとえば、アルカリ金属
塩型結晶性金属シリケートを、硝酸アンモニウム、塩化
アンモニウムなどのアンモニウム塩の水溶液で処理して
アンモニウム塩型結晶性金属シリケートとし、しかる
後、300〜600℃で空気中で焼成し、H+型結晶性金属シリ
ケートを得る方法がよく用いられる。
空気中約500〜600℃の温度で焼成することによって達成
できることが知られており、一方、Na+などのアルカリ
金属イオンをH+に変えるには、たとえば、アルカリ金属
塩型結晶性金属シリケートを、硝酸アンモニウム、塩化
アンモニウムなどのアンモニウム塩の水溶液で処理して
アンモニウム塩型結晶性金属シリケートとし、しかる
後、300〜600℃で空気中で焼成し、H+型結晶性金属シリ
ケートを得る方法がよく用いられる。
これらのほか、直接、希塩酸などの希薄な酸で処理する
方式を用いることもできる。
方式を用いることもできる。
結晶性金属シリケートの合成法としては、これら以外に
も種々の方法が知られている。
も種々の方法が知られている。
本発明の方法において触媒として用いる結晶性金属シリ
ケートはこれらいずれの方法によっても合成することが
でき、本発明は、特定の調製法による触媒の使用に限定
されるものではない。
ケートはこれらいずれの方法によっても合成することが
でき、本発明は、特定の調製法による触媒の使用に限定
されるものではない。
なお、本発明では、結晶性金属シリケートは、H+型であ
るのが好ましいが、この発明の目的を阻害しない限り、
触媒中のH+の一部もしくは全部が他の陽イオンたとえば
マグネシウムイオン、カルシウムイオン、ランタンイオ
ン等で置換わっていても良い。また、結晶骨格を構成す
るアルミニウム原子の一部が他の金属(Ga,B,Fe,I
n,La,Sc,Y,Cr,Tiなど)で置換したものでもよ
い。
るのが好ましいが、この発明の目的を阻害しない限り、
触媒中のH+の一部もしくは全部が他の陽イオンたとえば
マグネシウムイオン、カルシウムイオン、ランタンイオ
ン等で置換わっていても良い。また、結晶骨格を構成す
るアルミニウム原子の一部が他の金属(Ga,B,Fe,I
n,La,Sc,Y,Cr,Tiなど)で置換したものでもよ
い。
本発明における触媒の形状は、粉末状、粒状、細片状、
球状、ペレット状などのいずれの形状でも使用すること
ができる。このように触媒を成形するには、シリカ,ア
ルミナ,シリカ−アルミナ等のバインダーを上記結晶性
金属シリケートに混合しておくことが好ましい。
球状、ペレット状などのいずれの形状でも使用すること
ができる。このように触媒を成形するには、シリカ,ア
ルミナ,シリカ−アルミナ等のバインダーを上記結晶性
金属シリケートに混合しておくことが好ましい。
本発明においては、第4級アミンなどの有機化合物を配
合して結晶性金属シリケートを水熱合成する場合には、
触媒活性を向上させるために反応前に空気および/また
は窒素などの不活性ガス気流中で、前記結晶性金属シリ
ケートを焼成することが好ましい。
合して結晶性金属シリケートを水熱合成する場合には、
触媒活性を向上させるために反応前に空気および/また
は窒素などの不活性ガス気流中で、前記結晶性金属シリ
ケートを焼成することが好ましい。
この場合、焼成条件は前記結晶性金属シリケートの種
類、4級アンモニウムイオンおよび構造水の残存の度合
などにより異なるが通常、400〜600℃、好ましくは450
〜550℃の温度で1時間以上、好ましくは3時間以上加
熱することによって金属シリケート中の有機化合物が除
去される。
類、4級アンモニウムイオンおよび構造水の残存の度合
などにより異なるが通常、400〜600℃、好ましくは450
〜550℃の温度で1時間以上、好ましくは3時間以上加
熱することによって金属シリケート中の有機化合物が除
去される。
本発明の方法では、このようにして調製された結晶性金
属シリケートを触媒として、原料である分子内に 一般式: [式中、R1,R2,R3およびR4は前記と同じ。]で表わさ
れる基を有するアミン化合物を用いて、これを3kg/cm2
(絶対圧)以上、好ましくは4kg/cm2(絶対圧)以上、
最も好ましくは6〜150kg/cm2(絶対圧)の圧力下で反
応させることによって、目的とするトリエチレンジアミ
ン類が効率よく得られる。ここで、反応の際の圧力が3
kg/cm2(絶対圧)未満では、原料である上記アミン化合
物の転化率が著しく低く好ましくない。
属シリケートを触媒として、原料である分子内に 一般式: [式中、R1,R2,R3およびR4は前記と同じ。]で表わさ
