JPH06313775A - テスト用コンタクトピンの製造方法 - Google Patents
テスト用コンタクトピンの製造方法Info
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- JPH06313775A JPH06313775A JP5127840A JP12784093A JPH06313775A JP H06313775 A JPH06313775 A JP H06313775A JP 5127840 A JP5127840 A JP 5127840A JP 12784093 A JP12784093 A JP 12784093A JP H06313775 A JPH06313775 A JP H06313775A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＩＣのウエハやベアチップ等のテストに適した
生産性の高いテスト用コンタクトピンの製造方法を実現
することにある。 【構成】基板層１０の上にテスト用コンタクトピンの材
質に被着又は結合する材質の第１の金属層１１を形成す
る形成工程と、第１の金属層１１の上にマスク１２を施
してマスクされていない部分１２ａに、テスト用コンタ
クトピンに供される第２の金属層１４をメッキ処理によ
り形成するメッキ工程と、マスクを取除いた第２の金属
層１４の上にテスト用コンタクトピンに供される部分以
外をカバーするフィルム１５を被着する被着工程と、フ
ィルム１５と第２の金属層１４とからなる部分を基板層
１０及び第１の金属層１１から分離する分離工程とを備
える。
生産性の高いテスト用コンタクトピンの製造方法を実現
することにある。 【構成】基板層１０の上にテスト用コンタクトピンの材
質に被着又は結合する材質の第１の金属層１１を形成す
る形成工程と、第１の金属層１１の上にマスク１２を施
してマスクされていない部分１２ａに、テスト用コンタ
クトピンに供される第２の金属層１４をメッキ処理によ
り形成するメッキ工程と、マスクを取除いた第２の金属
層１４の上にテスト用コンタクトピンに供される部分以
外をカバーするフィルム１５を被着する被着工程と、フ
ィルム１５と第２の金属層１４とからなる部分を基板層
１０及び第１の金属層１１から分離する分離工程とを備
える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、テスト用コンタクト
ピンに関し、詳しくは、電気的なテストのためにＩＣの
ウエハやベアチップとコンタクトするプローブピンやソ
ケットピン等のテスト用コンタクトピンの製造方法に関
する。
ピンに関し、詳しくは、電気的なテストのためにＩＣの
ウエハやベアチップとコンタクトするプローブピンやソ
ケットピン等のテスト用コンタクトピンの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来のテスト用コンタクトピンは、スプ
リング機構を有する可動式のスプリングピンや、テーパ
形状で片持ち式のプローブピンが一般的である。もっと
も、スプリングピンは機構上小さくすることが困難なた
めプリント基板等の比較的大きなものに適用が限られ、
ＩＣチップのテストには専らプローブピンが使用されて
いる。このプローブピンは、電解研磨等によってピンご
とに製造される。
リング機構を有する可動式のスプリングピンや、テーパ
形状で片持ち式のプローブピンが一般的である。もっと
も、スプリングピンは機構上小さくすることが困難なた
めプリント基板等の比較的大きなものに適用が限られ、
ＩＣチップのテストには専らプローブピンが使用されて
いる。このプローブピンは、電解研磨等によってピンご
とに製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のテス
ト用コンタクトピンは、テーパ上のプローブピンを扇状
に並べてプローブカードに取り付ける工程や、ＩＣパッ
ドの配置に合わせて先端のコンタクト部を曲げて高さや
ピッチを揃える工程を経て実用に供される。これらの工
