JP3196435B2 - 封止素子用洗浄液 - Google Patents
封止素子用洗浄液Info
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- JP3196435B2 JP3196435B2 JP17820793A JP17820793A JP3196435B2 JP 3196435 B2 JP3196435 B2 JP 3196435B2 JP 17820793 A JP17820793 A JP 17820793A JP 17820793 A JP17820793 A JP 17820793A JP 3196435 B2 JP3196435 B2 JP 3196435B2
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- Detergent Compositions (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主に電子材料の分野で
使用される封止素子の洗浄に用いられる洗浄液に関す
る。
使用される封止素子の洗浄に用いられる洗浄液に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】封止素子は、例えば銅または銀などの導
体基盤に半導体チップ等を接続し、その継目をエポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ケイ素樹脂などの封止剤で封じ
たものを成形することにより製造される。かかる封止素
子を製造する場合、成形時の封止剤由来のバリが封止素
子の表面に残存するため、一般に、溶剤を用いて洗浄処
理し、このバリを除去している。
体基盤に半導体チップ等を接続し、その継目をエポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ケイ素樹脂などの封止剤で封じ
たものを成形することにより製造される。かかる封止素
子を製造する場合、成形時の封止剤由来のバリが封止素
子の表面に残存するため、一般に、溶剤を用いて洗浄処
理し、このバリを除去している。
【０００３】従来、封止素子用の洗浄溶剤としては、フ
ロン系あるいは塩素系の溶剤が主に用いられてきたが、
現在、これらの溶剤は安定性、環境への影響などが大き
な問題となり、代替の洗浄剤が求められている。
ロン系あるいは塩素系の溶剤が主に用いられてきたが、
現在、これらの溶剤は安定性、環境への影響などが大き
な問題となり、代替の洗浄剤が求められている。
【０００４】例えば、特公昭５８−２１０００号公報に
は、主にフラックス洗浄用として、少なくとも５０重量
％のＮ−メチル−２−ピロリドンと、少なくとも１０重
量％のアルカノールアミンとを含み、好ましくはアルカ
リ金属またはアルカリ土類金属を含む組成物が開示され
ている。
は、主にフラックス洗浄用として、少なくとも５０重量
％のＮ−メチル−２−ピロリドンと、少なくとも１０重
量％のアルカノールアミンとを含み、好ましくはアルカ
リ金属またはアルカリ土類金属を含む組成物が開示され
ている。
【０００５】一方、特開昭６４−８１９４９号公報に
は、フォトレジスト用剥離剤としてγ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−
２−ピロリドンより選ばれる少なくとも一種と、アルカ
ノールアミンと水とを含有する組成物が開示されてい
る。該組成物では、水が必須成分であって、フォトレジ
スト用剥離剤としては、前記の特公昭５８−２１０００
号公報で提案されているＮ−メチル−２−ピロリドンと
アルカノールアミンだけからなる組成物では不十分とし
ている。
は、フォトレジスト用剥離剤としてγ−ブチロラクト
ン、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−
２−ピロリドンより選ばれる少なくとも一種と、アルカ
ノールアミンと水とを含有する組成物が開示されてい
る。該組成物では、水が必須成分であって、フォトレジ
スト用剥離剤としては、前記の特公昭５８−２１０００
号公報で提案されているＮ−メチル−２−ピロリドンと
アルカノールアミンだけからなる組成物では不十分とし
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来、
多くの洗浄剤組成物が提案されているにもかかわらず、
洗浄対象物の種類、あるいは、要求される洗浄の度合に
応じてなお最適な洗浄剤を開発していく必要がある。本
発明では、より厳格な洗浄が要求される主に電子材料の
分野における封止素子の洗浄に最適な洗浄液を提供する
ことを目的とする。
多くの洗浄剤組成物が提案されているにもかかわらず、
洗浄対象物の種類、あるいは、要求される洗浄の度合に
応じてなお最適な洗浄剤を開発していく必要がある。本
発明では、より厳格な洗浄が要求される主に電子材料の
分野における封止素子の洗浄に最適な洗浄液を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の洗浄液に関す
る発明を完成した。即ち、本発明は下記一般式（１）で
表されるアミド化合物を５０〜９９重量％、脂肪族アミ
ンを１〜３０重量％含有することを特徴とする封止素子
用洗浄液に関する。
題を解決すべく鋭意検討した結果、以下の洗浄液に関す
る発明を完成した。即ち、本発明は下記一般式（１）で
表されるアミド化合物を５０〜９９重量％、脂肪族アミ
ンを１〜３０重量％含有することを特徴とする封止素子
用洗浄液に関する。
【０００８】
【化２】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は水素もしくは炭素数１〜３
のアルキル基を表す。）
のアルキル基を表す。）
【０００９】本発明の洗浄液の主成分である前記一般式
（１）で示されるアミド化合物としては、具体的には、
ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド等の低級鎖状アミド化合物が例示
され、常温で液体であり、通常１５０℃以上の高沸点溶
剤として用いられるものであり、一般式（１）で示され
るアミド化合物であれば単独で使用するほか、複数の化
合物を併用してもよい。
（１）で示されるアミド化合物としては、具体的には、
ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルア
セトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド等の低級鎖状アミド化合物が例示
され、常温で液体であり、通常１５０℃以上の高沸点溶
剤として用いられるものであり、一般式（１）で示され
るアミド化合物であれば単独で使用するほか、複数の化
合物を併用してもよい。
【００１０】本発明の洗浄液で使用される脂肪族アミン
としては、メチルアミン、エチルアミン、イソプロピル
アミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレン
ジアミン、テトラメチルエチレンジアミン、シクロヘキ
シルアミン等の炭素数が１〜６程度のアルキル基を有す
る水溶性アミンが挙げられる。また、アルカノールアミ
ンも好ましく使用することができ、エタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチ
ルジエタノールアミン、２−メチルアミノエタノール等
が挙げられる。これらの脂肪族アミンは複数の種類のも
のを併用してもよい。
としては、メチルアミン、エチルアミン、イソプロピル
アミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレン
ジアミン、テトラメチルエチレンジアミン、シクロヘキ
シルアミン等の炭素数が１〜６程度のアルキル基を有す
る水溶性アミンが挙げられる。また、アルカノールアミ
ンも好ましく使用することができ、エタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチ
ルジエタノールアミン、２−メチルアミノエタノール等
が挙げられる。これらの脂肪族アミンは複数の種類のも
のを併用してもよい。
【００１１】本発明の洗浄液の組成としては、一般式
（１）のアミド化合物を５０〜９９重量％、好ましくは
７０〜９８重量％含有し、また脂肪族アミンを１〜３０
重量％、好ましくは３〜２５重量％含有するものであ
る。脂肪族アミンは、アミド化合物のみでの洗浄作用を
強化するものであるが、その含有量が１重量％未満では
効果が充分ではなく、また３０重量％を越えると洗浄効
果自体は飽和するほか、被洗浄物の表面状態を損う恐れ
があるので好ましくない。
（１）のアミド化合物を５０〜９９重量％、好ましくは
７０〜９８重量％含有し、また脂肪族アミンを１〜３０
重量％、好ましくは３〜２５重量％含有するものであ
る。脂肪族アミンは、アミド化合物のみでの洗浄作用を
強化するものであるが、その含有量が１重量％未満では
効果が充分ではなく、また３０重量％を越えると洗浄効
果自体は飽和するほか、被洗浄物の表面状態を損う恐れ
があるので好ましくない。
【００１２】また、本発明の洗浄液においては、他の溶
媒も、それらが望ましくない程度まで洗浄剤に悪影響を
与えない範囲で含有させることができる。他の溶媒とし
ては、アルコール類、エーテル類、エステル類、芳香族
炭化水素類、脂環式炭化水素類などである。本発明の洗
浄液による封止素子のバリ除去の処理方法は、封止素子
を洗浄剤溶液と接触させる洗浄処理であれば特に制限は
なく、例えば噴霧接触、シャワー接触、浸漬接触、超音
波接触等が挙げられる。洗浄温度は、通常５０〜１５０
℃、好ましくは６０〜１２０℃、洗浄時間としては、通
常１〜１２０分、好ましくは５〜６０分で実施される。
媒も、それらが望ましくない程度まで洗浄剤に悪影響を
与えない範囲で含有させることができる。他の溶媒とし
ては、アルコール類、エーテル類、エステル類、芳香族
炭化水素類、脂環式炭化水素類などである。本発明の洗
浄液による封止素子のバリ除去の処理方法は、封止素子
を洗浄剤溶液と接触させる洗浄処理であれば特に制限は
なく、例えば噴霧接触、シャワー接触、浸漬接触、超音
波接触等が挙げられる。洗浄温度は、通常５０〜１５０
℃、好ましくは６０〜１２０℃、洗浄時間としては、通
常１〜１２０分、好ましくは５〜６０分で実施される。
【００１３】
【実施例】以下、実施例より本発明を更に詳細に説明す
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。
るが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に
限定されるものではない。
【００１４】実施例 表−１に示す組成の洗浄液を所定の温度に昇温し、これ
に銅の導体基板を用い、かつ、封止剤としてエポキシ樹
脂を用いて製造された封止素子を浸漬し、表−１に示す
条件で洗浄処理を行った。洗浄後、水洗、乾燥を行っ
た。洗浄処理前後の上記ＩＣ封止素子付着物の除去の程
度について、光学顕微鏡を用いて観察し、バリ除去の程
度を調査した結果を表−１に示す。
に銅の導体基板を用い、かつ、封止剤としてエポキシ樹
脂を用いて製造された封止素子を浸漬し、表−１に示す
条件で洗浄処理を行った。洗浄後、水洗、乾燥を行っ
た。洗浄処理前後の上記ＩＣ封止素子付着物の除去の程
度について、光学顕微鏡を用いて観察し、バリ除去の程
度を調査した結果を表−１に示す。
【００１５】表−１において、洗浄後のＩＣ封止素子表
面の観察結果を以下の記号で示した。 ○…バリが完全に除去されている。 △…バリがわずかに残存している。 ×…バリの大部分が残存している。
面の観察結果を以下の記号で示した。 ○…バリが完全に除去されている。 △…バリがわずかに残存している。 ×…バリの大部分が残存している。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【発明の効果】本発明の洗浄液を用いることにより、封
止素子を効率よく洗浄することができる。
止素子を効率よく洗浄することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−5899（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−217333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−248433（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−154900（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−81949（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 C11D 7/32 C11D 7/50
Claims (2)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表わされるアミド化
合物を５０〜９９重量％、脂肪族アミンを１〜３０重量
％含有することを特徴とする封止素子用洗浄液。 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は水素もしくは炭素数１〜３
のアルキル基を表す。） - 【請求項２】 脂肪族アミンがアルカノールアミンであ
る請求項１に記載の洗浄液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17820793A JP3196435B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 封止素子用洗浄液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17820793A JP3196435B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 封止素子用洗浄液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0734095A JPH0734095A (ja) | 1995-02-03 |
| JP3196435B2 true JP3196435B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=16044455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17820793A Expired - Fee Related JP3196435B2 (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 封止素子用洗浄液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196435B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6095161A (en) * | 1997-01-17 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Processing and post-processing compositions and methods of using same |
-
1993
- 1993-07-19 JP JP17820793A patent/JP3196435B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0734095A (ja) | 1995-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608 Year of fee payment: 7 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |