DE1621664A1 - Loesungsmittel zum Abloesen aetzbestaendiger Photolackschichten - Google Patents
Loesungsmittel zum Abloesen aetzbestaendiger PhotolackschichtenInfo
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
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Description
- "Lösungsmittel zum Ablösen ätzbeständiger Photolackschichten" Die Erfindung betrifft ein Lösungsmittel zum Ablösen ätzbeständiger Photolackschichten, das erfindungsgemäß aus einem Gemisch aus_halogenierten Karbonsäuren. und aromatischen Kohlenwasserstoffen besteht. Es sind im Handel Photolacke erhältlich, die vor allem zur Herstellung strukturierter Metallbeläge oder Metallfolien. verwendet werden. Dazu wird auf die zunächst unstrukturierte Metallschicht oder Metallfolie ein.Photolacküberzug aufgebracht, dessen nicht zu entfernenden Teile unter Verwendung einer Maske belichtet werden. Die nicht belichteten Teile des Photolacks können in einem Entwickler antfernt werden, so daß der hierdurch freigelegte Teil der zu strukturierenden Substanz in einer Ätzlösung entfernt werden kann. Der auf der zu strukturierenden Schicht verbleibende Photolack muß äußerst ätzresistentsein, damit die von-ihm bedeckten Teile in derÄtzlösung auch wirksam geschützt werden. Nach dem Ätzprozeß muß dieser belichtete und gegebenenfalls ausgehärtete Photolackbelag wieder entfernt werden, was nun durch dessen Ätzbeständigkeit sehr schwierig ist. Zur Entfernung des Photolackbelagen wurde bisher ein in Trichloräthylen, in Xylol oder in Tolual getränktes weiches Tuch verwendet, mit dem der Lack von der strukturierten Schicht oder Folie abgerieben wird. Diese Arbeit muß mit der Hand ausgeführt werden und ist durch die Giftigkeit der verwendeten Stoffe äußerst unangenehm und gesundheitsschädlich. Außerdem wirkt sich bei dieser Methode sehr nachteilig aus, daß Lackreste in den Ecken der geätzten Strukturen zurückbleiben. Es hat sich nun erwiesen, daß durch die erfindungsgemäßen Lösungsmittel aus Mischungen halogenierter Karbonsäuren und aromatischer Kohlenwasserstoffe die ätzresistenten Photolackschichten vollständig,und auf einfache Weise entfernt werden können. Dazu werden die geätzten Strukturen mit dem darauf befindlichen Photolackbelag in einen Topf mit dem Lösungsmittel getaucht und darin einige Minuten gekocht. Dieses Verfahren läßt sich besonders vorteilhaft bei der Herstellung von Kontaktierungsstreifen für Halbleiter-Bauelemente und bei Leitbahnsystemen für gedruckte oder integrierte Schaltungen anwenden. Als Teil des Lösungsmittels für die ätzbeständigen Photolackschichten eignet sich unter den Karbonsäuren beispielsweise die Essigsäure mit der Strukturformel- . die mit einem der Halogene Chlor, Bromr Fluor oder Jod zu halogenieren ist, was bei einer Halogenierung mit Chlor je nach der Zahl der durch das Halogen ersetzten Wasserstoffatome in der.CH3-Gruppe Mono-- D- oder Trichloressigsäure ergibt. Eine oder mehrere dieser Substanzen kann nun mit einem aromatischen Kohlenwasserstoff wie Xylol mit der Summenformel C8H1o oder Toluol mit der Summenformel C7 H8 zu einer die Photolackschicht lösenden Mischung zusammengesetzt werden. Die Erfindung soll noch durch zwei Ausführungsbeispiele erläutert werden. 1. Zur Lösung eines belichteten oder ausgehärteten Photolacks, der im Handel unter der Bezeichnung KPCR (Kodak Printed Circuit Resist) bekannt ist, wird eine Lösung aus 1oya Monochloressigsäure mit der Strukturformel und 9o% Xylol oder Toluol verwendet. Die mit dem Photo- lack bedeckten Materialien werden in ein Gefäß mit die- ser Lösung getaucht und dort mehrere Minuten bei der Sie- detemperatur des Lösungsmittels von da. 14ooC gekocht. 2. Zur Lösung eines belichteten oder ausgehärteten Photo- lacks, der im Handel unter der Bezeichnung KMER (Kodak Metal- Etch Resist) bekannt geworden ist, wird die im Beispiel 1 angegebene Lösunggmiachung verwendet, der aber noch etwa 5 bis loP/o Di- oder Trichloressigsäure zugesetzt wird: Dichloressgsäure hat die Strukturformel Trchloresaigsäure hat die Strukturformel Es können als Teile der Lösungssubstanz anstelle der genannten Essigsäure auch andere Karbonsäuren verwendet werden, die dann mit einem der aufgeführten Halogene zu halogenieren sind.
