JP2985589B2 - 温度センサ - Google Patents
温度センサInfo
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- JP2985589B2 JP2985589B2 JP5176468A JP17646893A JP2985589B2 JP 2985589 B2 JP2985589 B2 JP 2985589B2 JP 5176468 A JP5176468 A JP 5176468A JP 17646893 A JP17646893 A JP 17646893A JP 2985589 B2 JP2985589 B2 JP 2985589B2
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば自動車の排気ガ
ス対策用触媒の温度を検知するのに用いる温度センサに
関するものである。
ス対策用触媒の温度を検知するのに用いる温度センサに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、環境問題や燃費向上等の要求によ
り、排気ガス対策用触媒が用いられているが、その触媒
性能を高めるには、触媒の温度を正確に測定する必要が
ある。そのためには、温度センサの抵抗値の経時変化率
を小さく、具体的には±２０％以内に抑えなくてはなら
ない。
り、排気ガス対策用触媒が用いられているが、その触媒
性能を高めるには、触媒の温度を正確に測定する必要が
ある。そのためには、温度センサの抵抗値の経時変化率
を小さく、具体的には±２０％以内に抑えなくてはなら
ない。
【０００３】従来、３００〜７００℃の温度を検知し、
１０００℃の耐熱性を有する温度センサに用いるサーミ
スタ素子は、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ）2Ｏ4系の酸化物を用い
て形成されていた。
１０００℃の耐熱性を有する温度センサに用いるサーミ
スタ素子は、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ）2Ｏ4系の酸化物を用い
て形成されていた。
【０００４】図２はサーミスタ素子の斜視図である。す
なわちこれはサーミスタ素子１に白金パイプ２ａ，２ｂ
を挿入後、焼成したものである。このサーミスタ素子１
を図１に示すごとく耐熱キャップ４内に密封し、触媒温
度検知用の温度センサを形成していた。なお前記白金パ
イプ２ａ，２ｂには二芯管３ａ，３ｂを溶接し、その中
にリード線を通すことにより、サーミスタ素子１から耐
熱キャップ４外にリード線を引出していた。
なわちこれはサーミスタ素子１に白金パイプ２ａ，２ｂ
を挿入後、焼成したものである。このサーミスタ素子１
を図１に示すごとく耐熱キャップ４内に密封し、触媒温
度検知用の温度センサを形成していた。なお前記白金パ
イプ２ａ，２ｂには二芯管３ａ，３ｂを溶接し、その中
にリード線を通すことにより、サーミスタ素子１から耐
熱キャップ４外にリード線を引出していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の構成で高温
になると、耐熱キャップ４を構成する金属原子が、耐熱
キャップ４内の酸素と結合し、この結果として耐熱キャ
ップ４内の酸素分圧が下がる。するとサーミスタ素子１
から酸素が放出され、平衡を保とうとする作用がおき
る。また、耐熱キャップ４から水素や一酸化炭素等の還
元性のガスが発生するとそれがサーミスタ素子１に吸着
され、酸素を奪い、中へ拡散することとなっていた。こ
のようにサーミスタ素子１の酸素が失われると構造が変
化してしまい、抵抗値の経時変化率を±２０％以内に抑
えることができないという問題点を有していた。
になると、耐熱キャップ４を構成する金属原子が、耐熱
キャップ４内の酸素と結合し、この結果として耐熱キャ
ップ４内の酸素分圧が下がる。するとサーミスタ素子１
から酸素が放出され、平衡を保とうとする作用がおき
る。また、耐熱キャップ４から水素や一酸化炭素等の還
元性のガスが発生するとそれがサーミスタ素子１に吸着
され、酸素を奪い、中へ拡散することとなっていた。こ
のようにサーミスタ素子１の酸素が失われると構造が変
化してしまい、抵抗値の経時変化率を±２０％以内に抑
えることができないという問題点を有していた。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、抵抗値の経時変化率を小さくすることができる温
度センサを提供することを目的とするものである。
ので、抵抗値の経時変化率を小さくすることができる温
度センサを提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の温度センサはサーミスタ素子を（化５）で
表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成したもの
である。
に、本発明の温度センサはサーミスタ素子を（化５）で
表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成したもの
である。
【０００８】
【化５】
【０００９】
【作用】この構成によると、Ｍｇ（Ａｌ，Ｃｒ）2Ｏ4ス
ピネル型固溶体の（Ａｌ，Ｃｒ）の一部がＭｎで置換さ
れる結果としてＭｎによる電気伝導が導入され、抵抗値
変化を抑えることができると思われる。
ピネル型固溶体の（Ａｌ，Ｃｒ）の一部がＭｎで置換さ
れる結果としてＭｎによる電気伝導が導入され、抵抗値
変化を抑えることができると思われる。
【００１０】また、（Ａｌ，Ｃｒ）の一部をＭｎに置換
することにより、サーミスタ素子が緻密になり、還元性
の吸着ガスが内部の酸素を奪いにくくすることができ
る。
することにより、サーミスタ素子が緻密になり、還元性
の吸着ガスが内部の酸素を奪いにくくすることができ
る。
【００１１】そしてこれらの結果として、抵抗値の経時
変化率の小さい温度センサを提供することができるもの
となる。
変化率の小さい温度センサを提供することができるもの
となる。
【００１２】
【実施例】（実施例１）以下本発明の一実施例について
図と表を参照しながら説明する。図１は触媒温度検知用
の温度センサの断面図である。従来と同じであるので同
一番号が付してある。
図と表を参照しながら説明する。図１は触媒温度検知用
の温度センサの断面図である。従来と同じであるので同
一番号が付してある。
【００１３】図２はサーミスタ素子１の斜視図である。
以下本発明の第１の実施例について説明する。
以下本発明の第１の実施例について説明する。
【００１４】（化５）におけるＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒ
2Ｏ3，Ｍｎ3Ｏ4をｘ，ｙ，ｚが（表１）に示す組成にな
るように所定量秤量し、試料１〜１４を作成した。
2Ｏ3，Ｍｎ3Ｏ4をｘ，ｙ，ｚが（表１）に示す組成にな
るように所定量秤量し、試料１〜１４を作成した。
【００１５】
【表１】
【００１６】まず試料１をボールミルで１６時間混合
し、１２００℃で仮焼後再びボールミルで１８時間粉砕
した。そして乾燥後１０重量％濃度のポリビニルアルコ
ール水溶液を全体の８重量％添加して造粒を行った。最
後に図２に示す形状に成形して、白金パイプ２ａ，２ｂ
を挿入後１６００℃で焼成した。試料Ｎｏ．２〜１４に
ついても同様の製造を行った。
し、１２００℃で仮焼後再びボールミルで１８時間粉砕
した。そして乾燥後１０重量％濃度のポリビニルアルコ
ール水溶液を全体の８重量％添加して造粒を行った。最
後に図２に示す形状に成形して、白金パイプ２ａ，２ｂ
を挿入後１６００℃で焼成した。試料Ｎｏ．２〜１４に
ついても同様の製造を行った。
【００１７】このようにして得られたサーミスタ素子１
を従来と同様にして図１に示す触媒温度検知用温度セン
サに組み込んだ。なお耐熱キャップ４、二芯管３ａ，３
ｂは耐熱材料であるＳＵＳ３１０Ｓで形成されている。
そして３００℃，６００℃，９００℃における抵抗値を
測定し、（表１）においてＲ３００，Ｒ６００，Ｒ９０
０で示した。また９００℃で１０００時間の密閉耐久試
験を行った後、３００℃における抵抗値を測定し、その
変化率を求めて（表１）にΔＲ３００として示した。
を従来と同様にして図１に示す触媒温度検知用温度セン
サに組み込んだ。なお耐熱キャップ４、二芯管３ａ，３
