JPS5836040B2 - 除去用組成体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は基板からエポキシ組戒体を除去するのに適した
組成体に係り、更に具体的にはＩＣチップ・モジュール
のための背面のシールとして用いられるエポキシ組成体
を除去するための組或体に係る。

更に本発明は除去組成体を用いるプロセスに係る。

本発明は基板から硬化されたエボキシ組成体を除去する
ことを可能とするものであって、モジュールを破壊した
り悪影響を与えたりすることなくＩＣモジュールからエ
ポキシ組威体を険幸Ｓそことを可能ならしめるものであ
る。

従って本発明によってエポキシを除去することひいては
キャップを除去することが可能となり、よってキャリャ
の背面上における所望の工程を実施することができる。

従って、本発明によってＩＣモジュールの部品を節約し
且つ部品を再使用することができる。

更にはキャップは本発明の組成体によって損傷をうけな
いので、再使用が可能である。

本発明は基板から硬化されたエポキシ紹成体を除去する
ためのプロセスに係り、そのプロセスは約１１０℃以上
において沸騰する多量の有機環式アルコール並びに少量
の表面活性剤を含む組成体に対して基板を接触させる工
程を含む。

更に本発明は多量の約１１０℃以上で沸騰する有機環式
アルコール並びに少量のイオン・フルオロカーボン表面
活性剤を含む除去用組戒体に関する。

本発明は更に多量の約１１０℃以上において沸騰する有
機環式アルコール、少量の約１１０℃以上において沸騰
する別の有機溶剤並びに少量のサーファクタントを含む
除去用組成体に係る。

他の有機溶剤は環式及びもしくは少なくとも１つのＯＨ
グループ及びもしくは少なくとも１つのケトン・グルー
プを含む。

本発明に従って用いられる液体有機アルコールは環式ア
ルコールでなければならず、およそ１１０００以上にお
いて沸騰しなければならない。

環式アルコールはシクロヒドロカルビル（ｃｙｃｌｏｈ
’ｙｄｒｏ −ｃａｒｂｙｌ ）であって、芳香族、シ
クロ脂肪族並びにテルペン環を含む。

アルコールは約１３０℃以上で沸騰しモして一価アルコ
ールであることが好ましい。

アルコールはモノサイクリックなものであって、環にお
いて５個もしくは６個の炭素原子を含むものが好ましい
。

環式アルコールの環部は飽和した状態であることも可能
であり或いは部分的にもしくは完全にエチレンに関して
非飽和の状態であることができる。

適当なアルコールの例としては、ベンジン・アルコール
、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、ジフエニ
ル・カルビナール（ ｂｅｎｚｈｙｄｒｏｌ）、α−フ
エニルエタノール、β−フエニルエタノール並びにテル
ペン・アルコールが含まれる。

アルコールは組成体において多量に存在し、重量比で少
なくともおよそ６０％の量存在することが好ましい。

アルコールの更に好ましい量としては組成体全体の重量
比で少なくとも７５％であることが好ましい。

組成体は更に表面活性剤（清浄剤及ひもしくは乳化剤）
を含まねばならない。

表面活性剤はアルコールと組合わされることによってエ
ポキシ組戒体の非常に敏速な除去を可能ならしめること
が見出された。

表面活性剤がない場合、アルコールは極めてゆっくりと
エポキシ組成体を除去するにすぎない。

また表面活性剤は除去の速度を相当増大させるが、表面
活性剤のみが硬化されたエポキシ組或体を除去するため
に用いられる場合、それ自体は何の効果も呈しない。

表面活性剤は非イオン、両性、陽イオンもしくは好まし
くは陰イオンを呈するものでありうる。

表面活性剤の混合物及び異なったタイプのものが所望な
らば用いられてもよい。

非イオン表面活性剤の例としては高級脂肪族アルコール
、アルキル・フェノール、カルボン酸、アミド、アミン
並びにスルホンアミドを伴なうアルキレン酸化物縮合生
戒物が含まれる。

