JPH0632770A - 反強誘電性液晶化合物 - Google Patents
反強誘電性液晶化合物Info
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- JPH0632770A JPH0632770A JP4283949A JP28394992A JPH0632770A JP H0632770 A JPH0632770 A JP H0632770A JP 4283949 A JP4283949 A JP 4283949A JP 28394992 A JP28394992 A JP 28394992A JP H0632770 A JPH0632770 A JP H0632770A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アミド結合を有する新規な反強誘電性液晶化
合物の提供。 【構成】 一般式 【化１】 （式中、Ｒ1とＲ2は炭素数３〜１８のアルキル基よりな
る群からそれぞれ独立に選らばれた基、Ｒｆはフルオロ
低級アルキル基、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ
−、−ＣＯ−および単結合よりなる群から選らばれた基
であり、（Ａ）と（Ｂ）は、少なくともハロゲン原子が
置換されていることもあるフェニル、ビフェニルおよび
ナフタレン基よりなる群から独立して選らばれた基であ
る。＊は光学活性炭素を示す。）で表される反強誘電性
液晶化合物。
合物の提供。 【構成】 一般式 【化１】 （式中、Ｒ1とＲ2は炭素数３〜１８のアルキル基よりな
る群からそれぞれ独立に選らばれた基、Ｒｆはフルオロ
低級アルキル基、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ
−、−ＣＯ−および単結合よりなる群から選らばれた基
であり、（Ａ）と（Ｂ）は、少なくともハロゲン原子が
置換されていることもあるフェニル、ビフェニルおよび
ナフタレン基よりなる群から独立して選らばれた基であ
る。＊は光学活性炭素を示す。）で表される反強誘電性
液晶化合物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアミド結合を有する新規
液晶化合物に関する。本発明の光学活性な液晶化合物
は、双安定状態を示す強誘電性及び全く新しい光学的三
安定状態を示す反強誘電性液晶である。さらに、該液晶
化合物は、電界への応答を利用した表示素子や電気光学
素子に使用されるものである。
液晶化合物に関する。本発明の光学活性な液晶化合物
は、双安定状態を示す強誘電性及び全く新しい光学的三
安定状態を示す反強誘電性液晶である。さらに、該液晶
化合物は、電界への応答を利用した表示素子や電気光学
素子に使用されるものである。
【０００２】
【従来技術】液晶を用いた電気光学装置としては、ＤＳ
Ｍ形、ＴＮ形、Ｇ−Ｈ形、ＳＴＮ形などのネマチック液
晶を用いた電気光学装置が開発され実用化されている。
しかしながら、このようなネマチック液晶を用いたもの
はいずれも応答速度が数ｍから数十ｍｓｅｃと極めて遅
いという欠点を有するため、その応用分野に制約があ
る。ネマチック液晶を用いた素子の応答速度がおそいの
は分子を動かすトルクが基本的に誘電率の異方性に基づ
いているため、その力があまり強くないためである。こ
のような背景の中で、自発分極（Ｐｓ）を持ち、トルク
がＰｓ×Ｅ（Ｅは印加電界）に基づいているため、その
力が強く、数μｓｅｃから数十μｓｅｃと極めて光学応
答時間が短かい超高速デバイスが可能になる強誘電性液
晶の開発が試みられていた。強誘電性液晶は、１９７５
年、Ｍｅｙｏｒ等によりＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシルオ
キシベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシン
ナメート）が初めて合成された（Ｌｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ，３６巻１９７５，Ｌ−６
９）。さらに、１９８０年、ＣｌａｒｋとＬａｇａｗａ
ｌｌによりＤＯＢＡＭＢＣのサブマイクロ秒の高速応
答、メモリー特性など表示デバイス上の特性が報告され
て以来、強誘電性液晶が大きな注目を集めるようになっ
た〔Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋ，ｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．３６．８９９（１９８０）〕。しか
し、彼らの方式には、実用化に向けて多くの技術的課題
があり、特に室温で強誘電性液晶を示す材料は無く、表
示ディスプレーに不可欠な液晶分子の配列制御に有効か
つ実用的な方法も確立されていなかった。この報告以
来、液晶材料／デバイス両面からの様々な試みがなさ
れ、ツイスト二状態間のスイッチングを利用した表示デ
バイスが試作され、それを用いた高速電気光学装置も例
えば特開昭５６−１０７２１６号などで提案されている
が、高いコントラストや適正なしきい値特性は得られて
いない。このような視点から他のスイッチング方式につ
いても探索され、過渡的な散乱方式が提案された。その
後、１９８８年に本発明者らによる三安定状態を有する
液晶の三状態スイッチング方式が報告された〔Ａ．Ｄ．
Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎｉ，Ｔ．Ｈａｇｉｗａｒａ，Ｙ．Ｓ
ｕｚｕｋｉ ｅｔａｌ．，Ｊａｐａｎ．Ｊ．ｏｆＡｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，２７，（５），Ｌ７２９−Ｌ７３２
（１９８８）〕。前記「三状態を有する」とは、第一の
電極基板と所定の間隙を隔てて配置されている第二の電
極基板の間に強誘電性液晶が挾まれてなる液晶電気光学
装置において、前記第一及び第二の電極基板に電界形成
用の電圧が印加されるよう構成されており、図１Ａで示
される三角波として電圧を印加したとき、図１Ｄのよう
に前記強誘電性液晶が、無電界時に分子配向が第一の安
定状態（図１Ｄの２）を有し、かつ、電界印加時に一方
の電界方向に対し分子配向が前記第一の安定状態とは異
なる第二の安定状態（図１Ｄの１）を有し、さらに他方
の電界方向に対し前記第一及び第二の安定状態とは異な
る第三の分子配向安定状態（図１Ｄの３）を有すること
を意味する。なお、この三安定状態、すなわち三状態を
利用する液晶電気光学装置については、本出願人は特願
昭６３−７０２１２号として出願し、特開平２−１５３
３２２号として公開されている。三安定状態を示す反強
誘電性液晶の特徴をさらに詳しく説明する。クラーク／
ラガウェル（Ｃｌａｒｋ−Ｌａｇａｗａｌｌ）により提
案された表面安定化強誘電性液晶素子では、Ｓ＊Ｃ相に
おいて強誘電性液晶分子が図２（ａ），（ｂ）のように
一方向に均一配向した２つの安定状態を示し、印加電界
の方向により、どちらか一方の状態に安定化され、電界
を切ってもその状態が保持される。しかしながら実際に
は、強誘電性液晶分子の配向状態は、液晶分子のダイレ
クターが捩れたツイスト二状態を示したり、層がくの字
に折れ曲ったシエブロン構造を示す。シエブロン層構造
では、スイッチング角が小さくなり低コントラストの原
因になるなど、実用化へ向けて大きな障害になってい
る。一方、“反”強誘電性液晶は三安定状態を示すＳ＊
(3)相では、上記液晶電気光学装置において、無電界時
には、図３（ａ）に示すごとく隣り合う層毎に分子は逆
方向に傾き反平行に配列し、液晶分子の双極子はお互に
打ち消し合っている。したがって、液晶層全体として自
発分極は打ち消されている。この分子配列を示す液晶相
は、図１Ｄのに対応している。さらに、（＋）又は
（−）のしきい値より充分大きい電圧を印加すると、図
３（ｂ）および（ｃ）に示す液晶分子が同一方向に傾