ｂは耐熱材料であるＳＵＳ３１０Ｓで形成されている。
そして３００℃，６００℃，９００℃における抵抗値を
測定し、（表１）においてＲ３００，Ｒ６００，Ｒ９０
０で示した。また９００℃で１０００時間の密閉耐久試
験を行った後、３００℃における抵抗値を測定し、その
変化率を求めて（表１）にΔＲ３００として示した。
【００１８】抵抗値変化率は（数１）を用いて算出し
た。
た。
【００１９】
【数１】
【００２０】表１の試料Ｎｏ．１１〜１４のように本発
明の請求の範囲外のものは、抵抗値変化率が７８〜２２
３％となり目安となる±２０％を大きく越えてしまう。
また試料Ｎｏ．１０，１４のようにＭｎ未置換のサーミ
スタ素子１はポーラスになり、粒界に還元性の吸着ガス
が入りやすくなり抵抗値変化率が目安となる±２０％を
越えてしまう。
明の請求の範囲外のものは、抵抗値変化率が７８〜２２
３％となり目安となる±２０％を大きく越えてしまう。
また試料Ｎｏ．１０，１４のようにＭｎ未置換のサーミ
スタ素子１はポーラスになり、粒界に還元性の吸着ガス
が入りやすくなり抵抗値変化率が目安となる±２０％を
越えてしまう。
【００２１】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について説明する。
について説明する。
【００２２】（化６）におけるＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒ
2Ｏ3，Ｍｎ3Ｏ4とＣａＣＯ3、希土類酸化物（Ｙ2Ｏ3，
Ｌａ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｐｒ6Ｏ11，Ｎｄ2Ｏ3，Ｓｍ2Ｏ3，
Ｅｕ 2Ｏ3，Ｇｄ2Ｏ3，Ｔｂ4Ｏ7，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，
Ｅｒ2Ｏ3，Ｔｍ2Ｏ3，Ｙｂ2Ｏ3，Ｌｕ2Ｏ3）をｘ，ｙ，
ｚ，ａ，ｂが（表２），（表３）に示す組成になるよう
に、それぞれ所定量秤量し、試料Ｎｏ．１５〜５４を作
成した。
2Ｏ3，Ｍｎ3Ｏ4とＣａＣＯ3、希土類酸化物（Ｙ2Ｏ3，
Ｌａ2Ｏ3，ＣｅＯ2，Ｐｒ6Ｏ11，Ｎｄ2Ｏ3，Ｓｍ2Ｏ3，
Ｅｕ 2Ｏ3，Ｇｄ2Ｏ3，Ｔｂ4Ｏ7，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，
Ｅｒ2Ｏ3，Ｔｍ2Ｏ3，Ｙｂ2Ｏ3，Ｌｕ2Ｏ3）をｘ，ｙ，
ｚ，ａ，ｂが（表２），（表３）に示す組成になるよう
に、それぞれ所定量秤量し、試料Ｎｏ．１５〜５４を作
成した。
【００２３】
【化６】
【００２４】
【表２】
【００２５】
【表３】
【００２６】そして（実施例１）と同様にして、サーミ
スタ素子１を得た。それを図１に示す触媒温度検知用の
温度センサの耐熱キャップ４内に密封し、３００℃，６
００℃，９００℃における抵抗値を測定し、それを（表
２），（表３）にＲ３００，Ｒ６００，Ｒ９００で示し
た。次に１０００℃で５００の時間の密閉耐久試験を行
った後、３００℃における抵抗値を測定し、変化率を
（数１）により求め（表２），（表３）にΔＲ３００で
示した。
スタ素子１を得た。それを図１に示す触媒温度検知用の
温度センサの耐熱キャップ４内に密封し、３００℃，６
００℃，９００℃における抵抗値を測定し、それを（表
２），（表３）にＲ３００，Ｒ６００，Ｒ９００で示し
た。次に１０００℃で５００の時間の密閉耐久試験を行
った後、３００℃における抵抗値を測定し、変化率を
（数１）により求め（表２），（表３）にΔＲ３００で
示した。
【００２７】本実施例においては、希土類酸化物とＣａ
Ｏを添加して、緻密化をはかり、還元性吸着ガスがサー
ミスタ素子１の酸素を奪い、中へ拡散するのを防いでい
る。その上耐熱性も向上している。なおＣａＯは主成分
（化５）と固溶せず単独で粒界に析出する。また希土類
酸化物はペロブスカイト構造をとる（ＲＥ）ＣｒＯ3と
して粒界に析出している。ＲＥは希土類元素を表してい
る。
Ｏを添加して、緻密化をはかり、還元性吸着ガスがサー
ミスタ素子１の酸素を奪い、中へ拡散するのを防いでい
る。その上耐熱性も向上している。なおＣａＯは主成分