れる基を有するアミン化合物を用いて、これを3kg/cm2
(絶対圧)以上、好ましくは4kg/cm2(絶対圧)以上、
最も好ましくは6〜150kg/cm2(絶対圧)の圧力下で反
応させることによって、目的とするトリエチレンジアミ
ン類が効率よく得られる。ここで、反応の際の圧力が3
kg/cm2(絶対圧)未満では、原料である上記アミン化合
物の転化率が著しく低く好ましくない。
本発明の方法において、このアミン化合物の反応は、ア
ミン化合物を上述の結晶性金属シリケートよりなる触媒
と上記圧力下で接触させることによって進行し、この際
の反応温度や時間、さらには原料/触媒比などの条件に
ついては、用いるアミン化合物の種類や結晶性金属シリ
ケートの種類あるいは圧力条件等により異なり、一義的
に定めることはできない。しかし、通常は反応温度200
〜550℃、好ましくは250〜450℃の範囲で選定すればよ
い。
ミン化合物を上述の結晶性金属シリケートよりなる触媒
と上記圧力下で接触させることによって進行し、この際
の反応温度や時間、さらには原料/触媒比などの条件に
ついては、用いるアミン化合物の種類や結晶性金属シリ
ケートの種類あるいは圧力条件等により異なり、一義的
に定めることはできない。しかし、通常は反応温度200
〜550℃、好ましくは250〜450℃の範囲で選定すればよ
い。
また、反応の方式は回分式,流通式のいずれでもよく、
回分式の場合は反応時間10分〜48時間、好ましくは1〜
10時間とすべきであり、流通式の場合はGHSV(重量空間
速度)は特に限定しないが、通常は100〜20000hr-1であ
り、好ましいGHSVは温度に応じて定められる。例えば、
反応温度300℃の場合には200〜2000hr-1であり、350℃
の場合には1000〜10000hr-1である。さらに、本発明の
方法は、水素ガス,窒素ガス、水蒸気,あるいは炭化水
素などの不活性ガス、または水や不活性な炭化水素など
の不活性溶媒で、原料であるアミン化合物を希釈し、反
応を進行させることもできる。
回分式の場合は反応時間10分〜48時間、好ましくは1〜
10時間とすべきであり、流通式の場合はGHSV(重量空間
速度)は特に限定しないが、通常は100〜20000hr-1であ
り、好ましいGHSVは温度に応じて定められる。例えば、
反応温度300℃の場合には200〜2000hr-1であり、350℃
の場合には1000〜10000hr-1である。さらに、本発明の
方法は、水素ガス,窒素ガス、水蒸気,あるいは炭化水
素などの不活性ガス、または水や不活性な炭化水素など
の不活性溶媒で、原料であるアミン化合物を希釈し、反
応を進行させることもできる。
これらの希釈剤を使用すれば、反応の進行を適度に調節
することができる。
することができる。
また、回分式で行なう場合には、生成物であるトリエチ
レンジアミン類を留去させながら反応を進行させること
も有効である。
レンジアミン類を留去させながら反応を進行させること
も有効である。
本発明の方法において触媒として使用する結晶性金属シ
リケートの使用量は、触媒の種類,反応原料であるアミ
ン化合物の種類や他の条件によって異なるが、回分式の
場合、原料アミン化合物に対して、0.1〜100重量%、好
ましくは1〜10重量%の範囲で充分である。
リケートの使用量は、触媒の種類,反応原料であるアミ
ン化合物の種類や他の条件によって異なるが、回分式の
場合、原料アミン化合物に対して、0.1〜100重量%、好
ましくは1〜10重量%の範囲で充分である。
反応終了後、触媒を固液分離操作で分離除去したのち、
トリエチレンジアミン類を蒸留等によって単離精製して
もよいが、回分式の場合、通常は触媒を分離除去せずと
も、生成したトリエチレンジアミン類を蒸留によって系
外へ取り出せばよい。また、この蒸留操作によって回収
された未反応のアミン化合物は、出発原料として再使用
に供することができる。
トリエチレンジアミン類を蒸留等によって単離精製して
もよいが、回分式の場合、通常は触媒を分離除去せずと
も、生成したトリエチレンジアミン類を蒸留によって系
外へ取り出せばよい。また、この蒸留操作によって回収
された未反応のアミン化合物は、出発原料として再使用
に供することができる。
本発明の方法において触媒として用いる結晶性金属シリ
ケートは、適時、再生のための焼成操作を行なうことに
より、高活性の触媒として繰返し使用することができ
る。
ケートは、適時、再生のための焼成操作を行なうことに
より、高活性の触媒として繰返し使用することができ
る。
