JPH06302682A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH06302682A JPH06302682A JP11000693A JP11000693A JPH06302682A JP H06302682 A JPH06302682 A JP H06302682A JP 11000693 A JP11000693 A JP 11000693A JP 11000693 A JP11000693 A JP 11000693A JP H06302682 A JPH06302682 A JP H06302682A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- silicon glass
- glass film
- film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 平坦化が容易で、かつ半導体基板中に不純物
が拡散して素子の電気的特性を変動させることのない信
頼性の高い溝型素子分離領域を得る。 【構成】 半導体基板１の素子分離領域を形成すべき表
面位置に溝３を形成する工程と、半導体基板１の表面に
熱酸化膜４を形成する工程と、全面にシリコンガラス膜
５を堆積させる工程と、シリコンガラス膜５の表面にリ
ンまたはボロン６等の不純物をイオン注入する工程と、
シリコンガラス膜５を熱処理によって流動化させる工程
とからなる。
が拡散して素子の電気的特性を変動させることのない信
頼性の高い溝型素子分離領域を得る。 【構成】 半導体基板１の素子分離領域を形成すべき表
面位置に溝３を形成する工程と、半導体基板１の表面に
熱酸化膜４を形成する工程と、全面にシリコンガラス膜
５を堆積させる工程と、シリコンガラス膜５の表面にリ
ンまたはボロン６等の不純物をイオン注入する工程と、
シリコンガラス膜５を熱処理によって流動化させる工程
とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に素子を分離するための領域を形成する方法
に関するものである。
に関し、特に素子を分離するための領域を形成する方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造においては、素子
間を分離するための素子分離領域を形成する必要があ
る。最近、この素子分離領域を微細化する為に、特開平
４−７８１０号公報に記載のように溝型構造を用いた分
離領域の形成が行われている。
間を分離するための素子分離領域を形成する必要があ
る。最近、この素子分離領域を微細化する為に、特開平
４−７８１０号公報に記載のように溝型構造を用いた分
離領域の形成が行われている。
【０００３】溝型構造を用いた素子分離領域形成方法を
図２に示す。
図２に示す。
【０００４】まず、図２（ａ）に示すように、半導体基
板２１上にレジストマスク２２を形成し、半導体基板２
１の素子分離領域を形成すべき表面位置にエッチング技
術により溝２３を形成し、次に、図２（ｂ）に示すよう
に、この半導体基板２１の表面に熱酸化膜２４を形成
し、次に、図２（ｃ）に示すように、全面にシリコンガ
ラス膜２５を成長させて溝２３内を埋め、図２（ｄ）に
示すように、熱処理を行うことによりシリコンガラス膜
２５を流動化させて表面の平坦化を行う。
板２１上にレジストマスク２２を形成し、半導体基板２
１の素子分離領域を形成すべき表面位置にエッチング技
術により溝２３を形成し、次に、図２（ｂ）に示すよう
に、この半導体基板２１の表面に熱酸化膜２４を形成
し、次に、図２（ｃ）に示すように、全面にシリコンガ
ラス膜２５を成長させて溝２３内を埋め、図２（ｄ）に
示すように、熱処理を行うことによりシリコンガラス膜
２５を流動化させて表面の平坦化を行う。
【０００５】このとき、シリコンガラス膜２５として、
高温での粘性が低いＢＰＳＧ（ボロンリンガラス）、Ｐ
ＳＧ（リンガラス）が用いられる。
高温での粘性が低いＢＰＳＧ（ボロンリンガラス）、Ｐ
ＳＧ（リンガラス）が用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記の様に素子分離に
ボロンやリンを含むシリコンガラス膜２５を用いた場
合、高温でガラスの粘性が低下するので、表面の平坦化
は容易になる。しかし、熱処理中にシリコンガラス膜２
５中のボロンやリンが熱酸化膜２４を通して半導体基板
２１中に拡散し、素子の電気的特性に影響を与えたり、
フィールドトランジスタのしきい値が変動して安定した
素子分離特性が得られない等、半導体装置の信頼性を低
下させる問題があった。
