JPH06298675A - ジメチルナフタレンの異性化方法 - Google Patents
ジメチルナフタレンの異性化方法Info
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- JPH06298675A JPH06298675A JP5091503A JP9150393A JPH06298675A JP H06298675 A JPH06298675 A JP H06298675A JP 5091503 A JP5091503 A JP 5091503A JP 9150393 A JP9150393 A JP 9150393A JP H06298675 A JPH06298675 A JP H06298675A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C5/00—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms
- C07C5/22—Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing the same number of carbon atoms by isomerisation
- C07C5/27—Rearrangement of carbon atoms in the hydrocarbon skeleton
- C07C5/2729—Changing the branching point of an open chain or the point of substitution on a ring
- C07C5/2732—Catalytic processes
- C07C5/2737—Catalytic processes with crystalline alumino-silicates, e.g. molecular sieves
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2529/00—Catalysts comprising molecular sieves
- C07C2529/04—Catalysts comprising molecular sieves having base-exchange properties, e.g. crystalline zeolites, pillared clays
- C07C2529/06—Crystalline aluminosilicate zeolites; Isomorphous compounds thereof
- C07C2529/18—Crystalline aluminosilicate zeolites; Isomorphous compounds thereof of the mordenite type
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ジメチルナフタレンの異性化反応を行うに際し
て、２，６−ジメチルナフタレン属を高選択率、高収率
を以て、長期にわたり安定的に製造しうる触媒を開発す
る。 【構成】水素型モルデナイトを触媒とし、溶媒の存在
下、気相にて反応を行うことを特徴とするジメチルナフ
タレンの異性化方法。
て、２，６−ジメチルナフタレン属を高選択率、高収率
を以て、長期にわたり安定的に製造しうる触媒を開発す
る。 【構成】水素型モルデナイトを触媒とし、溶媒の存在
下、気相にて反応を行うことを特徴とするジメチルナフ
タレンの異性化方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２，６−ナフタレンジ
カルボン酸の原料となる２，６−ジメチルナフタレンの
製造方法に関する。 ２，６−ナフタレンジカルボン酸
は、優れた引っ張り強度と耐熱性を有するポリエチレン
ナフタレート繊維やフィルム等の製造に用いられる高性
能ポリエステル原料として工業的に重要な用途を持って
いる。
カルボン酸の原料となる２，６−ジメチルナフタレンの
製造方法に関する。 ２，６−ナフタレンジカルボン酸
は、優れた引っ張り強度と耐熱性を有するポリエチレン
ナフタレート繊維やフィルム等の製造に用いられる高性
能ポリエステル原料として工業的に重要な用途を持って
いる。
【０００２】
【従来技術】２，６−ジメチルナフタレン（以下ジメチ
ルナフタレンをＤＭＮと記す）は、２，６−ナフタレン
ジカルボン酸の原料となるものであり、高純度であるこ
とが要求さている。ＤＭＮには２個のメチル基の位置に
より１０個の異性体が存在する。この中から２，６−体
以外の異性体を実質的に含まない２，６−ＤＭＮを大量
且つ安価に製造する必要がある。 ＤＭＮの異性化を行
う場合、α−β間の異性化に比べ、β−β間の異性化、
環を越える異性化は起こり難いことが知られている。即
ち、ＤＭＮの異性化に関しては以下の四つの属に分けら
れ、各属内の異性化に比べ、属間の異性化は起こり難
い。 Ａ属 １，５−、１，６−、２，６− Ｂ属 １，８−、１，７−、２，７− Ｃ属 １，４−、１，３−、２，３− Ｄ属 １，２−
ルナフタレンをＤＭＮと記す）は、２，６−ナフタレン
ジカルボン酸の原料となるものであり、高純度であるこ
とが要求さている。ＤＭＮには２個のメチル基の位置に
より１０個の異性体が存在する。この中から２，６−体
以外の異性体を実質的に含まない２，６−ＤＭＮを大量
且つ安価に製造する必要がある。 ＤＭＮの異性化を行
う場合、α−β間の異性化に比べ、β−β間の異性化、
環を越える異性化は起こり難いことが知られている。即
ち、ＤＭＮの異性化に関しては以下の四つの属に分けら
れ、各属内の異性化に比べ、属間の異性化は起こり難
い。 Ａ属 １，５−、１，６−、２，６− Ｂ属 １，８−、１，７−、２，７− Ｃ属 １，４−、１，３−、２，３− Ｄ属 １，２−
【０００３】２，６−ＤＭＮの製造法としては、ナフタ
レンやメチルナフタレンをメチル化後に異性化分離する
方法、タール留分や石油留分から分離する方法等があ
る。しかし、これら方法による留分や生成物は４属の異
性体のほとんどを含み、これを異性化して２，６−ＤＭ
Ｎを効率的に製造するには属間の異性化を起こす必要が
ある。 属間の異性化を行う方法としては、例えば特開
昭５９−８８４３３では主空洞の入口が酸素１０員環か
ら成るゼオライトを用いる方法が示されているが、高温
を要し、異性化以外に不均化等の副反応が多く、有用な
２，６−体の収率は低いと云う結果である。即ち、ＤＭ
Ｎ混合物を異性化して２，６−ＤＭＮを製造する場合に
は、２，６−体になり難い異属のＤＭＮが多く含まれる
ため、２，６−体の収率は低く、又多くの異性体混合物
からの分離操作が必要であり、工業的な２，６−ＤＭＮ
製造法としては効率的ではない。
レンやメチルナフタレンをメチル化後に異性化分離する