程は俗に針立てとも呼ばれ、その作業には職人芸が要求
される。特に高集積ＩＣについては多ピン化、狭ピッチ
化の要求が厳しく、これに応え得る高度な技能者は極め
て限られ、製品の性能がばらついて信頼性が低下しがち
である。また、使用途中にもしばしば困難な再調整作業
が必要とされる。このため、このタイプのコンタクトピ
ンを用いては、カードやソケット等の生産性および性能
がＩＣの進歩についていけなくなりつつある。
ト用コンタクトピンは、テーパ上のプローブピンを扇状
に並べてプローブカードに取り付ける工程や、ＩＣパッ
ドの配置に合わせて先端のコンタクト部を曲げて高さや
ピッチを揃える工程を経て実用に供される。これらの工
程は俗に針立てとも呼ばれ、その作業には職人芸が要求
される。特に高集積ＩＣについては多ピン化、狭ピッチ
化の要求が厳しく、これに応え得る高度な技能者は極め
て限られ、製品の性能がばらついて信頼性が低下しがち
である。また、使用途中にもしばしば困難な再調整作業
が必要とされる。このため、このタイプのコンタクトピ
ンを用いては、カードやソケット等の生産性および性能
がＩＣの進歩についていけなくなりつつある。
【０００４】かかる問題を解決せんとして、エッチング
によってコンタクトピンを作る方法が提案されている
が、ドライエッチングでは生産性が悪過ぎ、ウエットエ
ッチングではテーパエッチの発生等によりピンの断面形
状が悪くて必要なコンタクト力が確保できない等の欠陥
がある。また、異方性材料を用いて断面形状を確保して
も材料が限定されるため導電性が確保できない。さらに
はコンタクト部分をピンにすることを諦めて樹脂基板上
の配線パターンにパッドを付けて押し付ける方法もある
が、この方法は、いわゆるオーバードライブが確保でき
ないことから、コンタクト圧がばらつき易く接触抵抗が
不安定で信頼性に欠ける。
によってコンタクトピンを作る方法が提案されている
が、ドライエッチングでは生産性が悪過ぎ、ウエットエ
ッチングではテーパエッチの発生等によりピンの断面形
状が悪くて必要なコンタクト力が確保できない等の欠陥
がある。また、異方性材料を用いて断面形状を確保して
も材料が限定されるため導電性が確保できない。さらに
はコンタクト部分をピンにすることを諦めて樹脂基板上
の配線パターンにパッドを付けて押し付ける方法もある
が、この方法は、いわゆるオーバードライブが確保でき
ないことから、コンタクト圧がばらつき易く接触抵抗が
不安定で信頼性に欠ける。
【０００５】このため、エッチングにより製造されるこ
のようなコンタクトピンは、実験的あるいは限定的な使
用は別として、実用に耐えない。この発明の目的は、こ
のような従来技術の問題点を解決するものであって、Ｉ
Ｃのウエハやベアチップ等のテストに適した生産性の高
いテスト用コンタクトピンの製造方法を実現することに
ある。
のようなコンタクトピンは、実験的あるいは限定的な使
用は別として、実用に耐えない。この発明の目的は、こ
のような従来技術の問題点を解決するものであって、Ｉ
Ｃのウエハやベアチップ等のテストに適した生産性の高
いテスト用コンタクトピンの製造方法を実現することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
のこの発明のテスト用コンタクトピンの製造方法は、基
板層の上にテスト用コンタクトピンの材質に被着又は結
合する材質の第１の金属層を形成する形成工程と、第１
の金属層の上にマスクを施してマスクされていない部分
に、前記テスト用コンタクトピンに供される第２の金属
層をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、前記
マスクを取除いた第２の金属層の上に前記テスト用コン
タクトピンに供される部分以外をカバーするフィルムを
被着する被着工程と、前記フィルムと第２の金属層とか
らなる部分と、前記基板層と第１の金属層とからなる部
分とを分離する分離工程とを備えるものである。
のこの発明のテスト用コンタクトピンの製造方法は、基
板層の上にテスト用コンタクトピンの材質に被着又は結