ボロンやリンを含むシリコンガラス膜２５を用いた場
合、高温でガラスの粘性が低下するので、表面の平坦化
は容易になる。しかし、熱処理中にシリコンガラス膜２
５中のボロンやリンが熱酸化膜２４を通して半導体基板
２１中に拡散し、素子の電気的特性に影響を与えたり、
フィールドトランジスタのしきい値が変動して安定した
素子分離特性が得られない等、半導体装置の信頼性を低
下させる問題があった。
【０００７】そこで、本発明は、平坦化が容易で、かつ
半導体基板中に不純物が拡散して素子の電気的特性を変
動させることのない信頼性の高い素子分離領域を得るこ
とができる半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
半導体基板中に不純物が拡散して素子の電気的特性を変
動させることのない信頼性の高い素子分離領域を得るこ
とができる半導体装置の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、半導体基板の素子分離領域を形成すべき表
面位置に溝を形成する工程と、該半導体基板表面に絶縁
膜を形成する工程と、全面にシリコンガラス膜を堆積す
る工程と、シリコンガラス膜表面に例えばリン又はボロ
ン等の不純物をイオン注入する工程と、これを熱処理に
よって流動化させる工程とを設けたものである。
するために、半導体基板の素子分離領域を形成すべき表
面位置に溝を形成する工程と、該半導体基板表面に絶縁
膜を形成する工程と、全面にシリコンガラス膜を堆積す
る工程と、シリコンガラス膜表面に例えばリン又はボロ
ン等の不純物をイオン注入する工程と、これを熱処理に
よって流動化させる工程とを設けたものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、シリコンガラス膜の粘性を下
げる例えばリンやボロンの不純物を、イオン注入により
シリコンガラス膜の表面層のみに導入することにより、
シリコンガラス膜の高温での流動性の向上と半導体基板
中への不純物の拡散防止という相反する課題を解決する
ことができる。すなわち、表面の平坦化を容易にし、か
つ素子の電気的特性を変動させることのない信頼性の高
い素子分離領域を得ることができる。
げる例えばリンやボロンの不純物を、イオン注入により
シリコンガラス膜の表面層のみに導入することにより、
シリコンガラス膜の高温での流動性の向上と半導体基板
中への不純物の拡散防止という相反する課題を解決する
ことができる。すなわち、表面の平坦化を容易にし、か
つ素子の電気的特性を変動させることのない信頼性の高
い素子分離領域を得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下に本発明の一実施例を図１により説明す
る。
る。
【００１１】まず、図１（ａ）に示すように、半導体基
板１上にレジストマスク２を形成し、半導体基板１の表
面に公知のフォトリソグラフィー技術及び異方性エッチ
ング技術により、素子分離領域を形成する領域に溝３を
形成する。次いで、図１（ｂ）に示すように、前記エッ
チング工程で用いたレジストマスク２を除去した後、半
導体基板１及び溝３の表面に１０００Å程度の熱酸化膜
４を形成する。更に、図１（ｃ）に示すように、少なく
とも先に形成した溝３を埋めるに十分な厚さのシリコン
ガラス膜５をＣＶＤ法により堆積させる。次に、図１
（ｄ）に示すように、シリコンガラス膜５の表面にリン
又はボロン６を注入量５×１０15〜２×１０16／ｃ
ｍ2 、注入エネルギー３０〜８０ＫｅＶでイオン注入す
る。続いて、図１（ｅ）に示すように、８００〜１２０
０℃程度に加熱してシリコンガラス膜５を流動化させて
表面の急峻な段差を緩和させる。
板１上にレジストマスク２を形成し、半導体基板１の表
面に公知のフォトリソグラフィー技術及び異方性エッチ
ング技術により、素子分離領域を形成する領域に溝３を
形成する。次いで、図１（ｂ）に示すように、前記エッ
チング工程で用いたレジストマスク２を除去した後、半
導体基板１及び溝３の表面に１０００Å程度の熱酸化膜
４を形成する。更に、図１（ｃ）に示すように、少なく
とも先に形成した溝３を埋めるに十分な厚さのシリコン
ガラス膜５をＣＶＤ法により堆積させる。次に、図１
（ｄ）に示すように、シリコンガラス膜５の表面にリン
又はボロン６を注入量５×１０15〜２×１０16／ｃ
ｍ2 、注入エネルギー３０〜８０ＫｅＶでイオン注入す
る。続いて、図１（ｅ）に示すように、８００〜１２０
０℃程度に加熱してシリコンガラス膜５を流動化させて
表面の急峻な段差を緩和させる。
【００１２】この時、シリコンガラス膜５の表面付近に
