JPS62283955A - 光学活性アミド化合物および液晶 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規な光学活性アミド化合物に関する。

かかる光学活性アミド化合物は、液晶性化合物として有
用である。　液晶には、ネマチック液晶、スメクチック
液晶、コレステリック液晶があるが、本発明の化合物は
その内スメクチック液晶、特に強認電性を有し、表示素
子材料として有用なカイラルスメクチックＣ液晶である
。　また、かかるカイラルスメクチックＣ液晶は、光プ
リンターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等
の光エレクトロニクス素子にも使用可能である。

〔従来の技術〕

カイラルスメクチックＣ液晶は、ピッチ長ざのかなり長
いらせ入構造を有するが、そのらせん構造のピッチ長き
よりも短いセルギャップのセル中では、残留自発分極を
示し、外部電場に対して極めて早い速度（１〜１００マ
イクロ秒）で応答し、かつメモリー性も示す（Ｎ、Ａ、
Ｃ１ａｒｋらＡｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、３旦、
８９９（１９８０）参照）。

カイラルスメクチックＣ液晶の高速の光スイツチング現
象を利用すれば、従来のねじれネマチック型液晶表示素
子に比べて、逸かに高速応答性の液晶表示素子の製作が
可能になり、大画面の液晶表示装置の実用化を図ること
がで伊る。

このようなカイラルスメクチックＣ液晶とじては、ｐ−
デシルオキシベンジリデン−ｐｏ−アミノ−２−メチル
ブチルシンナメート（以下ＤＯＢＡＭＢＣと略称する）
が知られている（Ｒ，Ｂ。

Ｍｅｙｅｒら　Ｊ、ｄｅ　　Ｐｈｙｓｉｑｕｅ　　３旦
、Ｌ−６９（１９７５）参照）。

アミド結合を有する液晶はいくつか知られており、代表
的なものとして下記の構造式で表わされる化合物（Ｈ，
５ｃｈｕ’ｂｅｒｔら　Ｊ、Ｐｒａｋｔ、Ｃｈｅｍ、、
！上、６４３　（１９７９）参照）を挙げることかで伊
る。

しかし、アミド結合を有するスメクチック液晶は下記の
構造式で表ねされる化合物（Ｖ、Ｋａｌｙｖａｓら　Ｍ
ｏ１．Ｃｒｙｓｔ、Ｌｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、、８０，１０
５　（１９８２）参照）以外は殆ど知られておらず、ス
メクチックＣ液晶と同定された化合物は全く知られてい
ない。

〔発明が解決しようとする間匝点〕

しかしながら、ＤＯＢＡＭＢＣはシッフ塩基構造を持つ
ために、水分に対して不安定であり、また桂皮酸のエチ
レン構造が光に対して不安定であるという重大な欠点を
有する。　すなわち、耐候性が悪いため液晶として広範
に使用することができない。

〔問題を解決するための手段および作用〕本発明者らは
、耐候性に優れた新規なカイラルスメクチックＣ液晶性
を示す化合物を提供することを目的として、鋭意検討し
た結果、一般式（Ｉ）（式中、Ｒ１は炭素数１〜１８の
アルキル基を示し、Ｒ２は光学活１性アルキル基を示す
。　Ｘ。

Ｙはそれぞれ水素原子、フッ素原子、塩素原子および臭
素原子のいずれかから選ばれ、かつＸ、Ｙの少なくとも
一方は水素原子である。）で表わされる、光学活性アミ
ド化合物を見い出し、ざらにかかる化合物が、広い温度
範囲において目的とするカイラルスメクチックＣ液晶と
なることを見い出し、本発明に到達した。　また、かか
る化合物は他の液晶性化合物との相互溶解性がよいため
、液晶組成物の一成分として用いれば、液晶組成物のカ
イラルスメクチックＣ相の液晶温度範囲の拡張に効果的
である。一般式（Ｉ）におけるＲ１は炭素数１〜１８の
アルキル基である。また、一般式（Ｉ）におけるＲ２は
光学活性アルキル基であり、好ましく使用できるものと
して光学活性２−メチルブチル基、２−メチルペンチル
基、２−メチルヘキシル基、２−メチルへブチル基、２
−メチルオクチル基、１−メチルプロピル基、１−メチ
ルブチル基、１−メチルペンチル基、１−メチルヘキシ
ル基、１−メチルへブチル基、３−メチルペンチル基、
３−メチルヘキシル基、３−メチルへブチル基、５−メ
チルへブチル基などを例示することができ、光学活性２
−メチルブチル基の使用が特に好ましい。