き、平行に配列する。この状態では、分子の双極子も同
一方向に揃うため自発分極が発生し、強誘電相となる。
すなわち、“反”強誘電性液晶のＳ＊(3)相において
は、無電界時の“反”強誘電相と印加電界の極性による
２つの強誘電相が安定になり、“反”強誘電相と２つの
強誘電相間を直流的しきい値を持って三安定状態間スイ
ッチングを行うものである。このスイッチングに伴う液
晶分子配列の変化により図４に示すダブル・ヒステリシ
スを描いて光透過率が変化する。このダブル・ヒステリ
シスに、図４の（Ａ）に示すようにバイアス電圧を印加
して、さらにパルス電圧を重畳することによりメモリー
効果を実現できる特徴を有する。さらに、電界印加によ
り強誘電相は層がストレッチされ、ブックシエルフ構造
となる。一方、第三安定状態の“反”強誘電相では類似
ブックシエルフ構造となる。この電界印加による層構造
スイッチングが液晶層に動的シエアーを与えるため駆動
中に配向欠陥が改善され、良好な分子配向が実現でき
る。そして、“反”強誘電性液晶では、プラス側とマイ
ナス側の両方のヒステリシスを交互に使い画像表示を行
なうため、自発分極に基づく内部電界の蓄積による画像
の残像現象を防止することができる。以上のように、
“反”強誘電性液晶は、１）高速応答が可能で、２）高
いコントラストと広い視野角および３）良好な配向特性
とメモリー効果が実現できる、非常に有用な液晶化合物
と言える。“反”強誘電性液晶の三安定状態を示す液晶
相については、１）Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎｉ ｅ
ｔａｌ.，Ｊａｐａｎ Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ.，２
８，Ｌ−１２６５（１９８９）、２）Ｈ．Ｏｒｉｈａｒ
ａ ｅｔａｌ.，ＪａｐａｎＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ.，
２９，Ｌ−３３３（１９９０）に報告されており、
“反”強誘電的性質にちなみＳ＊Ｃ A相（Ａｎｔｉｆｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｓｍｅｃｔｉｃ Ｃ＊相）と
命名している。本発明者らは、この液晶相が三安定状態
間のスイッチングを行なうためＳ＊(3)相と定義した。
三安定状態を示す“反”強誘電相Ｓ＊(3)を相系列に有
する液晶化合物は、本発明者の出願した特開平１−３１
６３６７号、特開平１−３１６３７２号、特開平１−３
１６３３９号、特開平２−２８１２８号及び市橋等の特
開平１−２１３３９０号公報があり、また三安定状態を
利用した液晶電気光学装置としては本出願人は特開平２
−４０６２５号、特開平２−１５３３２２号、特開平２
−１７３７２４号において提案されている。アミド結合
を有する液晶化合物は、特開昭６３−１２６８６５号、
特開昭６３−１３２８６９号および特開平２−１５１６
８４号が報告されている。しかしながら、特開昭６３−
１２６８６５号では、インドール環等の光学活性環状ア
ミド化合物を、特開昭６３−１３２８６９号では、天然
由来のＬーイソロイシンを出発原料とした化合物であ
り、共にスメクチックベース液晶に５％程度混合して強
誘電性キラルスメクチック相を発現するキラルドーパン
ト化合物である。また、特開平２−１５１６８４号で
は、ジメチルホルムアミド、ジブチルホルムアミドおよ
びジフェニルホルムアミドのようなアミド類の液晶相の
経時変化に対する安定剤を提案したものである。以上の
ごとく、アミド結合を有する“反”強誘電性液晶につい
てはいまだ報告されていない。
Ｍ形、ＴＮ形、Ｇ−Ｈ形、ＳＴＮ形などのネマチック液
晶を用いた電気光学装置が開発され実用化されている。
しかしながら、このようなネマチック液晶を用いたもの
はいずれも応答速度が数ｍから数十ｍｓｅｃと極めて遅
いという欠点を有するため、その応用分野に制約があ
る。ネマチック液晶を用いた素子の応答速度がおそいの
は分子を動かすトルクが基本的に誘電率の異方性に基づ
いているため、その力があまり強くないためである。こ
のような背景の中で、自発分極（Ｐｓ）を持ち、トルク
がＰｓ×Ｅ（Ｅは印加電界）に基づいているため、その
力が強く、数μｓｅｃから数十μｓｅｃと極めて光学応
答時間が短かい超高速デバイスが可能になる強誘電性液
晶の開発が試みられていた。強誘電性液晶は、１９７５
年、Ｍｅｙｏｒ等によりＤＯＢＡＭＢＣ（ｐ−デシルオ
キシベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブチルシン
ナメート）が初めて合成された（Ｌｅ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ，３６巻１９７５，Ｌ−６
９）。さらに、１９８０年、ＣｌａｒｋとＬａｇａｗａ
ｌｌによりＤＯＢＡＭＢＣのサブマイクロ秒の高速応
答、メモリー特性など表示デバイス上の特性が報告され
て以来、強誘電性液晶が大きな注目を集めるようになっ
た〔Ｎ．Ａ．Ｃｌａｒｋ，ｅｔａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．３６．８９９（１９８０）〕。しか
し、彼らの方式には、実用化に向けて多くの技術的課題
があり、特に室温で強誘電性液晶を示す材料は無く、表
示ディスプレーに不可欠な液晶分子の配列制御に有効か
つ実用的な方法も確立されていなかった。この報告以
来、液晶材料／デバイス両面からの様々な試みがなさ
れ、ツイスト二状態間のスイッチングを利用した表示デ
バイスが試作され、それを用いた高速電気光学装置も例
えば特開昭５６−１０７２１６号などで提案されている
が、高いコントラストや適正なしきい値特性は得られて
いない。このような視点から他のスイッチング方式につ
いても探索され、過渡的な散乱方式が提案された。その
後、１９８８年に本発明者らによる三安定状態を有する
液晶の三状態スイッチング方式が報告された〔Ａ．Ｄ．
Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎｉ，Ｔ．Ｈａｇｉｗａｒａ，Ｙ．Ｓ
ｕｚｕｋｉ ｅｔａｌ．，Ｊａｐａｎ．Ｊ．ｏｆＡｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．，２７，（５），Ｌ７２９−Ｌ７３２
（１９８８）〕。前記「三状態を有する」とは、第一の
電極基板と所定の間隙を隔てて配置されている第二の電
極基板の間に強誘電性液晶が挾まれてなる液晶電気光学
装置において、前記第一及び第二の電極基板に電界形成
用の電圧が印加されるよう構成されており、図１Ａで示
される三角波として電圧を印加したとき、図１Ｄのよう
に前記強誘電性液晶が、無電界時に分子配向が第一の安
定状態（図１Ｄの２）を有し、かつ、電界印加時に一方
の電界方向に対し分子配向が前記第一の安定状態とは異
なる第二の安定状態（図１Ｄの１）を有し、さらに他方
の電界方向に対し前記第一及び第二の安定状態とは異な
る第三の分子配向安定状態（図１Ｄの３）を有すること
を意味する。なお、この三安定状態、すなわち三状態を
利用する液晶電気光学装置については、本出願人は特願
昭６３−７０２１２号として出願し、特開平２−１５３
３２２号として公開されている。三安定状態を示す反強
誘電性液晶の特徴をさらに詳しく説明する。クラーク／
ラガウェル（Ｃｌａｒｋ−Ｌａｇａｗａｌｌ）により提
案された表面安定化強誘電性液晶素子では、Ｓ＊Ｃ相に
おいて強誘電性液晶分子が図２（ａ），（ｂ）のように
一方向に均一配向した２つの安定状態を示し、印加電界
の方向により、どちらか一方の状態に安定化され、電界
を切ってもその状態が保持される。しかしながら実際に
は、強誘電性液晶分子の配向状態は、液晶分子のダイレ
クターが捩れたツイスト二状態を示したり、層がくの字
に折れ曲ったシエブロン構造を示す。シエブロン層構造
では、スイッチング角が小さくなり低コントラストの原
因になるなど、実用化へ向けて大きな障害になってい
る。一方、“反”強誘電性液晶は三安定状態を示すＳ＊
(3)相では、上記液晶電気光学装置において、無電界時
には、図３（ａ）に示すごとく隣り合う層毎に分子は逆
方向に傾き反平行に配列し、液晶分子の双極子はお互に
打ち消し合っている。したがって、液晶層全体として自
発分極は打ち消されている。この分子配列を示す液晶相
は、図１Ｄのに対応している。さらに、（＋）又は
（−）のしきい値より充分大きい電圧を印加すると、図
３（ｂ）および（ｃ）に示す液晶分子が同一方向に傾
き、平行に配列する。この状態では、分子の双極子も同
一方向に揃うため自発分極が発生し、強誘電相となる。
すなわち、“反”強誘電性液晶のＳ＊(3)相において
は、無電界時の“反”強誘電相と印加電界の極性による
２つの強誘電相が安定になり、“反”強誘電相と２つの
強誘電相間を直流的しきい値を持って三安定状態間スイ
ッチングを行うものである。このスイッチングに伴う液
晶分子配列の変化により図４に示すダブル・ヒステリシ
スを描いて光透過率が変化する。このダブル・ヒステリ
シスに、図４の（Ａ）に示すようにバイアス電圧を印加
して、さらにパルス電圧を重畳することによりメモリー
効果を実現できる特徴を有する。さらに、電界印加によ
り強誘電相は層がストレッチされ、ブックシエルフ構造
となる。一方、第三安定状態の“反”強誘電相では類似
ブックシエルフ構造となる。この電界印加による層構造
スイッチングが液晶層に動的シエアーを与えるため駆動
中に配向欠陥が改善され、良好な分子配向が実現でき
る。そして、“反”強誘電性液晶では、プラス側とマイ
ナス側の両方のヒステリシスを交互に使い画像表示を行
なうため、自発分極に基づく内部電界の蓄積による画像
の残像現象を防止することができる。以上のように、
“反”強誘電性液晶は、１）高速応答が可能で、２）高
いコントラストと広い視野角および３）良好な配向特性
とメモリー効果が実現できる、非常に有用な液晶化合物
と言える。“反”強誘電性液晶の三安定状態を示す液晶
相については、１）Ａ．Ｄ．Ｌ．Ｃｈａｎｄａｎｉ ｅ
ｔａｌ.，Ｊａｐａｎ Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ.，２
８，Ｌ−１２６５（１９８９）、２）Ｈ．Ｏｒｉｈａｒ
ａ ｅｔａｌ.，ＪａｐａｎＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ.，
２９，Ｌ−３３３（１９９０）に報告されており、
“反”強誘電的性質にちなみＳ＊Ｃ A相（Ａｎｔｉｆｅ
ｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｓｍｅｃｔｉｃ Ｃ＊相）と
命名している。本発明者らは、この液晶相が三安定状態
間のスイッチングを行なうためＳ＊(3)相と定義した。
三安定状態を示す“反”強誘電相Ｓ＊(3)を相系列に有
する液晶化合物は、本発明者の出願した特開平１−３１
６３６７号、特開平１−３１６３７２号、特開平１−３
１６３３９号、特開平２−２８１２８号及び市橋等の特
開平１−２１３３９０号公報があり、また三安定状態を
利用した液晶電気光学装置としては本出願人は特開平２
−４０６２５号、特開平２−１５３３２２号、特開平２
−１７３７２４号において提案されている。アミド結合
を有する液晶化合物は、特開昭６３−１２６８６５号、
特開昭６３−１３２８６９号および特開平２−１５１６
８４号が報告されている。しかしながら、特開昭６３−
１２６８６５号では、インドール環等の光学活性環状ア
ミド化合物を、特開昭６３−１３２８６９号では、天然
由来のＬーイソロイシンを出発原料とした化合物であ
り、共にスメクチックベース液晶に５％程度混合して強
誘電性キラルスメクチック相を発現するキラルドーパン
ト化合物である。また、特開平２−１５１６８４号で
は、ジメチルホルムアミド、ジブチルホルムアミドおよ
びジフェニルホルムアミドのようなアミド類の液晶相の
経時変化に対する安定剤を提案したものである。以上の
ごとく、アミド結合を有する“反”強誘電性液晶につい
てはいまだ報告されていない。
【０００３】
【目的】本発明の目的は、アミド結合を有する新規な反
強誘電性液晶化合物の提供にある。
強誘電性液晶化合物の提供にある。
【０００４】
【構成】本発明は一般式
【化６】 （式中、Ｒ1とＲ2は炭素数３〜１８のアルキル基よりな
る群からそれぞれ独立して選らばれた基、Ｒｆはフルオ
ロ低級アルキル基、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ
−、−ＣＯ−および単結合よりなる群から選らばれた基
であり、（Ａ）と（Ｂ）は、少なくともハロゲン原子が
置換されていることもあるフェニル、ビフェニルおよび
ナフタレン基よりなる群から独立して選らばれた基であ
る。＊は光学活性炭素を示す。）で表わされる反強誘電
性液晶化合物に関する。
る群からそれぞれ独立して選らばれた基、Ｒｆはフルオ
ロ低級アルキル基、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ
−、−ＣＯ−および単結合よりなる群から選らばれた基
であり、（Ａ）と（Ｂ）は、少なくともハロゲン原子が
置換されていることもあるフェニル、ビフェニルおよび
ナフタレン基よりなる群から独立して選らばれた基であ
る。＊は光学活性炭素を示す。）で表わされる反強誘電
性液晶化合物に関する。
【０００５】前記（Ａ）は
【化７】 よりなる群から、前記（Ｂ）は、
【化８】 よりなる群から、それぞれ独立して選らばれた基であり
（ｔはハロゲン原子を示す）、ＲｆはＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、
ＣＨＦ2およびＣＨ2Ｆよりなる群から選らばれた基であ
ることが好ましく、特に、前記（Ａ）が
（ｔはハロゲン原子を示す）、ＲｆはＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、
ＣＨＦ2およびＣＨ2Ｆよりなる群から選らばれた基であ
ることが好ましく、特に、前記（Ａ）が
【化９】 であり、前記（Ｂ）が
【化１０】 である場合が一層好ましい。また、前記ＸがＣＯＯであ
ることも好ましい。
ることも好ましい。
【０００６】本発明化合物を合成するための一般的方法
の例を示すと、次のとおりである。
の例を示すと、次のとおりである。
【化１１】
【０００７】
【化１２】
【０００８】
【化１３】 本発明化合物の製造方法は、まずｐ−ニトロ安息香酸ク
ロリドと光学活性１，１，１−トリフルオロ−２−アル
カノールとの反応によりｐ−ニトロ安息香酸１，１，１
−トリフルオロ−２−アルキルエステル（１）を製造す
る。次いで、（１）のニトロ基を（２）のアミノ基へ変
換する。この工程に用いられる触媒は、水素雰囲気下、
パラジウム−カーボン触媒、ＰｔＯ2−ＲｈＯ2触媒、ラ
ネーニッケル触媒、ＣｕＣｒ2Ｏ4触媒等が適当である
が、亜鉛−塩酸または塩化第一スズ−塩酸によってもア
ミノ基へ還元することができる。化合物（２）と４−ア
ルキルオキシビフェニル−４′−カルボン酸クロリド
（３）または４−アルキルオキシ−３′−フルオロビフ
ェニル−４′−カルボン酸クロリド（６）との反応によ
り目的化合物（４）および（７）を製造することができ
る。また、化合物（３）および（６）の代わりに４−ア
ルキルカルボニルオキシビフェニル−４′−カルボン酸
クロリド（８）を用いて同様の製造方法により目的化合
物（９）を製造することができる。
ロリドと光学活性１，１，１−トリフルオロ−２−アル
カノールとの反応によりｐ−ニトロ安息香酸１，１，１
−トリフルオロ−２−アルキルエステル（１）を製造す
る。次いで、（１）のニトロ基を（２）のアミノ基へ変
換する。この工程に用いられる触媒は、水素雰囲気下、
パラジウム−カーボン触媒、ＰｔＯ2−ＲｈＯ2触媒、ラ