方法、タール留分や石油留分から分離する方法等があ
る。しかし、これら方法による留分や生成物は４属の異
性体のほとんどを含み、これを異性化して２，６−ＤＭ
Ｎを効率的に製造するには属間の異性化を起こす必要が
ある。 属間の異性化を行う方法としては、例えば特開
昭５９−８８４３３では主空洞の入口が酸素１０員環か
ら成るゼオライトを用いる方法が示されているが、高温
を要し、異性化以外に不均化等の副反応が多く、有用な
２，６−体の収率は低いと云う結果である。即ち、ＤＭ
Ｎ混合物を異性化して２，６−ＤＭＮを製造する場合に
は、２，６−体になり難い異属のＤＭＮが多く含まれる
ため、２，６−体の収率は低く、又多くの異性体混合物
からの分離操作が必要であり、工業的な２，６−ＤＭＮ
製造法としては効率的ではない。
【０００４】一方、特開昭４９−１３４６３４ではオル
トキシレンとブタジエンからO-トリルペンテン-2を高収
率で得る方法が示されている。 特開昭５０−８９３５
３ではO-トリルペンテン-2を環化して１，５−ジメチル
テトラリンを製造する方法が示され、特開昭４８−７６
８５２では１，５−ジメチルテトラリンを脱水素して
１，５−ＤＭＮを製造する方法が示されている。 １，
５−ＤＭＮは、２，６−ＤＭＮと同じ属であり、ここで
得られる１，５−ＤＭＮを原料とした場合には、困難な
属間の異性化によらずに２，６−体を製造できるという
利点を有する。１，５−ＤＭＮを異性化して２，６−Ｄ
ＭＮを製造する方法としては多くの方法が提案されてい
る。 例えば、特公昭４７−５０６２２ではシリカアル
ミナを触媒として気相で異性化する方法が、特公昭５８
−００４００８ではクロム等を含むモルデナイトを触媒
として液相で異性化する方法が示されている。 米国特
許４９６２２６０ではβゼオライトやＹ型ゼオライトを
触媒とする方法が示されている。
トキシレンとブタジエンからO-トリルペンテン-2を高収
率で得る方法が示されている。 特開昭５０−８９３５
３ではO-トリルペンテン-2を環化して１，５−ジメチル
テトラリンを製造する方法が示され、特開昭４８−７６
８５２では１，５−ジメチルテトラリンを脱水素して
１，５−ＤＭＮを製造する方法が示されている。 １，
５−ＤＭＮは、２，６−ＤＭＮと同じ属であり、ここで
得られる１，５−ＤＭＮを原料とした場合には、困難な
属間の異性化によらずに２，６−体を製造できるという
利点を有する。１，５−ＤＭＮを異性化して２，６−Ｄ
ＭＮを製造する方法としては多くの方法が提案されてい
る。 例えば、特公昭４７−５０６２２ではシリカアル
ミナを触媒として気相で異性化する方法が、特公昭５８
−００４００８ではクロム等を含むモルデナイトを触媒
として液相で異性化する方法が示されている。 米国特
許４９６２２６０ではβゼオライトやＹ型ゼオライトを
触媒とする方法が示されている。
【０００５】しかしながら、特公昭４７−５０６２２で
は、生成液に含まれる２，６−体濃度は高いが、２，６
−体とは属の異なる２，７−体，１，７−体の生成も多
いのに加えて、不均化によるモノメチルナフタレン、ト
リメチルナフタレンの副生量も多いと云う欠点がある。
特公昭５８−００４００８では２，７−体の生成や不
均化等の副反応は少ないが２，６−体への異性化率が低
いと云う欠点がある。米国特許４９６２２６０では、不
均化等の副反応は少ないが、２，７−体等異属の異性体
の生成が多く、且つ２，６−体への異性化は不十分であ
る。即ち従来技術では、２，６−体と異なる属への異性
化や不均化等の副反応を抑制しつつ、２，６−体への高
い異性化率を得ることができないのが現状である。
は、生成液に含まれる２，６−体濃度は高いが、２，６
−体とは属の異なる２，７−体，１，７−体の生成も多
いのに加えて、不均化によるモノメチルナフタレン、ト
リメチルナフタレンの副生量も多いと云う欠点がある。
特公昭５８−００４００８では２，７−体の生成や不
均化等の副反応は少ないが２，６−体への異性化率が低
いと云う欠点がある。米国特許４９６２２６０では、不
均化等の副反応は少ないが、２，７−体等異属の異性体
の生成が多く、且つ２，６−体への異性化は不十分であ
る。即ち従来技術では、２，６−体と異なる属への異性
化や不均化等の副反応を抑制しつつ、２，６−体への高
い異性化率を得ることができないのが現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】２，７−体の生成は、
異性化工程での２，６−体の収量を減らすのみでなく、
２，７−体が２，６−体との二者共晶混合物や２，６−
体と１，５−体との三者共晶混合物を形成するため、異
性化後の晶出分離工程での２，６−体の損失や純度の低
下をもたらすことになる。 又不均化等の副反応は、当
然のことながら２，６−体の収量を低下させることとな
る。本発明者らは、１，５−ＤＭＮを原料として２，６
−ＤＭＮへの高い異性化率を得る方法を開発すべく、
２，７−体等の異属ＤＭＮの生成や不均化などの副反応
を抑制する方法について鋭意検討を行い、本発明に到達
し完成させた。
異性化工程での２，６−体の収量を減らすのみでなく、
２，７−体が２，６−体との二者共晶混合物や２，６−
体と１，５−体との三者共晶混合物を形成するため、異
性化後の晶出分離工程での２，６−体の損失や純度の低
下をもたらすことになる。 又不均化等の副反応は、当
然のことながら２，６−体の収量を低下させることとな
る。本発明者らは、１，５−ＤＭＮを原料として２，６
−ＤＭＮへの高い異性化率を得る方法を開発すべく、
２，７−体等の異属ＤＭＮの生成や不均化などの副反応
を抑制する方法について鋭意検討を行い、本発明に到達
し完成させた。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、触媒として実
質的に水素型から成るモルデナイトを用い、反応に対し
イナートな溶媒の共存下、気相で異性化することを特徴
とするＤＭＮの異性化方法である。 芳香族炭化水素の
異性化には、各種の固体酸が触媒として有用であること
はよく知られている。先に述べたように、ＤＭＮの異性
化に固体酸を使用している例は非常に多い。しかしなが
ら従来技術によれば、ＤＭＮの異性化を無溶媒下あるい
は実質的に溶媒を共存させない状態において異性化反応
を行っている。これは、例えば特公昭５８ー００４００
８に記されているように、モノメチルナフタレン、トリ
メチルナフタレン等を共存させたときに、不均化、属外
異性化等が併発し易くなることから無溶媒の条件が選定
されたものとみられる。又、例えば特公昭５５ー ０３７
５３３によれば、触媒寿命の点では気相よりも液相の方
が優れていると記載されている。 更に又溶媒を用いる
ときは、液相下で反応を行うためには系を加圧にする必
要があり、このことも公知法では無溶媒の条件が選定さ
れる一因になりうる。