（化５）と固溶せず単独で粒界に析出する。また希土類
酸化物はペロブスカイト構造をとる（ＲＥ）ＣｒＯ3と
して粒界に析出している。ＲＥは希土類元素を表してい
る。
【００２８】（表２），（表３）を見ると試料Ｎｏ．１
７，３２，５２のようにＣａＯの添加量が５原子％を越
えると、焼成中にＣａＯが飛散して高温サーミスタ素子
１はポーラスになる。そのため酸素を奪われやすくな
り、抵抗値の経時変化率が±２０％を越えてしまう。ま
た試料Ｎｏ．２５のように希土類酸化物の添加量が１０
原子％を越えると（ＲＥ）ＣｒＯ3の偏析の量が増加す
る。そのため主成分（化５）からＣｒが多量に失われ、
半導体特性のバランスが崩れ抵抗値の経時変化率が±２
０％を越えてしまう。そして試料Ｎｏ．３６のように添
加量が０．１原子％未満になると緻密化がはかれない。
ＣａＯの場合も同様である。その結果、抵抗値の経時変
化率を±２０％以内に抑えることができない。
７，３２，５２のようにＣａＯの添加量が５原子％を越
えると、焼成中にＣａＯが飛散して高温サーミスタ素子
１はポーラスになる。そのため酸素を奪われやすくな
り、抵抗値の経時変化率が±２０％を越えてしまう。ま
た試料Ｎｏ．２５のように希土類酸化物の添加量が１０
原子％を越えると（ＲＥ）ＣｒＯ3の偏析の量が増加す
る。そのため主成分（化５）からＣｒが多量に失われ、
半導体特性のバランスが崩れ抵抗値の経時変化率が±２
０％を越えてしまう。そして試料Ｎｏ．３６のように添
加量が０．１原子％未満になると緻密化がはかれない。
ＣａＯの場合も同様である。その結果、抵抗値の経時変
化率を±２０％以内に抑えることができない。
【００２９】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について説明する。
について説明する。
【００３０】（化７）におけるＭｇＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｃｒ
2Ｏ3，Ｍｎ3Ｏ4，ＣａＣＯ3，ＴｈＯ2をｘ，ｙ，ｚ，
ａ，ｂが（表４）に示す組成になるようにそれぞれ所定
量秤量し、試料Ｎｏ．５５〜６４を作成した。
2Ｏ3，Ｍｎ3Ｏ4，ＣａＣＯ3，ＴｈＯ2をｘ，ｙ，ｚ，
ａ，ｂが（表４）に示す組成になるようにそれぞれ所定
量秤量し、試料Ｎｏ．５５〜６４を作成した。
【００３１】
【化７】
【００３２】
【表４】
【００３３】そして実施例１の場合と同様にして、サー
ミスタ素子１を得て、それを図１に示す触媒温度検知用
の温度センサの耐熱キャップ４内に組み込み、３００
℃，６００℃，９００℃における抵抗値を測定し、（表
４）にＲ３００，Ｒ６００，Ｒ９００として示した。次
に１０００℃で５００時間の密封耐久試験を行った後、
３００℃における抵抗値を測定し、その変化率を（数
１）により求め、（表４）にΔＲ３００として示した。
（表４）を見るとわかるように実施例２と同様の効果が
ある。
ミスタ素子１を得て、それを図１に示す触媒温度検知用
の温度センサの耐熱キャップ４内に組み込み、３００
℃，６００℃，９００℃における抵抗値を測定し、（表
４）にＲ３００，Ｒ６００，Ｒ９００として示した。次
に１０００℃で５００時間の密封耐久試験を行った後、
３００℃における抵抗値を測定し、その変化率を（数
１）により求め、（表４）にΔＲ３００として示した。
（表４）を見るとわかるように実施例２と同様の効果が
ある。
【００３４】なおＣａＯ，ＴｈＯ2は主成分（化１）と
固溶せず、単独で粒界に析出する。またＴｈＯ2は還元
雰囲気に安定であるため、希土類酸化物と比較すると、
１０分の１の添加量でも同様の効果が得られる。
固溶せず、単独で粒界に析出する。またＴｈＯ2は還元
雰囲気に安定であるため、希土類酸化物と比較すると、
１０分の１の添加量でも同様の効果が得られる。
【００３５】しかし、試料Ｎｏ．６１のようにＴｈＯ2
が全く添加されないと効果が見られず、試料６４のよう
に１０原子％を越えると急速に焼結性が悪くなり、抵抗
値の経時変化率は±２０％以内に抑えられない。
が全く添加されないと効果が見られず、試料６４のよう
に１０原子％を越えると急速に焼結性が悪くなり、抵抗
値の経時変化率は±２０％以内に抑えられない。
