KR100322640B1 - 미세구조물로부터플라스틱물질을제거하는방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 미세 구조물로부터 플라스틱 물질을 제거하는 방법에 관한 것이다.
현재, 플라스틱 물질은 조사에 의해, 그리고 경우에 따라, 예를 들면, 공격성 용매로 처리하거나 승온에서 처리함으로써 금속성 미세 구조물로부터 제거하고, 이러한 방법은 미세 구조물의 품질을 손상시킬 수 있거나 미세 구조물을 상당히 변화 또는 파괴할 수 있다. 본 발명의 신규한 방법은 플라스틱 물질을 쉽게 제거할 수 있다.
금속성 미세 구조물을 140℃를 초과하는 온도에서 고비점 유체로 10 내지 90분 동안 처리한 다음, 물로 헹구어낸다, 적합한 유체는 에틸렌 글리콜, 단쇄 디올 또는 디카복실산 에스테르의 올리고머이다. 이러한 유체는 금속을 손상시키지 않으며, 제거될 플라스틱 물질이 팽윤되는 것을 방지한다.
금속성 미세 구조물을 제조하고 금속성 미세 구조물을 사용함으로써 플라스틱 물질으로부터 미세 구조물 소자를 주형하는 방법은 그 자체로는 바람직하지만, 본 발명의 신규한 방법이 사용되지 않는 경우에는 사용이 불가능하거나 단지 제한적으로만 사용되는 플라스틱 물질을 사용하여 수행할 수 있을 뿐이다.