質的に水素型から成るモルデナイトを用い、反応に対し
イナートな溶媒の共存下、気相で異性化することを特徴
とするＤＭＮの異性化方法である。 芳香族炭化水素の
異性化には、各種の固体酸が触媒として有用であること
はよく知られている。先に述べたように、ＤＭＮの異性
化に固体酸を使用している例は非常に多い。しかしなが
ら従来技術によれば、ＤＭＮの異性化を無溶媒下あるい
は実質的に溶媒を共存させない状態において異性化反応
を行っている。これは、例えば特公昭５８ー００４００
８に記されているように、モノメチルナフタレン、トリ
メチルナフタレン等を共存させたときに、不均化、属外
異性化等が併発し易くなることから無溶媒の条件が選定
されたものとみられる。又、例えば特公昭５５ー ０３７
５３３によれば、触媒寿命の点では気相よりも液相の方
が優れていると記載されている。 更に又溶媒を用いる
ときは、液相下で反応を行うためには系を加圧にする必
要があり、このことも公知法では無溶媒の条件が選定さ
れる一因になりうる。
【０００８】本発明で用いるモルデナイトは固体酸の一
つであり、これを触媒としてＤＭＮの異性化を行ってい
る例も多いが、公知の方法においては全て無溶媒下気相
あるいは液相で異性化を行っており、反応温度としては
約３００℃以上が採用されている。これら公知の方法で
は、２，７−体等の異属への異性化及び不均化等の副反
応を抑制し、且つ２，６−体への高い異性化率を得るこ
とはできていない。これに対して本発明者らは、実質的
にＨ型から成るモルデナイトを用い、低沸点の溶媒を共
存させて気相で反応させた場合に必要な反応温度が大幅
に低下し、２００℃以下の低温でも十分異性化反応が進
行することを見出した。更に、このように低沸点の溶媒
を共存させて気相で反応させることにより、２，６−体
への高い異性化率が得られると共に、２，７−体等の異
属への異性化及び不均化等の副反応が抑制できることを
見出した。これが本発明の基礎となっている。
つであり、これを触媒としてＤＭＮの異性化を行ってい
る例も多いが、公知の方法においては全て無溶媒下気相
あるいは液相で異性化を行っており、反応温度としては
約３００℃以上が採用されている。これら公知の方法で
は、２，７−体等の異属への異性化及び不均化等の副反
応を抑制し、且つ２，６−体への高い異性化率を得るこ
とはできていない。これに対して本発明者らは、実質的
にＨ型から成るモルデナイトを用い、低沸点の溶媒を共
存させて気相で反応させた場合に必要な反応温度が大幅
に低下し、２００℃以下の低温でも十分異性化反応が進
行することを見出した。更に、このように低沸点の溶媒
を共存させて気相で反応させることにより、２，６−体
への高い異性化率が得られると共に、２，７−体等の異
属への異性化及び不均化等の副反応が抑制できることを
見出した。これが本発明の基礎となっている。
【０００９】本発明では、触媒として実質的にＨ型から
なるモルデナイトを用いる。本発明に使用するＨ型モル
デナイトのＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比については、この比が
高いほど高活性であり好ましく、ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比
＝２０以上、更には１００以上が好ましい。一般のゼオ
ライトと同様、モルデナイトは塩酸等の鉱酸で処理する
ことによってＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比を高めることができ
る。しかし、処理条件を厳しくするとモルデナイト構造
が壊れるため、処理方法には注意が必要である。 通常
の処理方法では、モルデナイトのＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比
を約５０以上に高めるのは難しい。本発明によれば、モ
ルデナイトのＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比により必要とされる
反応温度は異なるが、いずれも無溶媒での異性化に比べ
大幅に低い反応温度で異性化反応が進行し、従来技術に
比べ極めて低い反応温度で２，６−体への高い異性化率
を得ることができ、同時に２，７−体等の異属への異性
化、及び不均化等の副反応をほぼ完全に抑制することが
できる。
なるモルデナイトを用いる。本発明に使用するＨ型モル
デナイトのＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比については、この比が
高いほど高活性であり好ましく、ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比
＝２０以上、更には１００以上が好ましい。一般のゼオ
ライトと同様、モルデナイトは塩酸等の鉱酸で処理する
ことによってＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比を高めることができ
る。しかし、処理条件を厳しくするとモルデナイト構造
が壊れるため、処理方法には注意が必要である。 通常
の処理方法では、モルデナイトのＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比
を約５０以上に高めるのは難しい。本発明によれば、モ
ルデナイトのＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比により必要とされる
反応温度は異なるが、いずれも無溶媒での異性化に比べ
大幅に低い反応温度で異性化反応が進行し、従来技術に
比べ極めて低い反応温度で２，６−体への高い異性化率
を得ることができ、同時に２，７−体等の異属への異性
化、及び不均化等の副反応をほぼ完全に抑制することが
できる。
【００１０】モルデナイト以外に、例えばＹ型ゼオライ
ト、超安定化Ｙ型ゼオライト（以下ＵＳＹと記す）、Ｚ
ＳＭ５等のゼオライトが炭化水素の異性化に有効である
ことはよく知られており、これらをＤＭＮの異性化に使
用した例も多い。しかし、Ｈ型モルデナイト以外のこれ
らゼオライトは、ＤＭＮの異性化活性が低く、また不均
化等副反応を起こし易く本発明の目的には不適当であ
る。 即ち、これらゼオライトを触媒とし、低沸点溶媒
を用いて気相でＤＭＮの異性化を行うと、モルデナイト
を触媒とした場合に比べ高温を必要とし、しかも２，６
−ＤＭＮへの異性化率が高くないにもかかわらず２，７
−ＤＭＮ等異属の異性体が生成し、また不均化等の副反
応が起こり、本発明の目的には不適当であることが判明
した。
ト、超安定化Ｙ型ゼオライト（以下ＵＳＹと記す）、Ｚ
ＳＭ５等のゼオライトが炭化水素の異性化に有効である
ことはよく知られており、これらをＤＭＮの異性化に使
用した例も多い。しかし、Ｈ型モルデナイト以外のこれ
らゼオライトは、ＤＭＮの異性化活性が低く、また不均
化等副反応を起こし易く本発明の目的には不適当であ
る。 即ち、これらゼオライトを触媒とし、低沸点溶媒
を用いて気相でＤＭＮの異性化を行うと、モルデナイト
を触媒とした場合に比べ高温を必要とし、しかも２，６
−ＤＭＮへの異性化率が高くないにもかかわらず２，７
−ＤＭＮ等異属の異性体が生成し、また不均化等の副反
応が起こり、本発明の目的には不適当であることが判明
した。
【００１１】モルデナイトには、例えばＮａ型、Ｃａ型
等のものがあるが、本発明では実質的にＨ型から成るモ
ルデナイトを用いる。アルカリ金属あるいはアルカリ土
類金属を含むものは、活性が低く、本反応には適さない
為に、Ｎａ型あるいはＣａ型等のモルデナイトはＨ型に
変換する必要がある。Ｎａ型又はＣａ型等のモルデナイ
トをＨ型に変換する方法としては、ＮＨ4 型とした後、
加熱して脱ＮＨ3 する方法、塩酸等の鉱酸で処理する方
法がよく知られているが、塩酸等の鉱酸で処理する方法
が好ましい。これらの方法によりＨ型に変換されたモル
デナイト中のアルカリ金属、アルカリ土類金属の含有量
は低いほどよく、モルデナイト中の金属量として１重量
％以下、好ましくは０．５重量％以下、更に好ましくは
０．１重量％以下である。
等のものがあるが、本発明では実質的にＨ型から成るモ
ルデナイトを用いる。アルカリ金属あるいはアルカリ土
類金属を含むものは、活性が低く、本反応には適さない
為に、Ｎａ型あるいはＣａ型等のモルデナイトはＨ型に
変換する必要がある。Ｎａ型又はＣａ型等のモルデナイ
トをＨ型に変換する方法としては、ＮＨ4 型とした後、
加熱して脱ＮＨ3 する方法、塩酸等の鉱酸で処理する方
法がよく知られているが、塩酸等の鉱酸で処理する方法
が好ましい。これらの方法によりＨ型に変換されたモル
デナイト中のアルカリ金属、アルカリ土類金属の含有量
は低いほどよく、モルデナイト中の金属量として１重量
％以下、好ましくは０．５重量％以下、更に好ましくは
０．１重量％以下である。
【００１２】本発明では溶媒を用いて気相にて異性化反
応を行う。ジメチルナフタレンの沸点は異性体により異
なるが、２６０〜２７０℃であり、従来のモルデナイト
を用いてのＤＭＮ異性化技術では、触媒の活性が低いの
で実際の異性化反応を行う為にはＤＭＮの沸点より高い
温度を必要とし、従ってこのような場合には、異性化反
応の成績は別として、気相となす為に溶媒を用いる必要
はなかった。ところで本発明者らは、モルデナイトのＳ
ｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比がＤＭＮの異性化活性に非常に大き
な影響を及ぼし、この比が１００以上のＨ型モルデナイ
トを用いた場合、無溶媒下液相の条件下、２７０℃以下
の反応温度でＤＭＮの異性化が十分な速度で進行するこ
とを見出し、別途に特許の申請を行っている。
応を行う。ジメチルナフタレンの沸点は異性体により異
なるが、２６０〜２７０℃であり、従来のモルデナイト
を用いてのＤＭＮ異性化技術では、触媒の活性が低いの
で実際の異性化反応を行う為にはＤＭＮの沸点より高い
温度を必要とし、従ってこのような場合には、異性化反
応の成績は別として、気相となす為に溶媒を用いる必要
はなかった。ところで本発明者らは、モルデナイトのＳ
ｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比がＤＭＮの異性化活性に非常に大き
な影響を及ぼし、この比が１００以上のＨ型モルデナイ
トを用いた場合、無溶媒下液相の条件下、２７０℃以下
の反応温度でＤＭＮの異性化が十分な速度で進行するこ
とを見出し、別途に特許の申請を行っている。
【００１３】更に本発明者らは、ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比
が１００以上のＨ型モルデナイトを用いた種々の検討を
継続していたところ、ＤＭＮをベンゼン等の低沸点溶媒
に溶かして常圧下で異性化を行った場合には、１２０〜
１５０℃と云う極めて低い反応温度においても十分な反
応速度で異性化が進むことを見出すことができた。又、
従来使用されていたＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比の小さい低活
性なモルデナイトを用いた場合にも、ベンゼン等の低沸
点溶媒に溶かして異性化を行うと、この比が１００以上
のＨ型モルデナイトに比べ高温とする必要はあるが、無
溶媒の場合に比べれば極めて低い２００℃以下の反応温
度でも十分な反応速度で異性化が進むことを見出し、同
時に２、７−ＤＭＮ等異属への異性化、不均化等の副反
応が大きく抑制され、高収率で２、６ーＤＭＮが得られ
ることを見出した。
が１００以上のＨ型モルデナイトを用いた種々の検討を
継続していたところ、ＤＭＮをベンゼン等の低沸点溶媒
に溶かして常圧下で異性化を行った場合には、１２０〜
１５０℃と云う極めて低い反応温度においても十分な反
応速度で異性化が進むことを見出すことができた。又、
従来使用されていたＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比の小さい低活
性なモルデナイトを用いた場合にも、ベンゼン等の低沸
点溶媒に溶かして異性化を行うと、この比が１００以上
のＨ型モルデナイトに比べ高温とする必要はあるが、無
溶媒の場合に比べれば極めて低い２００℃以下の反応温
度でも十分な反応速度で異性化が進むことを見出し、同
時に２、７−ＤＭＮ等異属への異性化、不均化等の副反
応が大きく抑制され、高収率で２、６ーＤＭＮが得られ
ることを見出した。
【００１４】このような溶媒を用いる効果は、低い温度
で反応系が気相になることにより初めてもたらされる。
例えば、ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比が１００以上のＨ型モ
ルデナイトを用いた場合は、常圧下において、ベンゼン
溶媒では１２０〜１５０℃で十分な異性化速度が得られ
たのに対し、溶媒としてプソイドキュメンを用いた場合
には、１５０℃では異性化速度は極めて小さく、十分な
異性化速度を得る為には、常圧下、約２００℃近い反応
温度が必要となる。これは、プソイドキュメンの沸点が
１７０℃と高く、反応系全体を気相とするにはベンゼン
溶媒の場合よりも高い温度が必要であることによる。
で反応系が気相になることにより初めてもたらされる。
例えば、ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 比が１００以上のＨ型モ
ルデナイトを用いた場合は、常圧下において、ベンゼン
溶媒では１２０〜１５０℃で十分な異性化速度が得られ
たのに対し、溶媒としてプソイドキュメンを用いた場合
には、１５０℃では異性化速度は極めて小さく、十分な
異性化速度を得る為には、常圧下、約２００℃近い反応