[実施例] 次に本発明を実施例に基いてさらに詳しく説明する。
参考例1(結晶性アルミノシリケート(I)の調製) 硫酸アルミニウム7.5gを水250mに溶解させ、さらに
これに濃硫酸17.6gおよびテトラ−n−プロピルアンモ
ニウムブロマイド26.3gを溶解させてこれをA液とし、
水ガラス[Jケイ酸ソーダ3号;日本化学工業(株)
製]211.0gを水250mに溶解させてB液とし、さらに
塩化ナトリウム79.0gを水122mに溶解させてC液と
した。
これに濃硫酸17.6gおよびテトラ−n−プロピルアンモ
ニウムブロマイド26.3gを溶解させてこれをA液とし、
水ガラス[Jケイ酸ソーダ3号;日本化学工業(株)
製]211.0gを水250mに溶解させてB液とし、さらに
塩化ナトリウム79.0gを水122mに溶解させてC液と
した。
次いで、上記のA液とB液とを、室温にて10分間にわた
り同時にC液に滴下した。得られた混合液をオートクレ
ーブに入れ、170℃で20時間加熱処理した。冷却後、内
容物を過水洗し、120℃で12時間乾燥させた。生成物
をX線回析分析したところZSM-5であることが確認され
た。得られたZSM-5を550℃で6時間焼成することにより
ナトリウム型ZSM-5を56.5g得た。このナトリウム型ZSM
-5を5倍重量の1規定硝酸アンモニウム水溶液に加え
て、8時間還流した。その後、冷却して静置し上澄みを
デカンテーションにより除去した。更に、還流・デカン
テーションの操作を3回繰り返したのち、内容物を過
・水洗いし、120℃で12時間乾燥し、アンモニウム型ZSM
-5を得た。このもののSiO2/Al2O3=90(モル比)であ
った。このアンモニウム型ZSM-5を空気中550℃、4時間
焼成し、H型ZSM-5すなわち結晶性アルミノシリケート
(I)を得た。
り同時にC液に滴下した。得られた混合液をオートクレ
ーブに入れ、170℃で20時間加熱処理した。冷却後、内
容物を過水洗し、120℃で12時間乾燥させた。生成物
をX線回析分析したところZSM-5であることが確認され
た。得られたZSM-5を550℃で6時間焼成することにより
ナトリウム型ZSM-5を56.5g得た。このナトリウム型ZSM
-5を5倍重量の1規定硝酸アンモニウム水溶液に加え
て、8時間還流した。その後、冷却して静置し上澄みを
デカンテーションにより除去した。更に、還流・デカン
テーションの操作を3回繰り返したのち、内容物を過
・水洗いし、120℃で12時間乾燥し、アンモニウム型ZSM
-5を得た。このもののSiO2/Al2O3=90(モル比)であ
った。このアンモニウム型ZSM-5を空気中550℃、4時間
焼成し、H型ZSM-5すなわち結晶性アルミノシリケート
(I)を得た。
参考例2(結晶性アルミノシリケート(II)の調製) 参考例1に記載した結晶性アルミノシリケート(I)の
調製において、硫酸アルミニウムの配合量を15.0gに代
えて、その他の調製条件と全く同様にして結晶性アルミ
ノシリケート(II)を調製した。このもののSiO2/Al2O
3=45(モル比)であった。
調製において、硫酸アルミニウムの配合量を15.0gに代
えて、その他の調製条件と全く同様にして結晶性アルミ
ノシリケート(II)を調製した。このもののSiO2/Al2O
3=45(モル比)であった。
参考例3(結晶性アルミノシリケート(III)の調製) 参考例1に記載した結晶性アルミノシリケート(I)の
調製において、硫酸アルミニウムの配合量を1.7gに代
えて、その他の調製条件を全く同様にして結晶性アルミ
ノシリケート(III)を調製した。このもののSiO2/Al2
O3=400(モル比)であった。
調製において、硫酸アルミニウムの配合量を1.7gに代
えて、その他の調製条件を全く同様にして結晶性アルミ
ノシリケート(III)を調製した。このもののSiO2/Al2
O3=400(モル比)であった。
参考例4(結晶性ガロシリケートの調製) 硝酸ガリウム2.34g、濃硫酸4.42gおよびテトラ−n−
プロピルアンモニウムブロマイド6.58gを水62mに溶
解させた溶液A、水ガラス[Jケイ酸ソーダ3号;日本
化学工業(株)製]52.78gを水62mに溶解した溶液
Bおよび塩化ナトリウム19.75gを水30mに溶解させ
た溶液Cを調製した。ついで、溶液AおよびBを同時に
溶液Cに滴下した。得られた混合液をオートクレーブに
入れて、反応温度170℃で24時間反応させた。冷却後、
オートクレーブの内容物を過水洗し、120℃で12時間
乾燥後、さらに600℃で6時間焼成してナトリウム型結