イオン表面活性剤の例としては、高級（ Ｃａ −Ｃｔ
ｓ ）脂肪酸スルホン酸もしくはその塩（例えばそのナ
トリウム、カリウム及びアンモニウム塩）が含まれる。

１つの特定のスルホン酸はオレイン酸スルホン酸塩のナ
トリウム塩である。

もう１つのイオン表面活性剤は一般式ＲＮＨＲ’ ＣＯ
ＯＨ（Ｒは８乃至１８個の炭素原子を有する脂肪族であ
りＲ′は１乃至８個の炭素原子を有するアルキル族及び
その塩である）。

Ｒは高級脂肪族であることが好ましく、Ｒ′は１乃至４
個の炭素原子を有することが好ましい。

適当な塩はナトリウム、カリウム及びアンモニウム塩を
含む。

このタイプの特定の表面活性剤（サーファクタント）は
Ｎ−ｃｏｃｏベータアミン・プロピオネート（Ｎ− ｃ
ｏｃｏ ｂｅｔａａｍｉｎｅｐｒｏｐｉｎａｔｅ ）の
ナトリウム塩である。

イオン表面活性剤の他の例としては、アルキル・ベンゼ
ン・スルホン酸及びそのアルカリ金属もしくはアンモニ
ウム塩がある。

望ましいアルキル・ベンゼン・スルホン酸はドデシルベ
ンゼン・スルホン酸のようなアルキル基において８乃至
１８個の炭素原子を有する線状アルキル・ベンゼン・ス
ルホン酸である。

本発明において用いるべき１つの好ましいイオン表面活
性剤はラウリル硫酸ナトリウムである。

本発明に従って用いられる最も好ましい表面活性剤はフ
ルオロカーボン・サーファクタントである。

本発明に従って用いられるフルオロカーボン表面活性剤
はその講造体においてフルオレン或分及び溶解基を含む
有機材料である。

溶解基という用語は、表面活性剤に対して水溶性及びも
しくは油溶性並びにイオン特性（陰イオン性もしくは陽
イオン性）を与える成分を表わすために用いられる。

本発明のための適当なフルオロカーボン表面活性剤はＵ
ＳＰ２８０３６５６、ＵＳＰ３７３０７８２及びＵＳＰ
３７３４７９１において詳しく示されている。

本発明のために適したイオン・フルオロカーボン表面活
性剤は循環基（ ＣＦ２）を含み、次に示す一般式で表
わされる。

ＹＣＦ２（ＣＦ２）ｐＸ ここでＸは以下において定義されるような溶解基であり
、ＹはＨもしくはＦのようなフルオロカーボン鎖を成端
させるために必要な成分であって、ｐは正の整数である
。

溶解化成分は陰イオンもしくは陽イオン特性を有する任
意の基からなる。

陽イオン特性という用語は溶解化基によって正の電荷が
運ばれることを示し、陰イオン特性という用語は溶解化
基によって負の電荷が運ばれることを示す。

本発明において用いられるイオン・フルオロカーボンは
分子として考えることができ、その一端は溶解化官能基
（好ましくは陰イオン性）であり他端は最少４個の炭素
原子を含むフルオロカーボン基よりなる。

代表的なイオン・フルオロカーボン・サーファクタント
は第４アンモニウム・フルオロカーボン化合物、アンモ
ニウム・フルオロカルボキシレート、パーフルオ口カル
ボキシリル酸及びフルオロカルボンスルホンアミドアル
カノール並びにフルオロカーボンスルホンアミドアルカ
ノールの硫酸塩もしくはホスホネート（ ｐｈｏｓｐｈ
ｏｎａｔｅ）よりなる。

本発明に従って用いることのできる一群のフルオロカー
ボン表面活性剤は１つの端部の水素原子を除いて親油基
の炭素鎖が完全に弗素化されたパーフルオロカルボキシ
ル酸である。

そのような表面活性剤は次の一般式で表わされうる。

ＨＣＦ２（ＣＦ２）ｓＣＯＯＨ ここでＳは５乃至８が好ましい。

それの塩例えば金属塩を用いることも可能である。

陰イオン・フルオロカルボンスルホンアミドアルカノー
ル表面活性剤は次の式で表わされる。

ＲｆＳＯ２Ｎ（Ｒ′）ＲＣＨ２０Ｈ Ｒｆはパーフルオロカーボン尾部を与える４乃至１２個
の炭素原子を含むパーフルオロアルキル基である。

Ｒは１乃至１２個の炭素原子を含むアルキレン架橋基で
ある。

Ｒ′は水素原子もしくは１乃至６個の炭素原子を含むア
ルキル基（メチル、エチル、プロビル、ブチル、アミル
もしくはヘキシル）である。

硫酸の中間エステルであるこれらのアルコールの対応す
るサルフエート酸エステルは次の式を有する。

ＲｆＳＯ２Ｎ（Ｒ′）ＲＣＨ２０ＳＯ３Ｈ石鹸化合物を
形成するために中間エステルを中性化するところの金属
もしくはアンモニウム置換体によってサルフエート酸基
の水素原子が置換されるところの対応するサルフエート
塩エステルは次の式を有する。

ＲｆＳＯ２Ｎ（Ｒ′）ＲＣＨ２０Ｓ０３ＭＭはナトリウ
ム及びカリウムを含むアルカリ金属のような金属もしく
はアンモニウム・イオンである。

上記のアルコールの対応するリン酸エステルは次の式に
よって表わすことができる。

ＲｆＳＯ２Ｎ（Ｒ′）ＲＣＨ２０Ｐ（ＯＨ）２更にリン
酸基の水素原子の一方もしくは両方を石鹸化合物を形成
するためにナトリウム及びカリウムを含むアルカリ金属
のような金属によって及びもしくはアンモニウム置換体
によって置換することができる。

本発明に従って用いることのできる一群のイオン・フル
オロカーボン表面活性剤は親油基の炭素鎖が完全にフツ
フ化されたパーフルオロカルボキシリル酸である。

そのような表面活性剤は次の式によって表わすことがで
きる。

ＣＦｓ（ＣＨ２：ｌ）ＩＣＯＯＨ ｔは４乃至ｌ１であり、好ましくは４乃至８である。

それの塩（例えば金属塩）を用いることも可能である。

第４アンモニウム陽イオン・フルオロカーボン表面活性
剤は次の式によって表わすことができる。

Ｃ ｎＦ ２ ｎ＋Ｉ ＣＯＮＨＣ２ Ｈｅ Ｎ（ Ｃ
Ｈｓ ）ｑＣｒＨ２ｒ＋１Ｘ ｎは好ましくは６乃至９であり、ｑは２乃至３であり、
ｒは０乃至２であることが好ましい。

Ｘは任意のハライドを表わす。

上記の群における２つの特定な材料の例としては次の式
で表わされるものである。

Ｃ７Ｆ１，ＣＯＮＨＣ２Ｈ６Ｎ（ＣＨ３）２Ｃ２Ｈ５Ｃ
ｌ及びＣ７Ｆ１，ＣＯＮＨＣ２Ｈ６Ｎ（ＣＨ３）２■他
の群の陽イオン・フルオロカーボン表面活性剤は次の式
で表わされるＣ−９及びＣ−１１アンモニウム・フルオ
ロカルボキシレートを含む。

Ｈ（ＣＦ２）ｎＣＯＯＮＨ４ ここでｎは８もしくは１０に等しい。

フルオロカーボン表面活性剤は例えば３Ｍ社の商品名Ｆ
Ｃ−１３４及びＦＣ−１２８として入手することができ
る。

ＦＣ−１３４として得られるサーファクタントは次の式
を有する。

Ｆ（ＦＣ２）７ＣＯＮＨＣ３Ｈ６Ｎ（Ｃ２Ｈ，）２ＣＨ
３■ＦＣ−１２８として得られるサーファククントは以
下に示す式の少なくとも１つによって表わされるものと
信じられる。

Ｃ，Ｆ１１ＣＯＯＨ１Ｃ９Ｆ１，ＣＯＯＨ及びＣＦ３〔
ＣＦ２〕７ＳＯ２ＮＣＣＨ２ＣＨ３〕ＣＨ２ＣＨ２０Ｐ
（ＯＨ）２ 表面活性剤はエポキシ組戒体の除去を加速させるに十分
な量用いられる。