Description

미세 구조물로부터 플라스틱 물질을 제거하는 방법
본 발명은 미세 구조물(microstructure), 특히 고폭비(aspect ratio)가 큰 미세 구조물로부터 플라스틱 물질을 제거하는 방법에 관한 것이다. 이러한 종류의 구조물은 높이가 수 μ 내지 mm 범위이고, 폭이 μ 범위인 구조를 갖는다.
본 발명은 더욱 적절하고 경제적으로 미세 구조물로부터 플라스틱 물질을 제거하는데 목적이 있다.
미세 구조물은 다양한 공정, 예를 들면, LIGA(LIthographie, Galvanoformung, Abformtechnik) 공정을 사용하거나 미세기계적 정밀 작업 (MicroMechanical precision machining)에 의해 제조할 수 있다. LIGA 공정은 리토그래피 단계, 도금(electroforming) 단계 및 주형 단계와 같은 가공 단계를 포함하고, 이러한 공정은 다양한 미세 구조물을 정밀 제조하기 위해 사용할 수 있다.
리토그래피 제작 단계에 있어서, 바람직하게는 X-선 리토그래피에 있어서, 사용되는 방사선 민감성 내식막은, 예를 들면, 바람직하게는 가교결합된, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)를 사용하여 제조한다. 가교결합된 PMMA를 가교결합되지 않은 PMMA와 비교해보면, 가교결합된 PMMA가 기판에 대해 보다 양호하게 접착하고, 형상이 더욱 안정하며, 현상하는 동안 더욱 유용한 기계적 특성 및 보다 높은 선택성을 나타낸다.
도금 단계 도중에, 금속 또는 합금은 리토그래피법 또는 현상에 의해 제조된 주 구조물에 전기화학적으로 침착된다. 이어서, 형상-제공 플라스틱 물질, 예를 들면, 가교결합된 PMMA를 금속성 미세구조물로부터 제거한다. 이러한 공정 단계는 탈층화 단계이다.
용해도가 낮은 형상-제공 플라스틱 물질의 경우, 탈층화를 위해 공격적인 화학 용매를 사용하는 것이 공지되어 있다. 그러나, 예를 들면, 구리, 니켈, 니켈/코발트 합금 또는 금을 포함할 수 있는 금속성 미세 구조물의 화학적 변형을 방지해야만 한다. 용해도가 낮은 형상-제공 플라스틱 물질을, 예를 들면, 비등 트리플루오로아세트산을 사용하여 불소화시킨 후, 아세톤과 염산의 혼합물에 용해시키는 동안, 플라스틱 물질이 팽창되어 금속성 미세 구조물을 손상시키거나 파괴한다.
또한, 도금 단계후 형상-제공 플라스틱 물질에 투광조명 방식으로 재조사하여 이의 용해도를 증가시키는 방법도 공지되어 있는데, 이러한 목적을 위해서는 싱크로트론 방사선, X-방사선 또는 레이저 방사선이 필요하다. 이러한 공정은 복잡하다. 적절하게 높은 방사선을 출력시키는 경우, 이러한 공정 단계를 수행하는 데에는 시간이 많이 소모된다. 그러나, 금속성 미세 구조물은 변화하지 않고 잔류한다. 높은 방사선을 출력시키는 경우, 예를 들면, 고에너지 싱크로트론 방사선을 출력시키는 경우, 방사 시간은 분명히 단축되나, 금속성 미세 구조물의 표면은 변화된다. 특성이 변화된 결과, 미세 구조물을 재사용하기 위해서는 복잡한 가공공정이 필요하다. 금속성 미세 구조물을, 조사(irradiation)시키는 동안, 마스크 또는 불활성 기체로 커버링할 수 있으나, 이러한 공정에는 복잡한 장치 및 제조 기술이 필요하다.
또한, 형상-제공 플라스틱 물질을 승온에서 제거하고/하거나 플라스마 (plasma)로 제거하는 방법도 공지되어 있다. 그러나, 미세 구조물 소자의 금속 또는 합금의, 특히 예를 들어 경도, 탄성 모듈러스 등의 특성이 총체적으로 변화되거나, 미세 구조물 소자가 일부 영역에서 총체적으로 파괴되거나, 화학 반응이 미세구조물 소자의 금속과 중합체 또는 주위 대기 사이에서 발생한다.
금속성 미세 구조물을 이용하여, 다수의 플라스틱 물질로부터, 예를 들면, 사출 성형, 반응 사출 성형 또는 열성형에 의해 미세 구조물 소자를 주형한다. 플라스틱 물질을 사용하여 제조된 미세 구조물 소자를 이형시키는 동안, 플라스틱 물질은, 잘못하면, 금속성 미세 구조물에 점착성 물질을 (부분적으로) 잔류시킬 수 있다. 이러한 경우에 있어서도, 금속성 미세 구조물로부터 플라스틱 물질을 제거하여야만 미세 구조물을 재사용할 수 있다. 열가소성 물질, 특히 무정형 플라스틱 물질에 대해 적합한 용매는 이미 공지되어 있다. 부분 결정성 플라스틱 물질은 주로 승온에서만 가용성이다. 또한, 이러한 경우에 있어서의 문제점은 열정화성 물질에 있고, 이에 대해 적합한 용매는 보통 공지되어 있지 않거나 공지된 용매는 금속성 미세 구조물을 손상시킨다.
탈층화 도중에 발생되는 문제점 때문에, 열경화성 물질(예: 가교결합된 PMMA), 에폭시 수지, 실리콘 고무 및 기타 플라스틱 물질은 주형용으로 거의 사용되지 않는다. 이에 반해, 상기한 종류의 플라스틱 물질은 열적 및 화화적 내성을 갖는다는 것이 특징이어서, 적용 용도에 따라 자주 요구된다.
따라서, 본 발명의 목적은 금속성 미세 구조물의 품질을 손상시키지 않으면서 금속성 미세 구조물로부터 플라스틱 물질, 심지어는 용해도가 낮은 플라스틱 물질을 간단한 방법으로 제거할 수 있는 방법을 발견하는데 있다.
당해 목적은 금속성 미세 구조물 소자를 140℃를 초과하는 온도에서 대기압에서의 비점이 130℃를 초과하는 유체로 처리하는 본 발명에 따르는 방법에 의해 성취된다.