ネーニッケル触媒、ＣｕＣｒ2Ｏ4触媒等が適当である
が、亜鉛−塩酸または塩化第一スズ−塩酸によってもア
ミノ基へ還元することができる。化合物（２）と４−ア
ルキルオキシビフェニル−４′−カルボン酸クロリド
（３）または４−アルキルオキシ−３′−フルオロビフ
ェニル−４′−カルボン酸クロリド（６）との反応によ
り目的化合物（４）および（７）を製造することができ
る。また、化合物（３）および（６）の代わりに４−ア
ルキルカルボニルオキシビフェニル−４′−カルボン酸
クロリド（８）を用いて同様の製造方法により目的化合
物（９）を製造することができる。
【０００９】
実施例１
【化１４】 Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−オクチルオキシビ
フェニルカルボキサミドの合成
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−オクチルオキシビ
フェニルカルボキサミドの合成
【化１５】 ｐ−アミノ安息香酸 １，１，１−トリフルオロ−２−
オクチルエステルの合成 （Ｒ）−（−）−１，１，１−トリフルオロ−２−オク
タノール 〔α〕D 20＝＋２５．５９（Ｃ＝０．９９５
１，Ｃ＝ＣＨＣｌ3中）２ｇ、トリエチルアミン１．１
５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに混合したものに、ｐ−ニ
トロ安息香酸クロリド２．４ｇの塩化メチレン５０ｍｌ
溶液を０℃にて徐々に撹拌しながら滴下し、さらにジメ
チルアミノピリジンを触媒量加えたのち、室温で、１晩
反応させた。反応液を水に注ぎ、塩化メチレンにて抽出
したのち、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄し、回収し
た有機層を減圧下溶媒留去し、さらにシリカゲルクロマ
トグラフ法（ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：２）に
より分離精製してｐ−ニトロ安息香酸 １，１，１−ト
リフルオロ−２−オクチルエステル１．９ｇを得た。こ
のものをエタノール３０ｍｌに溶解し、５％Ｐｄ−Ｃ
０．１９ｇを加え、Ｈ2雰囲気下、１晩撹拌し、Ｐｄ−
Ｃを濾別したのち、エタノールを減圧留去して目的物ｐ
−アミノ安息香酸 １，１，１−トリフルオロ−２−オ
クチルエステル１．８ｇを得た。
オクチルエステルの合成 （Ｒ）−（−）−１，１，１−トリフルオロ−２−オク
タノール 〔α〕D 20＝＋２５．５９（Ｃ＝０．９９５
１，Ｃ＝ＣＨＣｌ3中）２ｇ、トリエチルアミン１．１
５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに混合したものに、ｐ−ニ
トロ安息香酸クロリド２．４ｇの塩化メチレン５０ｍｌ
溶液を０℃にて徐々に撹拌しながら滴下し、さらにジメ
チルアミノピリジンを触媒量加えたのち、室温で、１晩
反応させた。反応液を水に注ぎ、塩化メチレンにて抽出
したのち、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄し、回収し
た有機層を減圧下溶媒留去し、さらにシリカゲルクロマ
トグラフ法（ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：２）に
より分離精製してｐ−ニトロ安息香酸 １，１，１−ト
リフルオロ−２−オクチルエステル１．９ｇを得た。こ
のものをエタノール３０ｍｌに溶解し、５％Ｐｄ−Ｃ
０．１９ｇを加え、Ｈ2雰囲気下、１晩撹拌し、Ｐｄ−
Ｃを濾別したのち、エタノールを減圧留去して目的物ｐ
−アミノ安息香酸 １，１，１−トリフルオロ−２−オ
クチルエステル１．８ｇを得た。
【化１６】 Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−オクチルオキシビ
フェニルカルボキサミドの合成 ４−ｎ−オクチルオキシビフェニル−４′−カルボン酸
１．２ｇを過剰の塩化チオニルと共に還流下６時間加熱
した後、未反応の塩化チオニルを留去して４−ｎ−オク
チルオキシビフェニルカルボン酸クロリド１．２５ｇを
得た。次いで〔１〕で得られたｐ−アミノ安息香酸
１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルエステル１ｇ
とトリエチルアミン０．３５ｇおよびジメチルアミノピ
リジン０．１３ｇとを３０ｍｌの塩化メチレンに溶解
し、先に合成した４−ｎ−オクチルオキシビフェニルカ
ルボン酸クロリド０．２５ｇを３０ｍｌの塩化メチレン
に溶解したものを氷冷下徐々に滴下し、室温で一昼夜撹
拌した。反応混合物を水中に入れ、塩化メチレンで抽出
をくり返し、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄したの
ち、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した後、溶媒を留去
し、残渣物をシリカゲルクロマトグラフィーおよび再結
晶にて精製して、Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ
−２−オクチルオキシカルボニル）フェニル−４−ｎ−
オクチルオキシビフェニルカルボキサミド０．５２ｇを
得た。ホットステージ付き偏向顕微鏡による相転移温度
（℃）は以下の通りである。
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−オクチルオキシビ
フェニルカルボキサミドの合成 ４−ｎ−オクチルオキシビフェニル−４′−カルボン酸
１．２ｇを過剰の塩化チオニルと共に還流下６時間加熱
した後、未反応の塩化チオニルを留去して４−ｎ−オク
チルオキシビフェニルカルボン酸クロリド１．２５ｇを
得た。次いで〔１〕で得られたｐ−アミノ安息香酸
１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルエステル１ｇ
とトリエチルアミン０．３５ｇおよびジメチルアミノピ
リジン０．１３ｇとを３０ｍｌの塩化メチレンに溶解
し、先に合成した４−ｎ−オクチルオキシビフェニルカ
ルボン酸クロリド０．２５ｇを３０ｍｌの塩化メチレン
に溶解したものを氷冷下徐々に滴下し、室温で一昼夜撹
拌した。反応混合物を水中に入れ、塩化メチレンで抽出
をくり返し、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄したの
ち、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した後、溶媒を留去
し、残渣物をシリカゲルクロマトグラフィーおよび再結
晶にて精製して、Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ
−２−オクチルオキシカルボニル）フェニル−４−ｎ−
オクチルオキシビフェニルカルボキサミド０．５２ｇを
得た。ホットステージ付き偏向顕微鏡による相転移温度
（℃）は以下の通りである。
【表１】
【００１０】実施例２
【化１７】 Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ノニルオキシビフ
ェニルカルボキサミドの合成 実施例１の〔２〕の４−ｎ−オクチルオキシビフェニル
−４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−ノニルオキシビ
フェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成方
法により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光顕
微鏡観察による相転移温度（℃）は次の通りである。
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ノニルオキシビフ