その量は通常は少なくとも組或体の重量比で約０．０５
％、好ましくは少なくともおよそ重量比で０．１％であ
る。

通常は主として経済的及び実用的な見地からして組戒体
のおよそ重量比で１５％を越える表面活性剤の量は用い
られない。

表面活性剤の好ましい範囲は組成体の総重量に基づいて
重量比でおよそ０，１％乃至およそ２．５％である。

基板からエポキシ組戒体を除去するよう加速することに
加えて、表面活性剤は使用後における例えば水による基
板からの組戒体のリンスを促進させることができる。

アルコール及び表面活性剤に加えて、本発明の組或体は
約１１０℃以上で沸騰するところの補助的な有機溶剤を
含むことも可能である。

そのような選択的に用いうる溶剤が芳香族化合物もしく
はシクロ脂肪族化合物を含むシクロヒドロカルピル化合
物のような環式化合物であることが好ましく、及びもし
くは水酸基を含む、及びもしくはケトンであることが好
ましい。

本発明の組成体に用いることができるこれらの付加的有
機溶剤の例としてはシクロヘキサノン、フェノール、キ
シレン、グリセリン、カタコール並びにトリエタノラミ
ンのようなアミン・アルコールが含まれる。

有機溶剤が用いられる場合、この溶剤は絹或体の総重量
の少なくとも５％の量であって最大約３５％、好ましく
は約１０乃至約３５％の量が用いられる。

本発明に従って取扱われる基板はセラミック基板のよう
なＩＣモジュールの調製に一般的に用いられる基板即ち
キャリアを含む。

セラミックは地質材に対する熱の作用によって作られた
生成物である。

好ましいセラミック基板は二酸化アルミニウム、シリコ
ン酸化物、及び珪酸アルミニウムのような珪酸塩を含む
。

基板から取り除かれるべき硬化された即ち熱硬化された
エポキシ組或体はエポキシが主要な結合剤である任意の
絹或体でありうる。

本発明に従って任意の硬化されたエポキシ・ポリマを処
理することができる。

その一例としては硬化されたエビクロロヒドリンービス
フェノール−Ａエポキシである。

エポキシは酸及び酸無水物のような公知のエポキシド硬
化剤でもって通常硬化される。

勿論エポキシ組成体はプラスチサイザ、可撓性付与剤、
安定化剤、充填剤、ピグメント等を含むことができる。

しかしながらエポキシは支配的であり、また多くの場合
において本発明に従って除去される組戊体における唯一
の結合剤であるので、それに含まれる他の成分の存在は
本発明の性質を変更するものではない。

更に、本発明がＩＣモジュールを取扱うために用いられ
る場合、基板は回路カードもしくはボードへの挿入のた
めに基板の１つの表面から突出するようにＩ／Ｏピンが
挿入されるところの予め形成された孔を含みうる。

そのピンはまた他の側面即ち背面からわずかに突出され
、背面における回路と接触し、ひいては基板の背面に取
り付けられたＩＣチップへ接続される。

例えばチップは公知の半田技術によって取り付けること
ができる。

モジュールのピンは従来技術において知られたＩ／Ｏピ
ンの任意のものであってもよく、ここにおいては詳細に
は説明されない。

適当なピンＱつ例としては金メッキ・ピン及び錫一鉛半
田で被覆されたピンがある。

基板に対して配置されるキャップは例えばアルミニウム
のような金属であることが好ましく、基板の背面特にチ
ップを機械的な損傷から保護するために用いられる。

キャップの壁部は基板の寸法とぴったり合うように作ら
れる。

チップが内部に配置された状態でキャップが取り付けら
れ、被覆組或体が塗布される。

この場合被覆組成体は基板をキャップの内側へ密封状態
に付着させる。

これによって基板の背面は周囲の環境から密閉される。

またキャップはチップがキャップの内部の底面と物理的
に接触しないようにチップ・キャリャが配置されるとこ
ろの隔離手段を含みうる。

更にモジュールをキャップへ挿入する前に、モジュール
の背面に対してＩＣチップを含む背面を腐食及びエレク
トロマイグレーションから保護するための上部密封被覆
体でもって被覆することができる。

１つのタイプの上部密封被覆体は、バインダーとしてポ
リイミド・ポリマを含む組戒体を硬化させることによっ
て得られる。

ポリイミドはポリマ鎖の酸基を有するアミド体の縮合に
よ ポリマ鎖に沿ってイミド基を含むいわゆるポリアミ
ドもしくはポリアミド酸から実質的に硬化されたポリマ
である。