本発明の一般式（Ｉ）の光学活性アミド化合物は、構造
成分としてアゾメチン基、アゾ基、アゾキシ基、エチニ
ル基など水分や光に対して不安定な官能基を持たず、安
定なアミド基、エステル基およびエーテル基のみから成
り立っているので、非常に優れた耐候性を有すると共に
、広い温度範囲でカイラルスメクチックＣｗＩｉ晶とな
るので、実用性が高い。　また、本発明の化合物はスメ
クチックＡ液晶となるので、レーザー熱書苦込み型表示
素子として用いることも可能である。

一般式（Ｉ）の光学活性アミド化合物は、以下に述べる
反応式に従って合成することがで伊る。

−一一一→　　（Ｉ） 式（ＩＩ）の化合物を過剰量の塩化チオニルと数時間加
熱還流した後、未反応の塩化チオニルを減圧留去で除去
して、対応する酸塩化物（ＩＩを得る。　次に、酸塩化
物（ＩＩりをベンゼン、トルエンなどの芳香族炭化水素
溶媒に溶かし、ピリジン、トリエチルアミンなどの有機
塩基化合物の存在下で、２位、あるいは３位に置換基を
もった４−アミノ安息香酸光学活性アルキルエステル（
ＩＶ）に加え、室温又は加熱条件下で数時間反応させる
ことによって、一般式（Ｉ）の化合物を合成する。

得られた粗製の化合物（工）はカラムクロマトグラフィ
ー、再結晶など常法に従って精製する。

また、式（ＩＩ）の化合物は公知の方法（Ｇ、Ｗ。

Ｇｒａｙ、　　Ｊ、Ｂ、Ｈａｒｔ　ｌｅｙ　　ａｎｄＢ
、Ｊｏｎｅｓ、　　Ｊ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、、１４１２
　（１９５５））により、下記の反応式に従って合成す
ることができる。

すなわち、４−ヒドロキシビフェニルを二硫化炭素中で
無水塩化アルミニウムの存在下で塩化アセチルと反応き
せることにより、４′−ヒドロキシ−４−アセチルビフ
ェニル（Ｖ）を得、次いで次亜臭素酸ナトリウムでアセ
チル基を酸化して、４′−ヒドロキシ−４−ビフェニル
カルボン酸（Ｖｌ）とする。化合物（Ｖｌ）をエタノー
ルと水酸化カリウム水溶液中で、臭化アルキルと反応さ
せて、４′−アルコキシ−４−ビフェニルカルボン酸カ
リウム塩とし、塩酸などで、酸性にすることによって、
４′−アルコキシ−４−ビフェニルカルボン酸（ＩＩ）
を合成することができる。　あるいは、４゛−ヒドロキ
シ−４−シアノビフェニルを常法に従ってアルカリで加
水分解することによって一段階で４′−アルコキシ−４
−ビフェニルカルボン酸（ＩＩ）を合成することもでき
る。

Ｒ１０ｐ訃（防Ｃ０ＯＨ（旧 化合物（ｒＶ）は以下に述べる（ａ）〜（ｃ）の方法に
従って合成することができる。

（ａ）化合物（ＩＶ）においてＸ＝Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ。

Ｙ＝Ｈの場合の合成法。

２−ハロゲノ−４−アミノ安息香酸光学活性アルキルエ
ステル（ＩＶ−ａ）のうちＸ＝Ｆ、ＣＩの化合物は下記
の反応式に従って合成することがで営る。

すなわち、２，４−ジニトロトルエンを常法に従って２
−アミノ−４−ニトロトルエン（■）とした後（Ｂｅｉ
ｌｓｔｅｉｎ、Ｅｌ、１２．３９２参照）、フッ素置換
体の場合はＦ、Ｃ，Ｓｃｈｍｅｌｋｅｓらの方法（Ｊ、
Ａｍ、Ｃｈｅｍ、ＳＯｃ、、立、ｉ、１６３１　（１９
４４）参照）によって、アミノ基をフッ素に置換した後
、過マンガン酸による酸化で、また塩素置換体の場合ビ
、Ａ。

