JPH06263913A - 金属ミクロ構造体からのプラスチックの除去法 - Google Patents

金属ミクロ構造体からのプラスチックの除去法

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JPH06263913A
JPH06263913A JP6016549A JP1654994A JPH06263913A JP H06263913 A JPH06263913 A JP H06263913A JP 6016549 A JP6016549 A JP 6016549A JP 1654994 A JP1654994 A JP 1654994A JP H06263913 A JPH06263913 A JP H06263913A
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treated
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Holger Reinecke
ライネッケ ホルガー
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 金属ミクロ構造体からプラスチックを除去す
る新規方法を提供する。 【構成】 該方法は、ミクロ構造体を、標準圧での沸点
が130℃より高い液体を用いて、140℃より高い温
度で処理することよりなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特に高いアスペクト比
を有するミクロ構造からプラスチックを除去する方法に
関する。このような構造は、ミクロン範囲内の横寸法
で、数ミクロンからミリメータの範囲までの構造深さを
有する。
【0002】本発明は、ミクロ構造からプラスチックを
より好ましくかつより経済的に除去することを目的とす
る。
【0003】
【従来の技術】ミクロ構造は、種々の方法、例えばLI
GA法を用いて、又はミクロ機械的な精密加工により製
造することができる。該LIGA法は、リソグラフィ
ー、電鋳及び型どりの処理工程を包含する;これにより
大量のミクロ構造チップを精密に製造することができ
る。
【0004】リソグラフィー、有利にはX線−グラビア
リソグラフィーとしての製造工程では、感光性レジスト
として、例えば有利には架橋されるポリメチルメタクリ
レート(PMMA)が使用される。架橋していないPM
MAに比して、架橋されたPMMAはより良好に基板上
に付着し、より形状安定で、かつより好都合な機械的特
性並びに現像の際の高い選択性を有する。
【0005】電鋳で、リソグラフィー及び現像により製
造された一次構造中に、金属又は合金を電気的に析出さ
せる。成形(forming)プラスチック、例えば架橋され
たPMMAを、引続き金属ミクロ構造から除去する。該
処理工程が除層である。
【0006】難溶性の成形プラスチックでは、除層のた
めに侵食性化学溶剤を使用することが公知である。しか
しながら、その場合には、例えば銅、ニッケル、ニッケ
ル/コバルト合金又は金から成っていてよい金属ミクロ
構造の化学的変化を阻止しなければならない。難溶性の
成形プラスチックを、例えば沸騰トリフルオル酢酸を用
いてフルオル化し、引続きアセトンと塩酸からなる混合
物中に溶解させる際に、プラスチックが膨張する、この
ことにより金属ミクロ構造は損傷を受けるか又は分解さ
れる。
【0007】更に、成形プラスチックを電鋳後に新たに
フラッドライト様に照射し、これによりその溶解性を高
めることが公知である。このためにはシンクロトロン放
射、X線照射又はレーザー照射が必要である。該方法は
費用がかかる。適度に大きい放射出力の場合、該処理工
程は時間がかかる。しかしながら、その際、金属ミクロ
構造は変化しないままである。大きい輻射力、例えば高
エネルギーシンクロトロン照射の場合には、確かに照射
時間は短いが、しかしながら、その際、金属ミクロ構造
の表面が変化する。これによって生じた品質の劣化に
は、場合により費用のかかるミクロ構造の後処理が必要
である。照射中に、金属ミクロ構造を、確かにマスク又
は不活性ガスによりカバーすることができるが、しかし
ながらこれは設費及び製造技術的に費用がかかる。
【0008】更に、成形プラスチックを高温及び/又は
プラズマ中で除去することが公知がある。しかしなが
ら、該方法では、一般的にはミクロ構造体の金属又は合
金の特性、例えば硬さ、弾性モジュール等の変化を生じ
るか、又は部分的にミクロ構造体の完全な分解又はミク
ロ構造体の金属とポリマー又は周囲雰囲気との間に化学
的反応が生じる。
【0009】金属ミクロ構造を用いて、例えば射出成
形、反応注入成形又は熱成形によりプラスチックからな
るミクロ構造体が大量に型どりされる。プラスチックか
らなるミクロ構造体を剥離する際に、支障のある場合に
はプラスチックが金属ミクロ構造中に(部分的に)残留
することがある。このような場合にも、金属ミクロ構造
を新たに使用することができるように、プラスチックを
金属ミクロ構造から溶出すべきである。熱可塑性プラス
チック、特に非晶質のプラスチックに適した溶剤は公知
である。部分結晶質のプラスチックは、しばしば高温で
初めて溶解性になる。この場合にも、ほとんど適した溶
剤が知られていないか又は公知の溶剤ではミクロ構造を
侵食するような熱硬化性プラスチックが問題である。
【0010】除層の際の困難性に起因して、熱硬化性プ
ラスチック、例えば架橋PMMA、並びにエポキシ樹
脂、シリコーンゴム及びその他のプラスチックは、型ど
りにはほとんど使用されない。他方、このようなプラス
チックはしばしば使用技術的理由から需要が多い、それ
というもの該プラスチックは熱的及び化学的安定性に優
れているからである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、難溶性のプラスチックであっても金属ミクロ構造の
質に悪影響を与えずに、金属ミクロ構造からプラスチッ
クを容易に除去することができる方法を見出すことであ
った。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題は、金属ミクロ
構造体を、沸点が(標準圧で)130℃より高い液体を
用いて、140℃より高い温度で処理する方法により解
決される。
【0013】金属ミクロ構造体から溶融可能なプラスチ
ックを除去するためには、液体を用いて、プラスチック
の融点プラス20℃から該融点100℃未満の範囲内に
あり、かつ同時に液体の沸点マイナス50℃から該沸点
まで範囲内にある温度で処理する。
【0014】金属ミクロ構造体から溶融不能なプラスチ
ックを除去するためには、該構造体を液体を用いて14
0℃より高い温度で処理する。
【0015】ミクロ構造体は、液体を用いて処理する際
に液体の液相内又は蒸気相内のどちらかにあってよい。
該液体は高圧下にあってよい。
【0016】金属ミクロ構造体を液体の液相内で処理す
る場合には、同時に、例えば撹拌、超音波又はメガヘル
ツ領域の超音波(Megaschall)による機械的エネルギー
を供給することが好ましい。液体としては、高沸点の液
体、有利にはエチレングリコール、並びにそのオリゴマ
ー、ポリマー又は誘導体、プロパンジオール、ブタンジ
オール、ジカルボン酸のエステル、シリコーン油又はポ
リビニルアルコールが適している。該液体に金属塩、例
えば臭化亜鉛、臭化コバルト、酢酸銀又はラジカル形成
体、例えばクロルニトロソベンゼン、ベンゾイルペルオ
キシド又はビスアゾイソブチロニトリルを加えてもよ
い。
【0017】架橋PMMAを金属ミクロ構造体から除去
するためには、これらを例えばポリエチレングリコール
400を用いて、180℃より高い温度で、有利には2
20℃〜240℃で処理する。金属ミクロ構造体からポ
リオキシメチレンを除去するためには、該構造体を、例
えばジエチレングリコール/モノブチルエーテルを用い
て、190℃で処理する。
【0018】本発明による方法は、以下の利点を有す
る:金属ミクロ構造をリソグラフィーにより製造する際
に、(本発明による方法を使用しない限り)除層の際の
その挙動に起因して全く使用不能か又は条件付きで使用
可能であるにすぎなかったプラスチックを使用すること
ができる。
【0019】金属ミクロ構造を用いて、プラスチックか
らなるミクロ構造体を型どりする際に、従来プラスチッ
ク残留物をミクロ構造から除去する際の問題に起因して
全く使用不能か又は条件付きで使用可能であったにすぎ
ないプラスチックを使用することができる。
【0020】除層した金属ミクロ構造の質及びその使用
期間は、従来より明らかに向上する。
【0021】金属ミクロ構造の除層は、常法を用いた場
合よりもはるかに簡単かつ経済的である。
【0022】除去すべきプラスチックは、前記液体中で
実際に全く膨張しない、従って、このことによりミクロ
構造が破壊されるという危険が回避される。
【0023】前記の液体は、健康面で懸念がなくかつ処
理面では経済的である。該液体は、大体任意の割合で水
と混和可能である。該液体は、金属ミクロ構造を侵食し
ない。
【0024】液体中に含有されるプラスチックの残留物
は、液体を冷却する際にも析出しない。
【0025】該液体で処理したミクロ構造は、引続き完
全に脱塩した水で洗浄するだけである。
【0026】ミクロ構造体の材料特性を変化させる好ま
しくない温度は回避される。
【0027】プラスチックを除去するために使用した液
体は、問題なく廃棄処理することができる。
【0028】
【実施例】次に、本発明による方法を以下の実施例に付
き詳細に説明する。
【0029】例1:架橋PMMAにおけるポリエチレン
グリコールを用いたミクロ構造の除層 最小5μmの幅を有する架橋PMMA(Plexit 60, Fa.
Roehm , Darmstadt)に封入された銅からなる高さ13
5μmの金属ミクロ構造を、ポリエチレングリコール4
00( Fa. Merck , Darmstadt)中で230℃で密閉し
た容器中で処理した。65分後、ミクロ構造は完全に除
層された。
【0030】金属ミクロ構造は、構造の変化及び銅表面
の変化を全く示さなかった。
【0031】例2:エポキシド樹脂における琥珀酸ジブ
チル及び酢酸銀を用いたミクロ構造の除層 エポキシド樹脂に封入されたニッケル/コバルト合金か
らなる600μmより高い高さを有するミクロピラミッ
ドからなる金属ミクロ構造を、琥珀酸ジブチル中で1リ
ットル当り酢酸銀100mgを添加して、210℃で密
閉した容器中で処理した。60時間後、ミクロ構造は完
全に除層された。
【0032】該金属ミクロ構造は、構造の変化及び金属
表面での変化を全く示さなかった。
【0033】例3:ジエチレングリコール−モノブチル
エーテルを用いたミクロ構造の洗浄 横方向の寸法50μm及び2つの壁の間隔が最小8μm
を有するニッケルからなる高さ200μmの金属ミクロ
構造を、ポリオキシメチレンから約30個のミクロ構造
体を型どりするために使用したが、その際、プラスチッ
クの残留物で汚れた。
【0034】該構造をジエチレングリコール−モノブチ
ルエーテルで、190℃で蓋をした容器中で洗浄した。
15分後、該ミクロ構造は完全にプラスチック残留物不
含であった。
【0035】金属ミクロ構造は、構造の変化及びニッケ
ル表面の変化を示さなかった。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属ミクロ構造体からプラスチックを除
    去する方法において、金属ミクロ構造体を、標準圧での
    沸点が130℃より高い液体を用いて、140℃より高
    い温度で処理することを特徴とする、金属ミクロ構造体
    からのプラスチックの除去法。
  2. 【請求項2】 金属ミクロ構造体から溶融可能なプラス
    チックを除去するために、金属ミクロ構造体を液体を用
    いて、プラスチックの融点プラス20℃から該融点プラ
    ス100℃未満の範囲内にあり、かつ同時に液体の沸点
    マイナス50℃から該沸点までの範囲内にある温度で処
    理する、請求項1記載の方法。
  3. 【請求項3】 金属ミクロ構造体から溶融不能なプラス
    チックを除去するために、金属ミクロ構造体を液体を用
    いて140℃より高い温度で処理する、請求項1記載の
    方法。
  4. 【請求項4】 金属ミクロ構造体を、液体の液相又は蒸
    気相で、場合により高圧で処理する、請求項1から3ま
    でのいずれか1項記載の方法。
  5. 【請求項5】 金属ミクロ構造体を、液相で同時に機械
    的エネルギーを供給しながら処理する、請求項1から4
    までのいずれか1項記載の方法。
  6. 【請求項6】 金属ミクロ構造体を、高沸点物質、並び
    にそのオリゴマー、ポリマー又は誘導体、プロパンジオ
    ール、ブタンジオール、ジカルボン酸のエステル、ポリ
    ビニルアルコール又はシリコーン油を用いて処理する請
    求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
  7. 【請求項7】 金属ミクロ構造体を液体を用いて、金属
    塩、例えば臭化亜鉛、臭化コバルト、酢酸銀、又はラジ
    カル形成体、例えばクロルニトロソベンゼン、ベンゾイ
    ルペルオキシド、ビスアゾイソブチルニトリルを添加し
    ながら処理する、請求項1から6までのいずれか1項記
    載の方法。
  8. 【請求項8】 金属ミクロ構造体から架橋したポリメチ
    ルメタクリレートを除去するために、金属ミクロ構造体
    をポリエチレングリコールを用いて160℃より高い温
    度で処理する、請求項1及び3から7までのいずれか1
    項記載の方法。
  9. 【請求項9】 金属ミクロ構造体からポリオキシメチレ
    ンを除去するために、金属ミクロ構造体を、ジエチレン
    グリコール/モノブチルエーテルを用いて190℃で処
    理する、請求項1又は2及び4から7までのいずれか1
    項記載の方法。
JP6016549A 1993-02-10 1994-02-10 金属ミクロ構造体からのプラスチックの除去法 Pending JPH06263913A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4303923.5 1993-02-10
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EP (1) EP0613053B1 (ja)
JP (1) JPH06263913A (ja)
KR (1) KR100322640B1 (ja)
CA (1) CA2115192A1 (ja)
DE (2) DE4303923A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0485609A1 (en) * 1989-11-14 1992-05-20 Namiki Precision Jewel Co., Ltd. Optical isolator

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5842787A (en) * 1997-10-09 1998-12-01 Caliper Technologies Corporation Microfluidic systems incorporating varied channel dimensions
DE19813235C2 (de) * 1998-03-26 2002-03-07 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Verfahren zum Entfernen mindestens eines organischen Stoffs von einer metallischen Oberfläche
KR100771264B1 (ko) * 2001-05-12 2007-10-29 엘지전자 주식회사 스크립트 파일이 포함 기록된 기록매체와, 그 재생장치 및방법
US7459127B2 (en) * 2002-02-26 2008-12-02 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Method and apparatus for precise transfer and manipulation of fluids by centrifugal and/or capillary forces
US7125711B2 (en) * 2002-12-19 2006-10-24 Bayer Healthcare Llc Method and apparatus for splitting of specimens into multiple channels of a microfluidic device
US7094354B2 (en) * 2002-12-19 2006-08-22 Bayer Healthcare Llc Method and apparatus for separation of particles in a microfluidic device
US7435381B2 (en) * 2003-05-29 2008-10-14 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Packaging of microfluidic devices
US20080257754A1 (en) * 2003-06-27 2008-10-23 Pugia Michael J Method and apparatus for entry of specimens into a microfluidic device
US20040265172A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Pugia Michael J. Method and apparatus for entry and storage of specimens into a microfluidic device
US20040265171A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Pugia Michael J. Method for uniform application of fluid into a reactive reagent area
US7347617B2 (en) * 2003-08-19 2008-03-25 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Mixing in microfluidic devices
DE102016015198A1 (de) * 2016-12-21 2018-06-21 Apk Ag Lösungsmittel sowie Verfahren zum Lösen eines Kunststoffes von einem Feststoff innerhalb einer Suspension
CN117872693A (zh) * 2024-03-13 2024-04-12 深圳市松柏科工股份有限公司 正胶剥离液、正胶剥离液的制备方法及其应用