合する材質の第１の金属層を形成する形成工程と、第１
の金属層の上にマスクを施してマスクされていない部分
に、前記テスト用コンタクトピンに供される第２の金属
層をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、前記
マスクを取除いた第２の金属層の上に前記テスト用コン
タクトピンに供される部分以外をカバーするフィルムを
被着する被着工程と、前記フィルムと第２の金属層とか
らなる部分と、前記基板層と第１の金属層とからなる部
分とを分離する分離工程とを備えるものである。
【０００７】
【作用】このような構成のこの発明のテスト用コンタク
トピンの製造方法にあっては、エッチングによって直接
的にコンタクトピンを形成するのではなく、マスクされ
ていない部分にメッキ処理によってコンタクトピンを形
成する。これにより、ピンの断面形状が不所望なテーパ
状となるのを防止して、ほぼ矩形状の好ましい断面形状
のコンタクトピンを製造することができる。また、基板
層の上にメッキして後に分離するので、各コンタクトピ
ンの接触点の位置が比較的揃っていて、その面は平滑で
ある。そこで、多ピン化、狭ピッチ化の要求に対しても
十分なオーバードライブとほぼ一様で十分なコンタクト
圧を確保できるので、ＩＣのウエハやベアチップ等のテ
ストに好適である。さらに、メッキ処理等の一般的な工
程だけで製造できるので、ピンの製造効率もよい。
トピンの製造方法にあっては、エッチングによって直接
的にコンタクトピンを形成するのではなく、マスクされ
ていない部分にメッキ処理によってコンタクトピンを形
成する。これにより、ピンの断面形状が不所望なテーパ
状となるのを防止して、ほぼ矩形状の好ましい断面形状
のコンタクトピンを製造することができる。また、基板
層の上にメッキして後に分離するので、各コンタクトピ
ンの接触点の位置が比較的揃っていて、その面は平滑で
ある。そこで、多ピン化、狭ピッチ化の要求に対しても
十分なオーバードライブとほぼ一様で十分なコンタクト
圧を確保できるので、ＩＣのウエハやベアチップ等のテ
ストに好適である。さらに、メッキ処理等の一般的な工
程だけで製造できるので、ピンの製造効率もよい。
【０００８】また、第２の金属層のうちテスト用コンタ
クトピンに供される部分以外がフィルムでカバーされ
る。これにより、多数のコンタクトピンがフィルムを介
して一体として形成されるので、プローブカードやＩＣ
ソケット等への組み込みに際し、複数のコンタクトピン
を一括して取り扱うことができる。したがって、針立て
等の職人芸が無くても容易に組立てができる。すなわ
ち、このテスト用コンタクトピンを用いると、カードや
ソケット等のピン組み込み製品の生産性の向上をも図る
ことができる。
クトピンに供される部分以外がフィルムでカバーされ
る。これにより、多数のコンタクトピンがフィルムを介
して一体として形成されるので、プローブカードやＩＣ
ソケット等への組み込みに際し、複数のコンタクトピン
を一括して取り扱うことができる。したがって、針立て
等の職人芸が無くても容易に組立てができる。すなわ
ち、このテスト用コンタクトピンを用いると、カードや
ソケット等のピン組み込み製品の生産性の向上をも図る
ことができる。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して詳細に説明する。図１に、各工程における断面模
式図を示し、図２にテスト用コンタクトピン１４ｄとそ
れに連なる引出し用配線パターン１４ｅ等とこれらが形
成されたフィルム１５との全体模式図を示す。これは説
明用のものであり、実際には、テスト用コンタクトピン
の数が数十から数百のものが一般的であって、ピッチも
一定とは限らない。なお、以下、テスト用コンタクトピ
ンを単にピンと呼び、引出し用配線パターンをパターン
と呼び、ピン１４ｄとパターン１４ｅを合わせてピン１
４と呼ぶ。また、ピン１４等とフィルム１５との全体を
ピンフィルム体２２と呼ぶ。
照して詳細に説明する。図１に、各工程における断面模
式図を示し、図２にテスト用コンタクトピン１４ｄとそ