Ａｌｂｅｒｔらの方法（Ｊ、Ｓｏｃ、Ｃｈｅｍ。

Ｉｎｄ、、　旦旦、５４Ｔ　（１９３６）参照）によっ
てアミノ基を塩素に置換した後、重クロム酸カリウムに
よる酸化で、それぞれ対応する２−ハロゲノ−４−二ト
ロ安息香酸（■）、（ＩＸ）を合成することができる。

これらのカルボン酸は過剰の塩化チオニルで酸塩化物と
した後、ピリジンなどの有機塩基化合物の存在下で光学
活性アルコールと室温又は加熱条件下で数時間反応させ
ることによって、２−ハロゲノ−４−二トロ安息香酸光
学活性アルキルエステルとすることかで伊る。この化合
物はラネーニッケルや活性を落としたパラジウム触媒の
存在下で常温常圧もしくは加熱加圧条件下で水素による
接触還元をすることによって、２−ハロゲノ−４−アミ
ノ安息香酸光学活性アルキルエステル（ｒＶ−ａ）とす
ることができる。

また、化合物（ＩＶ−ａ）のうちＸ＝Ｃ１，Ｂｒの化合
物は下記の反応式に従って合成することができる。

Ｂｒ すなわち、どちらもｐ−ニトロトルエンを出発原料とし
、塩素置換体の場合は、Ｊ、Ｈ，Ｇｏｒｖｉｎらの方法
（Ｃｈｅｍ、＆Ｉｎｄ、、９１０（１９５１）参照）に
よって２−クロロ−４−二トロトルエンとした後、重ク
ロム酸カリウムによる酸化で、また臭素置換体の場合は
Ｊ、Ｆｒｅｊｋａらの方法（Ｃｈｅｍ、Ａｂｓｔ、　　
１旦。

２３３２　（１９２５）参照）によって２−ブロモ−４
−二トロトルエンとした後、過塩素酸カリウムで酸化す
ることによって、それぞれ対応する２−へロゲノー４−
二トロ安息香酸（ＩＸ）　、　　（Ｘ）とし、更にエス
テル化および接触還元を行うことによって２−ハロゲノ
−４−アミノ安息香酸光学活性アルキルエステルとする
ことがで芳る。

（ｂ）化合物（ＩＶ）においてＸ＝Ｈ，Ｙ＝Ｆ、Ｃ１，
８ｒの場合の合成法。

３−ハロゲノ−４−アミノ安息香酸光学活性アルキルエ
ステルのうち、Ｙ＝Ｆの化合物は下記の反応式に従って
合成することができる。

すなわち、ｍ−フルオロトルエンをＧ、Ｓｃｈｔｅｍａ
ｎｎの方法（Ｂｅｒ、、旦１旦、１７９４　（１９２９
）参照）によってニトロ化して３−フルオロ−４−二ト
ロトルエンとした後、過マンガン酸カリウムで酸化して
３−フルオロ−４−二トロ安恵香酸（Ｘ　Ｉ　）とし、
エステル化、接触還元によって、３−フルオロ−４−ア
ミノ安息香酸光学活性アルキルエステル（ＩＶ−ｂ）と
する。

また、化合物（ＩＶ−ｂ）のうち、Ｙ＝ＣＩ、Ｂｒの化
合物は、下記の反応式に従って合成することがで伊る。

±乙ａ２Ｎ、８ｃｏｏｉ２（Ｘ　ＩＩ　）すなわち、４
−：ｌ−トロ安息香酸クロライドをピリジンなどの有機
塩基化合物の存在下で光学活性アルコールとエステル化
反応させて、４−ニトロ安思香酸光学活性アルキルエス
テルとする。これをパラジウム炭素などの触媒の存在下
で常温常圧で接触水素化を行い、４−アミノ安息香酸光
学活性アルキルエステル（Ｘ　ＩＩ　）とする。次に、
Ｙ＝Ｃ１の場合は村上らの方法（Ｃｈｅｍ、Ｐｈａｒｍ
、Ｂｕｔ　１．、■、１６９６　（１９７１）参照）に
準じて、（ＸＩＩ）をピリジンなどの有機塩基化合物の
存在下で二塩化ヨードベンゼン（Ｈ。