公知のそのようなポリマは少なくとも１つのジアミンを
少なくとも１つのポリカリボキシル酸及びもしくはその
酸無水物及びもしくはエステルと反応させることによっ
て調製される。

、上記から明らかな如く、本発明の組戒体はエポキシ組
成体を除去し得なければならないだけではなく、Ｉ／Ｏ
ピン、基板、硬化されたポリイミド上部密封被覆体、キ
ャップ、シリコンもしくは多結晶シリコンから得られる
チップ等のＩＣモジュールにおいて存在する広い範囲の
他の材料に対して悪影響を与えてはならない。

本発明の組成体はたとえ完全ではなくとも実質的に水を
含まないことが好ましい。

本発明の組或体は約２％以下好ましくは重量比で約０．
３％以下の水しか含まない。

この量は吸湿性の故に組戒体の所要戒分の少なくとも１
つによって組戒体内に持ち込まれた水の量を含む。

セラミック基板を取扱う場合には水の存在は望ましくな
い。

なぜならば本発明において用いられる通常の動作温度に
おいては水が蒸発して基板の孔内に捕獲された状態を呈
するからである。

ひいてはこれは腐食を呈し、信頼度上の問題が生じる。

本発明の組成体は使用される動作温度においては液体で
あって、通常の室温においては液体であることが望まし
く、約５センチストークスより大きくない粘度を有する
ことが好ましい。

本発明の組或体は約１００°Ｃ乃至約２００゜Ｃであっ
て好ましくは約１２０℃乃至約２００℃の高い温度にお
いて用いられる。

周囲の温度のような低い温度を用いることはエボキシ組
成体を除去するためには効果的ではない。

紹成体を除去するための接触時間は除去されるとき被覆
体の厚さに幾分依存し、また用いられる特定の除去組成
体に依存する。

例えば、約０．２５４ＣｒｒＬの被覆体の場合には上記
の高い温度における除去のために約３乃至約４時間が必
要である。

一方約０．１２７ｎｍの厚さの被覆体の場合には、上記
の高い温度における除去のために約５乃至約３０分必要
である。

更に除去組成体との接触は積極的に攪拌を行なうことに
よって実施されることが好ましい。

例えばこれは支持されるべき基板が付けられるべきタン
クにおける組或体を金属のブレードでもって急速に攪拌
すること（例えば約１００乃至２５００ｒｐｍ）によっ
て実施することができる。

攪拌は例えば約２乃至約３００ｐｓｉの圧力でもって基
板上に組成体をスブレイすることによっても達成するこ
とができる。

溶剤組戒体との接触の後で、基板は組成体と適合した溶
剤でもってリンスすることができる。

またもしも所望ならば基板が熱い空気もしくは冷たい空
気でもって吹き付けることによって乾燥することができ
る。

典型的なリンス工程は約１乃至２分間にわたって通常の
室温においてＮ−メチル・ピロリドンに対して基板を接
触させ、続いて約３０乃至３５秒間水でもってリンスし
そして約１５乃至６０秒間にわたって脱イオン水でリン
スする工程を含む。

以上の説明は主としてＩＣモジュールの処理に関して説
明されたが、本発明は基板からエポキシ組戒体を除去す
ることが必要とされる一般的な基板を取扱う場合も適応
することができることを理解されたい。

以上において本発明を更に詳しく説明するための実施例
が示される。

例１ 重量比およそ１００部のベンジル・アルコール及び重量
比１部のＦＣ−１２８が除去組成体を与えるために混合
された。

約１４５℃の組成体を含む容器内にＩ／Ｏピンは突出し
た、アルミニウム・キャップに対して背面がシールされ
た複数個のセラミックＩＣモジュールが漬けられた。

モジュールはその背面において多結晶シリコンチップを
有し、また硬化されたポリイミド組成体の上部密封部を
有する。

セラミック基板は硬化されたエポキシド組成体によって
アルミニウム・キャップに対して気密的に密封されてい
る。

セラミック基板はその上にクロム及び銅のメタラージイ
を有するＡｌ２０３基板である。

幾つかのモジュールは金メツキされたＩ／Ｏピンを有し
、他のモジュールは錫鉛半田被覆されたピンを有し、更
に他のモジュールは銅のピンを有する。

硬化されたエポキシド組成体は、約４７，６％の重量比
のビスフェノールーＡエビクロルヒドリン・エポキシ・
ポリマ、約５２重量比％の３Ｍ社から得られる可撓性付
与剤及び硬質化剤の部分（重量比約１５％乃至約４９％
のへキサヒドロフタル酸無水物硬質比剤、重量比約４０
％乃至８５％のポリオキシプロピレン・グリコール、重
量比０．８５％乃至１％の三元アミン、並びにヘキサビ
ドロフタル酸無水物の加水分解から生じた少量のへキサ
ヒドロフタル酸を含む。

）並びに商品名Ｈｙｓｏｌとして得られる重量比約２％
の緑色剤部（重量比約８０％がＥｐｏｎ ８ ２ ８で
あり、約２０％は２酸化チタン・ピグメント・キャリャ
における塩化銅フタルシアミン染料である。

）を含む組成体の硬化によって得られる。

エポキシ・ポリマーは、Ｅｐｏｎ８２８として得られる
１８５乃至１９２のエポキシ等価重量を有し、２５℃に
おける１００００乃至１５０００センチポイズの粘度を
有するビスフェノールーＡ及びエビクロルヒドリンのジ
グリシリルエーテルである。

被覆体の厚さはおよそ０．８９ｍｍである。被覆体は約
４時間にわたっておよそ１００℃に加熱され、続いて更
に４時間にわたっておよそ１５０℃に加熱されることに
よって硬化された。

エポキシ紹成体の全部が約４５分乃至約６０分の間に基
板から除去された。

更に、約３００乃至約４０Ｏｒｐｍの積極的な攪拌を用
いることによって上記の工程を繰り返すことによって約
２０分乃至約４０分でエポキシの全てを除去することが
できた。

更に、約１分間室温においてモジュールをＮ一メチル・
ピロリドンと接触させ、約３０乃至約３５秒間室温にお
いて水と接触させ更に約１５乃至６０秒間室温において
脱イオン水と接触させることによってリンスされた。

例２ 例１の全体的な手順が繰り返された。

但し用いられた組成体は重量比約８０％のベンジル・ア
ルコール、約１９％のフェノール及び約１％のＦＣ−１
２８を含んだ。

約３００乃至４ ０ ０ ｒｐｍの積極的な攪拌を行な
うことによって、約１７５℃の温度において組成体が用
いられる場合、硬化されたエポキシ組成体は約３時間で
基板から除去され、微量のエポキシが残留したにすぎな
い。

モジュールからのキャップの分離が容易に行なわれた。

例３ 工程Ａ 組戒体が約６６重量部のベンジル・アルコール、約３３
重量部のフェノール及び／重量部のＦＣ１２８を含む点
を除いて全体として例１と同じ手順が繰り返された。

モジュールが周囲温度において約１２０時間にわたって
組成体の中に漬けられた。

しかしながら、組成体に対して接触されることによって
エポキシの背面密封部が幾分か軟化したが、キャップは
基板から分離されなかった。

加えて３００乃至４００ｒｐｍの急速な攪拌を用いるこ
とによって同じような接触が実施されたが、これによっ
て１２０時間の接触時間の間にエポキシがわずかに一部
分だけが除去されたにすぎなかった。