ェニルカルボキサミドの合成 実施例１の〔２〕の４−ｎ−オクチルオキシビフェニル
−４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−ノニルオキシビ
フェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成方
法により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光顕
微鏡観察による相転移温度（℃）は次の通りである。
【表２】
【００１１】実施例３
【化１８】 Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−デシルオキシビフ
ェニルオキサミドの合成 実施例１の〔２〕の４−ｎ−オクチルオキシビフェニル
−４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−デシルオキシビ
フェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成方
法により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光顕
微鏡観察による相転移温度（℃）は下記の通りである。
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−デシルオキシビフ
ェニルオキサミドの合成 実施例１の〔２〕の４−ｎ−オクチルオキシビフェニル
−４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−デシルオキシビ
フェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成方
法により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光顕
微鏡観察による相転移温度（℃）は下記の通りである。
【表３】
【００１２】実施例４
【化１９】 Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ドデシルオキシビ
フェニルカルボキサミドの合成 実施例１の〔２〕の４−ｎ−オクチルオキシビフェニル
−４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−ドデシルオキシ
ビフェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成
方法により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光
顕微鏡観察による相転移温度（℃）は下記の通りであ
る。
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ドデシルオキシビ
フェニルカルボキサミドの合成 実施例１の〔２〕の４−ｎ−オクチルオキシビフェニル
−４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−ドデシルオキシ
ビフェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成
方法により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光
顕微鏡観察による相転移温度（℃）は下記の通りであ
る。
【表４】
【００１３】実施例５
【化２０】 Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−デシルオキ
シカルボニル）フェニル−４−ｎ−ノニルオキシビフェ
ニルカルボキサミドの合成
シカルボニル）フェニル−４−ｎ−ノニルオキシビフェ
ニルカルボキサミドの合成
【化２１】 （Ｒ）−（−）−１，１，１−トリフルオロ−２−デカ
ノール 〔α〕D 20＝＋２３．１０，（Ｃ＝０．９４５
３，Ｃ＝ＣＨＣｌ3中）２．３ｇ、トリエチルアミン
１．１５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに混合したものに、
ｐ−ニトロ安息香酸クロリド２．４ｇの塩化メチレン５
０ｍｌ溶液を０℃にて徐々に撹拌しながら滴下し、さら
にジメチルアミノピリジンを触媒量加えたのち、室温に
て１晩反応させた。反応液を水に注ぎ、塩化メチレンに
て抽出したのち、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄し、
回収した有機層を減圧下溶媒留去し、さらにシリカゲル
クロマトグラフ法（ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：
２）により分離精製してｐ−ニトロ安息香酸 １，１，
１−トリフルオロ−２−デシルエステル２．１ｇを得
た。このものをエタノール３０ｍｌに溶解し、５％Ｐｄ
−Ｃ０．２１ｇを加え、Ｈ2雰囲気下、１晩撹拌し、Ｐ
ｄ−Ｃを濾別したのち、エタノールを減圧留去して目的
物ｐ−アミノ安息香酸 １，１，１−トリフルオロ−２
−デシルエステル２．０ｇを得た。
ノール 〔α〕D 20＝＋２３．１０，（Ｃ＝０．９４５
３，Ｃ＝ＣＨＣｌ3中）２．３ｇ、トリエチルアミン
１．１５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに混合したものに、
ｐ−ニトロ安息香酸クロリド２．４ｇの塩化メチレン５
０ｍｌ溶液を０℃にて徐々に撹拌しながら滴下し、さら
にジメチルアミノピリジンを触媒量加えたのち、室温に
て１晩反応させた。反応液を水に注ぎ、塩化メチレンに
て抽出したのち、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄し、
回収した有機層を減圧下溶媒留去し、さらにシリカゲル
クロマトグラフ法（ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：
２）により分離精製してｐ−ニトロ安息香酸 １，１，
１−トリフルオロ−２−デシルエステル２．１ｇを得
た。このものをエタノール３０ｍｌに溶解し、５％Ｐｄ
−Ｃ０．２１ｇを加え、Ｈ2雰囲気下、１晩撹拌し、Ｐ
ｄ−Ｃを濾別したのち、エタノールを減圧留去して目的
物ｐ−アミノ安息香酸 １，１，１−トリフルオロ−２
−デシルエステル２．０ｇを得た。
【化２２】 ４−ｎ−ノニルオキシビフェニル−４′−カルボン酸
１．２ｇを過剰の塩化チオニルと共に還流下６時間加熱
した後、未反応の塩化チオニルを留去して４−ｎ−ノニ
ルオキシビフェニルカルボン酸クロリド１．２５ｇを得
た。次いで〔１〕で得られたｐ−アミノ安息香酸 １，
１，１−トリフルオロ−２−デシルエステル１．１ｇと
トリエチルアミン０．３５ｇおよびジメチルアミノピリ
ジン０．１３ｇとを３０ｍｌの塩化メチレンに溶解し、
先に合成した４−ｎ−ノニルオキシビフェニルカルボン
酸クロリド１．２５ｇを３０ｍｌの塩化メチレンに溶解
したものを氷冷下徐々に滴下し、室温で一昼夜撹拌し
た。反応混合物を水中に入れ、塩化メチレンにて抽出を
くり返し、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄したのち、
無水硫酸マグネシウムにて乾燥した後、溶媒を留去し、
残渣物をシリカゲルクロマトグラフィーおよび再結晶に
て精製し、Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−
デシルオキシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ノニルオ
キシビフェニルカルボキサミド０．６ｇを得た。ホット
ステージ付き偏向顕微鏡による相転移温度（℃）は次の
通りである。
１．２ｇを過剰の塩化チオニルと共に還流下６時間加熱
した後、未反応の塩化チオニルを留去して４−ｎ−ノニ