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1621664A1 (de) * 1966-11-04 1971-06-24 Telefunken Patent Loesungsmittel zum Abloesen aetzbestaendiger Photolackschichten
US3873361A (en) * 1973-11-29 1975-03-25 Ibm Method of depositing thin film utilizing a lift-off mask
DE2454399C2 (de) * 1974-11-16 1981-09-24 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Ablösemittel für Fotolacke
US4111715A (en) * 1976-03-15 1978-09-05 Westinghouse Electric Corp. Apparatus and method for chemically removing plastics
US4165294A (en) * 1976-11-08 1979-08-21 Allied Chemical Corporation Phenol-free and chlorinated hydrocarbon-free photoresist stripper comprising surfactant and hydrotropic aromatic sulfonic acids
DE2916700A1 (de) * 1979-04-25 1980-10-30 Metzeler Kautschuk Trennmittel zum ausformen von kunststoffen, insbesondere polyurethan-kunststoffen
GB2173918B (en) * 1985-03-29 1988-11-02 Laporte Industries Ltd Stripping solutions for positive photoresists
DE3537441A1 (de) * 1985-10-22 1987-04-23 Hoechst Ag Loesemittel zum entfernen von photoresists
US5091103A (en) * 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US5186797A (en) * 1991-02-13 1993-02-16 Future Automation, Inc. Method and system for removing resin bleed from electronic components
US5318677A (en) * 1991-02-13 1994-06-07 Future Automation, Inc. Process and solutions for removing resin bleed from electronic components

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0485609A1 (en) * 1989-11-14 1992-05-20 Namiki Precision Jewel Co., Ltd. Optical isolator
EP0485609B1 (en) * 1989-11-14 1996-01-31 Namiki Precision Jewel Co., Ltd. Optical isolator

Also Published As

Publication number Publication date
EP0613053A1 (de) 1994-08-31
DE4303923A1 (de) 1994-08-11
CA2115192A1 (en) 1994-08-11
KR100322640B1 (ko) 2002-06-20
US5631303A (en) 1997-05-20
EP0613053B1 (de) 2000-04-05
KR940019778A (ko) 1994-09-15
DE59409259D1 (de) 2000-05-11

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