Ｊ、Ｌｕｃａｓら”Ｏｒｇａｎｉｃ　　５ｙｎｔｈｅｓ
　ｉｓ＃、Ｃｏ　ｌ　１．Ｖｏ　１．ＩＩＩ参照）と反
応させることによって、３−クロロ−４−アミノ安息香
酸光学活性アルキルエステル（ＩＶ−ｂ）を得ることが
でき、Ｙ＝Ｂｒの場合はり、Ｌｅｕｌｉｅｒの方法（Ｂ
ｅｉ　１ｓｔｅｉｎ、ＥＩｌ、１生。

２７２参照）によって（ＸＩＬ）を臭素化して、３−ブ
ロモ−４−アミノ安息香酸光学活性アルキルエステルと
することができる。

（ｃ）化合物（ＩＶ）においてＸ＝Ｈ，Ｙ、＝Ｈの場合
の合成法。

４−アミノ安息香酸光学活性アルキルエステル（ｒＶ−
ｃ）は、下記の反応式に従って合成することがで伊る。

すなわち、４−ニトロ安息香酸クロライドをピリジンな
どの有機塩基化合物の存在下で光学活性アルコールとエ
ステル化反応を行ない、４−ニトロ安、息香酸光学活性
アルキルエステル（Ｘｌｌ！’）とする。この化合物を
パラジウム炭素などの触媒存在下で常温常圧で接触水素
化を行ない、４−アミノ安息香酸光学活性アルキルエス
テル（ＩＶ−ｃ）とする。

〔実施例〕

以下、実施例により本廠明を更龜詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例１ （Ｓ）−４−−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニルカル
ボン酸−〔３−クロロ−４−（２−メチルブトキシカル
ボニル）アニリド〕　（一般式（Ｉ）においてＲｓ＝Ｃ
ｔ！Ｈ：ｓ、Ｒｘ＝（Ｓ）　　２−メチルブチル、Ｘ＝
ＣＬ　Ｙ＝Ｈ） 市販の２−クロロ−４−二トロ安息香酸クロライド１５
ｇ　（６８，３ミリモル）をベンゼン３５ｍ１に加えて
溶解した後、（Ｓ）−２−メチルブチルアルコール８．
１ｍｌ　　（７５ミリモル）、ピリジン２２．１ｍｌの
混合物に室温で加えて６０℃で２時間加熱した。放冷後
反応混合物を３ＮＨＣ１および飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去するこ
とにより、（Ｓ）−２−クロロ−４−ニトロ安息香酸２
−メチルブチルエステル１８．２ｇを得た。この化合物
２．５７ｇ　（９，４６ミリモル）を展開ラネニニッケ
ル（日興理化Ｒ−１００）１２９ｍｇおよびエタノール
２０ｍ１と共に３００ｍ１オートクレーブに入れ、水素
置換後昇温昇圧し、反応圧９ｋｇ／ｃｍ’、反応温度５
０℃にて接触水素化を行った。所定量の水素を吸収した
ところで放圧放冷し、セライトで触媒をろ別した後溶媒
を減圧留去して、粗製の化合物を得た。ｎ−へキサンと
酢酸エチルの混合溶媒から再結晶して、（Ｓ）−２−ク
ロロ−４−アミノ安息香Ｗｉ２−メチルブチルエステル
（■−ａ）１．８９ｇを得た。　４＝−ｎ−デシロキシ
−４−ビフェニルカルボン酸１．０ｇ　（２，６ミリモ
ル）を塩化チオニル６ｍｌに加えて３時間加熱還流した
後、未反応の塩化チオニルを減圧下で留去した。得られ
た粗製の酸塩化物をベンゼン１５ｍ１に溶解した後、（
Ｓ）−２−クロロ−４−アミノ安息香酸２−メチルブチ
ルエステル（ｒＶ−ａ）７００ｍｇ　（２，９ミリモル
）およびピリジン３ｍ１（３７ミリモル）の混合物に室
温で加えて、６０℃で２時間加熱した。