れに連なる引出し用配線パターン１４ｅ等とこれらが形
成されたフィルム１５との全体模式図を示す。これは説
明用のものであり、実際には、テスト用コンタクトピン
の数が数十から数百のものが一般的であって、ピッチも
一定とは限らない。なお、以下、テスト用コンタクトピ
ンを単にピンと呼び、引出し用配線パターンをパターン
と呼び、ピン１４ｄとパターン１４ｅを合わせてピン１
４と呼ぶ。また、ピン１４等とフィルム１５との全体を
ピンフィルム体２２と呼ぶ。
【００１０】ピンの製造工程は、主に、第１の金属層の
形成工程と、メッキ処理工程の前半部であるレジストパ
ターンの形成工程と、メッキ処理工程の後半部として第
２の金属層を形成する電解メッキ工程と、フィルムの被
着工程と、分離工程の前半部である剥離工程と、分離工
程の後半部である除去工程とからなる。なお、ピン１４
の材質は、強度や靱性の観点からＮｉが良い。さらに、
Ｐｄ等を含ませることもある。また、導電性を重視する
場合には、金をコーテングして導電性を高くするとよ
い。あるいは、Ｎｉに代えてベリリュウム銅を用いても
良い。以下、各工程をこの順に説明する。
形成工程と、メッキ処理工程の前半部であるレジストパ
ターンの形成工程と、メッキ処理工程の後半部として第
２の金属層を形成する電解メッキ工程と、フィルムの被
着工程と、分離工程の前半部である剥離工程と、分離工
程の後半部である除去工程とからなる。なお、ピン１４
の材質は、強度や靱性の観点からＮｉが良い。さらに、
Ｐｄ等を含ませることもある。また、導電性を重視する
場合には、金をコーテングして導電性を高くするとよ
い。あるいは、Ｎｉに代えてベリリュウム銅を用いても
良い。以下、各工程をこの順に説明する。
【００１１】第１の金属層の形成工程は、基板層として
のステンレス板１０の上に、第１の金属層としての銅層
１１を薄く電解メッキで形成する。第１の金属層として
銅を用いるのは、Ｎｉ製のピン１４等との被着性に優れ
ること、ステンレス板１０に対する被着力がＮｉ製のピ
ン１４等に対するフィルム１５の被着力よりも弱いこ
と、良い電導体であることからである。銅はステンレス
よりも導電性に優れるので、電解メッキが素早く且つ均
一に行われる。なお、ステンレス板１０は、鏡面仕上げ
されて、その表面が平坦であり、しかも平滑である。
のステンレス板１０の上に、第１の金属層としての銅層
１１を薄く電解メッキで形成する。第１の金属層として
銅を用いるのは、Ｎｉ製のピン１４等との被着性に優れ
ること、ステンレス板１０に対する被着力がＮｉ製のピ
ン１４等に対するフィルム１５の被着力よりも弱いこ
と、良い電導体であることからである。銅はステンレス
よりも導電性に優れるので、電解メッキが素早く且つ均
一に行われる。なお、ステンレス板１０は、鏡面仕上げ
されて、その表面が平坦であり、しかも平滑である。
【００１２】レジストパターンの形成工程は、銅層１１
の上にフォトレジスト１２をコーティングし（図１の
（ａ）参照）、これにマスク１３を介して露光する（図
１の（ｂ）参照）。これにより、マスク１３に対応する
パターンをレジスト１２に転写する。さらに、これを現
像してマスク１３に対応するパターンのレジスト１２を
形成して、銅層１１の上にレジストマスクを施こす（図
１の（ｃ）参照）。
の上にフォトレジスト１２をコーティングし（図１の
（ａ）参照）、これにマスク１３を介して露光する（図
１の（ｂ）参照）。これにより、マスク１３に対応する
パターンをレジスト１２に転写する。さらに、これを現
像してマスク１３に対応するパターンのレジスト１２を
形成して、銅層１１の上にレジストマスクを施こす（図
１の（ｃ）参照）。
【００１３】電解メッキ工程は、レジストマスクされて
いない部分に表れている銅層１１の上方の空隙１２ａ
に、Ｎｉを電解メッキにより付着成長させて形成する
（図１の（ｄ）参照）。Ｎｉメッキの終了後は、レジス
ト１２を除去してマスクを取り除く（図１の（ｄ）参
照）。このようにして形成されたＮｉ層は、ピン１４に
供されるものである。
いない部分に表れている銅層１１の上方の空隙１２ａ
に、Ｎｉを電解メッキにより付着成長させて形成する