금속성 미세 구조물 소자로부터 가용성 플라스틱 물질을 제거하기 위해, 당해 소자를 플라스틱 물질의 융점으로부터 20℃ 아래인 온도로부터 플라스틱 물질의 융점으로부터 100℃ 위인 범위의 온도에서, 그리고 사실상 유체의 비점으로부터 50℃ 아래인 온도로부터 유체의 비점 범위의 온도에서 유체로 처리한다.
금속성 미세 구조물 소자로부터 불용성 플라스틱 물질을 제거하기 위해, 이러한 소자를 140℃를 초과하는 온도에서 유체로 처리한다.
유체로 처리하는 동안, 미세 구조물 소자는 액상 또는 증기상 유체내에 존재할 수 있다. 유체는 초대기압하에서 처리할 수 있다.
금속성 미세 구조물 소자를 액상 유체 속에서 처리하는 동안, 기계적 에너지를, 예를 들면, 교반, 초음파 또는 메가사운드(megasound)에 의해 적용하는 것이 유리하다. 적합한 유체는 고비점 액체, 바람직하게는 에틸렌 글리콜 및 이의 올리고머, 중합체 또는 유도체, 프로판디올, 부탄디올, 디카복실산의 에스테르, 실리콘오일 또는 폴리비닐 알콜이다. 예를 들어 브롬화 아연, 브롬화 코발트 또는 아세트산온과 같은 금속염 또는 예를 들어 클로로니트로소벤젠, 벤조일 퍼옥사이드 또는 비스아조이소부티로니트릴과 같은 유리 라디칼 형성제를 유체에 가할 수 있다.
금속성 미세 구조물 소자로부터 가교결합된 PMMA를 제거하기 위해, 금속성 미세 구조물 소자를 180℃를 초과하는 온도, 바람직하게는 220℃ 내지 240℃의 온도에서. 예를 들면. 폴리에틸렌 글리콜 400으로 처리한다. 금속성 미세 구조물 소자로부터 폴리옥시메틸렌을 제거하기 위해, 후자를 190℃에서, 예를 들면, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르로 처리한다.
본 발명에 따른 공정은 아래와 같은 잇점이 있다.
- 석판 인쇄법에 의해 금속성 미세 구조물을 제조하는 방법은, 본 발명에 따르는 공정을 이용하지 않는 한 탈층화 도중에 이들의 거동으로 인해 사용 불가능하거나 제한적으로만 사용되는 플라스틱 물질을 사용하여 수행할 수 있다.
- 금속성 미세 구조물을 사용함으로써 플라스틱 물질으로부터 미세 구조물 소자를 주형하는 방법은 지금까지 미세 구조물로부터 플라스틱 잔류물을 제거하는 동안에 발생되는 문제점 때문에 사용 불가능하거나 제한적으로만 사용되는 플라스틱 물질을 사용하여 수행할 수 있다.
- 탈층화된 금속성 미세 구조물의 품질 및 이의 수명은 기존의 것보다 상당히 우수하다.
- 금속성 미세 구조물의 탈층화는 기존의 공지된 방법을 사용하는 경우보다 훨씬 단순하고 경제적이다.
- 제거되는 플라스틱 물질은 상기 유체에서 사실상 패윤되지 않고, 따라서 미세 구조물의 파손 위험을 감소시킨다.
- 상기 유체는 건강 또는 공정에 대한 위험이 존재하지 않고 저렴하다. 이들은 물과의 혼화성이 매우 뛰어나다. 이들은 금속성 미세 구조물에 손상을 주지 않는다.
- 유체에 존재하는 플라스틱 잔류물은 유체를 냉각시킨 경우에 조차 침전되지 않는다.
- 유체로 처리된 미세 구조물은 후속적으로 탈염수를 사용하여 완전히 헹구어낼 수 있다.
- 미세 구조물 소자의 물질 특성을 변화시키는 임계 온도는 피한다.
- 플라스틱 물질을 제거하기 위해 사용된 유체는 아무런 문제점을 일으키지 않고 제거될 수 있다.
본 발명에 따르는 방법을 아래 실시예를 통해 더욱 상세히 설명하고자 한다.
실시예 1:
폴리에틸렌 글리콜에 의한 가교결합된 PMMA 중의 미세 구조물의 탈층화
가교결합된 PMMA[다름슈타트(Darmstadt) 소재의 룀(Rohm)사 제품, 플렉시트 (Plexit) 60]에 합입되어 있고 높이가 135㎛이고 최소 폭이 5㎛인 구리의 금속성 미세 구조물을 230℃의 밀폐 용기내에서 폴리에틸렌 글리콜 400[다름슈타트 소재의 머크(Merk)사 제품]으로 처리한다. 65분 후, 미세 구조물을 완전히 탈층화시킨다.
금속성 미세 구조물은 구조적인 변화를 나타내지 않으며, 구리 표면에서의변화도 없다.
실시예 2:
디부틸 석시네이트 및 아세트산은에 의한 에폭시 수지중의 미세 구조물의 탈층화
니켈/코발트 합금으로부터 제조된 것으로서, 높이가 600㎛를 초과하는 미세피라미드를 포함하고 에폭시 수지에 함입된 금속성 미세 구조물을 210℃의 밀폐 용기내에서 아세트산은 100mg/ℓ을 첨가하면서 디부틸 석시네이트로 처리한다. 60분후, 미세 구조물을 완전히 탈층화시킨다.
금속성 미세 구조물은 구조적 변화를 나타내지 않으며, 금속 표면에서의 변화도 없다.
실시예 3:
디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르에 의한 미세 구조물의 세정
니켈로부터 제조된 것으로서, 높이가 200㎛이며, 폭이 50㎛이고 2개 벽 사이의 최소 폭이 8㎛인 금속성 미세 구조물을 사용하여 폴리옥시 메틸렌으로부터 약 30개의 미세 구조물 소자를 주형하고 플라스틱 잔류물로 오염시킨다.
이러한 구조물은 190℃의 밀폐 용기내에서 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르로 헹구어낸다. 15분후, 이러한 미세 구조물로부터 플라스틱 잔류물이 완전히 제거된다.
금속성 미세 구조물은 구조적 변화를 나타내지 않으며, 니켈 표면에서의 변화도 없다.

Claims (11)

  1. 고폭비(aspect ratio)가 4 이상인 금속성 미세 구조물(microstructure) 소자를 140℃를 초과하는 온도에서 대기압에서의 비점이 130℃를 초과하고 형상-제공 플라스틱 물질을 팽윤시키지 않는 극성 용매로 필수적으로 이루어진 유체로 처리함을 특징으로 하여, 금속성 미세 구조물 소자로부터 플라스틱 물질을 제거하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가 플라스틱 물질의 융점으로부터 20℃ 아래인 온도로부터 플라스틱 물질의 융점으로부터 100℃ 위인 범위인 동시에 유체의 비점으로부터 50℃ 아래인 온도로부터 유체의 비점의 범위인 온도에서 플라스틱 물질을 팽윤시키지 않는 유체로 처리됨을 특징으로 하여, 금속성 미세 구조물 소자로부터 가용성(fusible) 플라스틱 물질이 제거되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가 140℃를 초과하는 온도에서 플라스틱 물질을 팽윤시키지 않는 유체로 처리됨을 특징으로 하여, 금속성 미세 구조물 소자로부터 불용성(infusible) 플라스틱 물질이 제거되는 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가 플라스틱 물질을 팽윤시키지 않는 액상 또는 증기상의 유체속에서 처리됨을 특징으로하는 방법.
  5. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가, 교반, 초음파 또는 메가사운드를 포함하는 기계 에너지를 투입하면서 플라스틱 물질을 팽윤시키지 않는 액상의 유체 속에서 처리됨을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가 에틸렌 글리콜 또는 이의 올리고머, 중합체 또는 유도체, 프로판디올, 부탄디올, 디카복실산의 에스테르, 폴리비닐 알콜 및 실리콘 오일로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 고비점 유체로 처리됨을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가, 르롬화 아연, 브롬화 코발트 또는 아세트산은을 포함하는 금속 염 또는 클로로니트로소벤젠, 벤조일 퍼옥사이드 또는 비스아조이소부티로니트릴을 포함하는 유리 라디칼 형성제를 첨가하면서 플라스틱 물질을 팽윤시키지 않는 유체로 처리됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가 160℃를 초과하는 온도에서 폴리에틸렌 글리콜로 처리됨을 특징으로 하여, 금속성 미세 구조물 소자로부터 가교결합된 폴리메틸 메타크릴레이트가 제거되는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가 190℃에서 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르로 처리됨을 특징으로 하여, 금속성 미세 구조물 소자로부터 폴리옥시메틸렌이 제거되는 방법.
  10. 제4항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가 초대기압에서 처리됨을 특징으로 하는 방법.
  11. 제8항에 있어서, 금속성 미세 구조물 소자가 210℃ 내지 240℃에서 폴리에틸렌 글리콜로 처리됨을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771264B1 (ko) * 2001-05-12 2007-10-29 엘지전자 주식회사 스크립트 파일이 포함 기록된 기록매체와, 그 재생장치 및방법

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2564689B2 (ja) * 1989-11-14 1996-12-18 並木精密宝石株式会社 光アイソレータの製造方法
US5842787A (en) * 1997-10-09 1998-12-01 Caliper Technologies Corporation Microfluidic systems incorporating varied channel dimensions
DE19813235C2 (de) * 1998-03-26 2002-03-07 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Verfahren zum Entfernen mindestens eines organischen Stoffs von einer metallischen Oberfläche
US7459127B2 (en) * 2002-02-26 2008-12-02 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Method and apparatus for precise transfer and manipulation of fluids by centrifugal and/or capillary forces
US7125711B2 (en) * 2002-12-19 2006-10-24 Bayer Healthcare Llc Method and apparatus for splitting of specimens into multiple channels of a microfluidic device
US7094354B2 (en) * 2002-12-19 2006-08-22 Bayer Healthcare Llc Method and apparatus for separation of particles in a microfluidic device
US7435381B2 (en) * 2003-05-29 2008-10-14 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Packaging of microfluidic devices
US20080257754A1 (en) * 2003-06-27 2008-10-23 Pugia Michael J Method and apparatus for entry of specimens into a microfluidic device
US20040265172A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Pugia Michael J. Method and apparatus for entry and storage of specimens into a microfluidic device
US20040265171A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Pugia Michael J. Method for uniform application of fluid into a reactive reagent area
US7347617B2 (en) * 2003-08-19 2008-03-25 Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Mixing in microfluidic devices
DE102016015198A1 (de) * 2016-12-21 2018-06-21 Apk Ag Lösungsmittel sowie Verfahren zum Lösen eines Kunststoffes von einem Feststoff innerhalb einer Suspension
CN117872693A (zh) * 2024-03-13 2024-04-12 深圳市松柏科工股份有限公司 正胶剥离液、正胶剥离液的制备方法及其应用

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1621664A1 (de) * 1966-11-04 1971-06-24 Telefunken Patent Loesungsmittel zum Abloesen aetzbestaendiger Photolackschichten

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3873361A (en) * 1973-11-29 1975-03-25 Ibm Method of depositing thin film utilizing a lift-off mask
DE2454399C2 (de) * 1974-11-16 1981-09-24 Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt Ablösemittel für Fotolacke
US4111715A (en) * 1976-03-15 1978-09-05 Westinghouse Electric Corp. Apparatus and method for chemically removing plastics
US4165294A (en) * 1976-11-08 1979-08-21 Allied Chemical Corporation Phenol-free and chlorinated hydrocarbon-free photoresist stripper comprising surfactant and hydrotropic aromatic sulfonic acids
DE2916700A1 (de) * 1979-04-25 1980-10-30 Metzeler Kautschuk Trennmittel zum ausformen von kunststoffen, insbesondere polyurethan-kunststoffen
GB2173918B (en) * 1985-03-29 1988-11-02 Laporte Industries Ltd Stripping solutions for positive photoresists
DE3537441A1 (de) * 1985-10-22 1987-04-23 Hoechst Ag Loesemittel zum entfernen von photoresists
US5091103A (en) * 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US5186797A (en) * 1991-02-13 1993-02-16 Future Automation, Inc. Method and system for removing resin bleed from electronic components
US5318677A (en) * 1991-02-13 1994-06-07 Future Automation, Inc. Process and solutions for removing resin bleed from electronic components

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1621664A1 (de) * 1966-11-04 1971-06-24 Telefunken Patent Loesungsmittel zum Abloesen aetzbestaendiger Photolackschichten

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771264B1 (ko) * 2001-05-12 2007-10-29 엘지전자 주식회사 스크립트 파일이 포함 기록된 기록매체와, 그 재생장치 및방법

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