工程Ｂ 上記の工程Ａが繰り返された。

但し除去用の組成体は約１００℃に加熱され、約３００
乃至４００ｒｐｍの積極的な攪拌が行なわれた。

上記のタイプのモシュールが組成体に漬けられた。

エポキシ背面密封部は約４乃至５時間で除去され、微量
のエポキシが残留したにすぎなかった。

基板が容易にキャップから分離された。

王程Ｃ 組成体が約１５０℃に加熱されたこと以外は工程Ａが繰
り返された。

上記のタイプのモジュールが組成体に漬けられ積極的に
攪拌された。

エポキシは約２時間で除去され、微量のエポキシが残留
するにすぎなかった。

基板はキャップから容易に除去された。

王程Ｄ 上記の組成体が約１７０℃に加熱されること以外は工程
Ａと同じ工程が繰り返された。

上記のタイプのモジュールが組成体に漬けられ積極的に
攪拌された。

エボキシ組成体は約１乃至１／２時間で除去され、微量
の組戒体か残留したにすぎなかった。

温度を約２００℃に上げたが除去時間は短縮されなかっ
た。

例４ 除去用組成体は重量比で約６６％のベンジル・アルコー
ル、約３２％のフェノール及び約２％のＦＣ−１２８を
含むこと以外は例１に示される工程が繰り返された。

この例の組戒体に関する除去時間の要件は例３の場合と
ほぼ同じであった。

しかしながらモジュール上にはエポキシ組成体の残留物
が見られなかった。

例５ 用いられた組成体が重量比約８５％のベンゾイル・アル
コール、重量比約１４％のポリエタノール・アミン、重
量比約１％のＦＣ−１２８を含むこと並びに組或体は約
１５０℃で用いられたこと以外は例１における手順と同
じ手順が繰り返された。

約３００乃至４００ｒｐｍの積極的な攪拌を用いること
によって全てのエポキシが約１時間で基板から除去され
た。

例６ 組戒体は重量比で約８５％のベンジル・アルコール、重
量比約１４％のシクロヘキサノン、重量比約１％のＦＣ
−１２８を含むこと以外は例１と同じ手順が繰り返され
た。

約１５０℃の温度において約３００乃至４ ０ Ｏ ｒ
ｐｍの積極的な攪拌を行なうことによって約１時間に
おいて全てのエポキシが除去された。

例７ 除去用組戒体が重量比約９１．９％のベンジル・アルコ
ール、重量比約８％のトリエタノラミン、重量比約０．
１％のＦＣ−１２８を含むこと以外は例１と同じ手順が
繰り返された。

この糺成体は、約３００乃至４００ｒｐｍの積極的な攪
拌を用い約１５０℃の温度において用いられる場合、約
１時間において全てのエポキシ組成体を除去した。

上記の全ての組戒体はＩＣモジュールの他の戒分に対し
て損傷を与えうろことなく基板から硬化されたエポキシ
を首尾よく除去した。

本発明のために考えられた環状アルコールが満足すべき
結果を与えるということは全く予期されることではなか
った。

多数の他のタイプのアルコールがテストされたが、基板
から硬化されたエポキシを有効に除去し得なかった。

試みられたが所望の硬化が得られなかった他の組或体は
クロチル・アルコール、クリコール、プロビル・アルコ
ール、フチル・アルコール及びｎ−アミル・アルコール
を含むものであった。

しかしながらサーファクタントを含むアミル・アルコー
ル組或体を用いてテストされた１つのモジュールは約半
分だけエポキシが除去されたが、他の全てのモジュール
の場合は全くエポキシは除去されなかった。

しかしながら本発明によって案出されたもの以外のアル
コール組或体はいずれも硬化されたエポキシを除去する
には十分効果的ではなく、よってモジュールの他の部分
に対して損傷を与えることな＜ＩＣ回路モジュールを取
りはずすために用いることは不可能である。

更に本発明の組戒体は錫、銅、鉛及びアルミニウムのよ
うな高温金属を化学的に腐食させないものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 約１１０℃以上の温度で沸とうする多量の有機シク
   ロヒドロカルビル、アルコールと、少量のイオン・フル
   オロカーボン表面活性剤とより戒る事を特徴とする、基
   板から硬化されたエポキシ・ポリマを除去するための組
   或体。 ２ 上記アルコールか約１３０℃以上の温度で沸とうす
   る一価アルコールである事を特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の組成体。 ３ 上記アルコールが単環のものであって、環に於で５
   もしくは６個の炭素原子を有する事を特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の組戒体。 ４ 上記アルコールがベンジル・アルコール、シクロベ
   ンタノール、シクロヘキサノール、ジフエニル・カルビ
   ナール、α−フエニルエタノール、β−フエニルエタノ
   ール、テルペン・アルコール並びにこれらの混合物より
   なる群から選択される事を特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載の絹成体。 ５ 上記アルコールが組威体の重量のうち重量比で少く
   とも６０％である事を特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の組成供