温度が必要となる。これは、プソイドキュメンの沸点が
１７０℃と高く、反応系全体を気相とするにはベンゼン
溶媒の場合よりも高い温度が必要であることによる。
【００１５】本発明で用いる溶媒は、低温において反応
系を気相とする為、低沸点である必要がある。 又、反
応系内で変質しないものである必要があり、これらの点
から沸点１５０℃以下、好ましくは１２０℃以下の芳香
族炭化水素、飽和脂肪族炭化水素、飽和脂環式炭化水素
が用いられる。これらの内、飽和脂肪族炭化水素、飽和
脂環式炭化水素は不均化を助長する傾向があり、好まし
くは芳香族炭化水素を用いる。更に云えば芳香族炭化水
素の内、側鎖にアルキル基を有するものはやはり不均化
を助長する傾向があるので、溶媒としてはベンゼンが最
も好ましい。一般的には、異性化反応後において反応生
成液から結晶化法又は吸着法を適用することにより所望
のＤＭＮが分離、精製されることになる。 したがっ
て、当初より溶媒を用いた異性化反応は、精製まで含め
た全体プロセスとして大いにその効力を発揮させること
ができる。ＤＭＮに対する溶媒の量比は、系を気相に保
つに十分な量である必要がある。その使用量は溶媒の種
類と反応温度により変化するが、一般的にはＤＭＮの１
〜１０倍重量である。 溶媒の用い方としては、予めＤ
ＭＮを溶媒に溶かして反応器へ供給しても良いし、ＤＭ
Ｎと溶媒を別々に反応器へ供給しても良く、又両者を組
み合わせてもよい。
系を気相とする為、低沸点である必要がある。 又、反
応系内で変質しないものである必要があり、これらの点
から沸点１５０℃以下、好ましくは１２０℃以下の芳香
族炭化水素、飽和脂肪族炭化水素、飽和脂環式炭化水素
が用いられる。これらの内、飽和脂肪族炭化水素、飽和
脂環式炭化水素は不均化を助長する傾向があり、好まし
くは芳香族炭化水素を用いる。更に云えば芳香族炭化水
素の内、側鎖にアルキル基を有するものはやはり不均化
を助長する傾向があるので、溶媒としてはベンゼンが最
も好ましい。一般的には、異性化反応後において反応生
成液から結晶化法又は吸着法を適用することにより所望
のＤＭＮが分離、精製されることになる。 したがっ
て、当初より溶媒を用いた異性化反応は、精製まで含め
た全体プロセスとして大いにその効力を発揮させること
ができる。ＤＭＮに対する溶媒の量比は、系を気相に保
つに十分な量である必要がある。その使用量は溶媒の種
類と反応温度により変化するが、一般的にはＤＭＮの１
〜１０倍重量である。 溶媒の用い方としては、予めＤ
ＭＮを溶媒に溶かして反応器へ供給しても良いし、ＤＭ
Ｎと溶媒を別々に反応器へ供給しても良く、又両者を組
み合わせてもよい。
【００１６】本発明による異性化を実施するに際しての
反応形式には特に制限はなく、回分式、流通式いずれの
方法も採用できるが、工業的には流通式が好ましい。流
通式には、固定床、移動床、流動床等の反応方式があ
り、いずれも採用できるが固定床流通式が一般的であ
る。固定床流通式にて実施する場合には、モルデナイト
を成型して用いることになる。一般にモルデナイトの成
型助剤としては、ベントナイト等の粘土、アルミナ、シ
リカ等が用いられるが、本発明の触媒に対する成型助剤
としてはアルミナが適している。 ベントナイト等の粘
土は各種金属を含んでおり、これを成形助剤とした場合
には異性化活性を損なう原因となる。 又、シリカを成
型助剤とするものは触媒寿命を低下させる。 これに対
して、アルミナを成形助剤とした場合には、異性化活性
を低下させることはなく、触媒寿命の面でも良い結果を
与える。成型助剤として用いるアルミナの量は極力少な
い方がよい。しかし、使用量を少なくすると強度的に十
分なものが得られない。使用量を多くすると、強度面で
は問題はないが触媒寿命の面で悪影響があり、アルミナ
使用量はこの点を勘案して決められる。本発明の触媒に
おける成形助剤としてのアルミナの使用量は、モルデナ
イト１００重量部に対し５〜５０重量部、好ましくは１
０〜３０重量部である。
反応形式には特に制限はなく、回分式、流通式いずれの
方法も採用できるが、工業的には流通式が好ましい。流
通式には、固定床、移動床、流動床等の反応方式があ
り、いずれも採用できるが固定床流通式が一般的であ
る。固定床流通式にて実施する場合には、モルデナイト
を成型して用いることになる。一般にモルデナイトの成
型助剤としては、ベントナイト等の粘土、アルミナ、シ
リカ等が用いられるが、本発明の触媒に対する成型助剤
としてはアルミナが適している。 ベントナイト等の粘
土は各種金属を含んでおり、これを成形助剤とした場合
には異性化活性を損なう原因となる。 又、シリカを成
型助剤とするものは触媒寿命を低下させる。 これに対
して、アルミナを成形助剤とした場合には、異性化活性
を低下させることはなく、触媒寿命の面でも良い結果を
与える。成型助剤として用いるアルミナの量は極力少な
い方がよい。しかし、使用量を少なくすると強度的に十
分なものが得られない。使用量を多くすると、強度面で
は問題はないが触媒寿命の面で悪影響があり、アルミナ
使用量はこの点を勘案して決められる。本発明の触媒に
おける成形助剤としてのアルミナの使用量は、モルデナ
イト１００重量部に対し５〜５０重量部、好ましくは１
０〜３０重量部である。
【００１７】本発明方法における異性化反応は、温度１
００〜２００℃で実施されるが、好ましくは１３０〜２
００℃の範囲が推奨される。これより高温では異族への
異性化や不均化等の副反応が起こり易くなり、又これよ
り低温では異性化速度が小さくなり経済的ではない。本
発明方法による異性化を温度１００〜２００℃にて実施
した場合には、反応生成液中の２，６−ＤＭＮの２，６
−属内での濃度は５０％以上とすることができる。同時
に２，７−ＤＭＮ等異属異性体の生成および不均化等の
副反応はほとんど起こらない。本発明を流通法により実
施する場合のＷＨＳＶは、０．０５〜５(h-1) 、好まし
くは０．１〜２(h-1) (h-1) である。ＷＨＳＶを小さく
すると、低い反応温度にて異性化反応が進行するが、反
応器を大きくする必要があり経済的ではない。ＷＨＳＶ
を大きくすると、所望の異性化率を得る為には反応温度
を高くする必要があり、異属への異性化、不均化が起こ
り易くなる。本発明を回分式で実施する場合の触媒使用
量は、原料１００重量部に対して０．１〜１０重量部、
好ましくは０．３〜５重量部である。反応時間は、触媒
と原料との比、反応温度により変化するが、一般的には
１０分から２時間で十分である。本発明の方法による異
性化反応を実施するにあたり反応に供して活性の低下し
た触媒は、空気酸化により完全に賦活されるので、反応
と再生を繰り返すことにより長期に亘る触媒寿命を確保
することができる。以上述べた如く、本発明の方法によ
るＤＭＮの異性化反応の実施は、公知法に比べて非常に
低い反応温度で異性化反応を遂行することができ、副反