【００３６】（実施例４）以下本発明の第４の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３７】（化８）におけるＺｎＯ，ＭｇＯ，Ａｌ2
Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＣａＣＯ3，ＺｒＯ2をｘ，ｙ，ｚ，
ａ，ｂが（表５）に示す組成になるように、それぞれ所
定量秤量し、試料Ｎｏ．６５〜７７を作成した。
Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＣａＣＯ3，ＺｒＯ2をｘ，ｙ，ｚ，
ａ，ｂが（表５）に示す組成になるように、それぞれ所
定量秤量し、試料Ｎｏ．６５〜７７を作成した。
【００３８】
【化８】
【００３９】
【表５】
【００４０】実施例１と同様にして、サーミスタ素子１
を得て、それを図１に示す触媒温度検知用温度センサの
耐熱キャップ４内に組み込み、３００℃，６００℃，９
００℃における抵抗値を測定し、それを（表５）にＲ３
００，Ｒ６００，Ｒ９００として示した。そして１００
０℃で５００時間の密閉耐久試験を行った後、３００℃
における抵抗値を測定し、その変化率を（表５）に示し
た。この場合もＺｒＯ 2を添加することにより実施例
２，３と同様耐熱性が向上する。試料Ｎｏ．６７のよう
にＺｒＯ2の添加量が３０原子％を越えると、焼結性が
悪化し抵抗値の経時変化率を±２０％以内に抑えられな
い。試料Ｎｏ．７１のようにＺｒＯ2の添加量が０．１
原子％未満だと何の効果も見られない。
を得て、それを図１に示す触媒温度検知用温度センサの
耐熱キャップ４内に組み込み、３００℃，６００℃，９
００℃における抵抗値を測定し、それを（表５）にＲ３
００，Ｒ６００，Ｒ９００として示した。そして１００
０℃で５００時間の密閉耐久試験を行った後、３００℃
における抵抗値を測定し、その変化率を（表５）に示し
た。この場合もＺｒＯ 2を添加することにより実施例
２，３と同様耐熱性が向上する。試料Ｎｏ．６７のよう
にＺｒＯ2の添加量が３０原子％を越えると、焼結性が
悪化し抵抗値の経時変化率を±２０％以内に抑えられな
い。試料Ｎｏ．７１のようにＺｒＯ2の添加量が０．１
原子％未満だと何の効果も見られない。
【００４１】また、主成分（化５）の組成が一定である
ならば、ＺｒＯ2の添加量を調節することにより、幅広
く抵抗値をコントロールできる。
ならば、ＺｒＯ2の添加量を調節することにより、幅広
く抵抗値をコントロールできる。
【００４２】なお、上記実施例１〜４からもわかるよう
に本発明の温度センサに用いたサーミスタ材料は、環境
変化に強いものである。そこでディスク型やガラス封入
ディスク型やガラス封入する等形状を変えても温度セン
サとして十分使用できる。
に本発明の温度センサに用いたサーミスタ材料は、環境
変化に強いものである。そこでディスク型やガラス封入
ディスク型やガラス封入する等形状を変えても温度セン
サとして十分使用できる。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明の温度センサはサ
ーミスタ素子を（化５）で表されるスピネル型構造の酸
化物を用いて形成し、緻密化をはかると共にＭｎによる
電気伝導を導入している。その結果、酸素が失われたと
しても抵抗値の経時変化率を小さく抑えることができ
る。
ーミスタ素子を（化５）で表されるスピネル型構造の酸
化物を用いて形成し、緻密化をはかると共にＭｎによる
電気伝導を導入している。その結果、酸素が失われたと
しても抵抗値の経時変化率を小さく抑えることができ
る。
【００４４】また、ＣａＯと希土類酸化物、酸化トリウ
ム、酸化ジルコニウムを添加することによりさらに、緻
密化をはかることができる。そして、サーミスタ素子の
耐熱性も向上する。
ム、酸化ジルコニウムを添加することによりさらに、緻
密化をはかることができる。そして、サーミスタ素子の
耐熱性も向上する。
【図１】本発明の一実施例の触媒温度検知用温度センサ
の断面図
の断面図
【図２】本発明の一実施例のサーミスタ素子の斜視図