放冷後反応混合物を３ＮＨＣ１および飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去
して得られた粗製物をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィーおよびｎ−ヘキサン／酢酸エチル混合溶媒からの再
結晶によって精製した。

（Ｓ）−４”−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニルカル
ボン酸−〔３−クロロ−４−（２−メチルブトキシカル
ボニル）アニリド〕の収量は８００ｍｇで収率５１％で
あった。　この化合物の赤外吸収スペクトルを第１図に
示す。また、′ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣ１３、ＴＭ
Ｓ内部標準）のδ（ｐｐｍ）は下記の通りであった。

０．６〜２．０　（ｍ、３２Ｈ） ３．９５　　（ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，Ｏ−Ω上１−Ｃ
Ｈｘ） ４．１４　（ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，〇−Ω上ニーＣＨ
） ６．８〜８．４　（ｍ、１２Ｈ，ベンゼン環および−Ｎ
Ｈ−） この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。

理論値（Ｃ１７Ｈ４１１ＮＯ４Ｃ１として）Ｃ７３，３
０％　８７．９８％　Ｎ２．３１％Ｃ１５，８５％ 分析値　Ｃ７３，２％　Ｈ８，２％　Ｎ２．３％　Ｃ１
０，１％。

以上の分析データにより、この化合物を（Ｓ）−４＝−
ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニルカルボン酸−〔３−
クロロ−４−（２−メチルブトキシカルボニル）アニリ
ド〕と同定した。

また、この化合物は、降温時において第１表に記載の液
晶相転移を示し、広い温度範囲でカイラルスメクチック
Ｃ相を有していた。

実施例２〜３ 実施例１における４＝−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェ
ニルカルボン酸を目的物に対応する４′−アルコキシ−
４−ビフェニルカルボン酸に変更した他は実施例１と全
く同様にして、下記の（Ｓ）−４′−ｎ−アルコキシ−
４−ビフェニルカルボン酸−〔３−クロロ−４−（２−
メチルブトキシカルボニル）アニリド〕を合成した。

実施例２ （Ｓ）　−４−−ｎ−オクチロキシ−４−ビフェニルカ
ルボン酸−〔３−クロロ−４−（２−メチルブトキシカ
ルボニル）アニリド〕　（一般式（Ｉ）においてＲｔ　
＝　Ｃｓ　Ｈｓ　？、Ｒｓ＝　（Ｓ）−２−メチルブチ
ル、Ｘ＝ＣＬ　Ｙ＝Ｈ） 実施例３（Ｓ）−４−−ｎ−ヘキサデシロキシ−４−ビ
フェニルカルボン酸−〔３−クロロ−４−（２−メチル
ブトキシカルボニル）アニリド〕（一般式ＣＩ）におい
てＲｔ＝ＣｔｓＨｘｚ、Ｒｚ＝（Ｓ）−２−メチルブチ
ル、Ｘ＝Ｃｌ５Ｙ＝Ｈ）これらの化合物の同定は、赤外
吸収スペクトル、”ＨＮＭＲスペクトル（ＣＤＣＩ！、
ＴＭＳ内部標準）および元素分析によって行なった。

実施例２〜３の化合物は、第１表に示すようにいずれも
カイラルスメクチックＣ液晶相を有していた。

実施例４ （Ｓ）−４′−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニルカル
ボン酸−〔２−クロロ−４−（２−メチルブトキシカル
ボニル）アニリド〕　（一般式（Ｉ）においてＲｓ＝Ｃ
ｔｚＨｔｓ、ＲｆＬ＝　（Ｓ）　−２−メチルブチル、
Ｘ＝Ｈ，Ｙ＝ＣＩ） ４−ニトロ安息香酸クロライド１３．０ｇ　（７０ミリ
モル）を実施例１と同様にして、（Ｓ）−２−メチルブ
チルアルコールによってエステル化し、（Ｓ）−４−ニ
トロ安息香酸　２−メチルブチルエステルを収量１３．
８ｇ、収率８３％で得た。得られたエステル１１．０ｇ
　（４６，４ミリモル）と５％パラジウム炭素１．１ｇ
およびエタノール７０ｍ１を３００ｍ１オートクレーブ
に入れ水素置換した後、室温下水素工３ｋｇ／ａｍ”に
て接触水素化を行った。所定量の水素を吸収したところ
で反応を止めて、放冷した。セライトによって触媒をろ
別し、ろ液を硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を減
圧留去して（Ｓ）−４−アミノ安息香酸２−メチルブチ
ルエステル（Ｘ　ＩＩ　）９．２７ｇ　（収率９６．５
％）を得た。