ルオキシビフェニルカルボン酸クロリド１．２５ｇを得
た。次いで〔１〕で得られたｐ−アミノ安息香酸 １，
１，１−トリフルオロ−２−デシルエステル１．１ｇと
トリエチルアミン０．３５ｇおよびジメチルアミノピリ
ジン０．１３ｇとを３０ｍｌの塩化メチレンに溶解し、
先に合成した４−ｎ−ノニルオキシビフェニルカルボン
酸クロリド１．２５ｇを３０ｍｌの塩化メチレンに溶解
したものを氷冷下徐々に滴下し、室温で一昼夜撹拌し
た。反応混合物を水中に入れ、塩化メチレンにて抽出を
くり返し、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄したのち、
無水硫酸マグネシウムにて乾燥した後、溶媒を留去し、
残渣物をシリカゲルクロマトグラフィーおよび再結晶に
て精製し、Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−
デシルオキシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ノニルオ
キシビフェニルカルボキサミド０．６ｇを得た。ホット
ステージ付き偏向顕微鏡による相転移温度（℃）は次の
通りである。
【表５】
【００１４】実施例６
【化２３】 Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−デシルオキ
シカルボニル）フェニル−４−ｎ−デシルオキシビフェ
ニルカルボキサミドの合成 実施例５の〔２〕の４−ｎ−ノニルオキシビフェニル−
４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−デシルオキシビフ
ェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成方法
により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光顕微
鏡観察による相転移温度（℃）は下記の通りである。
シカルボニル）フェニル−４−ｎ−デシルオキシビフェ
ニルカルボキサミドの合成 実施例５の〔２〕の４−ｎ−ノニルオキシビフェニル−
４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−デシルオキシビフ
ェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成方法
により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光顕微
鏡観察による相転移温度（℃）は下記の通りである。
【表６】
【００１５】実施例７
【化２４】 Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−デシルオキ
シカルボニル）フェニル−４−ｎ−ドデシルオキシビフ
ェニルカルボキサミドの合成 実施例５の〔２〕の４−ｎ−ノニルオキシビフェニル−
４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−ドデシルオキシビ
フェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成方
法により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光顕
微鏡観察による相転移温度（℃）は下記の通りである。
シカルボニル）フェニル−４−ｎ−ドデシルオキシビフ
ェニルカルボキサミドの合成 実施例５の〔２〕の４−ｎ−ノニルオキシビフェニル−
４′−カルボン酸のかわりに４−ｎ−ドデシルオキシビ
フェニル−４′−カルボン酸を用いて全く同様の合成方
法により目的化合物を得た。ホットステージ付き偏光顕
微鏡観察による相転移温度（℃）は下記の通りである。
【表７】
【００１６】実施例８ Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル ４′−ｎ−ノナノイルオキ
シビフェニル−４−カルボキサミドの合成
キシカルボニル）フェニル ４′−ｎ−ノナノイルオキ
シビフェニル−４−カルボキサミドの合成
【化２５】 １）１，１，１−トリフルオロ−２−オクチル−アミノ
ベンゾエートの合成 （Ｒ）−（−）−１，１，１−トリフルオロ−２−オク
タノール 〔α〕D 20＝＋２５．５９（Ｃ＝０．９９５
１，Ｃ＝ＣＨＣｌ3中）２ｇ、トリエチルアミン１．１
５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに混合したものに、ｐ−ニ
トロ安息香酸クロリド２．４ｇの塩化メチレン５０ｍｌ
溶液を０℃にて徐々に撹拌しながら滴下し、さらにジメ
チルアミノピリジンを触媒量加えたのち、室温で、１晩
反応させた。反応液を水に注ぎ、塩化メチレンにて抽出
したのち、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄し、回収し
た有機層を減圧下溶媒留去し、さらにシリカゲルクロマ
トグラフ法（ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：２）に
より分離精製してｐ−ニトロ安息香酸 １，１，１−ト
リフルオロ−２−オクチルエステル１．９ｇを得た。こ
のものをエタノール３０ｍｌに溶解し、５％Ｐｄ−Ｃ
０．１９ｇを加え、Ｈ2雰囲気下、１晩撹拌し、Ｐｄ−
Ｃを濾別したのち、エタノールを減圧留去して目的物ｐ
−アミノ安息香酸 １，１，１−トリフルオロ−２−オ
クチルエステル１．８ｇを得た。 ２）４−（４′−ｎ−ノナノイルオキシフェニル）安息
香酸の合成 ４−４′−ヒドロキシビフェニルカルボン酸１．２５
ｇ、トリエチルアミン０．５２ｇを塩化メチレン１３ｍ
ｌに溶解し、撹拌しながら室温でｎ−ノナン酸のクロリ
ド１．２ｇの塩化メチレン溶液を滴下した。さらにジメ
チルアミノピリジン０．２ｇを加え、室温で一昼夜撹拌
した。反応終了後、減圧下で溶液を濃縮し反応液を水槽
にあけ、中性にした後、生じた沈殿を濾取、ヘキサンで
洗浄後、減圧下で乾燥し目的物１．７２ｇを得た。 ３）４−（４′−ｎ−ノナノイルオキシフェニル）ベン
ゾイルクロリドの合成 前記で得た４−（４′−ｎ−ノナノイルオキシフェニ
ル）安息香酸１．７２ｇを塩化チオニル５ｍｌに溶解
し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド数滴を加えて１０時
間加熱還流した。反応終了後過剰の塩化チオニルを減圧
下留去することにより目的化合物１．８１ｇを得た。 ４）Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチ
ルオキシカルボニル）フェニル ４′−ｎ−ノナノイル
オキシビフェニル−４−カルボキサミドの合成 ３）で合成した４−（４′−ｎ−ノナノイルオキシフェ
ニル）安息香酸クロリド０．３７ｇの塩化メチレン溶液
５ｍｌを室温下１，１，１−トリフルオロ−２−オクチ
ル ４−アミノベンゾエート０．２５ｇ、トリエチルア
ミン０．１０ｇの塩化メチレン溶液５ｍｌに撹拌しなが
ら滴下し加えた。更に、ジメチルアミノピリジン０．０
３ｇを加え、室温で一昼夜撹拌した。反応終了後、溶液
を水にあけ中性とした後、塩化メチレン層を抽出し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去
し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマト法で精製、
さらにエタノールから再結晶を行い、目的物０．２０ｇ
を得た。ホットステージ付き偏光顕微鏡による相転移温
度（℃）は、つぎのとおりである。
ベンゾエートの合成 （Ｒ）−（−）−１，１，１−トリフルオロ−２−オク
タノール 〔α〕D 20＝＋２５．５９（Ｃ＝０．９９５
１，Ｃ＝ＣＨＣｌ3中）２ｇ、トリエチルアミン１．１
５ｇを塩化メチレン５０ｍｌに混合したものに、ｐ−ニ
