JPH0631174U

JPH0631174U - 厚膜セラミック多層基板のｖｉａ構造

Info

Publication number: JPH0631174U
Application number: JP6686692U
Authority: JP
Inventors: 勉清野; 克美遠藤
Original assignee: 沖電気工業株式会社
Priority date: 1992-09-25
Filing date: 1992-09-25
Publication date: 1994-04-22

Abstract

(57)【要約】【目的】ペーストの突出やクラックがなく、かつＶＩ
Ａ形成面積を最少限に抑えた多層基板を提供する。【構成】少なくとも３層の積層数からなる多層基板３
の隣接層の各片側表面に形成されたＶＩＡランド２を介
して各隣接層間をＶＩＡ４で短絡接続する多層基板のＶ
ＩＡ構造であって、各厚膜セラミック層（層基板）３の
積層方向の同一位置に設けたＶＩＡランド２の面積範囲
内で、隣接層間の各接続用ＶＩＡ１１〜１５をその互い
の重なり部が小さく又はなくなるように順次移動した位
置に設けたＶＩＡ構造。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、例えばセラミック基板に形成した厚膜回路を有する厚膜セラミック基板を積層した厚膜セラミック多層基板のＶＩＡ構造に関するものである。なお、この場合の厚膜とは５〜２０μｍの厚さからなる単体膜又は複合膜のことである。

【０００２】

【従来の技術】

図１５，図１６は厚膜セラミック多層基板（以下多層基板という）の従来の層間接続用ＶＩＡを模式的に示す説明図であり、図１５は垂直断面図、図１６は図１５に示したＡ−Ａに沿う水平断面図である。両図において、３は多層基板を構成する層基板で、２は各層基板３の所定位置（この場合は同一位置）に設けたＶＩＡ用のランドで、４は複数の層基板３間を同一積層方向で各ランド２の中心部で接続（短絡）する複数層間接続用ＶＩＡである。この従来例構造は複数の層基板３間を垂直方向に１個の複数層間接続用ＶＩＡ４で接続するＶＩＡ構造である。

【０００３】図１７，図１８はもう１つの従来例を示す説明図であり、図１７は垂直断面図、図１８は図１７に示したＢ−Ｂに沿う水平断面図である。両図において、ランド２は最上層及び最下層の層基板３以外の中間の層基板３には２個設けられていて、これらのランド２間はランド間接続ライン５で接続されている。１１〜１５は隣接層間接続用ＶＩＡである。この従来例の場合、１１は層基板３の上から１層−２層間用、１２は同じく２層−３層間用、１３は３層−４層間用、１４は４層−５層間用、１５は５層−６層間用のそれぞれ隣接層間接続用ＶＩＡである。すなわち、この従来例では複数の隣接層間接続用ＶＩＡで各ランド２を介して接続する構造となっており、その隣接層間接続用ＶＩＡ１１〜１５及びランド２を各隣接層間では互いに重なることなく配置することにより、３層以上層間を接続するＶＩＡ構造となっている。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

先ず、図１５，１６の従来例に示したようなＶＩＡ４を３層以上の多層基板に適用した場合には、図１９の図示により説明する次のような問題点がある。すなわち、この多層基板は、それぞれ１層分の生セラミックシート（グリーンシートともいう）にＶＩＡ用の穴をパンチングしたのち、ＶＩＡ用のランド及び厚膜パターンなどの厚膜回路を印刷し、さらにこれらを積層した後、焼成を行うことにより作成している。このため、グリーンシート（層基板３の焼成前のシート）とＶＩＡの穴に充填した例えば金ペースト（焼成後はＶＩＡ４になる）との焼成硬化時の収縮率の差から、基板表面においてＶＩＡ（ペースト）４の突出や、ＶＩＡのサイド部にクラック６が発生し、基板の平滑度４が低下したり、信頼性が低下するという問題があった。

【０００５】これまで、この問題点を解決するためには、図１７，１８の従来例のように隣接層間接続用ＶＩＡ及びランド部を互いに重なることなく配置するようなＶＩＡ構造とし、ＶＩＡ部のペースト突出量の減少及びクラック防止を図るしか方法がなかった。しかし、このようにして多層基板の最上層から最下層まで貫通するＶＩＡを作成するには、１つのランドの最少限約２倍を越える面積のＶＩＡ形成用のスペースを必要とするという問題があった。

【０００６】本考案は上記のような問題点を解決するためになされたもので、ペーストの突出やクラックがなく、かつＶＩＡ形成面積を最少限に抑えた多層基板を提供することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案に係る多層基板は、少なくとも３層の積層数からなる多層基板の隣接層の各片側表面に形成されたＶＩＡランドを介して各隣接層間をＶＩＡで短絡接続する多層基板のＶＩＡ構造であって、各厚膜セラミック層（層基板）の積層方向の同一位置に設けたＶＩＡランドの面積範囲内で、隣接層間の各接続用ＶＩＡをその互いの重なり部が小さく又はなくなるように順次移動した位置に設けたものである。

【０００８】

【作用】

本考案においては、層基板の上層から下層に向かって積層方向の各ランドの位置を変えることなく隣接層間接続用ＶＩＡ同士の重なりが小さく又はなくなるようにこれらのＶＩＡのみをランドの面積範囲内で移動して配設してＶＩＡ構造を形成しているから、先ず１つのランドの面積範囲内にランドの形成領域を限定できる。また、各層間接続用ＶＩＡは互いにその重なりを最少にするような格好でずれているから、ペーストの突出の累積による基板焼成後の大きな突出や同様の原因によるＶＩＡ側面部のクラックが発生しない。