１ サーミスタ素子 ２ａ，２ｂ 白金パイプ ４ 耐熱キャップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 畑 拓興 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭52−95093（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01C 7/02 - 7/22
Claims (4)
- 【請求項１】金属製の耐熱キャップと、この耐熱キャッ
プ内に設けたサーミスタ素子と、このサーミスタ素子に
電気的に接続されるとともに、前記耐熱キャップ外に引
出したリード線とを備え、前記サーミスタ素子を（化
１）で表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成し
た温度センサ。 【化１】 - 【請求項２】金属製の耐熱キャップと、この耐熱キャッ
プ内に設けたサーミスタ素子と、このサーミスタ素子に
電気的に接続されるとともに、前記耐熱キャップ外に引
出したリード線とを備え、前記サーミスタ素子を（化
２）で表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成し
た温度センサ。 【化２】 - 【請求項３】金属製の耐熱キャップと、この耐熱キャッ
プ内に設けたサーミスタ素子と、このサーミスタ素子に
電気的に接続されるとともに、前記耐熱キャップ外に引
出したリード線とを備え、前記サーミスタ素子を（化
３）で表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成し
た温度センサ。 【化３】 - 【請求項４】金属製の耐熱キャップと、この耐熱キャッ
プ内に設けたサーミスタ素子と、このサーミスタ素子に
電気的に接続されるとともに、前記耐熱キャップ外に引
出したリード線とを備え、前記サーミスタ素子を（化
４）で表されるスピネル型構造の酸化物を用いて形成し
た温度センサ。 【化４】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176468A JP2985589B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5176468A JP2985589B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 温度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737704A JPH0737704A (ja) | 1995-02-07 |
| JP2985589B2 true JP2985589B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=16014211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5176468A Expired - Fee Related JP2985589B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2985589B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE394334T1 (de) | 1998-11-06 | 2008-05-15 | Interface Inc | Kompaktes spulengatter |
| JP2006332192A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | 厚膜サーミスタ組成物とその製造方法並びに厚膜サーミスタ素子 |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP5176468A patent/JP2985589B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0737704A (ja) | 1995-02-07 |
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