- Bei dem erfindungsgemäßen Lösungsmittel zum Ablösen von Photolackschichten wirkt-sich besonders. vorteilhaft aus, daß das Ablösen nicht mehr manuell und mit Hilfe von Tüchern-geschieht, da dabei die Gefahr bestand, daß, Teile-der Strukturen zerstört oder beschädigt werden. Dies führte zu einer unerwünschten und die Fertigung verteuernden Ausfallquote, was bei dem erfindungsgemäßen Lösungsmittel nicht mehr der Fall ist.
Claims (4)
- P a t e n t a n s p r ü c h e 1) Lösungsmittel zum Ablösen ätzbeständiger Photolack- -schichten, dadurch gekennzeichnet, daß es aus einem Gemisch, aus halogenierten Karbonsäuren und aromatischen Kohlenwasserstoffen besteht.
- 2) Lösungsmittel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es aus einem Gemisch aus halogenierter Essigsäure und aromatischen Kohlenwasserstoffen besteht.
- 3) Lösungsmittel nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es aus leine Gemisch aus Monochloressigsäure und einem R aromatischen -Ko`lenwasserstoff besteht.
- 4) Lösungsmittel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß es aus einem Gemisch aus 1o96 Monochloressigsäure und 9o% Xylol besteht. 5-) Lösungsmittel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß es aus einem Gemisch aus 1o% Monochloressigsäure und 9o96 Toluol besteht. Lösungsmittel nach Anspruch 4 und 5, dadurch gekenn- zeichnet, daß dem Gemisch aus Monochloressigsäure und Xylol bzw. Toluol 5 bis lo% Di- bzw. Trichloressigsäure zugesetzt wird. -7) Lösungsmittel nach einem der vorangehenden Ansprüche, ge- kennzeichnet durch seine :Anwendung auf belichtete Photo- lacke, die im Handel unter den Bezeichnungen KPCR (Kodak Printed Circut Resist) und KMER (Kodak Metal- Etch Resist) erhältlich sind
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DET0032445 | 1966-11-04 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE1621664A1 true DE1621664A1 (de) | 1971-06-24 |
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ID=7557042
Family Applications (1)
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DE19661621664 Pending DE1621664A1 (de) | 1966-11-04 | 1966-11-04 | Loesungsmittel zum Abloesen aetzbestaendiger Photolackschichten |
Country Status (1)
Country | Link |
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DE (1) | DE1621664A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0536747A2 (de) * | 1991-10-11 | 1993-04-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenkarbonsäuren als Reinigungsmittel bei der Herstellung integrierter Schaltkreise und Verfahren zu deren Verwendung |
EP0613053A1 (de) * | 1993-02-10 | 1994-08-31 | MICROPARTS GESELLSCHAFT FÜR MIKROSTRUKTURTECHNIK mbH | Verfahren zum Beseitigen von Kunststoffen aus Mikrostrukturen |
-
1966
- 1966-11-04 DE DE19661621664 patent/DE1621664A1/de active Pending
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EP0536747A2 (de) * | 1991-10-11 | 1993-04-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenkarbonsäuren als Reinigungsmittel bei der Herstellung integrierter Schaltkreise und Verfahren zu deren Verwendung |
EP0536747A3 (en) * | 1991-10-11 | 1993-05-26 | Air Products And Chemicals, Inc. | Halogenated carboxylic acid cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same |
EP0613053A1 (de) * | 1993-02-10 | 1994-08-31 | MICROPARTS GESELLSCHAFT FÜR MIKROSTRUKTURTECHNIK mbH | Verfahren zum Beseitigen von Kunststoffen aus Mikrostrukturen |
US5631303A (en) * | 1993-02-10 | 1997-05-20 | Microparts | Process for removing plastics from microstructures |
KR100322640B1 (ko) * | 1993-02-10 | 2002-06-20 | 라이너베크중 | 미세구조물로부터플라스틱물질을제거하는방법 |
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