トロ安息香酸クロリド２．４ｇの塩化メチレン５０ｍｌ
溶液を０℃にて徐々に撹拌しながら滴下し、さらにジメ
チルアミノピリジンを触媒量加えたのち、室温で、１晩
反応させた。反応液を水に注ぎ、塩化メチレンにて抽出
したのち、有機層を希塩酸、水にて順次洗浄し、回収し
た有機層を減圧下溶媒留去し、さらにシリカゲルクロマ
トグラフ法（ｎ−ヘキサン：酢酸エチル＝１０：２）に
より分離精製してｐ−ニトロ安息香酸 １，１，１−ト
リフルオロ−２−オクチルエステル１．９ｇを得た。こ
のものをエタノール３０ｍｌに溶解し、５％Ｐｄ−Ｃ
０．１９ｇを加え、Ｈ2雰囲気下、１晩撹拌し、Ｐｄ−
Ｃを濾別したのち、エタノールを減圧留去して目的物ｐ
−アミノ安息香酸 １，１，１−トリフルオロ−２−オ
クチルエステル１．８ｇを得た。 ２）４−（４′−ｎ−ノナノイルオキシフェニル）安息
香酸の合成 ４−４′−ヒドロキシビフェニルカルボン酸１．２５
ｇ、トリエチルアミン０．５２ｇを塩化メチレン１３ｍ
ｌに溶解し、撹拌しながら室温でｎ−ノナン酸のクロリ
ド１．２ｇの塩化メチレン溶液を滴下した。さらにジメ
チルアミノピリジン０．２ｇを加え、室温で一昼夜撹拌
した。反応終了後、減圧下で溶液を濃縮し反応液を水槽
にあけ、中性にした後、生じた沈殿を濾取、ヘキサンで
洗浄後、減圧下で乾燥し目的物１．７２ｇを得た。 ３）４−（４′−ｎ−ノナノイルオキシフェニル）ベン
ゾイルクロリドの合成 前記で得た４−（４′−ｎ−ノナノイルオキシフェニ
ル）安息香酸１．７２ｇを塩化チオニル５ｍｌに溶解
し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド数滴を加えて１０時
間加熱還流した。反応終了後過剰の塩化チオニルを減圧
下留去することにより目的化合物１．８１ｇを得た。 ４）Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチ
ルオキシカルボニル）フェニル ４′−ｎ−ノナノイル
オキシビフェニル−４−カルボキサミドの合成 ３）で合成した４−（４′−ｎ−ノナノイルオキシフェ
ニル）安息香酸クロリド０．３７ｇの塩化メチレン溶液
５ｍｌを室温下１，１，１−トリフルオロ−２−オクチ
ル ４−アミノベンゾエート０．２５ｇ、トリエチルア
ミン０．１０ｇの塩化メチレン溶液５ｍｌに撹拌しなが
ら滴下し加えた。更に、ジメチルアミノピリジン０．０
３ｇを加え、室温で一昼夜撹拌した。反応終了後、溶液
を水にあけ中性とした後、塩化メチレン層を抽出し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去
し、得られた粗生成物をシリカゲルクロマト法で精製、
さらにエタノールから再結晶を行い、目的物０．２０ｇ
を得た。ホットステージ付き偏光顕微鏡による相転移温
度（℃）は、つぎのとおりである。
【表８】
【００１７】実施例９ Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−デカノイルオキシ
ビフェニル−４−カルボキサミドの合成
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−デカノイルオキシ
ビフェニル−４−カルボキサミドの合成
【化２６】 実施例８のｎ−ノナン酸のかわりにｎ−デカン酸を用い
て、全く同様な合成方法により目的化合物０．０９ｇを
得た。ホットステージ付き偏光顕微鏡観察による相転移
温度（℃）は、つぎのとおりである。
て、全く同様な合成方法により目的化合物０．０９ｇを
得た。ホットステージ付き偏光顕微鏡観察による相転移
温度（℃）は、つぎのとおりである。
【表９】
【００１８】実施例１０ Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ウンデカノイルオ
キシビフェニル−４−カルボキサミドの合成
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ウンデカノイルオ
キシビフェニル−４−カルボキサミドの合成
【化２７】 実施例８のｎ−ノナン酸のかわりにｎ−ウンデカン酸を
用いて、全く同様な合成方法により目的化合物０．１０
ｇを得た。ホットステージ付き偏光顕微鏡観察による相
転移温度（℃）は、つぎのとおりである。
用いて、全く同様な合成方法により目的化合物０．１０
ｇを得た。ホットステージ付き偏光顕微鏡観察による相
転移温度（℃）は、つぎのとおりである。
【表１０】
【００１９】実施例１１ Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ−２−オクチルオ
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ドデカノイルオキ
シビフェニル−４−カルボキサミドの合成
キシカルボニル）フェニル−４−ｎ−ドデカノイルオキ
シビフェニル−４−カルボキサミドの合成
【化２８】 実施例８のｎ−ノナン酸のかわりにｎ−ドデカン酸を用
いて、全く同様な合成方法により目的化合物０．１２ｇ
を得た。ホットステージ付き偏光顕微鏡観察による相転
移温度（℃）は、つぎのとおりである。
いて、全く同様な合成方法により目的化合物０．１２ｇ
を得た。ホットステージ付き偏光顕微鏡観察による相転
移温度（℃）は、つぎのとおりである。
【表１１】
【００２０】実施例１２ ラビング処理したポリイミド配向膜をＩＴＯ電極基板上
に有するセル厚１．６μｍの液晶セルに、実施例３で得
られた液晶化合物Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ
−２−オクチルオキシカルボニル）フェニル−４−ｎ−
デシルオキシビフェニルオキサミドをＩｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ相において充填し、液晶薄膜セルを作成した。作成し
た液晶セルを２枚の偏光板を直交させたフォトマルチプ
ライヤー付き偏光顕微鏡に、電圧０Ｖの状態で暗視野と
なるように配置する。この液晶セルを０．１〜１．０℃
／１分間の温度勾配にて、Ｓ A相まで徐冷する。さらに
冷却してゆき、１３３．０℃〜１２２．９℃の温度範囲
において、図５（ａ）に示す±４０Ｖ、１Ｈｚの三角波
電圧を印加する。１２８℃での印加電圧と透過率との関
係から図５（ｂ）のようなヒステリシスが得られた。０
Ｖ→＋Ｖ3までは暗状態を保ち、＋Ｖ3で急峻な立上りの
後明状態になる。＋４０Ｖ→＋Ｖ4までは明状態を保
ち、＋Ｖ4で急激に暗状態になる。０Ｖ→−Ｖ3まで暗状
態を保ち、−Ｖ3で急峻な立上りの後明状態になる。−
４０Ｖ→−Ｖ4までは明状態を保ち、−Ｖ4で急激に暗状
態になる。印加電圧が＋４０Ｖ→−４０Ｖに変化すると
き、スイッチングを伴った明→暗→明の三つの状態に変
化していることが観察され、三つの安定な液晶分子の配
向状態があることを確認した。他の実施例の化合物につ
いても同様のＳ＊(3)相において同一の効果が確認され
た。
に有するセル厚１．６μｍの液晶セルに、実施例３で得
られた液晶化合物Ｎ−４−（１，１，１−トリフルオロ
−２−オクチルオキシカルボニル）フェニル−４−ｎ−
デシルオキシビフェニルオキサミドをＩｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ相において充填し、液晶薄膜セルを作成した。作成し
た液晶セルを２枚の偏光板を直交させたフォトマルチプ
ライヤー付き偏光顕微鏡に、電圧０Ｖの状態で暗視野と
なるように配置する。この液晶セルを０．１〜１．０℃
／１分間の温度勾配にて、Ｓ A相まで徐冷する。さらに
冷却してゆき、１３３．０℃〜１２２．９℃の温度範囲
において、図５（ａ）に示す±４０Ｖ、１Ｈｚの三角波
電圧を印加する。１２８℃での印加電圧と透過率との関
係から図５（ｂ）のようなヒステリシスが得られた。０
Ｖ→＋Ｖ3までは暗状態を保ち、＋Ｖ3で急峻な立上りの
後明状態になる。＋４０Ｖ→＋Ｖ4までは明状態を保