応や異属への異性化を実質的に抑制することができ、高
い異性化率を以て目的生成物２，６−ＤＭＮを得ること
ができる。
００〜２００℃で実施されるが、好ましくは１３０〜２
００℃の範囲が推奨される。これより高温では異族への
異性化や不均化等の副反応が起こり易くなり、又これよ
り低温では異性化速度が小さくなり経済的ではない。本
発明方法による異性化を温度１００〜２００℃にて実施
した場合には、反応生成液中の２，６−ＤＭＮの２，６
−属内での濃度は５０％以上とすることができる。同時
に２，７−ＤＭＮ等異属異性体の生成および不均化等の
副反応はほとんど起こらない。本発明を流通法により実
施する場合のＷＨＳＶは、０．０５〜５(h-1) 、好まし
くは０．１〜２(h-1) (h-1) である。ＷＨＳＶを小さく
すると、低い反応温度にて異性化反応が進行するが、反
応器を大きくする必要があり経済的ではない。ＷＨＳＶ
を大きくすると、所望の異性化率を得る為には反応温度
を高くする必要があり、異属への異性化、不均化が起こ
り易くなる。本発明を回分式で実施する場合の触媒使用
量は、原料１００重量部に対して０．１〜１０重量部、
好ましくは０．３〜５重量部である。反応時間は、触媒
と原料との比、反応温度により変化するが、一般的には
１０分から２時間で十分である。本発明の方法による異
性化反応を実施するにあたり反応に供して活性の低下し
た触媒は、空気酸化により完全に賦活されるので、反応
と再生を繰り返すことにより長期に亘る触媒寿命を確保
することができる。以上述べた如く、本発明の方法によ
るＤＭＮの異性化反応の実施は、公知法に比べて非常に
低い反応温度で異性化反応を遂行することができ、副反
応や異属への異性化を実質的に抑制することができ、高
い異性化率を以て目的生成物２，６−ＤＭＮを得ること
ができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明の方法によれば、ＤＭＮの異性化
反応において反応温度を従来に比べ著しく低くすること
ができ、２，７−ＤＭＮ等の異属への異性化及び不均化
などの副反応を極力抑制でき、２，６−ＤＭＮへの高い
異性化率を達成することができるものであり、その工業
的意義は非常に大きい。
反応において反応温度を従来に比べ著しく低くすること
ができ、２，７−ＤＭＮ等の異属への異性化及び不均化
などの副反応を極力抑制でき、２，６−ＤＭＮへの高い
異性化率を達成することができるものであり、その工業
的意義は非常に大きい。
【００１９】
【実施例】以下に実施例及び比較例を以て本発明の方法
を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。実施例１、２ ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝２０３（モル比）のＨ型モルデナ
イト（東ソー製）１００ｇとアルミナゾル（触媒化成製
アルミナ７０ｗｔ％）２０ｇをステンレス製容器に採
り、純水を加えてよく練り合わせた。１１０℃で乾燥
後、空気中５００℃で２時間焼成し、砕いて粒径１．０
〜２．０ｍｍのものを集めて触媒とした。この触媒５ｇ
を、内径１３ｍｍのステンレス製反応管に充填し、窒素
で十分置換した後、窒素雰囲気下所定温度に昇温し同温
度に保った。常圧下、反応管上部よりＤＭＮ原料を２０
重量％含むベンゼン溶液を供給し、異性化反応を行っ
た。反応管下部より取り出した反応生成液を凝縮後、そ
の組成をガスクロマトグラフィーにより分析し異性化反
応の成績を算出した。 各実施例において、使用した原
料の組成、反応条件、反応成績を表１に示す。
を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。実施例１、２ ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝２０３（モル比）のＨ型モルデナ
イト（東ソー製）１００ｇとアルミナゾル（触媒化成製
アルミナ７０ｗｔ％）２０ｇをステンレス製容器に採
り、純水を加えてよく練り合わせた。１１０℃で乾燥
後、空気中５００℃で２時間焼成し、砕いて粒径１．０
〜２．０ｍｍのものを集めて触媒とした。この触媒５ｇ
を、内径１３ｍｍのステンレス製反応管に充填し、窒素
で十分置換した後、窒素雰囲気下所定温度に昇温し同温
度に保った。常圧下、反応管上部よりＤＭＮ原料を２０
重量％含むベンゼン溶液を供給し、異性化反応を行っ
た。反応管下部より取り出した反応生成液を凝縮後、そ
の組成をガスクロマトグラフィーにより分析し異性化反
応の成績を算出した。 各実施例において、使用した原
料の組成、反応条件、反応成績を表１に示す。
【００２０】実施例３ ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝３３（モル比）のＨ型モルデナイ
ト（触媒化成製）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て触媒を調製し、実施例１と同様に異性化反応を行っ
た。 結果を表１に示す。実施例４、５ 実施例４はＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝１６（モル比）のＨ型
モルデナイト（東ソー製）、実施例５はＳｉＯ2/Ａｌ2
Ｏ3 ＝２０（モル比）のＨ型モルデナイト（東ソー製）
を用いた以外は、実施例２と同様にして触媒を調製し、
実施例１と同様に異性化反応を行った。 反応条件及び
結果を表２示す。
ト（触媒化成製）を用いた以外は、実施例１と同様にし
て触媒を調製し、実施例１と同様に異性化反応を行っ
た。 結果を表１に示す。実施例４、５ 実施例４はＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝１６（モル比）のＨ型
モルデナイト（東ソー製）、実施例５はＳｉＯ2/Ａｌ2
Ｏ3 ＝２０（モル比）のＨ型モルデナイト（東ソー製）
を用いた以外は、実施例２と同様にして触媒を調製し、
実施例１と同様に異性化反応を行った。 反応条件及び
結果を表２示す。
【００２１】実施例６ ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝１６（モル比）のＨ型モルデナイ
ト（東ソー製）を３規定の塩酸で処理し、ＳｉＯ2/Ａｌ
2 Ｏ3 ＝１１３（モル比）のＨ型モルデナイトを得た。
このモルデナイトを用い、実施例２と同様に成型触媒を
調製し異性化反応を行った。 結果を表２に示す。実施例７ アルミナゾルの量を４０ｇとした以外は、実施例１と同
様に成型触媒を調製し異性化反応を行った。 結果を表
３に示す。実施例８ 実施例２で用いたと同じ触媒を用い、溶媒としてベンゼ
ンの代わりにオルトキシレンを用いた以外は、実施例２
と同様に反応を行った。反応条件及び結果を表３に示
す。 溶媒の沸点が高いため実施例２に比べ高温を必要
とする。 実施例２に比べると不均化等の副反応が多
い。
ト（東ソー製）を３規定の塩酸で処理し、ＳｉＯ2/Ａｌ
2 Ｏ3 ＝１１３（モル比）のＨ型モルデナイトを得た。
このモルデナイトを用い、実施例２と同様に成型触媒を
調製し異性化反応を行った。 結果を表２に示す。実施例７ アルミナゾルの量を４０ｇとした以外は、実施例１と同
様に成型触媒を調製し異性化反応を行った。 結果を表
３に示す。実施例８ 実施例２で用いたと同じ触媒を用い、溶媒としてベンゼ
ンの代わりにオルトキシレンを用いた以外は、実施例２
と同様に反応を行った。反応条件及び結果を表３に示
す。 溶媒の沸点が高いため実施例２に比べ高温を必要
とする。 実施例２に比べると不均化等の副反応が多
い。
【００２２】比較例１ 実施例１で用いた触媒を用い、溶媒を用いずに液相にて
反応を行った以外は、実施例１と同様に反応を行った。
反応条件及び結果を表４に示す。実施例１に比べて
２，６−体濃度を上げる為には高温を必要とすることが
判る。 比較例２ ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝２０３（モル比）のＨ型モルデナ
イトの代わりに、ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝２０６（モル
比）のＨ型超安定化Ｙ型ゼオライト（ＵＳＹ：東ソー
製）を用いた以外は、実施例２と同様に触媒を調製し異
性化反応を行った。 反応条件及び結果を表４に示す。
２，６−体濃度を上げる為には高温を必要とし、又２，
７−、１，７−ＤＭＮの生成、不均化等の副反応が著し
い。
反応を行った以外は、実施例１と同様に反応を行った。
反応条件及び結果を表４に示す。実施例１に比べて
２，６−体濃度を上げる為には高温を必要とすることが
判る。 比較例２ ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝２０３（モル比）のＨ型モルデナ
イトの代わりに、ＳｉＯ2/Ａｌ2 Ｏ3 ＝２０６（モル
比）のＨ型超安定化Ｙ型ゼオライト（ＵＳＹ：東ソー
製）を用いた以外は、実施例２と同様に触媒を調製し異
性化反応を行った。 反応条件及び結果を表４に示す。
２，６−体濃度を上げる為には高温を必要とし、又２，
７−、１，７−ＤＭＮの生成、不均化等の副反応が著し
い。
【００２３】比較例３ 実施例２で用いたと同じ触媒を用い、溶媒としてベンゼ
ンの代わりにヘプタンを用いた以外は、実施例２と同様
に反応を行った。反応条件及び結果を表４に示す。 実
施例２に比べ２，７−、１，７−ＤＭＮの生成、不均化
等の副反応が多く、又触媒の活性低下が大きい。比較例４ アルミナゾル（触媒化成製アルミナ７０ｗｔ％）２０ｇ
の代わりにシリカゾル（触媒化成製シリカ２０ｗｔ％）
７０ｇを用いた以外は、実施例２と同様に触媒を調製し
異性化反応を行った。 反応条件及び結果を表５に示
す。 シリカをバインダーとした場合は、触媒活性の低
下が大きい。
ンの代わりにヘプタンを用いた以外は、実施例２と同様
に反応を行った。反応条件及び結果を表４に示す。 実
施例２に比べ２，７−、１，７−ＤＭＮの生成、不均化
等の副反応が多く、又触媒の活性低下が大きい。比較例４ アルミナゾル（触媒化成製アルミナ７０ｗｔ％）２０ｇ
の代わりにシリカゾル（触媒化成製シリカ２０ｗｔ％）
７０ｇを用いた以外は、実施例２と同様に触媒を調製し
異性化反応を行った。 反応条件及び結果を表５に示
す。 シリカをバインダーとした場合は、触媒活性の低
下が大きい。
【００２４】
【表１】 ─────────────────────────────────── 実施例１ 実施例２ 実施例３ ─────────────────────────────────── 原料 1,5-DMN 12.43 99.83 12.43 1,6-DMN 78.32 0 78.32 2,6-DMN 8.35 0 8.35 OtherDMN 0.33 0.07 0.33 低沸点物 0.18 0.10 0.18 MMN *3 0.23 0 0.23 TMN *3 0.14 0 0.14 高沸点物 0.02 0 0.02 ─────────────────────────────────── 反応条件 温度( ℃) 140 140 150 150 140 170 WHSV(h-1) *1 0.5 0.5 1 1 0.5 0.5 反応時間(h) *2 10 90 12 106 10 21 ─────────────────────────────────── 生成液 1,5-DMN 6.51 6.98 6.00 16.61 9.72 6.37 1,6-DMN 39.30 41.70 40.82 37.48 38.94 39.31 2,6-DMN 53.27 50.42 52.94 45.74 50.44 53.18 OtherDMN 0.35 0.33 0.10 0.07 0.33 0.38 低沸点物 0.18 0.18 0.10 0.10 0.18 0.21 MMN *3 0.23 0.23 0.02 0 0.23 0.27 TMN *3 0.14 0.14 0.02 0 0.14 0.18 高沸点物 0.02 0.02 0 0 0.02 0.10 2,6-DMN in 2,6-属 53.76 50.88 53.07 45.82 50.90 53.79 ─────────────────────────────────── *1) 反応を開始してからの経過時間。 *2) WHSV = g- 原料/g-cat・ h 。 *3) MMN,TMN:それぞれモノメチルナフタレン、トリメ
チルナフタレン。
チルナフタレン。
【００２５】
【表２】 ─────────────────────────────────── 実施例４ 実施例５ 実施例６ ─────────────────────────────────── 原料 1,5-DMN 99.83 99.83 99.83 1,6-DMN 0 0 0 2,6-DMN 0 0 0 OtherDMN 0.07 0.07 0.07 低沸点物 0.10 0.10 0.10 MMN *3 0 0 0 TMN *3 0 0 0 高沸点物 0 0 0 ─────────────────────────────────── 反応条件 温度( ℃) 150 200 150 180 150 WHSV *1 1 1 1 1 1 反応時間(h) *2 10 20 10 20 10 ────────────────────────────────── 生成液 1,5-DMN 60.84 14.40 29.35 7.45 6.24 1,6-DMN 24.96 38.33 33.24 41.92 40.71 2,6-DMN 14.03 47.10 37.24 50.46 52.87 OtherDMN 0.07 0.07 0.07 0.07 0.08 低沸点物 0.10 0.10 0.10 0.10 0.10 MMN *3 0 0 0 0 0 TMN *3 0 0 0 0 0 高沸点物 0 0 0 0 0 2,6-DMN in 2,6-属 24.07 47.18 37.30 50.55 52.97 ─────────────────────────────────── *1) 反応を開始してからの経過時間。 *2) WHSV = g- 原料/g-cat・ h 。 *3) MMN,TMN:それぞれモノメチルナフタレン、トリメ
チルナフタレン。
チルナフタレン。
【００２６】
【表３】 ────────────────────────────── 実施例７ 実施例８ ────────────────────────────── 原料 1,5-DMN 12.43 99.83 1,6-DMN 78.32 0 2,6-DMN 8.35 0 OtherDMN 0.33 0.07 低沸点物 0.18 0.10 MMN *3 0.23 0 TMN *3 0.14 0 高沸点物 0.02 0 ────────────────────────────── 反応条件 温度( ℃) 140 150 180 WHSV *1 0.5 1 1 反応時間(h) *2 10 12 43 ────────────────────────────── 生成液 1,5-DMN 6.33 62.57 8.74 1,6-DMN 39.26 19.12 40.16 2,6-DMN 53.49 18.08 49.04 OtherDMN 0.35 0.08 0.22 低沸点物 0.18 0.13 0.12 MMN *3 0.23 0 0.82 TMN *3 0.14 0 0.68 高沸点物 0.02 0.02 0.22 2,6-DMN in 2,6-属 53.99 18.12 50.07 ────────────────────────────── *1) 反応を開始してからの経過時間。 *2) WHSV = g- 原料/g-cat・ h 。 *3) MMN,TMN:それぞれモノメチルナフタレン、トリメ
チルナフタレン。
チルナフタレン。
【００２７】
【表４】 ──────────────────────────────────── 比較例１ 比較例２ 比較例３ ──────────────────────────────────── 原料 1,5-DMN 12.43 99.83 99.83 1,6-DMN 78.32 0 0 2,6-DMN 8.35 0 0 OtherDMN 0.33 0.07 0.07 低沸点物 0.18 0.10 0.10 MMN *3 0.23 0 0 TMN *3 0.14 0 0 高沸点物 0.02 0 0 ──────────────────────────────────── 反応条件 温度( ℃) 140 230 150 200 150 150 WHSV *1 0.5 0.5 1 1 1 1 反応時間(h) *2 10 90 12 26 10 65 ──────────────────────────────────── 生成液 1,5-DMN 14.88 6.81 38.71 7.41 5.33 32.23 1,6-DMN 74.40 40.92 41.05 34.78 40.36 30.69 2,6-DMN 9.82 51.37 16.16 32.88 49.33 36.20 OtherDMN 0.33 0.33 0.38 4.17 1.33 0.23 低沸点物 0.18 0.18 0.47 0.73 0.50 0.18 MMN *3 0.23 0.23 1.11 8.94 1.42 0.23 TMN *3 0.14 0.14 1.37 9.67 1.46 0.16 高沸点物 0.02 0.02 0.75 1.42 0.27 0.08 2,6-DMN in 2,6-属 9.91 51.84 16.85 43.80 51.92 36.52 ─────────────────────────────────── *1) 反応を開始してからの経過時間。 *2) WHSV = g- 原料/g-cat・ h 。 *3) MMN,TMN:それぞれモノメチルナフタレン、トリメ
チルナフタレン。
チルナフタレン。
【００２８】
【表５】 *1) 反応を開始してからの経過時間。 *2) WHSV = g- 原料/g-cat・ h 。 *3) MMN,TMN:それぞれモノメチルナフタレン、トリメ
チルナフタレン。
チルナフタレン。
Claims (6)
- 【請求項１】 ジメチルナフタレンの異性化反応を実施
するにあたり、触媒として実質的に水素型から成るモル
デナイトを用い、溶媒存在下、気相にて異性化すること
を特徴とするジメチルナフタレンの異性化方法。 - 【請求項２】 溶媒として芳香族炭化水素を用いる請求
項１記載の方法。 - 【請求項３】 溶媒としてベンゼンを用いる請求項１記
載の方法。 - 【請求項４】 モルデナイトとして、アルミナに対する
シリカのモル比が２０以上のものを用いる請求項１記載
の方法。 - 【請求項５】 モルデナイトに対して５０重量％以下の
アルミナを成型助剤として成型した触媒を用いる請求項
１記載の方法。 - 【請求項６】 異性化反応温度が２００℃以下である請
求項１記載の方法。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP5091503A JP2921541B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | ジメチルナフタレンの異性化方法 |
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| DE69413742T DE69413742T2 (de) | 1993-04-19 | 1994-03-19 | Verfahren zur Isomerisierung von Dimethylnaphthalin |
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| JP5091503A JP2921541B2 (ja) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | ジメチルナフタレンの異性化方法 |
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| JP2921541B2 JP2921541B2 (ja) | 1999-07-19 |
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-
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