得られた化合物（Ｘｌｌ）５ｇ　（２４，１ミリモル）
をピリジン２．０ｍｌ　　（２４，７ミリモル）および
乾燥テトラヒドロフラン１２０ｍ１に溶かし、水冷下で
二塩化ヨードベンゼン１１．６ｇ（４２，３ミリモル）
を乾燥テトラヒドロフラン５０ｍ１に溶かした溶液を反
応温度を２℃に保って滴下し、そのまま−夜鷹はんした
。反応混合物から溶媒を減圧留去した後、水を加え酢酸
エチルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄した後、
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去することに
よって粗製物を得た。シリカゲルクロマトグラフィーで
精製し、（Ｓ）−３−クロロ−４−アミノ安息香酸２−
メチルブチルエステル（ＩＶ−ｂ）１．８ｇ　（収率３
１％）を得た。この化合物（ＩＶ−ｂ）を実施例１と同
様に、４′−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニルカルボ
ン酸の酸クロライドとエステル化反応させることによっ
て、（Ｓ）−４−−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニル
カルボン酸−〔２−クロロ−４−（２−メチルブトキシ
カルボニル）アニリド〕を得た。この化合物の赤外吸収
スペクトルを第２図に示す。また、′ＨＮＭＲスペクト
ル（ＣＤＣ１ｚ、ＴＭＳ内部標準）のδ（ｐ−ｐｍ）は
下記の通りであった。

０．６〜２．１　　（ｍ、３２Ｈ） ３．９５　（ｔ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，Ｏ−Ω上１−ＣＨ
ｘ） ４．１４　（ｄ、Ｊ＝６Ｈｚ、２Ｈ，Ｏ−Ω１ｈ−ＣＨ
） ６．８〜８．９　（ｍ、１２Ｈ，ベンゼン環および−Ｎ
Ｈ−） この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり、理論
値と良く一致した。

理論値（Ｃｚ）Ｈ４ｓ　ＮＯ２Ｃｌとして）Ｃ７３，３
ｓ％　Ｎ７．９８％　Ｎ２．３１％ＣＩ　　５．８５％ 分析値　Ｃ７３，２％　Ｈ８，１％　Ｎ２．３％　Ｃ１
０，２％。

以上の分析データより、この化合物を（Ｓ）　−４＝−
ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニルカルボン酸−〔２−
クロロ−４−（２−メチルブトキシカルボニル）アニリ
ド〕と同定した。

この化合物の降温時の液晶相転移温度は第１表に示す通
りであり、モノトロピックではあるが比較的低い温度域
においてカイラルスメクチックＣ相を有していた。

実施例５ （Ｓ）−４−−ｎ−ヘキサデシロキシ−４−ビフェニル
カルボン酸−（２−クロロ−４−（２−メチルブトキシ
カルボニル）アニリド〕　（一般式％式％） 実施例４における４＝−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェ
ニルカルボン酸を４′−ｎ−ヘキサデシロキシ−４−ビ
フェニルカルボン酸に変更した以外は、実施例４と全く
同様にして合成した。

実施例５の化合物の降温時の相転移温度を第１表に示す
。

実施例６ （Ｓ）−４−−ｎ−ヘキサデシロキシ−４−ビフェニル
カルボン酸−（４−（２−メチルブトキシカルボニル）
アニリド〕　（一般式（Ｉ）においてＲ！＝　Ｃｔ　ｓ
　Ｈ３３、Ｒｔ＝　（Ｓ）−２−メチルブチル、Ｘ＝Ｈ
，Ｙ＝Ｈ） ４−ニトロ安息香酸クロライドを出発物質として、実施
例４と全く同様にして（Ｓ）−４−７ミノ安息香酸２−
メチルブチルエステル（■−ｃ）を合成した。この化合
物（ＩＶ−ｃ）を実施例１と同様に、４＝−ｎ−ヘキサ
デシロキシ−４−ビフェニルカルボン酸の酸クロライド
とエステル化反応きせることによって、（Ｓ）−４−−
ｎ−ヘキサデシロキシ−４−ビフェニルカルボン酸−〔
４−（２−メチルブトキシカルボニル）アニリド〕を得
た。この化合物の赤外吸収スペクトルを第３図に示す。