はイオン注入によってリンまたはボロン６が注入されて
いるので、シリコンガラス膜５の表面付近の流動性が深
部よりも高く、表面が平坦に成り易い。また、深部のリ
ンまたはボロン６の濃度はそれほど高くないので、加熱
によってシリコンガラス膜５から半導体基板１の表面に
リンまたはボロン６が拡散することもほとんどない。し
たがって、表面の平坦化を容易にし、かつ素子の電気的
特性を変動させることのない信頼性の高い素子分離領域
を得ることができる。
はイオン注入によってリンまたはボロン６が注入されて
いるので、シリコンガラス膜５の表面付近の流動性が深
部よりも高く、表面が平坦に成り易い。また、深部のリ
ンまたはボロン６の濃度はそれほど高くないので、加熱
によってシリコンガラス膜５から半導体基板１の表面に
リンまたはボロン６が拡散することもほとんどない。し
たがって、表面の平坦化を容易にし、かつ素子の電気的
特性を変動させることのない信頼性の高い素子分離領域
を得ることができる。
【００１３】尚、イオン注入工程にて、半導体基板１を
４５°程度に傾け、かつ回転させながらイオン注入を行
うことにより、シリコンガラス膜５の段差部に効果的に
不純物を導入することが可能となり、熱処理による平坦
化が更に容易になる。
４５°程度に傾け、かつ回転させながらイオン注入を行
うことにより、シリコンガラス膜５の段差部に効果的に
不純物を導入することが可能となり、熱処理による平坦
化が更に容易になる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
リコンガラス膜の粘性を低下させるために導入される例
えばリンやボロンの不純物を、イオン注入によりシリコ
ンガラス膜の表面層のみに導入することにより、平坦化
を容易にし、かつ半導体基板中に不純物が拡散して素子
の電気的特性を変動させることのない信頼性の高い素子
分離領域を得ることができる。
リコンガラス膜の粘性を低下させるために導入される例
えばリンやボロンの不純物を、イオン注入によりシリコ
ンガラス膜の表面層のみに導入することにより、平坦化
を容易にし、かつ半導体基板中に不純物が拡散して素子
の電気的特性を変動させることのない信頼性の高い素子
分離領域を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の工程別断面図である。
【図２】従来の製造方法に従った工程別断面図である。
１ 半導体基板 ２ レジストマスク ３ 溝 ４ 熱酸化膜 ５ シリコンガラス膜 ６ リン又はボロン
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の素子分離領域を形成する表
面位置に溝を形成する工程と、該半導体基板の表面に絶
縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の全面にシリコンガラ
ス膜を成長させる工程と、該シリコンガラス膜の表面に
不純物イオンをイオン注入する工程と、該シリコンガラ
ス膜を熱処理によって流動化させて表面を平坦化させる
工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000693A JPH06302682A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000693A JPH06302682A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302682A true JPH06302682A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14524722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000693A Withdrawn JPH06302682A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7838390B2 (en) | 2007-10-12 | 2010-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein |
-
1993
- 1993-04-13 JP JP11000693A patent/JPH06302682A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7838390B2 (en) | 2007-10-12 | 2010-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |