JPH06283311A - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
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- JPH06283311A JPH06283311A JP6782793A JP6782793A JPH06283311A JP H06283311 A JPH06283311 A JP H06283311A JP 6782793 A JP6782793 A JP 6782793A JP 6782793 A JP6782793 A JP 6782793A JP H06283311 A JPH06283311 A JP H06283311A
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- JP
- Japan
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- temperature sensor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗値の経時変化率を小さく抑えることがで
きる温度センサを提供することを目的とするものであ
る。 【構成】 この目的を達成するために、本発明の温度セ
ンサは、（化１）で表される物質を用いてサーミスタ素
子を形成した。これによれば、同一結晶中にＰ型半導体
とＮ型半導体を混在させることができるので、酸素が失
われたとしても抵抗値の経時変化率は小さく抑えること
ができる。 【化１】
きる温度センサを提供することを目的とするものであ
る。 【構成】 この目的を達成するために、本発明の温度セ
ンサは、（化１）で表される物質を用いてサーミスタ素
子を形成した。これによれば、同一結晶中にＰ型半導体
とＮ型半導体を混在させることができるので、酸素が失
われたとしても抵抗値の経時変化率は小さく抑えること
ができる。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば自動車の排気ガ
ス対策用触媒の温度を検知するのに用いる温度センサに
関するものである。
ス対策用触媒の温度を検知するのに用いる温度センサに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、環境問題や燃費向上等の要求によ
り、排気ガス対策用触媒が用いられているが、その触媒
性能を高めるには、触媒の温度を正確に測定する必要が
ある。そのためには、温度センサの抵抗値の経時変化率
を小さく、具体的には±２０％以内に抑えなくてはなら
ない。
り、排気ガス対策用触媒が用いられているが、その触媒
性能を高めるには、触媒の温度を正確に測定する必要が
ある。そのためには、温度センサの抵抗値の経時変化率
を小さく、具体的には±２０％以内に抑えなくてはなら
ない。
【０００３】従来、３００〜７００℃の温度を検知し、
１０００℃の耐熱性を有する温度センサに用いるサーミ
スタ素子の材料としてＭｇ（Ａｌ、Ｃｒ）2Ｏ4系の酸化
物を用いていた。
１０００℃の耐熱性を有する温度センサに用いるサーミ
スタ素子の材料としてＭｇ（Ａｌ、Ｃｒ）2Ｏ4系の酸化
物を用いていた。
【０００４】図２はサーミスタ素子の斜視図である。す
なわちこれはサーミスタ素子１に白金パイプ２ａ，２ｂ
を挿入後、焼成したものである。このサーミスタ素子１
を図１に示すごとく耐熱キャップ４内に密封し、触媒温
度検知用の温度センサを形成していた。なお前記白金パ
イプ２ａ，２ｂには二芯管３ａ，３ｂを溶接し、その中
にリード線を通すことにより、サーミスタ素子１から耐
熱キャップ４外にリード線を引出していた。
なわちこれはサーミスタ素子１に白金パイプ２ａ，２ｂ
を挿入後、焼成したものである。このサーミスタ素子１
を図１に示すごとく耐熱キャップ４内に密封し、触媒温
度検知用の温度センサを形成していた。なお前記白金パ
イプ２ａ，２ｂには二芯管３ａ，３ｂを溶接し、その中
にリード線を通すことにより、サーミスタ素子１から耐
熱キャップ４外にリード線を引出していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成で高温
になると、耐熱キャップ４を構成する金属原子が、耐熱
キャップ４内の酸素と結合し、この結果として耐熱キャ
ップ４内の酸素分圧が下がる。するとサーミスタ素子１
から酸素が放出され、平衡を保とうとする作用がおき
る。また、耐熱キャップ４から水素や一酸化炭素等の還
元性のガスが発生するとそれがサーミスタ素子１に吸着
され、酸素を奪い、中へ拡散することとなっていた。こ
のようにサーミスタ素子１の酸素が失われると構造が変
化してしまい、抵抗値変化率を±２０％以内に抑えるこ
とができないという問題点を有していた。
になると、耐熱キャップ４を構成する金属原子が、耐熱
キャップ４内の酸素と結合し、この結果として耐熱キャ
ップ４内の酸素分圧が下がる。するとサーミスタ素子１
から酸素が放出され、平衡を保とうとする作用がおき
る。また、耐熱キャップ４から水素や一酸化炭素等の還
元性のガスが発生するとそれがサーミスタ素子１に吸着
され、酸素を奪い、中へ拡散することとなっていた。こ
のようにサーミスタ素子１の酸素が失われると構造が変
化してしまい、抵抗値変化率を±２０％以内に抑えるこ
とができないという問題点を有していた。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、抵抗値の経時変化率を小さくすることができる温
度センサを提供することを目的とするものである。
ので、抵抗値の経時変化率を小さくすることができる温
度センサを提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の温度センサはサーミスタ素子を（化１）で
表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成したもの
である。
に、本発明の温度センサはサーミスタ素子を（化１）で
表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成したもの
である。
【０００８】
【作用】この構成によれば、Ｐ型半導体の性質をもつ従
来のＭｇ（Ａｌ、Ｃｒ）2Ｏ4のＭｇの一部がＺｎに置換
され、Ｎ型半導体の性質をもつＺｎＯが混在することと
なる。つまりＰ型は酸素を失うと抵抗値が増加し、Ｎ型
は減少するので抵抗値変化を抑えることができる。
来のＭｇ（Ａｌ、Ｃｒ）2Ｏ4のＭｇの一部がＺｎに置換
され、Ｎ型半導体の性質をもつＺｎＯが混在することと
なる。つまりＰ型は酸素を失うと抵抗値が増加し、Ｎ型
は減少するので抵抗値変化を抑えることができる。
【０００９】またＭｇをＺｎに置換することにより、サ
ーミスタ素子が緻密になり、還元性の吸着ガスが内部の
酸素を奪いにくくすることができる。そしてこれらの結
果として抵抗値の経時変化率の小さい温度センサを提供
することができるものとなる。
ーミスタ素子が緻密になり、還元性の吸着ガスが内部の
酸素を奪いにくくすることができる。そしてこれらの結
果として抵抗値の経時変化率の小さい温度センサを提供
することができるものとなる。
【００１０】
【実施例】（実施例１）以下本発明の一実施例について
図と表を参照しながら説明する。図１は触媒温度検知用
の温度センサの断面図である。従来と同じであるので同
一番号が付してある。
図と表を参照しながら説明する。図１は触媒温度検知用
の温度センサの断面図である。従来と同じであるので同
一番号が付してある。
【００１１】図２はサーミスタ素子１の斜視図である。
以下本発明の第１の実施例について説明する。
以下本発明の第１の実施例について説明する。
【００１２】（化１）におけるＺｎＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3をｘ、ｙ、ｚが表１に示す組成になるよ
うに所定量秤量し、試料１〜１０を作成した。
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3をｘ、ｙ、ｚが表１に示す組成になるよ
うに所定量秤量し、試料１〜１０を作成した。
【００１３】
【表１】
【００１４】まず試料１をボールミルで１６時間混合
し、１２００℃で仮焼後再びボールミルで１８時間粉砕
した。そして乾燥後１０重量％濃度のポリビニルアルコ
ール水溶液を全体の８重量％添加して造粒を行った。最
後に図２に示す形状に成形して、白金パイプ３を挿入後
１６００℃で焼成した。試料No.２〜１０についても同
様の操作を行った。
し、１２００℃で仮焼後再びボールミルで１８時間粉砕
した。そして乾燥後１０重量％濃度のポリビニルアルコ
ール水溶液を全体の８重量％添加して造粒を行った。最
後に図２に示す形状に成形して、白金パイプ３を挿入後
１６００℃で焼成した。試料No.２〜１０についても同
様の操作を行った。
【００１５】このようにして得られたサーミスタ素子１
を従来と同様にして図１に示す触媒温度検知用温度セン
サに組み込んで、３００℃、６００℃、９００℃におけ
る抵抗値を測定し、表１においてＲ３００、Ｒ６００、
Ｒ９００で示した。また９００℃で１０００時間の密閉
耐久試験を行った後、３００℃における抵抗値を測定
し、その変化率を求めて表１にΔＲ３００として示し
た。
を従来と同様にして図１に示す触媒温度検知用温度セン
サに組み込んで、３００℃、６００℃、９００℃におけ
る抵抗値を測定し、表１においてＲ３００、Ｒ６００、
Ｒ９００で示した。また９００℃で１０００時間の密閉
耐久試験を行った後、３００℃における抵抗値を測定
し、その変化率を求めて表１にΔＲ３００として示し
た。
【００１６】抵抗値変化率は （密閉耐久試験後の抵抗値−初期抵抗値）／初期抵抗値
×１００（％）（数１）を用いて算出した。
×１００（％）（数１）を用いて算出した。
【００１７】表１の試料No.10のようにｙが１．０５を
越えると、抵抗値変化率が＋１２３％と目安となる±２
０％を大きく越えてしまう。
越えると、抵抗値変化率が＋１２３％と目安となる±２
０％を大きく越えてしまう。
【００１８】また、Ｚｎ未置換のサーミスタ素子１はポ
ーラスになり、粒界に還元性の吸着ガスが入りやすくな
り抵抗値変化率が±２０％を越えてしまう。
ーラスになり、粒界に還元性の吸着ガスが入りやすくな
り抵抗値変化率が±２０％を越えてしまう。
【００１９】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
【００２０】（化２）におけるＺｎＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、希土類酸化物（Ｙ2Ｏ3、Ｌ
ａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｐｒ6Ｏ11、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅ
ｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ4Ｏ7、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅ
ｒ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ 3、Ｌｕ2Ｏ3）をｘ、ｙ、
ｚ、ａ、ｂが表２に示す組成になるように、それぞれ所
定量秤量し、試料No.１１〜５０を作成した。
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、希土類酸化物（Ｙ2Ｏ3、Ｌ
ａ2Ｏ3、ＣｅＯ2、Ｐｒ6Ｏ11、Ｎｄ2Ｏ3、Ｓｍ2Ｏ3、Ｅ
ｕ2Ｏ3、Ｇｄ2Ｏ3、Ｔｂ4Ｏ7、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅ
ｒ2Ｏ3、Ｔｍ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ 3、Ｌｕ2Ｏ3）をｘ、ｙ、
ｚ、ａ、ｂが表２に示す組成になるように、それぞれ所
定量秤量し、試料No.１１〜５０を作成した。
【００２１】
【表２】
【００２２】そして（実施例１）と同様にして、サーミ
スタ素子１を得た。それを図１に示す触媒温度検知用の
温度センサの耐熱キャップ４内に密封し、３００℃、６
００℃、９００℃における抵抗値を測定し、それを表２
にＲ３００、Ｒ６００、Ｒ９００で示した。次に９００
℃で１０００の時間の密閉耐久試験を行った後、３００
℃における抵抗値を測定し、変化率を（数１）により求
め表２にΔＲ３００で示した。
スタ素子１を得た。それを図１に示す触媒温度検知用の
温度センサの耐熱キャップ４内に密封し、３００℃、６
００℃、９００℃における抵抗値を測定し、それを表２
にＲ３００、Ｒ６００、Ｒ９００で示した。次に９００
℃で１０００の時間の密閉耐久試験を行った後、３００
℃における抵抗値を測定し、変化率を（数１）により求
め表２にΔＲ３００で示した。
【００２３】本実施例においては、希土類酸化物とＣａ
Ｏを添加して、緻密化をはかり、還元性吸着ガスがサー
ミスタ素子１の酸素を奪い、中へ拡散するのを防いでい
る。なおＣａＯは主成分（化１）と固溶せず単独で粒界
に析出する。また希土類酸化物はペロブスカイト構造を
とる（ＲＥ）ＣｒＯ3として粒界に析出している。ＲＥ
は希土類元素を表している。
Ｏを添加して、緻密化をはかり、還元性吸着ガスがサー
ミスタ素子１の酸素を奪い、中へ拡散するのを防いでい
る。なおＣａＯは主成分（化１）と固溶せず単独で粒界
に析出する。また希土類酸化物はペロブスカイト構造を
とる（ＲＥ）ＣｒＯ3として粒界に析出している。ＲＥ
は希土類元素を表している。
【００２４】表２を見ると試料No.１３、２８のように
ＣａＯの添加量が５原子ｏｐを越えると、焼成中にＣａ
Ｏが飛散して高温サーミスタ素子１はポーラスになる。
そのため酸素を奪われやすくなり、抵抗値の経時変化率
が±２０％を越えてしまう。また試料No.２１のように
希土類酸化物の添加量が１０原子％を越えると（ＲＥ）
ＣｒＯ3の偏析の量が増加する。そのため主成分（化
１）からＣｒが多量に失われ、半導体特性のバランスが
崩れ抵抗値の経時変化率が±２０％を越えてしまう。そ
して試料No.３２のように添加量が０．１原子％未満に
なると緻密化がはかれない。ＣａＯの場合も同様であ
る。その結果、抵抗値の経時変化率を±２０％以内に抑
えることができない。
ＣａＯの添加量が５原子ｏｐを越えると、焼成中にＣａ
Ｏが飛散して高温サーミスタ素子１はポーラスになる。
そのため酸素を奪われやすくなり、抵抗値の経時変化率
が±２０％を越えてしまう。また試料No.２１のように
希土類酸化物の添加量が１０原子％を越えると（ＲＥ）
ＣｒＯ3の偏析の量が増加する。そのため主成分（化
１）からＣｒが多量に失われ、半導体特性のバランスが
崩れ抵抗値の経時変化率が±２０％を越えてしまう。そ
して試料No.３２のように添加量が０．１原子％未満に
なると緻密化がはかれない。ＣａＯの場合も同様であ
る。その結果、抵抗値の経時変化率を±２０％以内に抑
えることができない。
【００２５】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。
について説明する。
【００２６】（化３）におけるＺｎＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、ＴｈＯ2をｘ、ｙ、ｚ、
ａ、ｂが表３に示す組成になるようにそれぞれ所定料秤
量し、試料No.５１〜６０を作成した。
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、ＴｈＯ2をｘ、ｙ、ｚ、
ａ、ｂが表３に示す組成になるようにそれぞれ所定料秤
量し、試料No.５１〜６０を作成した。
【００２７】
【表３】
【００２８】そして実施例１の場合と同様にして、サー
ミスタ素子１を得て、それを図１に示す触媒温度検知用
の温度センサの耐熱キャップ４内に組み込み、３００
℃、６００℃、９００℃における抵抗値を測定し、表３
にＲ３００、Ｒ６００、Ｒ９００として示した。次に９
００℃で１０００時間の密閉耐久試験を行った後、３０
０℃における抵抗値を測定し、その変化率を（数１）に
より求め、表３にΔＲ３００として示した。
ミスタ素子１を得て、それを図１に示す触媒温度検知用
の温度センサの耐熱キャップ４内に組み込み、３００
℃、６００℃、９００℃における抵抗値を測定し、表３
にＲ３００、Ｒ６００、Ｒ９００として示した。次に９
００℃で１０００時間の密閉耐久試験を行った後、３０
０℃における抵抗値を測定し、その変化率を（数１）に
より求め、表３にΔＲ３００として示した。
【００２９】なおＣａＯ、ＴｈＯ2は主成分（化１）と
固溶せず、単独で粒界に析出する。またＴｈＯ2は還元
雰囲気に安定であるため、希土類酸化物と比較すると、
１０分の１の添加量でも同様の効果が得られる。
固溶せず、単独で粒界に析出する。またＴｈＯ2は還元
雰囲気に安定であるため、希土類酸化物と比較すると、
１０分の１の添加量でも同様の効果が得られる。
【００３０】しかし試料No.５７のようにＣａＯの添加
量が５原子％を越えたり、試料No.６０のようにｙが
１．０５を越えると、抵抗値の経時変化率を±２０％以
内に抑えられない。またＴｈＯ2の添加量も１０原子％
を越えると急速に焼結性が悪くなり、抵抗値の経時変化
率は±２０％以内に抑えられない。そして０．０１原子
％未満の添加では、その効果は見られない。
量が５原子％を越えたり、試料No.６０のようにｙが
１．０５を越えると、抵抗値の経時変化率を±２０％以
内に抑えられない。またＴｈＯ2の添加量も１０原子％
を越えると急速に焼結性が悪くなり、抵抗値の経時変化
率は±２０％以内に抑えられない。そして０．０１原子
％未満の添加では、その効果は見られない。
【００３１】（実施例４）以下本発明の第４の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３２】（化４）におけるＺｎＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、ＺｒＯ2をｘ、ｙ、ｚ、
ａ、ｂが表４に示す組成になるように、それぞれ所定料
秤量し、試料No.６１〜７３を作成した。
Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、ＺｒＯ2をｘ、ｙ、ｚ、
ａ、ｂが表４に示す組成になるように、それぞれ所定料
秤量し、試料No.６１〜７３を作成した。
【００３３】
【表４】
【００３４】実施例１と同様にして、サーミスタ素子１
を得て、それを図１に示す触媒温度検知用温度センサの
耐熱キャップ４内に組み込み、３００℃、６００℃、９
００℃における抵抗値を測定し、それを表４にＲ３０
０、Ｒ６００、Ｒ９００として示した。そして９００℃
で１０００時間の密閉耐久試験を行った後、３００℃に
おける抵抗値を測定し、その変化率を表４に示した。
を得て、それを図１に示す触媒温度検知用温度センサの
耐熱キャップ４内に組み込み、３００℃、６００℃、９
００℃における抵抗値を測定し、それを表４にＲ３０
０、Ｒ６００、Ｒ９００として示した。そして９００℃
で１０００時間の密閉耐久試験を行った後、３００℃に
おける抵抗値を測定し、その変化率を表４に示した。
【００３５】ＺｒＯ2、ＣａＯは主成分（化１）に固溶
せず、単独で粒界に析出する。表４に示す試料No.６
３、６７のようにＺｒＯ2の添加量が３０原子％を越え
焼結性が悪化したり、試料No.７３のようにｙの値が
１．０５を越えたりすると、抵抗値の経時変化率を±２
０％以内に抑えられない。そしてＺｒＯ2の添加量が
０．０１原子％未満では、その効果は何も見られない。
せず、単独で粒界に析出する。表４に示す試料No.６
３、６７のようにＺｒＯ2の添加量が３０原子％を越え
焼結性が悪化したり、試料No.７３のようにｙの値が
１．０５を越えたりすると、抵抗値の経時変化率を±２
０％以内に抑えられない。そしてＺｒＯ2の添加量が
０．０１原子％未満では、その効果は何も見られない。
【００３６】また、主成分（化１）の組成が一定である
ならば、ＺｒＯ2の添加量を調節することにより、幅広
く抵抗値をコントロールできる。
ならば、ＺｒＯ2の添加量を調節することにより、幅広
く抵抗値をコントロールできる。
【００３７】なお、上記実施例１〜５からもわかるよう
に本発明の温度センサに用いたサーミスタ材料は、環境
変化に強いものである。そこでディスク型やガラス封入
ディスク型やガラス封入する等形状を変えても温度セン
サとして十分使用できる。
に本発明の温度センサに用いたサーミスタ材料は、環境
変化に強いものである。そこでディスク型やガラス封入
ディスク型やガラス封入する等形状を変えても温度セン
サとして十分使用できる。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明の温度センサはサ
ーミスタ素子を（化１）で表されるスピネル型構造の酸
化物を用いて形成して緻密化をはかっている。そして同
一結晶中にＰ型半導体とＮ型半導体を混在させているの
で、酸素が失われても、抵抗値の経時変化率を小さく抑
えることができる。
ーミスタ素子を（化１）で表されるスピネル型構造の酸
化物を用いて形成して緻密化をはかっている。そして同
一結晶中にＰ型半導体とＮ型半導体を混在させているの
で、酸素が失われても、抵抗値の経時変化率を小さく抑
えることができる。
【図１】本発明の一実施例の触媒温度検知用温度センサ
の断面図
の断面図
【図２】本発明の一実施例のサーミスタ素子の斜視図
１ サーミスタ素子 ４ 耐熱キャップ
フロントページの続き (72)発明者 畑 拓興 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 金属製の耐熱キャップと、この耐熱キャ
ップ内に収納したサーミスタ素子と、このサーミスタ素
子に電気的に接続するとともに、前記耐熱キャップ外に
引出したリード線とを備え、前記サーミスタ素子を（化
１）で表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成し
た温度センサ。 【化１】 - 【請求項２】 （化１）の構成金属原子を１００原子％
としたとき、サーミスタ素子が（化２）で表される物質
を用いて形成された請求項１記載の温度センサ。 【化２】 - 【請求項３】 （化１）の構成金属原子を１００原子％
としたとき、サーミスタ素子が（化３）で表される物質
を用いて形成された請求項１記載の温度センサ。 【化３】 - 【請求項４】 （化１）の構成金属原子を１００原子％
としたとき、サーミスタ素子が（化４）で表される物質
を用いて形成された請求項１記載の温度センサ。 【化４】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067827A JP2985562B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5067827A JP2985562B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283311A true JPH06283311A (ja) | 1994-10-07 |
| JP2985562B2 JP2985562B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=13356176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5067827A Expired - Fee Related JP2985562B2 (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985562B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0783096A1 (en) * | 1996-01-08 | 1997-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature detecting apparatus |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP5067827A patent/JP2985562B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0783096A1 (en) * | 1996-01-08 | 1997-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature detecting apparatus |
| KR100245563B1 (ko) * | 1996-01-08 | 2000-03-02 | 모리시타 요이찌 | 온도검출장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2985562B2 (ja) | 1999-12-06 |
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