【０００９】

【実施例】

本実施例においては、前述の従来例の場合と同様に厚膜セラミック基板すなわち層基板を５層積層した場合を例にとって説明する。実施例１；１は本考案による多層基板のＶＩＡ構造の一実施例を示す要部垂直断面図である。また、図２〜図７は図１に示したそれぞれａ−ａ〜ｆ−ｆに沿う水平断面図である。図１〜図７において、２，３及び１１〜１５は図１５〜図１８の従来例で説明した部分と同一又は相当部分を示すので、その説明は省略する。なお、この部分符号は次の実施例２でも同様に使用する。

【００１０】図１〜図７にみられるように、本実施例においては層基板３の上層から下層にゆくにしたがって、積層方向のランド２の位置を変えずに、かつこれらのランドの占有面積の範囲内で、隣接層間接続用ＶＩＡ１１〜１５を螺旋状に移動して形成している。このようにして得られたＶＩＡ構造は、隣接層間接続用ＶＩＡ１１〜１５をその互いの重なり部が可能な限り小さくなるように移動した位置に設けたものとなっている。

【００１１】このため、ランドの垂直方向の面積が拡大されることのない、つまり無駄スペースのないＶＩＡ構造の形成が可能となる。また、ＶＩＡの螺旋移動によってその位置がずれているので、焼成時のセラミックとペーストの収縮率の差によるペーストの突出やＶＩＡサイドのクラック発生の防止が達成され、多層基板全体の平滑度や信頼性が向上する。

【００１２】実施例２；図８は本考案の他の実施例を示す要部垂直断面図であり、図９〜図１４は図８に示したそれぞれｇ−ｇ〜ｌ−ｌに沿う水平断面図である。これらの図にみられるように実施例２では、同一面積のランド２を垂直方向の同じ位置に配置したことは実施例１と同様であるが、ランド２を隣接層間接続用ＶＩＡ１１〜１５の４個分が全く重なることなく形成できる大きさにしておき、図９〜図１４のように隣接層間接続用ＶＩＡ１１〜１５のみを順次螺旋状に移動した位置に、相隣るＶＩＡが互いにその一部も重なることなく形成したものである。このようなＶＩＡ構造は、実施例１で達成された平滑度をさらに上回る平滑度の向上が達成される利点がある。

【００１３】なお、以上の実施例において、上下のＶＩＡが例えば実施例１の隣接層間接続用ＶＩＡ１１，１２のように近い位置に形成される場合、焼成．硬化時にペーストが斜め上のＶＩＡに潜り込んで多層基板に歪みを生ずる恐れがあるときは、次のような予備対策を講じてもよい。すなわち、焼成前に層基板のグリーンシートにパンチングによりＶＩＡ用の穴を開けたとき、穴に面取りをして応力の分散をはかると共に、膨脹したペーストの圧力を逃がすようにしてもよい。

【００１４】

【考案の効果】

以上のように本考案によれば、多層基板を形成する層基板の上層から下層に向かってランドの位置を変えずにランドの領域内で隣接層間接続用ＶＩＡを互いの重なり部が小さくなる又はなくなるように螺旋状に移動した位置にＶＩＡを形成するので、ランド及びＶＩＡの占有面積を広げることなく、多層基板の平滑度及び信頼性の向上が達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例を示す要部垂直断面図であ
る。

【図２】図１のａ−ａに沿う水平断面図である。

【図３】図１のｂ−ｂに沿う水平断面図である。

【図４】図１のｃ−ｃに沿う水平断面図である。

【図５】図１のｄ−ｄに沿う水平断面図である。

【図６】図１のｅ−ｅに沿う水平断面図である。

【図７】図１のｆ−ｆに沿う水平断面図である。

【図８】本考案の他の実施例を示す要部垂直断面図であ
る。

【図９】図８のｇ−ｇに沿う水平断面図である。

【図１０】図８のｈ−ｈに沿う水平断面図である。

【図１１】図８のｉ−ｉに沿う水平断面図である。

【図１２】図８のｊ−ｊに沿う水平断面図である。

【図１３】図８のｋ−ｋに沿う水平断面図である。

【図１４】図８のｌ−ｌに沿う水平断面図である。

【図１５】従来の多層基板のＶＩＡ構造を示す要部垂直
断面図である。

【図１６】図１５のＡ−Ａに沿う水平断面図である。

【図１７】従来の多層基板の他のＶＩＡ構造を示す要部
垂直断面図である。

【図１８】図１７のＢ−Ｂに沿う水平断面図である。

【図１９】図１５の要部拡大図である。

【符号の説明】

２ランド３層基板４複数層間接続用ＶＩＡ５ランド間接続ライン６クラック１１隣接層間接続用ＶＩＡ（１層〜２層）１２隣接層間接続用ＶＩＡ（２層〜３層）１３隣接層間接続用ＶＩＡ（３層〜４層）１４隣接層間接続用ＶＩＡ（４層〜５層）１５隣接層間接続用ＶＩＡ（５層〜６層）

Claims

【実用新案登録請求の範囲】

【請求項１】少なくとも３層の積層数からなる厚膜セ
ラミック多層基板の隣接層の各片側表面に形成されたＶ
ＩＡランドを介して前記各隣接層間をＶＩＡで短絡接続
する厚膜セラミック多層基板のＶＩＡ構造において、各厚膜セラミック層の積層方向の同一位置に設けた前記
ＶＩＡランドの面積範囲内で、前記隣接層間の各接続用
ＶＩＡをその互いの重なり部が小さく又はなくなるよう
に移動した位置に設けたことを特徴とする厚膜セラミッ
ク多層基板のＶＩＡ構造。