（図１の（ｄ）参照）。Ｎｉメッキの終了後は、レジス
ト１２を除去してマスクを取り除く（図１の（ｄ）参
照）。このようにして形成されたＮｉ層は、ピン１４に
供されるものである。
【００１４】フィルムの被着工程は、Ｎｉ層（１４）の
上にピン１４ｄに供される部分以外のパターン１４ｅ等
をカバーするポリイミドのフィルム１５を被着する。具
体的には、接着用プラスチック１５ａを挟んでフィルム
１５の上方から平坦な押圧面の治具で熱圧着する（図１
の（ｆ）参照）。これにより、プラスチック側がピン１
４に合わせて一部変形するので、Ｎｉ層（１４）の上面
に存在する微少な凹凸や厚さのむらが吸収される。その
結果、ピンフィルム体２２の厚さを一様にすることがで
きる。
上にピン１４ｄに供される部分以外のパターン１４ｅ等
をカバーするポリイミドのフィルム１５を被着する。具
体的には、接着用プラスチック１５ａを挟んでフィルム
１５の上方から平坦な押圧面の治具で熱圧着する（図１
の（ｆ）参照）。これにより、プラスチック側がピン１
４に合わせて一部変形するので、Ｎｉ層（１４）の上面
に存在する微少な凹凸や厚さのむらが吸収される。その
結果、ピンフィルム体２２の厚さを一様にすることがで
きる。
【００１５】また、フィルム１５は、開口１５ｂを有す
る（図２参照）。この開口１５ｂの部分をピン１４ｄの
部分に対応させて接着する。これにより、ピン１４ｄの
部分が片持ちばりの状態でフィルム１５に支持され、フ
ィルム１５がピン１４ｄ等を纏めて一体として支持する
基板として利用される。
る（図２参照）。この開口１５ｂの部分をピン１４ｄの
部分に対応させて接着する。これにより、ピン１４ｄの
部分が片持ちばりの状態でフィルム１５に支持され、フ
ィルム１５がピン１４ｄ等を纏めて一体として支持する
基板として利用される。
【００１６】剥離工程は、銅層１１とＮｉ層（１４）と
フィルム１５とでなる部分を、ステンレス板１０と銅層
１１との間で、ステンレス板１０から引き剥がして分離
する。第１の金属層の形成工程の説明で既述の如くステ
ンレス板１０に対する被着力がＮｉ製のピン１４等に対
するフィルム１５の被着力よりも弱いことから、フィル
ム１５等を損なうことなく、これらは容易に分離する。
フィルム１５とでなる部分を、ステンレス板１０と銅層
１１との間で、ステンレス板１０から引き剥がして分離
する。第１の金属層の形成工程の説明で既述の如くステ
ンレス板１０に対する被着力がＮｉ製のピン１４等に対
するフィルム１５の被着力よりも弱いことから、フィル
ム１５等を損なうことなく、これらは容易に分離する。
【００１７】除去工程は、銅層１１をＮｉ層（１４）か
らウエットエッチングで除去する。銅層１１が薄いの
で、選択比の高いエッチング液を用いてＮｉ層（１４）
を損なうことなく、銅層１１が除去される。これによ
り、フィルム１５とピン１４とからなる部分が、ステン
レス層１０および銅層１１から分離される。このように
して製造されたテスト用コンタクトピン１４は、その断
面がほぼ矩形状（通常５０μｍ×５０μｍ）である。そ
こで、片持ちばり状に曲げられてコンタクトしたとき
に、三角断面や円形断面等のものよりも大きなコンタク
ト圧とオーバードライブ能力を発揮することができる。
また、斜め方向の曲げ剛性が大きくて斜めに曲がること
が少ない。そこで、ピッチを狭くしても不都合がない
（約８０μｍ）。
らウエットエッチングで除去する。銅層１１が薄いの
で、選択比の高いエッチング液を用いてＮｉ層（１４）
を損なうことなく、銅層１１が除去される。これによ
り、フィルム１５とピン１４とからなる部分が、ステン
レス層１０および銅層１１から分離される。このように
して製造されたテスト用コンタクトピン１４は、その断
面がほぼ矩形状（通常５０μｍ×５０μｍ）である。そ
こで、片持ちばり状に曲げられてコンタクトしたとき
に、三角断面や円形断面等のものよりも大きなコンタク
ト圧とオーバードライブ能力を発揮することができる。
また、斜め方向の曲げ剛性が大きくて斜めに曲がること
が少ない。そこで、ピッチを狭くしても不都合がない
（約８０μｍ）。