ち、＋Ｖ4で急激に暗状態になる。０Ｖ→−Ｖ3まで暗状
態を保ち、−Ｖ3で急峻な立上りの後明状態になる。−
４０Ｖ→−Ｖ4までは明状態を保ち、−Ｖ4で急激に暗状
態になる。印加電圧が＋４０Ｖ→−４０Ｖに変化すると
き、スイッチングを伴った明→暗→明の三つの状態に変
化していることが観察され、三つの安定な液晶分子の配
向状態があることを確認した。他の実施例の化合物につ
いても同様のＳ＊(3)相において同一の効果が確認され
た。
【００２１】
【効果】本発明により、アミド結合を有する新らしい反
強誘電性液晶化合物をはじめて提供できた。
強誘電性液晶化合物をはじめて提供できた。
【図１】Ａは印加される三角波を、Ｂは市販のネマチッ
ク液晶の、Ｃは二状態液晶の、Ｄは三状態液晶の、それ
ぞれの光学応答特性を示す。
ク液晶の、Ｃは二状態液晶の、Ｄは三状態液晶の、それ
ぞれの光学応答特性を示す。
【図２】クラーク／ラガウエルにより提案された強誘電
液晶分子の二つの安定した配向状態を示す。
液晶分子の二つの安定した配向状態を示す。
【図３】本発明の“反”強誘電液晶分子の三つの安定し
た配向状態を示す。
た配向状態を示す。
【図４】“反”強誘電液晶分子が印加電圧に対応してダ
ブルヒステリシスを描いて光透過率が変化することを示
す印加電圧−光透過率特性図である。
ブルヒステリシスを描いて光透過率が変化することを示
す印加電圧−光透過率特性図である。
【図５】（ａ）は印加される三角波、（ｂ）は液晶セル
が示すヒステリシスである。
が示すヒステリシスである。
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 （式中、Ｒ1とＲ2は炭素数３〜１８のアルキル基よりな
る群からそれぞれ独立に選らばれた基、Ｒｆはフルオロ
低級アルキル基、Ｘは−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＯＣ
−、−ＣＯ−および単結合よりなる群から選らばれた基
であり、（Ａ）と（Ｂ）は、少なくともハロゲン原子が
置換されていることもあるフェニル、ビフェニルおよび
ナフタレン基よりなる群から独立して選らばれた基であ
る。＊は光学活性炭素を示す。）で表される反強誘電性
液晶化合物。 - 【請求項２】 前記（Ａ）は、 【化２】 よりなる群から、前記（Ｂ）は、 【化３】 よりなる群から、それぞれ独立して選らばれた基であり
（ｔはハロゲン原子を示す）、ＲｆはＣＦ3、Ｃ2Ｆ5、
ＣＨＦ2およびＣＨ2Ｆよりなる群から選らばれた基であ
る請求項１記載の反強誘電性液晶化合物。 - 【請求項３】 前記（Ａ）が 【化４】 であり、前記（Ｂ）が 【化５】 である請求項２記載の反強誘電性液晶化合物。
- 【請求項４】 前記ＸがＣＯＯである請求項１記載の反
強誘電性液晶化合物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283949A JPH0632770A (ja) | 1992-05-20 | 1992-09-29 | 反強誘電性液晶化合物 |
| DE69303327T DE69303327T2 (de) | 1992-05-20 | 1993-05-18 | Antiferroelektrische Flüssigkristallverbindung |
| EP93401282A EP0571277B1 (en) | 1992-05-20 | 1993-05-18 | Antiferroelectric liquid crystal compound |
| US08/063,570 US5320776A (en) | 1992-05-20 | 1993-05-19 | Antiferroelectric liquid crystal compound |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-152886 | 1992-05-20 | ||
| JP15288692 | 1992-05-20 | ||
| JP4283949A JPH0632770A (ja) | 1992-05-20 | 1992-09-29 | 反強誘電性液晶化合物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0632770A true JPH0632770A (ja) | 1994-02-08 |
Family
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP4283949A Pending JPH0632770A (ja) | 1992-05-20 | 1992-09-29 | 反強誘電性液晶化合物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5320776A (ja) |
| EP (1) | EP0571277B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0632770A (ja) |
| DE (1) | DE69303327T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| EP1735498A2 (en) * | 2004-02-17 | 2006-12-27 | The Procter and Gamble Company | Deep-nested embossed paper products |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62283955A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-09 | Toray Ind Inc | 光学活性アミド化合物および液晶 |
| US4921632A (en) * | 1987-08-26 | 1990-05-01 | Nec Corporation | Liquid crystal compounds and compositions |
| EP0422996B1 (en) * | 1989-10-06 | 1995-04-12 | Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha | Liquid crystal compound |
| US5207947A (en) * | 1989-10-06 | 1993-05-04 | Showa Shell Sekiyu Kabushiki Kaisha | Liquid crystal compound |
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- 1992-09-29 JP JP4283949A patent/JPH0632770A/ja active Pending
-
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- 1993-05-18 DE DE69303327T patent/DE69303327T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-05-19 US US08/063,570 patent/US5320776A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0571277B1 (en) | 1996-06-26 |
| EP0571277A1 (en) | 1993-11-24 |
| DE69303327D1 (de) | 1996-08-01 |
| US5320776A (en) | 1994-06-14 |
| DE69303327T2 (de) | 1997-01-02 |
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