また、この化合物の元素分析の結果は下記の通りであり
、理論値とよく一致した。

理論値（Ｃｎ＋Ｈｓ７ＮＯ４とＬｒ）　　Ｃ７８，４３
％　８９．１５％　Ｎ２．２３％ 分析値　Ｃ７８，３％　Ｈ９，５％　Ｎ２．２％ 以上の分析データより、この化合物を（Ｓ）、−４′−
ｎ−ヘキサデシロキシ−４−ビフェニルカルボン酸−（
４−（２−メチルブトキシカルボニル）アニリド〕と同
定した。

この化合物の降温時の相転移温度は第１表に示す通りで
あり、カイラルスメクチックＣ相を有していた。

実施例７〜８ 実施例６における４′−ｎ−ヘキサデシロキシ−４−ビ
フェニルカルボン酸を目的物に対応する４′−ｎ−アル
ツギシー４−ビフェニルカルボン酸に変更した他は実施
例６と全く同様にして、下記の（Ｓ）−４′−ｎ−アル
コキシ−４−ビフェニルカルボン酸−（４−（２−メチ
ルブトキシカルボニル）アニリド〕を合成した。

実施例７ （Ｓ）−４−−ｎ−オクチロキシ−４−ビフェニルカル
ボン酸−Ｃ４−（２−メチルブトキシカルボニル）アニ
リド〕　（一般式（Ｉ）においてＲ１＝Ｃｅ　Ｈｔ　？
、Ｒｘ＝　（Ｓ）　−２−メチルブチル、Ｘ＝Ｈ，Ｙ＝
Ｈ） 実施例８ （Ｓ）−４−−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニルカル
ボン酸−Ｃ４−（２−メチルブトキシカルボニル）アニ
リド〕　（一般式（Ｉ）においてＲ１＝Ｃｔ　ｘ　Ｈｘ
　ｓ、Ｒｚ＝　（Ｓ）−２−メチルブチル、Ｘ＝Ｈ，Ｙ
＝Ｈ） これらの化合物の同定は、赤外吸収スペクトルおよび元
素分析によって行った。

実施例７〜８の化合物は第１表に示すように、いずれも
カイラルスメクチックＣ液晶相を有していた。

（以下余白） 実施例９ （液晶組成物） 実施例３の（Ｓ）　−４′−ｎ−ヘキサデシロキシ−４
−ビフェニルカルボン酸−〔３−クロロ−４−（２−メ
チルブトキシカルボニル）アニリド〕（一般式（Ｉ）に
おいてＲ５＝Ｃ１ｓＨｓｘ、Ｒａ＝（Ｓ）　−２−メチ
ルブチル、Ｘ＝Ｃ１，Ｙ＝Ｈ）と実施例４の（Ｓ）−４
′−ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェニルカルボン酸−〔
２−クロロ−４−（２−メチルブトキシカルボニル）ア
ニリド〕（一般式（Ｉ）においてＲｓ＝ＣｔｔＨｚｓ、
Ｒｚ＝（Ｓ）　−２−メ−ｆＡｔｔ’ｆＡｔ、Ｘ＝Ｈ，
Ｙ＝ＣＩ）を等モル量混合して、液晶組成物を調製した
。

この液晶組成物の降温時の液晶相転移温度は下記の通り
であった。

このように、置換基の位置の違った化合物を混合して液
晶組成物にすることにより、単独で用いるよりも広い温
度範囲でカイラルスメクチックＣ液晶相を得ることがで
き、かつカイラルスメクチックＣの下限温度が著しく低
下した。

実施例１０ （液晶組成物） 実施例３の（Ｓ）−４−−ｎ−ヘキサデシロキシ−４−
ビフェニルカルボン酸−〔３−クロロ−４−（２−メチ
ルブトキシカルボニル）アニリド〕（一般式（Ｉ）にお
いてＲ５＝Ｃ１ｓＨｓｘ、Ｒｚ＝ＣＳ）−２−メチルブ
チル、Ｘ＝Ｃ１，Ｙ＝Ｈ）と実施例５の（Ｓ）−４−−
ｎ−ヘキサデシロキシ−４−ビフェニルカルボン酸−〔
２−クロロ−４−（２−メチルブトキシカルボニル）ア
ニリド〕（一般式（Ｉ）においてＲ５＝Ｃ１ｓＨｓｘ、
Ｒｘ＝（Ｓ）−２−メチルブチル、Ｘ＝ＨＸＹ＝Ｃ１）
を等モル量混合して、液晶組成物を調製した。

この液晶組成物の降温時の液晶相転移温度は下記の通り
であった。

実施例５の化合物は単独ではカイラルスメクチックＣ相
を示さないが、カイラルスメクチックＣ相を有する物質
と混合することによりカイラルスメクチックＣ相を示す
ようになると共に、実施例３の化合物単独の場合よりも
低い温度までカイラルスメクチックＣ相を示す。

実施例１１ （液晶組成物） 実施例１の（Ｓ）−４’ｎ−ドブシロキシ−４−ビフェ
ニルカルボン酸−〔３−クロロ−４−（２−メチルブト
キシカルボニル）アニリド〕と下記構造式の（Ｓ）−２
−（４−−ｎ−オクチルオキシフェニル）−５−ピリミ
ジンカルボン酸　４−（２′−メチルブトキシカルボニ
ル）フェニルエステルを等モル量混合して、液晶組成物
を調製した。

この液晶組成物の降温時の液晶相転移温度は下記の通り
であった。

このように、骨格構造の異なる液晶化合物を混合するこ
とにより、単独で用いるよりも広い温度範囲１力イラル
スメクチツクＣＭ晶となり、かつその下限温度も著しく
低下する。

なお、このピリミジン化合物単独の降温時の相転移温度
は下記の通りである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、新規な光学活性アミド化合物を提供で
きる。また、本発明の化合物は水分や光に対して安定で
あり、優れた耐候性を有すると共に広い温度範囲でスメ
クチックＣ液晶となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例１の化合物である（Ｓ）−４−一〇−ド
デシロキシー４−ビフェニルカルボン酸−〔３−クロロ
−４−（２−メチルブトキシカルボニル）アニリド〕、
第２図は実施例４の化合物である（Ｓ）−４−−ｎ−ド
ブシロキシ−４−ビフェニルカルボン酸−〔２−クロロ
−４−（２−メチルブトキシカルボニル）アニリド〕、
第３図は実施例６の化合物である（Ｓ）−４＝−ｎ−ヘ
キサデシロキシ−４−ビフェニルカルボンｍ−Ｃ４−（
２−メチルブトキシカルボニル）アニリド〕の各々の赤
外吸収スペクトルである。 特許出願大東し株式会社 一１呵」ど ぢ呵ゼ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、
   Ｒ＿２は光学活性アルキル基を示す。Ｘ、Ｙはそれぞれ
   水素原子、フッ素原子、塩素原子および臭素原子のいず
   れかから選ばれ、かつＸ、Ｙの少なくとも一方は水素原
   子である。） で表わされる光学活性アミド化合物。
2. （２）一般式（ I ）のＲ＿２が光学活性な２−メチル
   ブチル基である特許請求の範囲第１項記載の光学活性ア
   ミド化合物。
3. （３）一般式（ I ）のＸ、Ｙが、それぞれ水素原子又
   は塩素原子のいずれかであり、Ｘ、Ｙの少なくとも一方
   が水素原子である特許請求の範囲第１項記載の光学活性
   アミド化合物。
4. （４）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数１〜１８のアルキル基を示し、
   Ｒ＿２は光学活性アルキル基を示す。Ｘ、Ｙはそれぞれ
   水素原子、フッ素原子、塩素原子および臭素原子のいず
   れかから選ばれ、かつＸ、Ｙの少なくとも一方は水素原
   子である。） で表わされる光学活性アミド化合物からなる液晶。