晶性ガロシリケート9.6gを得た。
プロピルアンモニウムブロマイド6.58gを水62mに溶
解させた溶液A、水ガラス[Jケイ酸ソーダ3号;日本
化学工業(株)製]52.78gを水62mに溶解した溶液
Bおよび塩化ナトリウム19.75gを水30mに溶解させ
た溶液Cを調製した。ついで、溶液AおよびBを同時に
溶液Cに滴下した。得られた混合液をオートクレーブに
入れて、反応温度170℃で24時間反応させた。冷却後、
オートクレーブの内容物を過水洗し、120℃で12時間
乾燥後、さらに600℃で6時間焼成してナトリウム型結
晶性ガロシリケート9.6gを得た。
次に得られたガロシリケートを5倍重量の1規定硝酸ア
ンモニウム溶液に加え、80℃で8時間加熱処理し、冷却
後、過した。さらに固形物に加熱、過の操作を3回
繰り返した後、水洗し120℃で16時間乾燥してアンモニ
ウム型結晶性ガロシリケートを得た。このもののSiO2と
Ga2O3の組成比はSiO2/Ga2O3=75.5(モル比)であっ
た。また、このガロシリケートはX線回折により、ZSM-
5構造を有するものであることがわかった。このアンモ
ニウム型結晶性ガロシリケートを空気中550℃、4時間
焼成することによってH型結晶性ガロシリケートを得
た。
ンモニウム溶液に加え、80℃で8時間加熱処理し、冷却
後、過した。さらに固形物に加熱、過の操作を3回
繰り返した後、水洗し120℃で16時間乾燥してアンモニ
ウム型結晶性ガロシリケートを得た。このもののSiO2と
Ga2O3の組成比はSiO2/Ga2O3=75.5(モル比)であっ
た。また、このガロシリケートはX線回折により、ZSM-
5構造を有するものであることがわかった。このアンモ
ニウム型結晶性ガロシリケートを空気中550℃、4時間
焼成することによってH型結晶性ガロシリケートを得
た。
参考例5(結晶性ボロシリケートの調製) 酸化ホウ素2.54gを水325mに溶解し、さらに濃硫酸7
3.23gおよびテトラ−n−プロピルアンモニウムブロマ
イド88.08gを加えてA液を調製した。また水ガラス
[商品名「Jケイ酸ソーダ3号」;日本化学工業(株)
製]686.14gを水325mに溶解して溶液Bを調製し
た。さらに塩化ナトリウム125.65gを水182mに溶解
して溶液Cを調製した。
3.23gおよびテトラ−n−プロピルアンモニウムブロマ
イド88.08gを加えてA液を調製した。また水ガラス
[商品名「Jケイ酸ソーダ3号」;日本化学工業(株)
製]686.14gを水325mに溶解して溶液Bを調製し
た。さらに塩化ナトリウム125.65gを水182mに溶解
して溶液Cを調製した。
次いでA液とB液を同時にC液に滴下した。得られた混
合液をオートクレーブに入れ、170℃で20時間、加熱処
理した。冷却後、内容物を過水洗し、120℃で12時間
乾燥後、さらに550℃で6時間焼成してナトリウム型結
晶性ボロシリケート140.3gを得た。
合液をオートクレーブに入れ、170℃で20時間、加熱処
理した。冷却後、内容物を過水洗し、120℃で12時間
乾燥後、さらに550℃で6時間焼成してナトリウム型結
晶性ボロシリケート140.3gを得た。
得られたボロシリケートを5倍重量の1規定硝酸アンモ
ニウム水溶液に加えて8時間、還流し、冷却後、上澄み
をデカンテーションにより除去した。さらに、還流およ
びデカンテーションの操作を3回繰り返した後、内容物
を過,水洗し、120℃で12時間乾燥し、アンモニウム
型ボロシリケートを得た。得られたアンモニウム型ボロ
シリケートのSiO2/B2O3(モル比)は170であった。こ
のアンモニウム型ボロシリケートを空気中550℃で4時
間焼成してH型結晶性ボロシリケートを得た。
ニウム水溶液に加えて8時間、還流し、冷却後、上澄み
をデカンテーションにより除去した。さらに、還流およ
びデカンテーションの操作を3回繰り返した後、内容物
を過,水洗し、120℃で12時間乾燥し、アンモニウム
型ボロシリケートを得た。得られたアンモニウム型ボロ
シリケートのSiO2/B2O3(モル比)は170であった。こ
のアンモニウム型ボロシリケートを空気中550℃で4時
間焼成してH型結晶性ボロシリケートを得た。
参考例6(結晶性鉄シリケートの調製) 硝酸鉄(III)8.24gを水250mに溶解し、さらに濃硫
酸17.6gおよびテトラ−n−プロピルアンモニウムブロ
マイド26.3gを加えてA液を調製した。また水ガラス
[商品名「Jケイ酸ソーダ3号」;日本化学工業(株)
製]211.0gを水250mに溶解して溶液Bを調製した。