【００１８】また、ＩＣチップとコンタクトする側面１
４ａ，１４ｂ，１４ｃは、ステンレス板１０の表面が平
坦であることに対応して、それらの高さが揃っている。
そこで、ピン先の高さ調整の作業をする必要が全くな
い。さらに、ＩＣチップとコンタクトしたときに引張応
力が掛かる側面１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、ステンレス
板１０の表面が平滑であることに対応して、表面状態が
滑らかである。そこで、表面の平滑度の影響を受ける疲
労強度が増して、繰り返し使用回数が向上する。
４ａ，１４ｂ，１４ｃは、ステンレス板１０の表面が平
坦であることに対応して、それらの高さが揃っている。
そこで、ピン先の高さ調整の作業をする必要が全くな
い。さらに、ＩＣチップとコンタクトしたときに引張応
力が掛かる側面１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、ステンレス
板１０の表面が平滑であることに対応して、表面状態が
滑らかである。そこで、表面の平滑度の影響を受ける疲
労強度が増して、繰り返し使用回数が向上する。
【００１９】なお、図３に、このようにして製造された
ピンフィルム体２２を適用した例として、テストに供す
べきＩＣのベアチップ３０を内側に保持する、いわゆる
チップキャリアを示す。（ａ）は、その外観の斜視図で
あり、（ｂ）は、ＢＢ’断面についてほぼ中央左側部分
の拡大図である。また、図示は割愛するが、ピンフィル
ム体２２はプローブカードにも適用される。
ピンフィルム体２２を適用した例として、テストに供す
べきＩＣのベアチップ３０を内側に保持する、いわゆる
チップキャリアを示す。（ａ）は、その外観の斜視図で
あり、（ｂ）は、ＢＢ’断面についてほぼ中央左側部分
の拡大図である。また、図示は割愛するが、ピンフィル
ム体２２はプローブカードにも適用される。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、この
発明のテスト用コンタクトピンの製造方法にあっては、
基板層の上にテスト用コンタクトピンの材質に被着又は
結合する材質の第１の金属層を形成する形成工程と、第
１の金属層の上にマスクを施してマスクされていない部
分に、テスト用コンタクトピンに供される第２の金属層
をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、マスク
を取除いた第２の金属層の上にテスト用コンタクトピン
に供される部分以外をカバーするフィルムを被着する被
着工程と、フィルムと第２の金属層とからなる部分を基
板層及び第１の金属層から分離する分離工程とを備え
る。これにより、ＩＣのウエハやベアチップ等のテスト
に適した生産性の高いテスト用コンタクトピンの製造方
法を実現できるという効果がある。
発明のテスト用コンタクトピンの製造方法にあっては、
基板層の上にテスト用コンタクトピンの材質に被着又は
結合する材質の第１の金属層を形成する形成工程と、第
１の金属層の上にマスクを施してマスクされていない部
分に、テスト用コンタクトピンに供される第２の金属層
をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、マスク
を取除いた第２の金属層の上にテスト用コンタクトピン
に供される部分以外をカバーするフィルムを被着する被
着工程と、フィルムと第２の金属層とからなる部分を基
板層及び第１の金属層から分離する分離工程とを備え
る。これにより、ＩＣのウエハやベアチップ等のテスト
に適した生産性の高いテスト用コンタクトピンの製造方
法を実現できるという効果がある。
【図１】図１は、この発明の構成のテスト用コンタクト
ピンの一実施例について、各工程における断面模式図を
示す。
ピンの一実施例について、各工程における断面模式図を
示す。
【図２】図２は、ピンフィルム体の全体模式図である。
【図３】図３は、ピンフィルム体の適用例としてのチッ
プキャリアを示す。
プキャリアを示す。
１０ ステンレス板 １１ 銅層 １２ フォトレジスト １３ フォトマスク １４ ピン １５ フィルム ２０ チップキャリア本体 ２２ ピンフィルム体 ３０ ベアチップ
フロントページの続き (72)発明者 エッチ ダン ヒギンズ アメリカ合衆国、アリゾナ、ギルバート、 スィート101、ノ−ステック ブールヴァ ード1478 フレッシュクエストコーポレー ション内 (72)発明者 ピート ノーミントン アメリカ合衆国、アリゾナ、ギルバート、 スィート101、ノ−ステック ブールヴァ ード1478 フレッシュクエストコーポレー ション内
Claims (6)
- 【請求項１】基板層の上にテスト用コンタクトピンの材
質に被着又は結合する材質の第１の金属層を形成する形
成工程と、 第１の金属層の上にマスクを施してマスクされていない
部分に、前記テスト用コンタクトピンに供される第２の
金属層をメッキ処理により形成するメッキ処理工程と、 前記マスクを取除いた第２の金属層の上に前記テスト用
コンタクトピンに供される部分以外をカバーするフィル
ムを被着する被着工程と、 前記フィルムと第２の金属層とからなる部分と、前記基
板層と第１の金属層とからなる部分とを分離する分離工
程とを備えるテスト用コンタクトピンの製造方法。 - 【請求項２】前記フィルムがテスト用コンタクトピンを
支持する基板として利用される請求項１記載のテスト用
コンタクトピンの製造方法。 - 【請求項３】前記分離工程は、前記基板層と第１の金属
層とを剥離により分離する第１工程と、第１の金属層を
第２の金属層から除去する第２工程とからなる請求項２
記載のテスト用コンタクトピンの製造方法。 - 【請求項４】前記テスト用コンタクトピンはプローブピ
ンであり、前記形成工程は、前記基板層に第１の金属層
を電解メッキにより形成するものであり、前記メッキ処
理工程は、第１の金属層の上に前記マスクに対応するパ
ターンのレジストを形成する第１工程と、前記マスクが
設けられた第１の金属層に第２の金属層を電解メッキに
より形成する第２工程からなり、前記フィルムは開口を
有し前記被着工程は、前記開口の部分を前記プローブピ
ンの部分に対応させ接着剤を介して前記フィルムが第１
の金属層の上に接着される請求項３記載のテスト用コン
タクトピンの製造方法。 - 【請求項５】請求項１、請求項２、請求項３及び請求項
４の何れか１つに記載のテスト用コンタクトピンの製造
方法であって、前記第１の金属層は前記基板層に対する
被着力が前記第２の金属層に対する前記フィルムの被着
力よりも弱い電導体であることを特徴とするテスト用コ
ンタクトピンの製造方法。 - 【請求項６】請求項１、請求項２、請求項３、請求項４
及び請求項５の何れか１つに記載のテスト用コンタクト
ピンの製造方法であって、前記基板層は前記第１の金属
層が形成される面が平坦且つ平滑であり、前記テスト用
コンタクトピンは断面がほぼ矩形状であることを特徴と
するテスト用コンタクトピンの製造方法。
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| JP5127840A JPH0782027B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | テスト用コンタクトピンの製造方法 |
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| JP5127840A Expired - Fee Related JPH0782027B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | テスト用コンタクトピンの製造方法 |
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1993
- 1993-04-30 JP JP5127840A patent/JPH0782027B2/ja not_active Expired - Fee Related
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