さらに塩化ナトリウム79.0gを水122mに溶解して溶
液Cを調製した。
酸17.6gおよびテトラ−n−プロピルアンモニウムブロ
マイド26.3gを加えてA液を調製した。また水ガラス
[商品名「Jケイ酸ソーダ3号」;日本化学工業(株)
製]211.0gを水250mに溶解して溶液Bを調製した。
さらに塩化ナトリウム79.0gを水122mに溶解して溶
液Cを調製した。
これらをもとに前記参考例2と同様にして、ナトリウム
型鉄シリケート48.2gを得、SiO2/Fe2O3(モル比)が10
0であるアンモニウム型鉄シリケートを得、これからH
型結晶性鉄シリケートを得た。
型鉄シリケート48.2gを得、SiO2/Fe2O3(モル比)が10
0であるアンモニウム型鉄シリケートを得、これからH
型結晶性鉄シリケートを得た。
実施例1 固定床流通式反応管に、参考例1で得られた結晶性アル
ミノシリケート(I)1.06gを充填し、温度を350℃に
維持しながら、モノエタノールアミンと水との混合物
(モノエタノールアミン/水(重量比)=1/2)を水素
気流下(204m/分,20℃換算)で反応圧力を4kg/cm
2(絶対圧)に保ち、GHSV 10200hr-1の条件で装入し
た。その結果、トリエチレンジアミン類が収率21.0%で
得られた。また原料であるモノエタノールアミンは、そ
の64.8%が未反応物として回収された。
ミノシリケート(I)1.06gを充填し、温度を350℃に
維持しながら、モノエタノールアミンと水との混合物
(モノエタノールアミン/水(重量比)=1/2)を水素
気流下(204m/分,20℃換算)で反応圧力を4kg/cm
2(絶対圧)に保ち、GHSV 10200hr-1の条件で装入し
た。その結果、トリエチレンジアミン類が収率21.0%で
得られた。また原料であるモノエタノールアミンは、そ
の64.8%が未反応物として回収された。
実施例2〜4 実施例1において、反応圧力を7kg/cm2(絶対圧)(実
施例2),11kg/cm2(絶対圧)(実施例3)あるいは50
kg/cm2(絶対圧)(実施例4)にそれぞれ変えたこと以
外は、実施例1と同様の操作を行なった。その結果を第
1表に示す。
施例2),11kg/cm2(絶対圧)(実施例3)あるいは50
kg/cm2(絶対圧)(実施例4)にそれぞれ変えたこと以
外は、実施例1と同様の操作を行なった。その結果を第
1表に示す。
比較例1 実施例1において、反応圧力を1kg/cm2(絶対圧)に保
って反応を行なったこと以外は、実施例1と同様の操作
を行なった。その結果を第1表に示す。
って反応を行なったこと以外は、実施例1と同様の操作
を行なった。その結果を第1表に示す。
実施例5〜7 実施例1において、結晶性アルミノシリケート(I)を
2.0g(実施例5),4.0g(実施例6)あるいは7.7g
(実施例7)にそれぞれ変えて、反応圧力を7kg/cm
2(絶対圧)とし、GHSVを5400hr-1(実施例5),2700h
r-1(実施例6)あるいは1400hr-1(実施例7)にそれ
ぞれ変えたこと以外は、実施例1と同様な操作を行なっ
た。その結果を第1表に示す。
2.0g(実施例5),4.0g(実施例6)あるいは7.7g
(実施例7)にそれぞれ変えて、反応圧力を7kg/cm
2(絶対圧)とし、GHSVを5400hr-1(実施例5),2700h
r-1(実施例6)あるいは1400hr-1(実施例7)にそれ
ぞれ変えたこと以外は、実施例1と同様な操作を行なっ
た。その結果を第1表に示す。
実施例8 実施例6において、反応温度を300℃としたこと以外
は、実施例6と同様の操作を行なった。その結果を第1
表に示す。
は、実施例6と同様の操作を行なった。その結果を第1
表に示す。
比較例2 実施例8において、反応圧力を1kg/cm2(絶対圧)とし
たこと以外は、実施例8と同様の操作を行なった。その
結果を第1表に示す。
たこと以外は、実施例8と同様の操作を行なった。その
結果を第1表に示す。
実施例9〜10 実施例6において、結晶性アルミノシリケート(I)の
代わりに結晶性アルミノシリケート(II)(実施例9)
あるいは結晶性アルミノシリケート(III)(実施例1
0)にそれぞれ変えたこと以外は、実施例6と同様の操
作を行なった。その結果を第1表に示す。
代わりに結晶性アルミノシリケート(II)(実施例9)
あるいは結晶性アルミノシリケート(III)(実施例1
0)にそれぞれ変えたこと以外は、実施例6と同様の操
作を行なった。その結果を第1表に示す。
実施例11〜12 実施例6において、結晶性アルミノシリケート(I)の
代わりに結晶性ガロシリケート(実施例11),結晶性ボ
ロシリケート(実施例12),結晶性フェロシリケート
(実施例13)をそれぞれ使用したこと以外は、実施例6
と同様の操作を行なった。その結果を第1表に示す。
代わりに結晶性ガロシリケート(実施例11),結晶性ボ
ロシリケート(実施例12),結晶性フェロシリケート
(実施例13)をそれぞれ使用したこと以外は、実施例6
と同様の操作を行なった。その結果を第1表に示す。
実施例14〜19 実施例6において、モノエタノールアミンの代わりにジ
エタノールアミン(実施例14),ピペラジン(実施例1
5),モルホリン(実施例16),エチレンジアミン(実
施例17),N−ヒドロキシエチルピペラジン(実施例1
8)あるいはN−アミンエチル−ピペラジン(実施例1
9)をそれぞれ使用したこと以外は、実施例6と同様の
操作を行なった。その結果を第1表に示す。
エタノールアミン(実施例14),ピペラジン(実施例1
5),モルホリン(実施例16),エチレンジアミン(実
施例17),N−ヒドロキシエチルピペラジン(実施例1
8)あるいはN−アミンエチル−ピペラジン(実施例1
9)をそれぞれ使用したこと以外は、実施例6と同様の
操作を行なった。その結果を第1表に示す。
[発明の効果] 叙上の如く、本発明によれば様々なアミン化合物を原料
として用いることができ、反応圧力を3kg/cm2(絶対
圧)以上にすることにより、原料アミン化合物の転化率
が著しく増加し、目的とするトリエチレンジアミン類を
高収率で製造することができる。また、本発明の方法に
よれば、適当なGHSVにすることによりトリエチレンジア
ミン類の選択率を著しく増大させることができる。さら
に、本発明の方法は、用いる結晶性金属シリケートが熱
安定性にすぐれ、比較的高温下での使用が可能であるた
め、反応速度を充分に高く保持することができ、かつ活
性が長時間持続し、そのうえ再生処理を施すことにより
何回でも触媒として有利に利用しうるので、従来の方法
に比べ製造コストが低く、工業上著しく有利な方法であ
る。
として用いることができ、反応圧力を3kg/cm2(絶対
圧)以上にすることにより、原料アミン化合物の転化率
が著しく増加し、目的とするトリエチレンジアミン類を
高収率で製造することができる。また、本発明の方法に
よれば、適当なGHSVにすることによりトリエチレンジア
ミン類の選択率を著しく増大させることができる。さら
に、本発明の方法は、用いる結晶性金属シリケートが熱
安定性にすぐれ、比較的高温下での使用が可能であるた
め、反応速度を充分に高く保持することができ、かつ活
性が長時間持続し、そのうえ再生処理を施すことにより
何回でも触媒として有利に利用しうるので、従来の方法
に比べ製造コストが低く、工業上著しく有利な方法であ
る。
本発明の方法によって得られるトリエチレンジアミン類
は、ポリウレタンおよびエポキシ樹脂の硬化剤として有
効に利用しうるものである。
は、ポリウレタンおよびエポキシ樹脂の硬化剤として有
効に利用しうるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07B 61/00 300
Claims (2)
- 【請求項1】分子内に、 一般式 〔式中、R1,R2,R3およびR4はそれぞれ水素原
子あるいは炭素数1〜4のアルキル基を示す。〕 で表わされる基を有するアミン化合物を、有機結晶化剤
を用いて水熱合成して得られるZSM型の結晶性金属シ
リケートであって、シリカ(SiO2)と金属酸化物(M
2O3)のモル比SiO2/M2O3が12以上の結晶性金属シリケー
トを含む触媒の存在下、圧力3kg/cm2(絶対圧)以上の
条件にて反応させることを特徴とするトリエチレンジア
ミン類の製造方法。 - 【請求項2】圧力が4kg/cm2(絶対圧)以上である特許
請求の範囲第1項記載の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61267228A JPH0633266B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | トリエチレンジアミン類の製造方法 |
US07/481,661 US4966969A (en) | 1986-11-10 | 1990-02-14 | Process for the preparation of triethylenediamines |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61267228A JPH0633266B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | トリエチレンジアミン類の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63122654A JPS63122654A (ja) | 1988-05-26 |
JPH0633266B2 true JPH0633266B2 (ja) | 1994-05-02 |
Family
ID=17441920
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61267228A Expired - Lifetime JPH0633266B2 (ja) | 1986-11-10 | 1986-11-10 | トリエチレンジアミン類の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4966969A (ja) |
JP (1) | JPH0633266B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3823160A1 (de) * | 1988-07-08 | 1990-01-11 | Basf Ag | Verfahren zur herstellung von 1,4-diazabicyclo-2,2,2-octanen |
US5162531A (en) * | 1990-09-20 | 1992-11-10 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation | Mixed metal oxide catalytic process for the preparation of triethylenediamines |
US5731449A (en) * | 1996-09-23 | 1998-03-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Triethylendiamine synthesis with base-treated zeolites as catalysts |
US5741906A (en) * | 1996-11-15 | 1998-04-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Production of triethylenediamine using surface acidity deactivated zeolite catalysts |
US5756741A (en) * | 1996-11-15 | 1998-05-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for the production of triethylenediamine |
US6084096A (en) * | 1998-04-09 | 2000-07-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Triethylenediamine and piperazine synthesis using zeolite catalysts modified with a silicon-containing compound |
DE19930736C2 (de) | 1999-07-05 | 2001-07-05 | Performance Chemicals Handels | Verfahren zur Herstellung von Triethylendiamin unter Einsatz von Ethylendiamin |
CA2384884C (en) * | 2000-07-31 | 2008-05-06 | Concordia University | Catalysts for deep catalytic cracking of petroleum naphthas and other hydrocarbon feedstocks for the selective production of light olefins and method of making thereof |
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